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  • 한국 도시주거의 역사와 주거관리
    한국 도시주거의역사와 주거관리도시란?- 사회,경제,정치 활동의 중심이 되는 곳으로서 항상 수천, 수 만명 이상의 인구가 집단거주하여 가옥이 밀집되어 있고 교통로가 집중되어 있는 지역.왜 집을 짓는가?- 생명의 보존 : 혹독한 기후, 사나운 맹수 등 자연환경으로부터 생명의 보존- 종족의 보존 : 짝짓기, 임신, 출산, 육아 등 종족보존을 위한 보호처- 사회생활의 근거지 : 정착생활을 위한 근거지- 가족생활의 무대 : 가족을 구성하고 관계를 유지하며, 가족생활을영위하기 위한 무대- 신분의 표현 : 사회적, 경제적 신분, 가족과 가문의 정체성을 표현하기위한 수단- 재산증식의 수단 : 집의 매매와 임대, 교환을 통한 재산의 증식집은 왜 사회마다 다양한가?- 자연환경의 차이 : 기후, 지형, 식생 등 환경적 조건의 차이- 생활양식의 차이 : 주생활의 방식, 가족제도의 차이- 가치관의 차이 : 세계관, 유토피아관, 미적 기준의 차이- 사회제도, 규범의 차이: 생활의 규범, 건축제도나 규범의 차이- 생산조건의 차이 : 재료, 기술과 공법, 노동조직의 차이◎ 한국 도시주거의 역사[구석기]동서양을 막론하고 고대사회의 수송수단이나 정보매체는 하천이 중심이 되고 도로는 부수적이었으니, 고대도시는 예외없이 하천 유역에 형성되었다.또, 한민족은 그 주류가 북에서 남으로 이동하였으므로 도시형성도 북쪽에서 시작하여 남쪽으로 이동한 것으로 보인다. 따라서, 한반도의 도시문명은 대동강 유역의 평양을 중심으로 꽃피었으나, 삼한시대로 내려오면서 한반도 전역으로 확산되었다.1. 한반도의 구석기 주거유적* 한반도의 인류흔적 - 가장 오래 된 유적 :평양 상원군 검은모루 유적, 약 60-40만년전,동굴기타 구석기 유적 : 동굴이나 바위그늘 거처* 인공주거유적웅기 굴포리 1기층 : 약 10만년전(중기 구석기)공주 석장리 집터 : 2만8천년전 (후기 구석기) -집이란 생존과 번식을 위한 은신처이다.창내 : 1만9천년-1만7천년화순 대전 : 후기 구석기2. 인공주거건설의 배경과 의미.* 배경; 생존과 번100호, 마을 규모의 증대* 경계; 환호(울산 검단리)* 영역; 환호 내외의 주거영역 구분 -검단리 유적은 환호가 발견된 최초의 유적이다.2. 마을의 공동공간 및 시설* 중심영역; 집회시설 추정 중심건물과 광장* 의의; 마을배치계획의 시작3. 철기시대 주거의 다양성.* 움집의 지속* 움집의 주거유적; 대부분의 철기시대유적에서 반움집 형식이 나타남.* 귀틀집의 출현4. 지상주거의 출현.* 지상주거건설의 배경; 계층분화와 고급화, - 철기시대 집터로서 지표 위에 세워진철제 건축공구의 발달(목재가공능력의 발전) 지상가옥이다.온돌1. 구조 ; 추운 겨울을 나기 위해 구들고래를 만들고 고래 위에 구들장을 놓아 아궁이를 통하여 받아들인 열을 구들장에 저장했다가 서서히 복사열을 방출하여 방바닥이 따뜻해지도록 고안된 난방구조.2. 온돌의 발전배경 ; 지상주거로 발전함에 따라 난방의 필요성 대두.3. 온돌발달의 의미* 난방연료의절감 ; 돌의 축열성능 이용,적은 연료로 장시간 난방 * 가사노동의 절약; 가열시간대와 난방시간대의 분리 * 기거양식의 변화; 취침공간의 차별화, 좌식생활* 취침공간의 청결성; 아궁이의 분리와 함께 무연공간 형성4. 역사 ; 한반도에 사람이 살기 시작한 것은 구석기시대부터이지만, 취사와 난방을 위한 시설은 신석기인들의 주거에서 비롯된 것으로 생각된다.신석기인들의 주거는 -타원형의 주거지 내부에 아궁이시움집[ 穴住居]으로 중앙 또는 중앙 가까운 곳에 설을 만들고 그연도는 벽체를 둘러 냇돌이나 판석으로 주위를 돌리거나 진흙으로 길게 외줄로 연결된다. 둑을 쌓은 화덕자리가 있다.[고대국가]1. 체제의 형성.* 고구려(기원전 1세기), 백제(2세기), 신라(3세기)삼국의 형성* 고대도시의형성 ; 도성을중심으로한 도시문명의 발달 * 공공시설의 건설; 도성, 왕궁과 관청, 군사시설, 종교시설 등* 건축 고급화의 필요성; 대규모 건물, 상류계층의 권위건축2. 고대도시의 계획.* 방리제(坊里制); 당의 장안성 모델, -장안성의 도시계획; 격자형 도로망,남북18리,동논쟁 등* 주택의 입지선정; 최충헌, 김원명 등에 관한 기록* 건축과 자연의 조화 ; 고층건물의 회피(고려사 권 28 충렬왕 3년 7월)도선밀기에 이르기를 산이 드물면 높은집을 짓고 산이 많으면 낮은 집을 짓는다.산이 많은 것은 양이요, 산이 드문 것은 음인데, -풍수 지리도높은 집은 양이요, 낮은 집은 음이다.우리나라는 산이 많아 만일 높은 집을 지으면자손이 쇠퇴하게 된다는 기록이 있다.따라서 태조이래 궁궐 안에서 집을 높게 짓는 것을막았을 뿐만 아니라 심지어 일반에게도 이를 금지시켰다2. 