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[반도체] 반도체 고직접기술 시험문제

1. Amorphous Silicon에서 Ploy Silicon 증착시 B,As,P을 함유한 결정화 온도는 약 500인 저온인데 비해서 Laser를 이용한 Poly Silicon 증착시 왜 더 높은 온도가 필요한가?답) 저온 결정 실리콘을 만들기 위한 대표적인 증착기술인 LPCVD는 silan gas를 이용하여 약 100torr 정도 온도는 580~600℃ 정도로 active layer를 증착시키는 기술이다. 이것의 증착된 structure는 수직으로부터 약 15°도의 각을 가지고 기판 계면에 columnar structure룰 가진 특징을 가지고 있다. 이것은 또한 방향을 우선적으로 배향하고 있다.B, As, P을 이온주입하여 증착하는 기판의 결정화 기술은 이온주입시에 표면에 격자원자들과의 충돌에 의해 생성된 에너지가 격자원자등에게 전달되고 이 전달된 에너지는 그 격자 원자들이 전형적으로 약 25ev인 격자 결합 에너지로부터 자유롭게 움직일 수 있도록 충분히 높다. 따라서 이렇게 생성된 결자의 distorted bond 와 Si 원자들의 dangling bond가 B, As, P등과 다시 결합을 이루고 고온에서 다시 재결정이 되는데 역할을 하게 된다. 결정상에 나타난 incoherent twins 같은 defect들은 소자의 mobility에 영향을 주기도 하지만 이 특성의 극복을 위해 10-100시간 동안 어닐링(Annealing)하여 결함을 줄일 수 있다.Poly Silicon을 만드는 Pulsed Laser Annealing기술은 1980년대 초기부터 주목을 받은 기술로서 이후 Excimer Laser Crystallization (ELC)기술로 발전되어 왔다. 이 기술은 강한 광학적인 흡착특징을 이용하여 상대적으로 넓은 면적을 고에너지로 결정화 시킬 수 있는 제조방법이다. 또 다른 이점은 poly-silicon의 결정화도가 LPCVD 방법에 비해 좋고 미세조직상으로 관찰하여 보아도 grain defect가 적은 장점이 있다.그러나 이 공정은 Si-ficluster와 되는 동시에 자라면서 grain size가 커지게 되는 효과를 거둘 수 있다.2. N-TFT가 P-TFT보다 Leakage Current가 더 높은 이유에 대해서 서술하시오.답) 다결정 TFT에서는 박막내부에 결함들이 많이 생성되어 높은 에너지를 얻은 전자가 채널상부계면과 Gate 산화막 내부에 포획되어 Drain 공핍영역에서 전자-정공 쌍의 생성확률이 커진다. 이때 전류가 계속 흐르게 되면 박막내부의 온도상승으로 인한 전자-정공쌍의 생성과 전자가 상대적으로 높은 채널하부로 이동하여 높은 에너지를 가진 채널하부 기판계면과 하부기판으로의 포획은 N-TFT에서는 게이트 산화막과 계면에 포획된 전자는 채널형성을 어렵게 만들뿐만 아니라 누설전류를 증가시키는 원인이 되기도 한다. 또한 소자의 두께 또한 600A°정도 밖에 되지 않기 때문에 Source 및 Drain 영역과 공핍층 사이의 뾰족한 부분에서 누설전류의 크기가 증가한다.3. N-TFT가 P-TFT보다 Contact 저항이 더 큰 이유에 대해서 서술하시오.4. TFT에서 VD를 크게 할때 그림과 같이 Flat하다가 다시 상승하는데 계속 증가시키면 왼쪽으로 상승하는 이유는?답) 박막 트랜지스터는 기본적으로 단결정 실리콘에 비해 박막 내부에 결함들이 많다. 앞에서도 서술하였듯이(문제2번) 드레인 공핍영역에서 드레인 전계에 의해 전자-정공쌍의 생성 확률이 높다. 뿐만 아니라 하부 기판이 열을 차단하는 유리 기판으로 되어 있어 많은 양의 전류가 흐를 때 박막내부의 온도가 상당히 증가하기 때문에 이 영향에 대한 반송자 생성 확률도 크다. 생성된 전자-정공쌍은 박막 내부의 전계 방향에 따라 각각 이동한다. ON 상태에서 생성된 반송자 중 채널 반송자와 극성이 같은 것은 드레인 쪽의 강한 전계에 의해 다수 반송자로 가득 찬 드레인 도핑영역으로 대부분 휩쓸려 간다. 채널과 반대의 극성을 가지는 반송자는 채널 하부 쪽으로 이동하여 축적된다. 그림에서는 ON 상태의 N-TFT 박막내부의 채널 반송자와 드레인 공핍은 소스 쪽 접합 전위 장벽을 낮춘다. 따라서 드레인 전압이 증가함에 따라 드레인 접합에서 생성되는 전자-정공쌍의 수가 증가하고, 채널 하부에 축적되는 정공의 수가 증가하면서 소스쪽 접합 전위를 더욱 낮춘다.드레인 전압이 어떤 값 이상으로 커지면 채널하부에 축적된 정공의 양이 소스 아래쪽 접합이 ON 될 정도로 증가한다. 소스 아래 쪽 n-p접합이 커지면 소스-채널 하부-드레인으로 연결되는 BJT 성분의 전류가 흐르는다. 이 전류 성분이 채널 전류에 더해 져서 드레인 전압이 증가 함에 따라 드레인 전류가 증가하는 Kink 현상이 생기게 된다. 게이트에 걸리는 전압이 커지면 Kink 가 생기기 시작하는 드레인 전압이 작아져서 Kink 가 쉽게 일어나는데, 이것은 게이트 전압에 의한 수직 전계가 커져 생성된 반송자가 채널하부로 쉽게 이동하게 할 뿐 아니라 게이트가 커지면 채널전류가 커져 열에 의한 전자-정공 생성을 가속시키기 때문이다. 