PRAM(Phase change Random Access Memory)1. Introduction 2. Basic Operation Principle 3. Characteristic 4. Future ProspectPRAM (Phase change Random Access Memory )PRAM의 등장PRAM (Phase change Random Access Memory )1. IntroductionDRAM의 Cell 면적 축소의 한계 DRAM보다 속도가 떨어지는 플래시메모리 신 재료의 개발 - 칼코겐나이드 계 기존 메모리의 장점( 비 휘발성, 빠른 데이터처리속도, 저 전압 )만을 갖춘 메모리 연구 현재 각국 연구기관, 기업들이 차세대 반도체로서 연구 진행PRAM (Phase change Random Access Memory )1. IntroductionChalcogenide의 일반적 성질Ge2Sb2Te5 (GST)구조2. 기본동작원리PRAM (Phase change Random Access Memory )2. Basic Operation PrincipleDRAM과 PRAM의 비교2. 기본동작원리PRAM (Phase change Random Access Memory )2. Basic Operation Principle자기가열식 및 전극가열식 상변화 저항소자의 구조Bottom ElectrodeContactTop ElectrodePolycrystallineBottom ElectrodeTop ElectrodeAmorphousContactLow Resistance SET state = “0”High Resistance RESET state = “1”=2. 기본동작원리PRAM (Phase change Random Access Memory )2. Basic Operation Principle상변화 재료의 결정질 상과 비정질 상간 구조적, 물리적 특성차이 및 상변화를 위한 열에너지 인가조건의 개략도3. 특 성PRAM (Phase change Random Access Memory )3. Characteristic1. 비 휘발성 2. 강한 내구성 3. 비 파괴판독 4. 저 전압 작동(원가 경쟁력) 5. 빠른 읽기, 쓰기 속도3. 특 성 : Writing MethodPRAM (Phase change Random Access Memory )3. Characteristic기록, 소거용 펄스와 상변화와의 상관관계~210 oC~630 oC3. 특 성 : R-I Characteristics of ChalcogenidePRAM (Phase change Random Access Memory )3. Characteristic인가된 전류펄스 크기에 따른 저항변화 추이곡선Reset RegimeSet RegimeVth3. 특 성PRAM (Phase change Random Access Memory )3. Characteristic상변화 메모리 소자의 전류-전압 특성곡선3. 특 성PRAM (Phase change Random Access Memory )3. Characteristic1012 의 Endurance 가능4. 향후전망 : 응용분야PRAM (Phase change Random Access Memory )4. Future Prospect1. 디지털카메라의 빠른 연산능력으로 보다 빠른 촬영과 현상력2. PC전원 종료에도 지워지지 않는 데이터4. 향후전망 : 응용분야PRAM (Phase change Random Access Memory )4. Future Prospect3. 쉽게 고장나지 않는 휴대용품4. 디지털 제품 및 휴대용품의 소형화4. 향후전망 :PRAM (Phase change Random Access Memory )4. Future Prospect1. 이전의 Flash 메모리에 비해 월등한 성능을 보여주는 PRAM은 상용화에 더 적합하여 각 국 관련 업체에서 는 기존메모리를 PRAM으로 대체 할 것으로 보임 2. 2004년 삼성전가가 세계최초 64M PRAM 제품 기술개발과 시제품 확보에 성공 - 기존설비로 제조 가능 - 우수한 원가 경쟁력을 갖출 것으로 보임 3. 업계 첫 개발로 차세대 메모리 시장에서도 선두 위치 고수 4. 삼성전자는 향후 이 분야에 지속적인 노력을 할 계획으로, 신뢰성과 제품 특성 등을 개선시켜 2006 년 경에 상용화를 추진할 계획PRAM (Phase change Random Access Memory )T H E E N D{nameOfApplication=Show}
![[반도체]PRAM](https://image4.happycampus.com/Production/thumbnail/2004/12/04/data3427365-0001.jpg)