집터의 조건* 풍수적 길지:생기를 받을 수 있는 지형적 조건* 거주의 생태학적 조건: 자연재해(홍수, 산사태, 폭풍 등)을 피할 수있는 지형적 조건다. 농업생산조건 : 농업용수, 농지의 확보라. 경관조건: 아름다운 마을경관3. 수원 화성의 건설.* 방어용 행정도시 : 새로운 축성술의 도입(옹성, 치성 등)* 자족적 상업도시 : 상가의 형성,지역지구제 개념 도입* 근대 건축기술의 도입: 근대적 시공기기의 고안(활차, 거중기 등)* 합리적 공정관리 : 노임제, 재료의 규격화* 계획적 치밀성 : 답사와 측량, 설계도 작성, -성곽을 쌓기 위한 설계도로서 새로 배치계획, 축기, 축성, 시공도 운 축성술과 건축기술의 발전을 보여준다.4. 주거입지관의 변화.* 이중환의 택리지; 조선후기 새로운 주거입지관 반영* 지리(地理); 토질의 생산성, 위생성* 생리(生理); 경제적 조건* 인심(人心); 사회적 조건, 교육적 조건 * 산수(山水); 경관적 조건5. 상업도시와 도시주거의 발달.* 주거입지관의 변화; 상업. 경제적 조건의 선호* 상업도시의 출현; 화성건설,읍성을 중심으로 한 장시의 발달* 항,포구를 중심으로하는 상업도시의 발달; -상가가 형성된 상업도시의 번화한 모습 상업인구의 집중 을 보여준다.* 주상복합형 도시주거의 출현: 여각, 객주,도가, 주막 등[조선전기]조선 전기의 부·군·현 소재지 사이의 거리는 평균 80리 정도이었고, 대도호·목 소재지끼리는 대개 2일 내지 3일 걸어서, 제주도나 울릉도와 같이 특수한 환경조건 하에서 특수형이 발달하게 된다.조선시대 도시사회 특징1.상공업의 발달 - 도시집중현상 등으로 도시사회는 점차 행정적 거점에서 경제적 거점으로 전환해 갔다. 그리하여 행정적 기능이 전혀 없는 경제적 도시취락도 생 겨나게 되었다. 그렇지만 농본(農本)을 강조하고 상공을 천시하던 사회 기풍과 쇄국정책 등의 제약요인 때문에 경제도시로서의 발전에는 자연히 한계가 있었다.2. 성 안에는 관아와 관인·이속·군졸들, 관인시전 및 양반·지주들이 거주하였고, 성 밖에는 장시가 서고 상인·장인·빈농들이 각기 기능별로 모여 살았다.3. 당시에도 도로·배수·청소·소방·야간통행금지 등의 도시제도가 나름대로 틀을 잡고 있었다. 특히, 1794년(정조 18)에 시작하여 2년 반 만에 완성한 신도시 화성(華城:지금의 수원성)은 조선 후기의 축성 및 도시설계의 집대성이었다.4. 조선시대 지방도시의 인구규모는 2만을 최고로 5천에서 1만대가 대부분이었는데, 이 수는 중세기 서구의 도시인구에 비하여 결코 작은 규모가 아니었다. 특히, 한성의 20만 인구는 전산업형 도시인구 중에서는 아주 높은 수준이었다.서구에 비해 도시발달이 늦어진 이유1. 지정학적으로 국토가 양(洋)의 동서를 연결하는 교통로와 동떨어졌다2. 정책적으로 왕조 500년간에 철저한 쇄국주의를 폈다3. 사상적으로 은둔적인 유교에 치중했다4. 산업적으로 상공업을 억제하고 농업에 편중했다5. 제도적으로 중앙집권에 치우쳐 지방분권적인 봉건제도가 발달하지 못했다6. 임진왜란·병자호란의 두 큰 전란을 겪은 점 등의 요인을 들 수 있다[개항기]1876∼1910년에 걸친 개항기가 비록 짧기는 하였지만,이 사이에 이 땅의 기존질서가 무너지고 새로운 질서로개편되는 중대한 변혁이 일어났는데, 지역질서 내지도시질서 또한 예외는 아니었다. 이러한 개편과정에서먼저 나타난 현상으로 지방도시의 성쇠부침이 뚜렷해진것을 들 수 있다.외국자본, 특히 일본인들에 의하여 활발히 개발되고 있던 - 일본의 도시경관을 옮겨놓은 듯하 도시주택의 일반화* 주거문화의 변질을 통한 식민 영속화 기도[해방이후]1. 도시환경 -격자형 가로망과 공동시설을 갖는 근* 한국전쟁의 피해; 주택의 파괴, 대적 단지계획이다.생존을 위한 원시적 주거상황 (자료: 천단공, 조선주택영단 주택에 관한 연구)* 이촌향도의 인구집중; 농촌경제의 피폐,산업화 정책, 1990년대 도시화율(82.7%)* 도시환경; 주택과 택지의 과부족, 도시의 기형적 성장, 주택문제와 도시문제2. 불량주거의 양산.* 도시이주 영세민; 도시주변부 국공유지 무단점유, 판자촌 형성 -국공유지를 무단으로 점거하여 만들어진 * 단지환경; 구릉지 급경사면, 불량한 주거환경을 보여준다 .도시기반시설 미비(도로, 상하수도 등), 고밀화* 불량주거; 천막이나 판자, 함석 이용 은신처형 거처 마련 * 무허가; 주기적인 철거와 재건, 주거불안정[현대]1. 도시환경의 악화.* 인구과밀화; 1995년 현재 전국토의 1%에 전인구의 1/3 거주* 도시의 기형적 성장; 택지개발, 녹지의 파괴, 도시경계확대, 도로와 교통문제, 도시공해* 난개발; 토지의 자본화, 택지의 세분할, 용적률의 극대화, 고밀화, 고층화, 커뮤니티의 해체 -서구 도시계획의 개념을 적용하여2. 신도시개발과 문제. 근대화된 주거단지를 조성하였다.* 위성도시화; 도시의 자족성 미비,수도권의 인구집중* 고밀도 주거환경; 분당, 일산, 평촌 등인구밀도 587명/ha, 전원적 거주환경 실패* 상업도시화; 상업용지 과대책정, 공공용지 부족, 커뮤니티 조성 실패3. 도시의 주택부족.* 인구증가; 1960-1980년 20년간 1.5배 증가* 가구증가; 1960-1980년 20년간 1.7배 증가, 산업화에 따른 핵가족화* 도시가구의 증가; 1975-1985 10년간 2배증가* 주택의 과점화; 1990년 서울 2채이상 소유 8만가구, 평균 10채 이상 소유 2000명4. 주택구입능력의 저하.* 소득상승; 1971-1978, 도시근로자 소득 4배 증가* 아파트가격; 같은 기간, 19배 상승*소득상승률< 주택가 상승