앞에서 언급했듯이 다결정 박막 실리콘은 박막 내부에 많은 결함들로 인해 반송자 생성 확률이 높을 뿐만 아니라 하부 기판이 유리로 된 경우 온도에 의한 반송자 생성도 증가하여 Kink 현상이 가속된다.5. MILC에서 550도 8시간 수소분위기로 Hydrogen effect를 만들 때 Vaccum 분위기에서 500도 1시간에서는 안되는 이유는 무엇인가?답) 그림 (5-1)에서는 PECVD로 제작한 A-Si의 특성을 나타내는데 직선영역은 수소분위기에서 제작한 것이고 점선은 진공분위기에서 제작한 TFT의 전류 특성을 나타낸다. 이것은 Vaccum 분위기에서 어닐링 한 재료의 경우 내부의 trap site가 존재하여 grain boundary내부에서 전하의 이동을 막기 때문인 것으로 생각된다. 반면에 수소 분위기에서 어닐링 한 재료의 경우에는 수소원자가 내부의 결함들과 상호작용하거나 Grain Boundary 안에 있는 Dangling bond를 제거하여 trap site가 전하의 이동에 있어 방해되지 않도록 하는 역할을 하는 것으로 보여 나빠진 것은 관찰할 수 있다. 이것은 Si dangling bond에 결합된 수소 atom이 그들의 결합을 끊고 TFT 채널영역으로부터 discharging 된 것으로 풀이된다. 더 나아가 TFT의 수소의 discharge는 진공의 환경에서 TFT의 결정화를 더욱 억제하는 요소라 생각되어 질 수 있다. Poly Si TFT의 결함은 더 높은 온도와 수소의 분위기에서 감소되어질 수 있는데 그것은 채얼에서의 수소의 양이 높은 온도에서 더 맣게 된다는 것을 의미한다. 다른 말고 바꾸어 보면 계면에서의 Si내에 형성된 결함상태는 수소의 dischage에 의해 더 높아진다고 생각할 수 있다. 이러한 결과로 생각할 때 SiO2/Si system에서 thermal hysteresis는 Ar, N2 에 의해 방지할 수 있다고 보여진다.6. Electrical Stress가 나타나는 이유와 Vg/Vd 가 어떤 영향을 받는 지 쓰시오.답) 다결정 박막트랜지스터는 박막 내부에 결함과 meta-stable state가 많이 존재하여 바이어스에 대해 소자의 특성이 쉽게 변할 수 있다. Poly Si TFT에서는 제작 후 박막 내에 존재하는 meta-stable state와 그레인 경계에 존재하는 결함들을 치유하기 위해 수소화나 열처리 등 후처리 공정을 통하여 소자의 전기적 특성을 개선한다. 후처리 공정을 통해 박막의 특성을 개선하면 소자의 초기 특성은 상당히 개선되나 동작 중에 전기적 스트레스에 의해 박막의 특성이 점점 나빠진다. 따라서 TFT-LCD 패널 내에 Poly-Si TFT를 이용해 화소 배열 구동 회로를 집적화하기 위해서는 과도 바이어스 스트레스 후 소자의 전기적 특성이 어떻게 변화하고 이러한 특성 변화가 디지털 회로의 기본 게이트인 인버터의 동작 특성에 어떠한 영향을 미치는지를 조사하고 이를 개선하는 것은 매우 중요하다.그림 (6-1)과 (6-2)는 과도 스트레스를 가한 후 스트레스 시간에 따른 전달 특성의 변화를 보여주고 있다. 그림 (6-1)의 N-TFT 소자의 스박막 내부에 결함과 interface-state 같은 것이 많이 생성되면서 채널 전도도가 낮아지고 문턱 전압 전 기울기가 완만해지면서 문턱전압은 더욱 커진다. 또한 게이트가 0V일 때의 누설 전류 성분도 증가하여 문턱 전압 전 기울기는 더욱 완만해진다. Poly-Si N-TFT에서 전기적 스트레스에 따라 이러한 경향으로 전달 특성이 변하는 것은 채널 반송자가 정공인 P-TFT에서는 정공이 전자 만큼 높은 에너지를 얻기 어렵기 때문에 게이트 산화막으로 포획되기는 어려워 전기적 스트레스에 의한 hot-hole의 영향은 거의 없다고 보며 스트레스 시간이 증가할수록 채널 표면과 박막 내부에 결함에 많이 생성되어 N-TFT와 마찬가지로 누설 전류가 증가하며 문턱 전압 전 기울기가 완만해진다는 것으로 많이 알려져 있다. 하지만 다른 논문에서는 그림 (6-2)에서와 같이 스트레스 초기에는 문턱 전압이 낮아지는 방향으로 이동만 하다가 스트레스 시간이 증가함에 따라 문턱 전압 전 기울기가 완만해지기 시작한다. P-TFT의 전기적 스트레스 초기에 문턱전압이 낮아지는 양의 방향으로 이동하는 것은 다음과 같이 설명될 수 있다. 다결정 박막 실리콘에서는 박막 내부에 결함들이 많아 ON 상태에서 드레인 전계에 의해 드레인 공핍영역에서 전자-정공 쌍의 생성 확률이 크며, 전류가 계속 흐를 때 박막 내부의 온도 상승으로 인한 전자-정공의 생성도 많다. P-TFT의 경우 생성된 정공은 드레인 전계에 의해 드레인 도핑 영역으로 휩쓸려 간다. 그러나 생성된 전자는 전위가 상대적으로 높은 에너지를 가진 것은 채널 하부 기판 계면과 하부 기판으로 포획된다. P-TFT에서 채널 하부 기판에 포획된 전자는 N-TFT에서 게이트 산화막에 표획된 전자와 반대 역할을 한다. N-TFT에서 게이트 산화막과 계면에 포획된 전자는 채널의 형성을 어렵게 한다. 산화막에 포확된 전자가 존재할 경우 채널 표면의 전위를 낮추어 그림 6-3-(a)과 같은 에너지 band-bending이 생긴다. 따라서 채널 표면에 전자한다.