    생활/환경| 2007.10.21| 14페이지| 1,000원| 조회(355)
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  • 주택사정과 주택문제 평가A좋아요
    도시학적인 관점에서 본 주거주택사정과 주택문제현 상황급격한 도시화, 산업화에 따른 대도시로의 유입인구 증가 주택공급의 부족 및 자연감소 불량주택 발생 임대주택의 부족 주택금융의 비현실성 택지난수요 공급= 주택부족 문제산업화, 도시화현 상황현 상황산업화 도시화가 낳은 주택문제1. 대도시로의 인구증가로 주택이 부족 :대도시화로 인하여 점차 과밀화되고 있는 도시와는 달리 농 촌은 급격한 이농현상으로 인하여 과소화 2. 정부의 주택정책 자체의 문제 : 주택에 대한 투자와 주택공급이 불충분 : 주택의 공급이 국민의 주거복지 차원보다는 주택산업의 수 익성을 우선적으로 고려하였기 때문에 민간부분과 고용부분 에서 입대 주택보다는 분양주택 중심으로 이루어짐: 중산층의 주택수요를 충족시키는 방향으로 추진 → 중산층 하여금 필요 이상의 주택을 소비하도록 조장한 결과를 초래 : 택지 마련을 위해 가존의 노후,불량 주택을 대량으로 파괴 → 주택 1호당 인구의 감소 추세와 주택의 대형화(주택과소 비 현상 3. 주택 매매 및 전세 가격의 상승 : 땅 값과 집 값이 비싸지고, 집을 지을 땅이 부족하여 산이나 농토를 무분별하게 개발현 상황현 상황주택문제의 현황주택보급에 따른 현황 1960년에 주택공급은 84.25%에서 1989년 71%로 현저하게 악화 주택보급률의 악화원인: 기본적으로 농촌인구의 이동과 도시인구의 집중으로 주택수요의 급증 → 주택공급이 부족시․도별 주택보급률 (단위 : 천가구, 천호, %)현 상황현 상황주택 보급률이 가장 낮은 곳은 인구가 가장 많이 밀집해 있는 서울 → 매년 공급되는 토지는 한계가 있는 반면 인구유입이 꾸준히 늘고 있기 때문이다. 통계에 따르면 10가구 중 1가구 이상이 살 곳이 없다는 얘기 이다. 서울에 이어 대구(92.5%), 수도권(96.8%), 울산(99.7%)가 주택 보급률이 낮은 것으로 나타났다. 하지만 여기서는 1인가구(독신가구)는 가구로 보지 않는다. 1인가구를 포함하여 주택보급률을 계산해 보면 전국 평균이 105.9%에서 82%로 하락하게 된다. 이는 10가구당 평균 2가구가 주택부족에 허덕이고 있다는 것이다.선진국들은 오래전 가구의 개념을 버리고 인구수 대 비 주택비율을 산정하는 방식으로 바꿈주택문제슬럼어원: Slumber (잠, 선잠) 지역 병리현상의 하나로 일반적으로 빈민이 많은 지구나 주택환경이 나쁜 지구를 칭함. 대표적인 슬럼지역으로는 미국의 흑인 슬럼가인 할렘(Harlem)주택문제슬럼의 형성 원인사회적 낙후자나 반사회적 행위자들이 하나, 둘씩 모여들어 도시지역 의 일정지구에서 생태학적으로 따로 군락을 이루기 때문이다. 슬럼은 사회적 낙후자의 피신처 또는 재기, 갱생의 장소가 되고 도시 신참자의 훈련지구도 되며, 노동력 수급의 안전판으로서의 기능도 한 다. 반면에 반 사회적인 행위자의 은신처, 또는 범죄의 온상으로서 반 사회적 기능도 가진다. 게다가 사회병리현상이 많이 발생하는 지구이 며 도시 미관상으로도 좋지 않다.슬럼의 종류대도시 슬럼 (Metropolitan slum) 시골 슬럼 (Rural slum) 게토 (Ghetto) 영원한 슬럼 (Perpetuated slum) 점거된 슬럼 (Overrun slum)주택문제주택문제대도시 슬럼 (Metropolitan slum)이주민들이 미국 신흥 도시로 이주해 오던 당시 언어, 경험, 경제 적 빈곤 등으로 가장 저렴한 가격으로 건물을 지은 거주지에 정착. 어둡고 축축하며 통풍이 안 되는 건축방법으로 인간 비참함의 절 정을 초래하지만 많은 입주자가 이주하길 원하여 리를 막을 수 있 는 방법이 없다.주택문제시골 슬럼 (Rural slum)종종 전 가족이 한 방에서 또는 바닥이 반이 잠긴 오두막집에서 취 침을 해결. 시골 슬럼 거주자의 목표는 기아를 피할 수 있을 만큼 의 돈을 버는 것이다.주택문제게토 (Ghetto)게토는 자발적인 집결, 사회적 차별, 합법적인 강요를 통해서 형성. 유태인, 흑인, 중국인과 일본인들을 종종 공개적으로 주택선택에 있 어서 차별을 받아왔다. 주로 흑인 게토들에 대한 차별이 심하며 백 인거주지에서 흑인거주지로 바뀐 경우 임대료가 더 높아진다.주택문제영원한 슬럼 (Perpetuated slum)서부지역의 주에서 가장 일반적인 형태인 영원한 슬럼은 판자집, 오두막집, 대피소나 캠핑지 등 이미용으로 지어진 건물들이 보다 나은 주택을 얻을 여유가 없는 가족들에 의해 영구주택으로 계속 해서 이용되는 경우를 말한다.주택문제점거된 슬럼 (Overrun slum)거주에 적합한 지역이 공장과 도로, 철도가 들어옴에 따라서 생기 는 연기, 먼지, 소음, 악취, 흉한 모습에 의해 빠르게 슬럼화 된다.해결방안주택문제의 해결방안 1.국민 최저 주거 기준을 설정 우리나라에는 주택건설에 관련된 법은 존재하나 인간의 최저주거수준 과 주거의 기본적 권리를 명시한 주거법이 없다.해결방안주택문제의 해결방안 2.국민의 주거수준이나 인체 공학적인 분석없이 제시된 국민주택규모는 최저 주거기준 개념으로 전환되어야 한다.해결방안주택문제의 해결방안 3.주택이 단지 소유와 재산 증식의 수단이 아니라 바로 삶터라는 의식의 확산해결방안주택문제의 해결방안 4.공공부분의 역할정립과 공공주택의 점진적 확대방안이 제시되어야 한다해결방안주택문제의 해결방안 5.주거빈곤층이 거주하는 주택과 주거지역은 점진적 재개발사업을 통한 주거환경 및 주거수준의 향상이 필요하다.{nameOfApplication=Show}
    생활/환경| 2007.10.21| 21페이지| 1,000원| 조회(418)
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  • 박막재료의 표면 처리 및 PR제거
    1. 실험제목박막재료의 표면 처리 및 PR제거2. 실험목적여러 가지 전기 및 전자기기에 사용되는 반도체 소자의 제조공정은 박막재료의 (1) 증착공정, (2) 마스크의 패턴형성 그리고 (3) 식각 공정으로 구분된다. 이러한 공정들 가운데서 중요한 공정은 박막의 식각공정으로서 마스크 패턴을 가지고 증착된 박막을 식각하는 것이다. 본 실험에서는 마스크에 의하여 형성된 패턴을 증착된 박막위로 전달하는 식각공정에 대하여 이해하고 그에 따른 박막의 표면과 두께의 변화등에 대하여 고찰하고자 한다.3. 실험내용가장 널리 사용되는 실리콘 산화막 (silicon oxide; SiO2) 박막을 적절한 식각가스를 선택하여 반응성 이온 식각장치 (reactive ion etcher; RIE)를 이용하여 식각한다. 식각 전후의 산화막의 색깔 변화를 관찰하여 식각된 두께를 측정하고 식각에 의하여 형성된 패턴의 모양을 관찰한다.4. 실험절차(1) 산화막(SiO2)의 패터닝(patterning) - Lithography공정 (조교가 수행)(2) 패턴된 산화막의 표면, 표면 색깔과 패턴 관찰 - 광학현미경 관찰(3) 산화막의 식각 - 반응성 이온 식각장치 사용하여 적절한 식각가스와 Power를 선택하여 식각 실험을 진행한다.(4) 식각된 산화막의 표면, 표면 색깔과 패턴 관찰 - 광학현미경 사용(5) 마스크 패턴의 제거(O2 plasma aching) - 플라즈마 ashing 장치를 이용하여 산소 플라즈마를 발생시켜서 적절한 조건에서 마스크 패턴을 제거한다.(6) 마스크패턴을 제거한 산화막의 표면, 표면 색깔과 패턴 관찰 - 광학현미경 사용5. 실험이론(1) 플라즈마 (Plasma)-플라즈마의 정의-플라즈마라는 말을 물리학 용어로 처음 사용한 사람은 미국의 물리학자 'Langmuir'(랑뮈어)로서, 전기적인 방전으로 인해 생기는 전하를 띤 양이온과 전자들의 집단을 플라즈마라고 하고 그 물리적인 성질을 연구하는 것이 플라즈마 물리학이다. 플라즈마란 소위 '제 4의 물질상태'라고 알려져 있으며 자기유체역학(MHD)이며 여러 가지 지배 방정식들이 필요하게 된다.이때는 하전입자상호간의, 혹은 하전입자와 중성입자들 간의 충돌로 인한 플라즈마의 확산이나, 하전입자상호 간의 재결합으로 인한 입자 손실, 외부의 전자기장의 방향에 따른 여러 가지 형태의 드리프트에 의한 비바람직한 방향으로의 확산, 즉 불안정성에 대한 요소들이 고려되어져야 하며, 이러한 여러가지요소들이 포함된 지배방정식으로부터 역시 많은 형태의 플라즈마 분산관계식이 유도되어진다. 모든 실세계가 그렇듯 이러한 물리적인 안정된 선형성만이 플라즈마에 존재하는 것은 아니다.예를 들면, 지배방정식의 대전제는 플라즈마 입자들이 그 에너지관계에 있어 맥스웰 분포를 따른다는 가정이 포함되어 있으며, 이는 100% 정확한 것이 아니다. 또한 플라즈마는 무한대의 공간에서 존재하는 것이 아니라 그것을 가두는 일종의 '용기'가 항상 필요하므로, 그 용기 벽과 플라즈마 입자들 간에는 그 플라즈마의 중심부와는 밀도측면에서 다른 양상을 보이기도 한다.