공학/기술| 2005.03.02| 6페이지| 3,000원| 조회(591)

반도체, 메모리, 시험문제

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강유전체 원리와 응용 평가A좋아요

강유전체는 1921년에 처음으로 로셀염이 갖는 강유전성, 즉 “전기장에 의하여 분극을 일으키고 전계를 제거한 후에도 그 분극상태를 유지하는” 성질이 발견되었다. 1920-1950년대에서는 이러한 강유전성이 로셀염 외에 극히 특수하게 한정된 물질에서만 나타나는 특성이라고 생각되었으나 연구자가 증가함에 따라 수백이 넘는 강유전체 물질이 발견되기에 이르렀다. 1960년대에 강유전체의 이론이 확립되었으며 1970년대에 이르러 미국을 중심으로 강유전체를 반도체 메모리 소자에 적용하고자하는 연구가 진행되었다. 1980년대가 되면서 급격히 발전하였으며, 1990년대에 이르러 저전력 및 고속이면서 아울러 비휘발성을 갖는 소자의 개발에 적용되어지고 있다.강유전체의 강유전성은 재료의 결정구조에 의하여 나타나는 전기적 성질이 주요인이 된다. 아래 Fig. 1. 은 대표적인 강유전체인 ABO3 perovskite 결정구조를 나타내고 있다. 여기서 A 는 이온 반경이 큰 이온, B 는 이온 반경이 작은 이온, O 는 oxygen 이다. 그림에서 B-site 이온은 단위격자의 중심에 위차하지 않고, 양전하와 음전하의 중심이 일치하지 않기 때문에 단위격자는 0 이 아닌 net charge를 가지게 된다. 또한 강유전체는 상전이 온도(Curie temperature)를 가지는데, 이 온도 이상에서는 paraelectric phase, 이하에서는 ferroelectric phase를 보인다. 이러한 강유전체의 결정구조에 따라 나타나는 특성 중 중요한 것은 바로 히스테리시스 곡선이다. 자발분극의 역전현상에 의한 D-E 이력곡선을 보이는 특징과 함께 압전성(piezoelectric)과 초전성(pyroelectric)을 보인다.전기장을 가하지 않았을 때에는 결정의 어떤 부분이 고유의 자발분극을 가지고 있다 하더라도 분극(polarization) 은 0 이 된다. 이것은 각각의 분극이 무질서하게 배열되어 있기 때문이다. 전기장의 세기가 커짐에 따라 전기장의 방향과 반대되는 분극을 가진 negati에 따라 분극은 감소하지만 0 으로 돌아가지는 않는다. 전기장이 0 이 되더라도 몇몇 domain들이 positive direction 으로 배열된 채로 남아있기 때문이다. 이것을 ‘ 잔류분극(remanent polarization, Pr) ' 이라고 부른다. 잔류분극은 전기장을 반대방향으로 어떤 값에 이를 때까지 가해주지 않으면 없어지지 않는다. 분극을 0 으로 만드는데 요구되는 전기장의 세기를 ’ 항전계(coercive field, Ec)' 라고 부른다. 전기장을 negative direction 으로 좀 더 가해주면 모든 dipole 들이 이 방향(negative direction)으로 다시 배열된다. 그리고 전기장의 방향을 다시 한 번 바꾸어주면 한 cycle이 끝나게 된다[1].이러한 강유전재료의 특성을 바탕으로 이 소자의 응용이 활발하게 연구되고 있는 분야는 단연 메모리 분야이다. 최근 미국의 Symmetrix 사에서도 강유전재료의 특성을 이용한 메모리 소자개발에 박차를 가하고 있고 최근 삼성전자에서도 4M의 FRAM 개발에 성공, 이분야의 주도권 경쟁에 뛰어들었으나 아직은 초기단계에 머물러 있는 실정이다. 본 조사에서는 특히 강유전 박막의 제조와 응용기술에 대해 설명하기로 한다.강유전체 메모리는 휘발성 메모리인 RAM(random access memory)과 불휘발성 메모리인 ROM(read only memory)의 두가지 특성을 다 가지고 있다. 현재까지는 FRAM의 공정개발 수준이 DRAM(Dynamic random access memory)에 미치지 못하기 때문에 동작속도는 떨어진다. 하지만 전원공급이 끊겨도 강유전체가 가지고 있는 자발분극 특성 때문에 저장된 정보가 지워지지 않는 우수한 정보 보존의 특성을 지니고 있다. 따라서 특별히 빠른 정보 입출력을 요하지 않는 연산기나 프로그램을 저장하는 메모리 등 정보의 쓰기는 빈번하지 않으나 저장된 정보의 유지가 중요한 기억장치에 아주 유용한 것으로 판명된다. 그리고 EEPROM(Electrical는 가능성도 충분하다. 아래의 Table 1. 은 FRAM 과 종래의 반도체 불휘발성 메모리를 비교한 것이다. 현재 상용화 되고 있는 강유전체를 이용한 불휘발성 소자의 재료는 크게 두 가지로 구별된다. 하나는 미국의 Ramtron 사를 중심으로 한 Pb(Zr,Ti)O3 (PZT) 계열의 재료이고, 또 하나는 미국의 Symmetrix 사를 중심으로 한 SrBi2Ta2O9 (SBT) 계열의 재료이다. 이 두 가지 재료는 각각 장단점을 가지고 있다. 먼저 PZT의 경우 공정온도가 약 650℃ 로 상대적으로 낮고, 잔류분극이 큰 반면, 분극 반전을 반복할 경우 심각하게 도출되는 박막의 피로현상과 환경적인 차원에서 납(Pb)을 함유하고 있다는 것이 심각한 단점이다. SBT 의 경우는 금속(Pt) 전극을 사용하여 1012 회 이상의 분극 반전을 거듭하여도 피로현상이 나타나지 않고 또한 이력곡선의 특정방향 선호(imprint) 현상이 없다는 것이 장점이다. 하지만 이 물질을 결정화 시키기 위해서는 800℃ 이상의 열처리가 필요하다는 것이 문제점으로 지적되고 있다. 따라서 강유전체를 반도체 소자에 응용하기 위해서는 낮은 결정화 온도의 달성, 환경적인 면의 고려, 표면과 계면 현상의 체계적인 이해, 피로와 노화현상의 개선, 소자 크기의 최소화, 강유전체의 절연파괴 특성에 대한 정확한 이해가 요구된다. 강유전체 물질을 소자에 응용하고자 할 때는 실제로 bulk 상태가 아닌 강유전체 박막이 필요하다. 강유전체 박막의 제조 방법으로는 sputtering 법, laser ablation, MOCVD, Wet Process (sol-gel, LSMCD) 등이 주로 사용되고 있다.위에서 언급한 강유전체 재료를 용량 절연막이나 불휘발성 박막 소자 메모리에 응용하기 위해서는 전극재료와 강유전체 재료를 200nm 이하의 두께로 형성할 필요가 있다. 이러한 필요성으로 인해 강유전체 본래의 특성을 최대한 도출하기 위해서는 정밀한 재료합성 기술과 균질한 성막기술이 필수불가결하다. 강유전체 박막개발 성막의 화학양론적 조성비가 불일치하며 스퍼터링손상에 의해 성막에 결함이나 손상이 생기기 쉽고 피복성이 나빠지는 등 스퍼터 기술 자체에 문제를 갖고 있어 실용화에 이르기까지는 개선해야 할 요소가 상당히 많다. 현재 강유전체 박막형성방법으로서 실용화되고 있거나 개발되고 있는 성막법으로는 전자빔(electron beam) 증착법, 레이저 용발법[13-15], 스퍼터링법, 이온주입 (ion implant)법 등의 물리적 성막법과 유기금속 화학기상퇴적법 (MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor-phase)등이 있다. 박막증착의 단계에서 증착되는 mechanism 이 아직은 명확히 규명되지는 않았지만 일본과 미국의 회사에서 액적화학증착법(LSMCD)을 개발하고 이러한 기술진보와 더불어 강유전체 박막의 고집적 소자에의 탑재가 현실화되고 있다. 그러나 전극재료의 안정성이라든가 미세가공기술 등 강유전체 박막형성에 관련된 주변기술에도 몇가지 해결해야 할 과제가 남아 있다. 예컨데 강유전체는 산화물이므로 전극재료로는 쉽게 산화되지 않는 도전재료가 요구되며 여기에는 주로 백금 (Pt)이 사용되고 있다. 그렇지만 백금은 동시에 화학적으로 매우 안정하여, 반응성 건식 식각 (reactive dryetching)등 산에 적합한 화학적 미세가공기술을 현재 확립되어 있지 않다. 당분간은 이온 밀링 (ion milling)등 물리적 가공방법으로 대응할 수 있겠지만 미세가공에 적합한 새로운 전극재료 또는 새로운 가공기술 등에 의한 조속한 해결이 필요하다. 이의 개선을 위해서 RuO2, IrO2, SrVO3등 전도성 산화물에 대한 연구가 활발히 진행되고 있으나, Pt와 비교하여 박막의 전기적 특성을 개선시키지 못하고 있다.현재 상용화되고 있는 강유전체를 이용한 비휘발성 메모리의 재료는 크게 두 가지로 구별된다. 한 가지는 SrBi2Ta2O9(SBT)계열의 재료이고, 또 하나는 Pb(Zr,Ti)O3(PZT)계열의 재료이다. SBT의 경우는 금속(Pt)전극을 사용하여 101 문제점으로 지적되고 있다. PZT의 경우는 공정온도가 약 650℃로 낮고, 높은 잔류분극을 가지며, 큐리온도가 동작온도에 대하여 충분히 큰 값을 가진다. 또한 Zr과 Ti의 비율의 변화를 통해서 비유전율, 잔류분극, 큐리온도 등의 값을 변화시킬 수 있다는 장점이 있다. 그러나 Pb의 확산에 의한 계면층의 형성이 단점으로 지적되고 있다. 이러한 문제점을 극복하기 위하여 PZT와 실리콘 사이에 버퍼층을 사용하는 연구가 활발히 이루어지고 있으며, CeO2, CaF2, YSZ, SrTiO3, MgO 등이 대표적인 예이다.그러나 최근 연구된 BLT 박막은 지금까지 연구되었던 PZT나 SBT의 결점들을 보완 할 수 있는 새로운 물질로서 관심이 모아지고 있는데, 이것은 BTO(Bi4Ti3O12) 전기적 특성을 개선하기 위해 La을 소량 첨가하여 perovskite layers의 Bi site 에 La을 치환시킨 물질이 연구되었는데, 이것이 BLT 이다. BLT 박막은 1996 년에 Noboru 가 RF sputtering 이용하여 만든 BLT 박막이 좋은 피로특성을 가진다는 결과를 보고하였고[4], 1999 년에 Noh and coworkers 에 의해 laser ablation 방법을 이용한 BLT 박막에 대한 연구가 이루어졌다. 첨가된 La은 휘발성 이온인 Bi site 에 들어가 titanium-oxygen octahedra를 안정화시키고, 잔류분극 값 (2Pr～16-20 μC/cm2)을 크게 한다. 따라서 La 이 치환된 BTO 박막(BLT)은 좋은 피로특성과 큰 잔류분극 값을 가지게 된다. 또한 BLT 박막은 비교적 낮은 온도에서 결정화가 이루어져 낮은 공정온도에서 (650～700℃) 제조가 가능하다[5]. 그러나 Bi4Ti3O12를 근간 물질로 하여 La를 첨가하여 제조한 BLT 박막의 경우 670℃의 온도에서도 피로현상이 없이 SBT보다 큰 잔류분극을 가지는 박막을 제조하였다. laser ablation으로 증착된 BLT 박막의 경우에 La 조성변화에 대한 뿐이다.