(플라즈마 sheath의 존재) 이러한 플라즈마의 다양하고도 이해하기 어려운 특성들은 지극히 많은 분야에서 그 응용성 및 연구적 가치를 부여한다. 최근에는 컴퓨터의 급속한 처리속도와 용량 면에서의 발전으로 인해 플라즈마의 특성을 해석하는데 있어 여러 시뮬레이션 프로그램에 의해 좀더 실제적인 플라즈마 현상들을 관찰하고 연구하고 있다.-플라즈마의 생성과 구조-다음은 플라즈마가 형성되고 있는 상태는 다음과 같은 3가지 상태가 복합적으로 일어나고 있다.반발 이온화여기와 반발가장 위쪽의 그림에서 전자는 약한 운동에너지를 갖고 있으며 이 에너지로는 원자 혹은 분자에 충돌해도 아무런 변화가 없게 된다.(반발) 하지만 두 번째 그림과 같이 가속된 자유전자는 원자와 충돌하여 최외각 전자를 튕겨 보냄으로써 이온을 만들고 또 하나의 자유전자를 만들게 된다.(이온화) 한편 세 번째 그림과 같이 자유전자나 또는 이온이 다른 원자의 이온화에는 충분하지 않지만 충돌된 원자에 에너지를 공급하여 최외각 전 같은 초경 피막을 코팅함으로써 표면의 내마모, 내부식 성질을 개선할 수 있다. 플라즈마를 이용한 증착법을 쓸 경우 부착력이 좋고, 증착 온도가 낮아질 수 있어서, 종래의 방법에서와 같이 증착 시 기판의 고온 가열이 필요하여 이에 수반되는 모재의 변형, 변성을 줄일 수 있는 등의 장점이 있기 때문에 플라즈마를 이용한 초경피막 기술 등이 산업체에서 쓰여지기 시작하고 있다.4) 환경 정화- 전자빔이나 글로 방전 플라즈마를 이용하여 공장의 배기가스 중 NOx, SOx를 제거하는 건식 처리기술은 환경 분야에서도 플라즈마가 중요히 쓰여짐을 보여준다.5) 이밖에 최근에는 차세대 고선명 텔레비젼에서 요구되는 대화면(50인치) 평판 표시장치의 하나인 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel)에 대한 연구가 수행되고 있고, 장기적으로는 21세기에 들어 요구되는 에너지, 신재료, 반도체 소자 제조, 환경 분야 등에서 플라즈마의 이용이 점점 더 늘어날 전망으로 있으며, 이에 따라 다양한 플라즈마의 생성 및 제어, 측정 기술, 플라즈마의 물성을 측정하는 플라즈마 진단법이 개발이 이루어 질 것으로 전망된다.(2) Lithography 란?Lithography라는 말은 원래 석판인쇄 라는 용어에서 시작 되었으며 오늘날의 오프셋인쇄의 근본이 된 기술로서, 1798년 독일의 A.제네펠더가 발명하였다. 그러나 지금 우리가 사용하는 용어로써의lihtography란 집속회로소자 패턴을 프로세서를 사용하여 제작하는 기술을 말한다. Nanolithography는 Nano scale의 폭을 가지는 pattern을 제작하는 필수적 기술이다. Top-Down방식에는 photography, EBL, Ion Beam Lithography가 있고, Bottom-up방식에는 Nano lithography, DPN, Micro contact printing등이 있다.-Photo Lithography-photo lithography는 광을 사용하여 기판표면에 photo resister가 코팅시키고,을 전사하는 방법이다. 전사한 thyol화합물을 금속표면에 과학적으로 흡착시키면, 자기조직화막(SAM, self Assembled Monolayer)가 형성되고, 이 막으로 기판표면을 resistor를 따라 etching하면 pattern이 형성된다.-DPN-DPN방법은 AFM(원자현미경)의 탐침에 분자ink를 묻혀서 직접 기판표면에 patterning을 하는 방법이다. DPN법을 사용하여, 50nm정도의 pattern을 직접 묘사하는 것이 가능해졌다. 또한 AFM을 사용해, 상의 표면의 관찰하고, 그리는 것이 가능하다.-Electron Beam Lithography-전자회로가 현재처럼 집적회로로 미세화한 것은 1장의 실리콘웨이퍼 표면에 수많은 부품을 제작 부착시킬 수 있는 기술 때문이다. 이 기술의 기본은 미세한 회로 패턴을 새기는 리소그래피 기술이다.이제까지는 포토마스크를 통해 빛으로 감광재료에 노광하는 광리소그래피 방식이 이용되었으나, 점차 고밀도 패턴을 작성하는 새로운 방식이 필요해짐에 따라 1970년대 중반부터 각종 전자선 묘화장치가 개발되었다. 이 장치는 이미 일부 반도체의 제조에 실용화되고 있으며, 버블메모리 제작 등에도 이용된다. 전자선 묘화장치의 본체는 주사형 전자현미경과 비슷하며, 전자총 ·전자렌즈 ·편향계 ·시료대 등으로 구성되어 있다.텅스텐 등의 음극에서 방사된 전자선을 수십 kV로 가속시켜 전자렌즈로 수속, 편광계로 주사하여 미세패턴을 레지스트에 노광한다. 패턴을 그리는 방식을 대별하면, 텔레비전처럼 전시야를 아주 작은 스포트라이트로 주사하여 패턴에 맞게 전자선을 점멸하는 래스터 주사방식과, 원형 ·직사각형의 스포트라이트로 패턴의 노광부분을 빈틈없이 덮어버리는 벡터 주사방식으로 나눈다.