공학/기술| 2005.03.02| 6페이지| 2,500원| 조회(1,867)

메모리, 강유전체, 압전체

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초전도체에 관하여..

1. 초전도체의 정의우리가 일상생활에서 사용하는 모든 가전제품은 상당한 열이 발생한다. 이는 전기에너지의 일부가 열에너지로 전환되기 때문이다 . 따라서 가전제품의 효율을 높이려면 열의 발생량을 줄여야 한다. 그런데 만약 열로 인한 손실 없이 전류가 흐를 수 있는 물체가 있다면 우리사회는 엄청난 발전을 경험하게 될 것 이다. 바로 이것이 20세기 초반부터 많은 과학자들이 매달려온 연구대상인 초전도체다. 그림 1은 0 K 근처에서 일어나는 전도체와 초전도체들의 전기 비저항의 온도 의존성을 나타내었다. 그림에서처럼 초전도체란 아주 낮은 온도에서 전기의 흐름을 방해하는 전기저항이 완전히 없어지는 물질을 일컫는다.Fig 1) 0 K 근처에서 일어나는 전도체와 초전도체들의 전기 비저항의 온도 의존성2. 초전도체의 역사초전도재료란 상온보다 매우 낮은 온도(임계온도 또는 전이온도())에서 전기의 흐름을 방해하는 전기저항이 완전히 사라져서 에너지 손실이 전혀 없는 완전전도체가 되는 물질을 말한다. 전기저항이 사라지고 초전도체가 되는 현상은 1911년 네덜란드의 오네스가 수은에서 처음 발견되었지만, 초전도체가 되기 위해서는 영하 269 ℃(4.2K)의 액체헬륨에서만 가능하였으므로 일상생활에서 흔히 볼 수 없었다. 그러나 산업용으로 흔히 사용되는 영하 196℃(77K)의 액체질소에서도 초전도체가 되는 물질이 87년 발견되어 세계 각 언론매체들이 대대적으로 보도함으로써 초전도재료는 갑자기 전 세계적으로 각광을 받게 되었다. 영하 196도는 아직도 매우 낮은 온도이지만 응용측면에서 볼 때 대단히 큰 의미를 지닌다. 액체질소는 액체헬륨에 비하여 가격이 수십 분의 1정도로 쌀 뿐만 아니라, 다루기 쉽고 공기에서 무한정으로 얻을 수 있기 때문이다. 그림 2는 임계온도가 92 K 인 YBCO 산화물이다. 그림에서 보는 것처럼 92 K 이하의 온도에서는 저항 값이 0이 된다.Fig 2) YBCO 산화물의 초전도체 온도와 전기저항과의 관계초전도재료는 초전도현상을 보이는 온도에 따라 크게 두 부류로 구별되는데, 4.2K의 액체헬륨 온도 근처에서 초전도현상을 나타내는 것을 일반적으로 저온초전도체, 77K의 액체질소 온도 근처에서 초전도현상을 나타내는 것을 일반적으로 고온초전도체라 한다. 저온초전도체는 이미 오래 전에 발견된 Nb 및 Nb계 금속화합물, Chevrel 구조의 3원소 화합물 등이 있으며, 고온초전도체에는 최근에 발견된 4～5 원소로 구성된 산화물 형태의 세라믹으로 수십 여종이 있다. 현재까지 발견된 새로운 초전도체는 100여종에 이르고 있으며, 재현성 있게 합성이 가능한 물질 중 초전도체가 되는 온도인 임계온도가 가장 높은 물질은 93년 초반에 스위스에서 합성에 성공한 Hg-Ba-Ca-Cu-O계의 물질이다. 이 물질의 임계온도는 이때까지 최고기록을 유지하고 있던 Tl-Ba-Ca-Cu-O의 125K를 능가하여 133K까지 상승하였으며 압력을 가하면 임계온도가 165K까지 상승하고 있다.3. 초전도체의 성질모든 초전도체는 저항이 완전히 사라지는 현상 외에 외부자장 침투를 막는 완전 반자성 현상, 두개의 초전도체 사이에 얇은 절연막이 있어도 초전도전류가 흐르는 조셉슨 효과를 나타내는데, 이러한 초전도체만의 독특한 성질 때문에 교통, 에너지, 전자공학, 의료, 방위 산업 등의 미래 산업에 혁명적인 영향을 줄 것으로 기대되고 있다.3-1) 완전전도성(영저항)전이가 상당한 온도 범위로 확산되어 버렸을 때도, 저항은 어떤 온도 이하에서 완전히 소실되어 버린 것으로 생각된다. 초전도 상태에서 저항은 진실로 영이 되는 것인지 아니면 단지 매우 적은 값으로 저하되는 것인지는 실험장치의 오차로 인하여 확인 되지는 않았지만 극히 적은 값의 저항이 나오므로 영저항 으로 간주해도 무방하다.3-2) 반자성현상초전도체는 불완전 반자성을 갖느냐 아니냐에 따라 크게 두 분류로 나뉘는데 임계자장()까지 완전 반자성체의 성질을 보이다가 임계자장 이상에서는 정상상태로 환원되는 것을 제 1종 초전도체라고 하고 자장을 증가시킴에 따라 완전 반자성체에서 불완전 반자성체로 바뀌었다가 정상상태로 되는 것을 제 2종 초전도체라고 한다. 대부분의 원소 초전도체는 제 1종에 속하며 니오비둠( Nb)과 대다수의 합금으로 된 초전도체는 제 2종에 속한다.Fig 3) 초전도 상태와 일반적인 전도 상태를 가르는 임계온도, 임계전류밀도, 임계자기장 경계그림 3은 온도-자기장-전류를 축으로 하는 공간에서 초전도 상태와 보통의 상태를 구분 짓는 경계를 나타낸 그림이다. 원점과 이 경계면 사이에 존재하는 온도, 자기장, 전류 값들에 대해서 재료는 초전도 현상을 띠게 되고, 경계면 밖의 조건에서는 일반적인 전도성을 보인다.Fig 4) 마이너스효과의 도식도(a) 초전도 상태에서 재료의 몸체는 내부로부터 자기장을 배제한다.(b) 이 물체는 일단 전도성으로 바뀌면 자기장이 내부로 침투한다.초전도체들은 1종과 2종으로 명시되는 두 가지 유형으로 구분된다. 1종 재료에서는 초전도 상태에서 완전하게 반자성 성질을 나타낸다. 즉, 외부에서 가해지는 모든 자기장도 물체 내부로 흘러 들어가지 못하고 외부로만 흐른다. 이와 같은 현상을 마이너스효과 (Meissner effect)라고 하며, 이는 그림 4에 나타나 있다.4. 초전도 재료의 전자공학 응용과 기술개발1911년 네덜란드의 오네스가 수은에서 초전도 현상을 처음 발견한 이래 초전도 재료의 무한한 응용가능성이 제안되고 연구개발 되어 왔다. 1987년 액체질소로 냉각하여도 초전도성을 나타내는 고온초전도 물질이 발견되면서 초전도 응용기술의 경제성과 실현 가능성이 한층 더 높아지게 되었으며 새로운 응용분야도 출현하게 되어 세계적인 기술개발의 열기가 달아오르게 되었다.현재 활발하게 연구 개발되고 있는 초전도 재료의 전자공학적인 응용 분야는 다음과 같다.1) 초전도 양자 간섭 장치 (SQUID)영국 케임브리지 대학의 대학원생이던 조셉슨은 두개의 초전도 물질 사이에 전기가 흐르지 않는 유전체를 끼어 넣어도 쿠퍼쌍이 이동함으로써 초전류가 흐를 수 있다는 점을 알아냈다. 이것은 일종의 양자 터널 현상인데 쿠퍼쌍은 두개의 전자로 구성되므로, 각 쌍은 전자 전하의 두배를 운반한다. 이 현상을 '조셉슨 효과'라고 하고 이러한 장치를 '조셉슨 접합'이라 한다.조셉슨 접합의 특징은 아주 작은 자기장도 감지할 수 있다는 것이다.SQUID는 인류가 만든 자기 센서 중 감도가 가장 뛰어난 센서이다. 지구 자기장의 약 1천억 분의 1에 해당하는 10-15T의 자기장도 측정할 수 있다.그런데 이렇게 작은 단위의 자기장을 측정할 수 있다는 성질이 어디에 쓰일 수 있을까. 바로 우리의 건강을 위해서다. 자기공명영상, 영문으로 보통 MRI라고 불리는 장치가 조셉슨 효과를 이용해 인간 내부를 조사하는데 쓰인다.

공학/기술| 2004.10.27| 6페이지| 2,500원| 조회(608)

초전도체, 초전도, 반자성

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[역사] 고양시 답사 보고서 평가A좋아요

고양시 답사 예비조사(1)고양시 전체 모습답사에 앞서 고양시의 주요 모습과 위치에 대해 알아 봤다.집에서도 가깝고 한번 가본 적이 있는 서삼릉, 서오릉을 우선 가기로 마음 먹고다음으로 벽제관터, 북한산성, 행주산성을 가기로 했다.(2)각각의 주요 답사지역 조사{1서오릉(사적 제198호){{서오릉이란 조선왕조의 다섯릉 즉 경릉, 창릉, 익릉, 홍릉, 명릉을 일컫는 말이다. 오릉 이외에도 명종의 첫째 아들 순회세자의 순창원이 경내에 있고, 영조 후궁 영빈이씨(사도세자의 생모)의 수경원이 있으며, 최근 숙종의 후궁인 장희빈의 대빈묘도 이곳으로 이장 되었다.{(a)경릉덕종과 그의 비 소혜왕후 한씨의 능이다. 덕종은 세조의 원자로서 세조 즉위와 함께 세자에 책봉되었으나 세조 3년 20세에 요절하자 성종(成宗)이 즉위하면서 덕종으로 추존하였다.소혜왕후 한씨는 서원부원군 한확(韓確)의 딸로서 세조 즉위년 수빈에 책봉되고 월산대군과 성종 형제를 두었으며 성종 2년 왕비로 진책되었다. 불교에 귀의함이 두터워 초(楚), 한(韓), 국(國) 삼자체의 불서오 부녀자의 예의범절을 가르친 여훈을 저술하였다. 아들 교육에 매우 엄격하여 세조가 우스개로 폭비라 하였다고 한다.연산군 10년 (1504) 춘추(春秋) 68세로 승하하였다.능의 모습은 좌강(左岡)이 왕, 우강(友岡)이 비의 동원이강형식 (同原異岡形式)으로 왕우비좌의 일반적인 예와는 반대이다. 왕비는 생전에 덕종의 추존에 따라 왕비로 책봉되었기에 능의 모습도 왕릉 형식을 갖추었으나 왕은 당초 세자로 돌아갔고 또 부왕 세조의 박장주의(薄葬主義:능의 주변을 사치스럽지 못하게 함)에 따르되 사대석과 삼면의 곡장 삼채체를 설치하지 말 것을 명하였고 또 추존후 왕릉의 제도로 바꿀 것을 이뢰자 "신도(神道)가 안치한 지 오래인데 의상잡물(儀象雜物)을 동요하는 것이 불가하다"고 하고 더 이상 가설하지 말라고 당부하는 대왕대비의 명으로 세자묘제(世子墓制)대로 두기로 하였다.그리하여 이후 추봉되는 능의 상설제(象說制)의 전례(前例)를 이루게 되었릉에서 나타남은 혹시 당시 일부에서 쓰이던 고려식 석주 양식의 반영이 아닌가 한다. 고려 왕릉 중 안릉(安陵)과 동구릉 석주(石柱)에서 그 취향이 비슷한 예를 볼 수 있다.{{창릉의 정자각 및 능 창릉의 석수 및 곡장{(c)익릉 서오릉의 능역(陵域)에서 제일 먼저 조성된 경릉(敬陵)의 동쪽 언덕에 위치하며, 익릉은 조선 제19대 숙종 왕비 인경왕후(仁敬王后) 김씨(金氏)의 능이다. 왕후는 광성부원군(光城府院君) 김만기의 딸로 현종 2년에 출생하여 현종 12년 세자빈(世子嬪)에 책봉되어 가례(嘉禮)를 올렸고 숙종 즉위년에 왕비에 추봉(追封)되어 두딸을 낳았는데 모두 어려서 돌아갔다.왕비 역시 숙종 6년 20세의 나이에 승하하였다.능의 형태는 숙종 년간의 것이면서도 아직 석물을 간소화하라는 명이 내리기 이전의 일이어서 기본적으로 오례의(五禮儀) 제도를 따르면서 부분적으로 임진왜란 이후의 양식을 지니고 있다. 왕조실록에 보면 숭릉 (崇陵)의 양식을 따라 조성하였다고 한다.따라서 정자각(丁字閣)은 당시 유행하던 익실(翼室)이 딸려 측면전면(側面前面)으로 일간(一間)이 늘어난 전면 5간, 측면 5간의 것으로 세웠고 장명등(長明燈)과 망주(望柱)의 대석(臺石)에 꽃무늬를 새긴다든가 망주의 기둥에 구멍이 사라지고 상향(上向)하는 세호(細虎 : 가는 호랑이)를 새겨 넣은 점은 임진왜란 이후의 양식적인 특징을 잘 나타내고 있다.{{익릉 전경 익릉의 정자각{(d)홍릉 홍릉은 조선제21대 영조 원비(英祖元妃) 정성왕후(貞聖王后) 서씨(徐氏)의 단릉(單陵)이다. 왕후는 달성부원군(達成府院君) 종제(宗悌)의 딸로서 숙종 30년(1704) 13세 때에 연기군(延祁君) 즉 영조와 가례(嘉禮)를 올렸고 경종(景宗) 원년 세자빈이 되고 영조 즉위년(1724) 왕비로 책봉되었다.영조 33년 소생이 없이 66세로 승하하여 고양 창릉(昌陵) 좌강명릉우록(左岡明陵右麓)에 안장되었다. 영조는 왕후가 세상을 떠나자 왕비의 행장(行狀)을 짓는데 "왕궁 생활 43년 동안 항상 웃는 얼굴로 맞아 주고 양전재위 46년 동안 대동법(大同法)을 실시하고 병자호란 이후 계속된 토지개혁의 종결, 주전의 통용,압록강변에 2진 설치, 등 서적 편찬, 사육신(死六臣), 노산군 소현세자빈 강씨의 복위같은 치적(治績)을 남겼다.그러나 격렬한 성품의 소유자였던 모양으로 애증의 감정 노출이 심하였고, 이것이 당쟁에 휘말려들어 수차에 걸친 살육사건이 유발되기도 하였다.비(妃)는 세 번 취하였으며 이중 원비(元妃)는 익릉의 김만기의 딸 인경왕후이고 계비는 민유주의 딸 인현왕후로 장희빈 소생 왕자 [경종(景宗)]의 명호(名號)문제로 일시 폐위당하였다가 복위되었다. 숙종 27년 35세로 승하하였다.제2계비 인원왕후는 경은부원군 김주신의 딸로 숙종 30년 왕비로 책봉되었고 영조 22년 71세로 승하하였다. 