패턴의 해상한계는 빛의 경우, 빛의 파장(약 0.5 μm )에 의해 주어지며, 전자빔의 경우는 문제도 되지 않을 만큼 파장이 작기 때문에(약 10만분의 1 μm ) 렌즈와 편향계의 수차로 결정된다. 생산성과의 균형 때문에 보통 0.1 μm 정도의 해상도를 도체 또는 금속에 전류를 통하고 이것에 수직된 방향으로 정자기장(靜磁氣場)을 인가하면 전류방향과 자기장방향 양쪽에 대하여 수직 방향으로 이들의 크기에 대략 비례하는 기전력(起電力)이 발생된다. 이것을 홀(Hall)효과라고 한다. 이 기전력의 크기는 반도체의 경우가 가장 크며 금속의 경우가 그 다음이고 절연체의 경우는 매우 작다. 이 기전력이 생기는 방향에 따라 전류를 이루는 주된 캐리어가 지니고 있는 전하(電荷)가 양 ·음인가를 분간할 수 있다. 대부분의 금속의 경우에는 이들 캐리어들이 음(陰)의 전기(음전하)를 지니는 입자 즉 전자임이 알려져 있다.-반도체 제조 공정의 종류와 간단한 정의-1) 세정과정- 반도체 칩형성 과정중 실리콘 웨이퍼를 SC1,이 등의 세정제를 사용하여 웨이퍼상의 자연산화막, 이온, 유기물, 금속, 불순물을 제거하는데 필요한 공정이다.2) 산화,확산 과정- 실리콘 웨이퍼표면에 단순한 산소 또는 산소와 수증기의 혼합가스 분위기에서의 열산화로 산화막을 구성한다. 입자의 농도차에 의해 그 입자의 농도가 낮은 쪽으로 퍼지게한다.3) 감광액도포 과정- 포토 레지스터를 웨이퍼위에 원하는 두께로 균일하게 도포 한다.4) 노광과정- 설계된 마스크이 패턴에 광원을 이용하여 웨이퍼상에 노광한다.5) 현상과정- 디벨롭액을 이용해 노광된 감광액을 제거한다.* POSITIVE - 빛을 받은 부분만 현상됨.* NEGATIVE - 빛을 받지않은 부분만 현상됨.6) 식각과정- 회로를 형성시키는 공정으로 포토공정에서 형성된 PR패턴을 마스크로 이용하여 하부막을 가공한다.7) 불순물 주입과정- 분자 또는 원자 이온을 고전압하에서 가속시켜 작업물 내부로 불순물(붕소, 인, 비소)을 주입시키는 것을 말한다.8) RESIST막 제거과정- 불필요한 포토 레지스트를 제거한다.9) 박막층작과정- 케미컬 베이퍼 데포지션(CVD)이란 챔버내에 화학반응 기체들을 주입하여 화학반응에 의해 생성된 고체 생성물을 웨이퍼에 필름의 용도에 맞게 증착시키는 방법이다.10) 조립과정- 웨이퍼상의
    공학/기술| 2007.10.20| 11페이지| 1,000원| 조회(457)
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  • 재활용재사용자원절약
    재활용, 재사용, 자원절약목 차개 요재사용의 정의 및 사례생태도시 프라이 부르크결 론재활용, 재사용, 자원절약재활용의 정의 및 사례자원절약의 정의 및 사례생태도시를 꿈꾸는 창원서 론인간의 생활환경 악화재활용, 재사용 및 자원절약 등을 통한 회복제2의 물결인 산업혁명때부터 환경문제 대두현재 환경문제 확대되어 지역적문제에서 점차 국지적, 국가적문제인간이 살아가는데 환경은 매우 중요재활용재활용이란?폐품따위를 용도를 바꾸거나 가공하여 다시 쓰는 것을 말함.재활용의 예플라스틱고 철폐 지재활용 센터폐 병재활용 사례선유도 공원내 수생식물원재활용 사례선유도 공원1.2002년 4월 26일 개장 2.선유정수장을 활용한 재활용생태공원 3.11만 400m2의 부지면적재활용 사례선유도 공원내 수생식물원재활용 사례하늘 공원월드컵공원 중 가장 하늘에 가까운 곳에 위치한 공원 난지도 제 2매립지에 들어선 초지공원 쓰레기 매립지 안정화공사의 결과로 형성된 인공적인 땅재활용 사례옥상 녹화재사용재사용이란?재활용과 달리 버리기 전에 수선이나 깨끗하게 하여 다시 쓸 수 있도록 하는 것재사용의 예옷 바꿔입기가전제품 고쳐쓰기종이 이면지 쓰기발상의 전환재사용가능 용기쓰기재사용 사례일상속 재사용 사례{nameOfApplication=Show}
    생활/환경| 2007.10.20| 11페이지| 1,000원| 조회(613)
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  • 전자회로 부품의 동작특성
    *전기와 전도 옴의 법칙 저항 저항의 식별 저항의 수열 가변 저항 단락과 개방 접지전력 정전기 저항성 소자 용량성 소자 커패시터 자기장과 유도성 소자 인덕터 인덕턴스목차*전기와 전도도체내의 전자를 움직이게 하는 힘-전기적 에너지가 형성된다. 도전체는 자유전자를 갖는 물질 전형적인 도전체는 구리 이다. 전기는 전하 의 흐름이다. 전자는 음 으로 충전된 입자이다. 전자는 양 전하에 견인력을 받는다. 전류- 일정 시간동안 특정 점을 통과하는 전하의 Coulomb 값 1 Coulomb = 6.242 x 1018 개의 전자가 갖는 전하이다. 