명릉기(明陵基)는 숙종 27년 인현왕후의 능기(陵基)로 정하면서 인조의 장릉(長陵)의 예에 따라 비릉(妃陵)의 오른쪽을 비워 왕릉기로 표시하였던것을 경종 즉위년 숙종 상사(喪事)에 그곳에 장사지내고 능의 호칭은 인현왕후 때의 것을 그대로 쓰기로 하였다.그뒤 영조 33년 인원왕후 상을 당하여 그 우강에 글을 쓰게 됨으로써숙종, 인현왕후의 쌍릉과 더불어 동원이강을 이루게 된 것이다. 인현왕후는 평소 숙종 명릉 곁에 묻히기를 소원하여 미리 명릉에서 400여보 떨어진 언덕에 자리를 잡아 놓았는데 따로 정자각(丁字閣)을 세우자면 넓은 소나무 숲이 벌채 되어야 할 것을 근심하여 영조가 현 위치에 정하여 명릉과 한 정자각의 봉사를 받게 했던 것이다. 명릉은 조선의 능제상(陵制上) 한 시기를 이루는 중요한 위치에 있다고 할 수 있다. 숙종은 일찍이 그 24년에 노산군과 그 비의 무덤 장릉(莊陵), 思陵(사릉)을 봉릉함에 간소하고 작으 마한 후릉(厚陵)의 능상석물양식(陵上石物樣式)을 따를 것을 명하였더니 인현왕후 국상에도 능상석물의 제도를 일체 후릉제를 쫓아 간략하게 하도록 명하여 차후 법규로 삼도록 하였다. 그리하여 일체 석물의 척수 (尺數)를 줄여 석인(石人)은 등신대(等身大), 석수는 실물대에 가에게 효도하고 형제 간에는 우애가 깊었다. 생전에 복성군(福城君)에 대하여 은혜를 베풀었고 임종시에 부왕의 상(喪)을 마치지 못함을 송구히 여겨 부모의 능 [정릉 (靖陵)]에 묻히기를 유언하였다. 인성왕후는 나주 박씨 금성부원군 박용 의 딸로 중종 19년(1524) 11세로 세자빈에 책봉되어 인종 즉위와 더불어 왕비로 되었다.선조 10년(1577) 64세로 승하하였다. 효릉은 왕릉과 왕비릉을 난간으로 연결한 쌍릉의 제도로 썼으며 왕릉에는 양우석에 운채(雲彩)와 면석(面石)에 십이지신상(十二支神像)이 새겨진 병석(屛石)을 돌려쳐 당시 산릉경영에 소홀한 점이 많았던 모양으로 선조 10년 효릉의 개수를 명하여 당초 산릉석물을 다시 고쳐 넣었다. 당시는 인종의 외가 대윤(大尹)과 명종의 외가 소윤(小尹) 사이에 알력이 켰던 시절이니만큼 문정왕후(文定王后)와 명종(明宗)측에서 상례(喪禮) 절차르 줄이며 능 만드는 일에 소홀히 하는등 정성이 부족했던 것 같다. 효릉의 병석문(屛石門)이 매우 조략(粗略)한 것이 여기에 연유한 것 같다.{{{효릉의 정사각 전면 효릉 봉분주변의 석물효릉의 무인석, 문인석{(b)희릉 조선 제11대 중종의 계비 장경왕후 (章敬王后)의 능이다. 왕후는 윤여필(尹汝弼)의 딸로 중종 원년 대내(大內) 에 들어와 숙의(淑儀)가 되고 신비(愼妃)가 쫓져난 뒤 왕비로 봉해졌고 중종 10년(1515) 인종을 낳은 뒤 산후가 좋지 않아 25세로 승하하였다.왕비가 돌아가자 처음에는 능을 경기도 광주 헌릉(獻陵) 안에 정하였으나 20여년 뒤인 중종 32년 희릉 광저(禧陵壙低)에 큰 돌이 깔린 채 그대로 공사를 마쳤다는 설을 들어 능을 옮기자는 설을 의논하였으나 왕이 움직이지 않자 풍수설에 큰 돌이 광저에 깔리면 불길하다고 아뢰서 드디어 왕의 뜻을 움직이게 되었다. 이 일은 김안로 등이 정광필 남곤등에게 중죄를 주려고 이용한 것으로 총호사(摠護使)였던 정광필 이하 지관(地官) 및 공사에 관계했던 관리들이 대역죄에 연좌되었고 그들의 고신(告身)이 발탈 또는 추탈(追奪는 관서로, 연행로에는 이와 같은 역관이 10 여곳 있었다. 이곳에서는 우리나라에서 중국으로 가는 사절단이 숙박 휴식하였고 특히 벽제관은 때로 임금이 능을 방문할 때에 숙소로 이용하기도 하였다.한편 중국에서 오는 사신들에게는 역관에 머물러 휴식하는 공용 숙박시설이라 하겠다. 더욱이 이들 역관은 역과 원, 주막등을 동반하고 있어서 교통 통신의 편의를 최대한도로 이용할 수 있었다.그리고 벽제관은 한성(서울)에 인접하고 있었으므로 중국에서 오는 사신들은 한성에 들어오기 전에 반드시 이 역관에서 숙박하고 다음 날 관복으로 갈아 입고 예의를 갖추어 들어가는 것이 정해진 관예법이었다.본래 고양시의 고읍치는 벽제관에서 서북방으로 5리 정도에 자리잡고 있었는데 지금의 위치로 읍지를 옮긴 인조 3년(1625)에 이곳에 새로 세운 객관이 지금의 벽제관이다. 이전되기 이전에는 남별관으로 불리었다. 이전 후 초기의 당시 규모는 면적이 1,265평, 건물은 601평에 달하였다.그러나 그후에 언제 다시 건물을 세웠는지는 확실히 알 수 없으나 수차례에 걸쳐 중수하였다. 이후 일제때 일부가 헐렸고 6.25때 본관은 완전히 불타버렸다.1960년 경까지도 객관문은 남아 있었으나 퇴락해 무너져 버려 현재에는 객사의 윤곽과 터, 그리고 7척 간격으로 원좌주초석의 장대석이 남아 있을 뿐이다.이곳을 기점으로 북방 3km지점에 혜음령과 동북방으로는 퇴패현이 있다. 그리고 서남으로 이어진 도로를 따라 임진왜란 당시 명나라 이여송 군대와 왜군이 치열한 접전을 벌인 이른바 숫돌고개 싸움의 전장터 중심지가 되는 곳이 있기도 하여 많은 뒷얘기를 남기고 있다.벽제관은 관서로 연로에 설치한 첫 번째 역이었다는 점 이외에도 임금이 중국 사신을 친히 맞았던 모화관에 버금 가는 곳으로 반드시 하루전에 이곳에 머물러 입경하도록 한 객사 자리인 데에 문화재적 가치와 역사적 의미가 있다고 하겠다.{(벽제관지의 현재모습){소실되기 전의 벽제관 벽제관지 전경 벽제관지 주춧돌{4북한산성 북한산성은 백제가 하남 위례성에 도읍할 때

인문/어학| 2004.05.31| 17페이지| 3,000원| 조회(1,468)

역사, 답사, 고양시

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[심리학] MBTI 성격유형검사 보고서

1.융의 심리 유형이론 개관MBTI가 융의 심리유형론을 근거로 만들어 졌다고 해서 융의 이론에 대해 간단히 알아봤다.융은 모든 것에서 상반되는 양극의 작용을 보았다고 말했을 때, 그는 '모든 것'에서라고 말했다. 이 양극의 원리는 융의 분석심리학 전체에 스며들어있으며, 뿐만 아니라 심리유형의 설명에서 핵심적 개념이다. 마음의 구조와 정신에너지의 과정이 양극의 개념과 용어로 설명되어있다.마음(The psyche)이라고 하는 것은 의식-무의식, 개인-집단이라는 양극으로 설명된다. 그리고 심리유형도 일련의 양극을 조합으로써 설명된다. 감각-직관의 두 비합리적(인식) 기능은 감정-사고의 두 합리적(판단)기능과 대조된다. 물론 외향-내향의 태도척도 또한 양극의 개념을 가지고 있다.그런데 흥미로운 것은 정신이 살아 움직이는 것은 변증법적 과정을 따른다는 것이다. 마음의 의식적 측면에서 만든 모든 주장들은 무의식적 부분에 상반되는 것을 갖고 있다. 우리가 알고 있는 모든 소망과 의도들은 상반되는 측면의 무의식적 갈망이다. 무의식적인 것과 다른 의식적 분화는 리비도, 정신에너지를 만들어내고 그것이 정신을 운영하게 된다.이러한 무의식적 주장들은 때때로 그림자와 같은 콤플렉스에 유착된다. 우리가 이러한 그림자적인 경향을 부인하거나 억압하면 더 많은 힘이 무의식에 몰리게 되고 우리는 이러한 무의식에 의해 통제되어 상처받기 쉬울 수도 있다. 이러한 양극의 작용을 인지하지 못한 결과 일방성을 가지게 되는데 이는 정신 관련 질병의 주요 원인이 되고 개별화, 자기실현을 하는데 실패의 원인이 된다.융 이론에서 심리학적 건강함이란 심리기능, 욕망, 사상 등 우리의 부분인 모든 것의 양극 사이의 균형으로서 정의된다. 개별화로 나아가는 초월적 기능은 양극의 연합으로 이루어진다. 이것은 반대극을 무시하는 것이 아니라 그림자 부분을 포함해서 우리의 모든 부분들을 수용함으로써 창조적으로 살아가는 것을 말한다.2. MBTI의 선호경향MBTI에서는 인간의 성격유형이 4가지 선호성의 조합으로 이루어지며, 이해에도 도움을 주어 보다 원활한 인간관계를 이루어 나가는데 도움이 됨을 강조하고 있다. MBTI에서 나타내고 있는 4가지 선호성 지표의 의미는 다음과 같다.1. 외향성-내향성(EI:Extraversion-Introversion):주의집중과 에너지의 방향EI지표는 개인이 외향성인가 내향성인가를 나타내는 지표이며, 융은 내향성과 외향성이 "상호보완적"인 태도임을 나타냈다.▦외향성주로 외부의 세계를 지향하고, 인식과 판단에 있어서도 외부의 사람이나 사물에 초점을 맞춘다. 외향형의 사람들은 바깥에 나가 뛰어다녀야 활력을 얻는다. 행동 지향적이고 때로는 충동적으로 사람들을 만나며, 솔직하고 사교성이 많고 대화를 즐긴다. 외향형은 말하기를 좋아한다. 말을 할수록 힘이 나며, 말을 꺼냈다하면 한두 시간은 예사이다. 한마디 물으면 열 마디 백 마디 말을 한다.▦내향성자기 내부 세계를 지향하며, 바깥 세계보다는 자기 내부의 개념이나 생각 또는 아이디어에 더 관심을 둔다. 바깥에 나가 사람을 만나고 뛰어 다니는 것은 피곤하다. 혼자 앉아 생각에 잠기는 것이 편안하고 활력이 난다. 이러한 사람은 사려 깊고 명상적이고 고독과 프라이버시를 즐긴다. 내향형은 말수가 적은 대신 생각이 깊다. 말이 많으면 피곤하다. 남편이 내향형이고 아내가 외향형이라면 아내는 남편이 무심하고 관심이 없다고 불평한다. 남편은 좀 조용히 쉬고 싶은데 아내가 설쳐 정신이 없다. 서로의 유형을 이해하지 못하면 오해와 갈등이 발생하기 쉽다.2. 감각-직관(SN:Sensing-Intuition):정보수집 기능SN지표는 두 가지 인식의 기능중 개인이 선호하는 한 가지를 반영한다. 감각과 직관은 인식 또는 지각 과정을 말하는데 어떤 유형인가에 따라 정보를 인식 또는 지각하는 특징이 다르다.▦감각감각을 선호하는 사람은 오관 중 눈 또는 귀 등의 한가지 또는 그이상의 감각기관을 통해 관찰 가능한 사실이나 사건을 잘 받아들인다. 감각은 현재 일어나고 있는 일만을 의식하기 때문에 감각형의 사람은 자기가 현재 직접 경험하고 구체적이다. 감각형의 사람은 순서에 입각해서 차근차근 업무를 수행해 나가는 성실근면형이나, 구체적인 사실 중시로 전체를 보지 못할 위험이 있다. 감각형의 사람은 사물, 사건, 사람을 눈에 보이는 그대로 지각하려는 경향이 있으며, 사실적 사건묘사에 뛰어나다.▦직관직관형의 사람은 구체적 사실보다는 전체를 파악하고 본질적인 패턴을 이해하려고 한다. 또한 새로운 가능성을 추구해 나가며 현재에 안주하기보다 미래의 성취와 변화, 다양성을 즐긴다. 직관형의 사람은 상상력이 풍부하고 이론적이고 추상적이고 미래지향적이며 창조적이다. 그러나 구체적인 것을 떠나 전체를 보려고 하기 때문에 세세한 부분에 간과하기 쉽고 새로운 일 복잡한 일에 겁 없이 뛰어드는 경향이 많다.- 감각형은 앞차가 시속 몇 ㎞로 가고 있는데 뒤차가 시속 몇 ㎞로 달려오다가 급브레이크를 밟았음에도 불구하고.....(사실그대로 보고함)- 직관형은 우리 나라 교통사고가 세계 1위인데 요즘 젊은 운전사들의 의식구조가 어떻고... 