전류[A]는 1초간 흐른 전하의 Coulomb 값[Coulomb/sec] 예제] 어떤 도체내에서 1 초당 24.968 x 1018 개의 전자가 흐르고 있을 때 전류의 세기가 몇 암페어인지 계산하여라 전지의 두 단자 사이에는 전위차 (혹은 전압차)가 존재한다. 전지의 두 단자 사이에 도전체를 연결하면 전위차이에 의해서 전자 가 -ve 로부터 +ve 로 이동한다-즉, 전류가 흐른다. 흐르는 전류의 양은 전위차에 비례한다.*1827년 Georg Ohm(독일)은 일정한 온도에서 도체를 흐르는 전류 I 는 도체 양단의 전위차 V 에 비례한다는 사실을 발견-전압, 전류 및 저항 상호간의 관계 V = I . R 물질 내에서 전하의 흐름을 방해하는 인자를 저항이라고 부른다. 저항은 재료, 길이, 단면적 및 온도에 의존적이다. R = r l / A 저항 R, 저항율 r, 길이 l, 단면적 A 저항율이 낮은 금속 : 은(Ag), 동(Cu) 저항율이 높은 금속 : 니크롬(Ni-Cr)[예제] 좌측의 회로에 인가된 전압 V=10 [Volt] 에서 전류 I = 0.1 [A] 일 때 저항 R 의 값을 구하여라옴(Ohm)의 법칙*저항약자 : R 단위 : ohm [W] 역할 : 저항은 자신을 통과하는 전자로부터 에너지를 흡수하여 열로 발산 전자기기가 작동중일 때는 만지지 말 것 - 뜨거울 수도 있다. 용도 : 전기 회로에 공급될 전류 (전자의 흐름)의 양을 제어 102 103 104 105 106 107 108 109 저항의 용량 : 1,2선은 수로 3선은 승으로 읽는다 예1 등백적 = 3900 = 3.9kW 예2 황보갈 = 470 W 예3 회적초 = 82x105 =8.2MW 예4 청회등 = 68x103 = 68kW 저항의 오차-우측 마지막 선의 색으로 판별 갈색 1%, 금색 5%, 은색 10% 저항의 용량 : 일반 기판용 저항은 1/4W*저항의 수열모든 종류의 저항이 생산되는 것은 아니다. 로그수열을 사용하여 생산되는 저항값을 규정 위의 수열표에 승수(x1, x10, x102, x103….)를 곱한 값의 저항은 일반적으로 용이하게 구할 수 있으나 그 외의 크기는 구하기 용이치 않음 정밀저항(오차율 1%이하)의 식별시에는 1,2,3선을 수로 4선을 승으로 읽는다.*가변저항저항값을 변화시킬 수 있는 가변형 저항(전위차계) ½회전, 1회전, 10회전형 및 직선 운동형 등 정밀도와 용도에 따라 다양한 유형 고정형 저항에 비하여 저항 안정성이 취약 고정형 저항과 직렬로 연결하여 가변성과 정밀도를 동시에 획득할 수 있다.*단락과 개방단락 : 도선으로 연결되어 저항이 0인 상태 개방 : 도선이 끊어져 저항이 무한대인 상태R개방개방R단락R*접지회로 내에서 절대적인 전위를 정의할 수 없다. 회로 내에서 임의의 한 점을 기준전위(0 Volt)로 삼고 다른 부분의 전위를 이에 대한 상대적인 차이로 나타낸다. 일반적으로 음극 단자를 접지로 삼는다. 대지접지(earth ground) : 대부분의 전기 기기는 대지(earth)를 통해 접지한다. 섀시접지 : 차량 내부 회로들은 섀시(Chassis)를 기준접지로 사용 세탁기와 같은 경우는 섀시접지와 대지접지를 병행*전력전력은 단위시간당 얼마나 많은 일(어떤 종류의 에너지가 다른 종류의 에너지로 변환되는 과정)을 하는가를 표시하는 단위 전력의 전기단위는 watt 1 watt [W] = 1 joule/second [J/s] 전력 : P=일/시간=전압x전류 전열선에 전류를 흘렸을 때 발열 에너지 전기 포터를 사용하여 60oC 까지 가열하는 데 걸리는 시간은?*정전기동전기 : 도체 내의 전하운동 금속에서는 전기 발생시 도체를 타고 흐르기 때문에 정전기현상이 거의 일어나지 않는다. 정전기 : 부도체의 마찰시 발생하는 마찰전기 명주, 유리봉, 모피, 플라스틱 등의 절연불질에 의해 잘 대전된다. 전자를 잃은 물질은 양전하로 대전되고, 전자를 얻은 물질은 음전하로 대전된다. 정전유도 : 양전하 또는 음전하로 대전된 물체에 도체를 가까이하면 반대극성의 전하가 유도된다. 이에 따라 정전 흡인력이 발생한다. 쿨롱의 법칙 : 정전 흡인력의 정량화 된 계수 두 전하 사이의 전기력은 전기력선으로 표시 양전하에서 나와 음전하로 향함 분포 밀도에 의해 전장의 세기 표시*저항성 소자도체내의 순 전하는 총합이 0으로서 전기적으로 중성이 유지된다. 금속 이온은 절대온도에 비례하는 평균 에너지로 열진동을 한다. 일정 비율의 최외곽 전자가 떨어져 나가 자유전자가 된다 자유전자의 산란(random or Brown motion) 전장 E=0인 경우 전자의 평균 이동속도는 0 균일한 전장의 존재 시 전자는 전장 E에 비례하는 평균 등속운동 U=mE, m:전자의 이동도(mobility) 저항은 에너지를 생성하거나 저장하는 능력이 없이 외부전원으로부터 공급되는 전력을 소모한다*용량성 소자용량,유도소자 외부 전원으로부터 공급받은 에너지를 소모하지 않고 저장하는 소자 저항과 결합하여 다양하고 복잡한 형태의 전기에너지 제어가 가능 용량성 소자(capacitive element)-전기장을 형성하여 에너지를 저장 유도성 소자(inductive element) -자기장을 형성하여 에너지를 저장 전기장을 형성하여 공간적으로 전하를 따로 떼어놓으면 전기장이 유지되어 에너지 저장이 가능 전기장 양전하와 음전하가 분리되면 전기장이 형성된다. 