교통부 장관은 도대체 무엇 하는 사람이기에... 벌써 고속도로가 붐비니 10년 후에 가서는 어쩔려고....(사실 그 자체보다 이면의 세계를 이야기함)3. 사고-감정(TF:Thinking-Feeeling):의사결정(판단)기능일단 인식과정을 통해 정보를 얻었다면, 그 정보를 가지고 판단, 결정, 선택을 하게 된다. TF지표는 두 가지 비교되는 판단 방법중 개인이 선호하는 한 방법을 나타내 준다. 어떤 이는 개인과 관계없이 논리적 결과에 의거하여 결정을 내리는 사고형이고, 어떤 이는 개인적, 인간적 가치에 근거하여 우선적으로 결정을 내리는 감정형이다.▦사고사고형은 인정에 얽매이기 보다 원칙에 입각하여 판단하며 정의와 공정성, 무엇이 옳고 그른가에 따라 판단한다. 인정과 사정에 이끌리지 않고 일관성, 타당성을 중시한다. 예를 들어 친척이 돈을 빌리러 왔을 때, 사고형은 돈을 어디 쓸것인지, 제때에 갚을 수 있는지, 돈을 제대로 쓰겠는지 등에 관심을 기울인다. 차갑고 냉정하게 보일 경우가 많다.마음이나 기분을 간과할 수 있다.▦감정감정형은 객관적 기준보다는 자기 자신과 다른 사람들이 부여하는 가치를 중시하며 판단을 한다. 감정 기능을 선호하는 사람은 다른 사람에게 어떤 영향을 미칠 것인가 하는 점을 고려하여 판단하며, 친화적이고 따뜻하고 조화로운 인간관계를 중시한다. 동정심이 많고 조화를 중시한다. 원리원칙보다는 사람의 마음을 다치지 않게 하는데 더 신경을 쓴다. 예를 들어 감정형은 돈을 안 빌려주면 섭섭하게 생각할 텐데, 미안해서, 나를 어떻게 생각할까? 다음에 어떻게 만나나 하는데 우선 관심이 기울어진다.아버지가 감정형이고 어머니가 사고형이라면 아이들은 아버지를 좋아하고 따른다. 부모가 모두 사고형이고 자녀가 감정형이면 부모는 항상 꼬치꼬치 따지고 들고 따뜻한 정이 없고 항상 원리원칙만 주장하는 것처럼 보인다. 또한 부모의 눈에 자녀가 엉성하여 항상 마음이 안 놓인다.4. 판단-인식(JP:Judging-Perception):외부세계에 대한 태도마지막 선호의 지표인 판단과 인식은 외부 세계에 대한 태도나 적응에 있어서 어떤 과정을 선호하는가를 말한다. 어떤 사람은 판단(사고나 감정)을 선호하고 어떤 사람은 인식(감각 또는 직관)을 선호한다.▦판단판형은 생활을 조절하고 통제하기를 원하면서 계획을 세우고 질서 있게 살아가는 경향이 있다. 이런 사람들은 구조화되고 조직화되는 것을 더 좋아하고 일이 정착되는 것을 더욱 선호한다. 이들은 계획을 짜서 일을 추진하고 미리미리 준비하는 편이며, 그것도 정한 시간 내에 마무리해야 직성이 풀린다. 외부 행동을 보아도 빈틈없고 단호하고 목적 의식이 뚜렷하다.▦인식인식형은 삶을 통제하고 조절하기 보다 상황에 맞추어 잘 적응하며 이해하려는 편이다. 다양한 기회를 좋아하고 조직되어 있지 않은 애매한 상황에도 잘 적응해 나간다.판단형은 한가지 일을 빨리 끝내고 다른 일을 추진하며, 하던 일을 놔두고는 딴 일을 못 벌린다. 일을 두고는 잠을 못 이룬다. 인식형은 한꺼번에 여러 가지 일을 벌리지만, 뒷마무리가 약하다. 판단형은답답하게 본다. 인식형은 판단형을 보고 성급하고 여유가 없고 조급하다고 비난한다.-부부가 외출할 때 판단형의 남편은 인식형의 아내가 답답하여 현관을 몇번이나 들어왔다 나갔다 하며 담배꽁초를 몇 개를 짓밟으면서 안달한다.-기숙사의 한 방에 J,P형이 살 경우, J형은 책 한 권을 빼가도 성가시고 안심이 안 된다. P형은 그게 뭐 어때 하고 예사로 생각한다.-직장에서 상사가 판단형이고 부하가 인식형이면 그 부하는 고달프다. 판단형은 정확하고 철저하게 하기를 바라지만 인식형은 항상 느긋하고 상황에 맞춰가려 하기에 급한 게 없어 보인다.3. MBTI 이론1 네 가지 기능 : S, N, T, F2 태도 : 외향성(E)과 내향성(I)3 판단(J)과 인식(P)4 유형발달의 이론5 선호경향간의 역동적인 상호작용** MBTI 4가지 선호지표{지표선호경향주요 활동외향(E) - 내향(I)에너지의 방향은 어느 쪽인가?주의 초점감각(S) - 직관(N)무엇을 인식하는가?인식기능사고(T) - 감정(F)어떻게 결정하는가?판단기능판단(J) - 인식(P)채택하는 생활양식은 무엇인가?생활양식** MBTI 4가지 선호지표의 대표적 표현들{외향성(Extraversion)내향성(Introversion)자기외부에 주의집중자기내부에 주의집중외부활동과 적극적내부활동과 집중력정열적, 활동적조용하고 신중말로 표현글로 표현경험한 다음에 이해이해한 다음에 경험쉽게 알려짐서서히 알려짐{감각형(Sensing)직관형(iNtuition)지금, 현재에 촛점미래 가능성에 촛점실제의 경험아이디어정확, 철저한 일처리신속비약적인 일처리나무를 보려는 경향숲을 보려는 경향가꾸고 추수함씨뿌림{사고형(Thinking)감정형(Feeling)진실, 사실에 주관점사람, 관계에 주관점원리와 원칙의미와 영향논리적, 분석적상황적, 포괄적맞다, 틀리다좋다, 나쁘다규범, 기준중시나에게 주는 의미 중시지적 논평우호적 협조{판단형(Judging)인식형(Perceiving)정리 정돈과 계획상황에 맞추는 개방성의지적 추진이해로 수용신속한 결론유유자적한 과 개방성

인문/어학| 2004.05.31| 9페이지| 3,000원| 조회(1,395)

심리검사, 융, mbti

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