전기장은 에너지를 저장한다 : 에너지 E=Q/eA, e =유전율(permittivity) e = er . eo , eo = 8.85x10-12[F/m]*용량성 소자-커패시 음극에서 유출된 전자는 하판에 집적되어 하판은 음극성을 띄게 된다. 커패시터에 전하가 축적되는 과정을 충전이라 한다. 커패시터가 완전히 충전되면 폐회로를 마치 단락된 회로처럼 만든다(더 이상 회로내에 전류가 흐르지 않는다) 커패시턴스(C : capacitance)는 커패시터가 전하를 충전할 수 있는 능력을 나타낸다.*커패시터평행한 두 도전판 사이에 채우는 절연물질을 절연체(dielectric)라고 부른다. 절연체의 성질에 따라 충전될 전하의 양이 결정된다. 커패시턴스의 용량은 도전판의 크기(면적), 두 판 사이의 거리 및 절연체의 종류에 의해 결정된다. C = eA/d : e 는 유전율(permittivity)상수 e = er . e o 이며 e o 는 진공상에서의 유전율 상수 er 는 절연체의 비유전율(relative permittivity)상수 e o = 8.85x10-12 이며 er 는 재료에 따라 1 에서 7500 사이이다. 커패시터의 용량을 표시하는 단위는 패럿(farad)이다 실제적으로 1F는 비현실적으로 매우 큰 값이므로 보통 mF(10-6 F)단위를 사용한다. 커패시턴스가 1 farad [F] 이면 1V 전압하에서 1 coulomb [C] 의 전하를 두 평행판 사이에 축적할 수 있음을 의미한다. C = Q / V 커패시터에 충전된 에너지: Wc = ½ C.V2 [J] 커패시터의 종류 : 마일러, 세라믹, 전해, 탄탈륨, 폴리에스터 전해 커패시터는 극성이 있다. 극성을 바꾸어 연결하면 폭발!!*커패시터의 식별전해 커패시터 : 원통형 알루미늄 몸체 음극표시, 사용한계 전압과 용량 표시 - 극성에 유의! 세라믹 커패시터 : 접시형 갈색몸체 몸통에 숫자표시, 극성없음 탄탈 커패시터 : 다양한 형상, 다양한 색상, 몸통에 숫자표시 숫자식별법 : 예 683 = 68x103 [pF] = 0.068 [mF]*커패시터의 연결병렬연결은 커패시터의 용량을 증가 시킨다. CT = C1 + C2 + C3 + . . . 직렬연결은 커패시터의 용량을 감소 시킨다. 1/Cetic flux : F )의 단위는 weber [Wb] 1 Wb = 진공중 1 m 거리에 있는 두 자극이 서로 당기는 힘이 6.33 x 104 [N] 도선에 자기장을 가하면 전류가 생성된다(렌즈의법칙) 도선에 전류를 흘리면 도선 주위에 자기장이 형성된다. 암페어의 오른손 나사 법칙(자기장의 방향)*Electromagnetics전자력(electromagnetic force) 자계 내에 전류가 흐르는 도체를 두면 도체는 힘을 받는다 :전자력 F = B.I.l.cosq 자속밀도 : B 전류 : I 자계내의 도선 길이 : l 플레밍의 왼손법칙 : 전류, 자속 및 작용력 사이의 상관관계 표시전자유도 도선에 자기장을 가하면 전류가 생성된다 유도되는 전압 = 유도기전력 유도되는 전류 = 유도전류 (a) 유도전압 = 자속의 변화속도와 코일의 권선수의 곱 e = N. df/dt (b) 유도전압 = 자속밀도, 자속내 도선의 길이/속도의 곱 e = B.l.v 유도기전력의 방향 : 플레밍의 오른손 법칙*인덕터도선을 감아 코일(인덕터)을 만들어 전류를 흘리면 자기장이 형성되며 자성물질(철)을 코어로 하여 코일을 만들면 훨씬 강한 자기장이 생성된다. 강자성체 : 철, 코발트, 니켈, 망간 등 상자성체 : 알루미늄, 주석, 백금 등 반자성체 : 금, 은, 동, 아연, 수은, 탄소 등 코일 내를 흐르는 전류가 변하면 인덕터는 전류의 변화에 저항하는 전압을 발생시킨다. (Lens's Law) V = L.di/dt 전류가 빠르게 변할수록 유도되는 전압은 크다. 인덕턴스의 단위 : henry [H] 코일의 인덕턴스 : L=N2mA/l [H] N : 코일의 권선수 m : 코어의 투자율 A : 코어의 단면적 l : 코일의 길이*인덕턴스인덕터를 직렬로 연결하면 인덕턴스가 증가한다. LT= L1 + L2 + L3 인덕터를 병렬로 연결하면 인덕턴스가 감소한다. 1/LT = 1/L1 + 1/L2 + 1/L3 다음 회로의 인덕턴스를 계산해 본다 이상적인 인덕터는 에너지를 소모하지 않는다 에너지를 자기장의
    공학/기술| 2007.10.07| 22페이지| 1,000원| 조회(452)
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