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나의하루에너지사용량 평가A+최고예요

나의 하루 에너지 사용량 분석홍 길 동 (성균관대학교 3학년) iiiiiiiiii@hanmail.netHong Gil-dong과 목 :담당교수 : 교수님 학 과 : 공학과학 년 : 3학년학 번 :이 름 :제 출 일 :▣ 목 차 ▣?----------------------------------------■ 나의 하루 에너지 사용량.........page. 1? 수송부분..............page. 1? 음식부분..............page. 1? 조명부분..............page. 2? 전자제품..............page. 2■ 결과 및 고찰.........page. 3? 나의 하루 에너지 사용량.........page. 3? 표를 통한 분석......page. 3? 그래프를 통한 분석page. 4? 전체적인 분석 및 고찰.............page. 4■ 나의 감상 ............page. 5------------------------------------------?■ 나의 하루 에너지 사용량? 수송부분? 전철- 지하철의 전력량 : 4200 KW- 탑승시간 : 15분 x 2 (왕복) = 30분- 이용인원 : 좌석수 540 + 좌석앞에 서있는 인원 540 = 약 1080명- 1인이 이용하는 에너지량 = (4200 x 30 x 60) / 1080 = 7000 KJKcal? 저녁- 밥 한공기 = 313 Kcal- 김치찌개 = 57 Kcal- 고등어조림 = 200 Kcal- 김치 = 25 Kcal- 멸치볶음 = 100 Kcal? 과일- 포도 (100g) = 60 Kcal- 사과(1개) = 100 Kcal? 군것질- 아이스크림 = 350 Kcal- 과자(반봉) = 200 Kcal? 총 섭취한 열량 = 2122 Kcal? 음식부분 총 사용 에너지 = 2122 x 4.186 = 8882 KJ? 조명부분? 화장실 백열전구 (1시간) : 60 W x 60 x 60 = 216000 J = 216 KJ? 집안의 형광등- 형광등 소비전력 : 20 W- 내방 형광등 1개 : 4시간사용- 거실 형광등 2개 : 3시간사용 (3인사용 - 내가 1시간을 사용한다고 가정)- 20W x 6 x 60 x 60 = 432000 J = 432 KJ? 학교에서 형광등 사용 (수업 : 약 3시간)- 형광등의 소비전력 : 20 W- 50평 강의실, 70명수업, 24개의 형광등 사용을 가정.- (20W x 3 x 60 x 60 x 24 )/70 = 74057 J = 74 KJ? 조명부분 총 사용 에너지 = 722 KJ? 전자제품? 학교에서 에어컨 사용 (수업 : 약 3시간)- 에어컨 소비전력 : 2.13 KW(20평형)- 50평 강의실, 70명수업, 20평형에어컨 2대 가동을 가정.- (2.13 x 3 x 60 x 2)/70 = 약 767 KJ? 드라이기 (7분) : 650 W x 7 x 60 = 273000 J = 273 KJ? 컴퓨터 (2시간)- 본체 소비전력 : 70 W- 모니터 소비전력 : 110 W- (70 + 110) x 2 x 60 x 60 = 1296000 J = 1296 KJ? 텔레비전 (1시간)- 40 인치 LCD 텔레비전 소비전력 : 200 W- 200 W x 60 x 60 = 720000 J = 720 KJ? 냉장고 (24시간, 3인 가족 사용)- 냉장고 소비전력 : 70 W- 70W x 24 x 60 x 60 / 3 = 2016000 J 소비전력 : 600 W- 600W x 1 x 60 x 60 / 3 / 7 = 102857 J = 약 103 KJ? 선풍기 (1시간) : 55 W x 60 x 60 = 198000 J = 198 KJ? 다리미 (일주일 1시간 사용)- 청소기 소비전력 : 600 W- 600W x 1 x 60 x 60 / 7 = 308571 J = 약 309 KJ? 세탁기 (일주일 3시간 사용, 3인가족 사용)- 세탁기 소비전력 : 130 W- 130W x 3 x 60 x 60 / 3 / 7 = 66857 J = 약 67 KJ? 전자레인지 (일주일 10분 사용)- 청소기 소비전력 : 600 W- 1250W x 10 x 60 / 7 = 107142 J = 약 107 KJ? 휴대폰 충전기 (2시간) = 6W x 2 x 60 x 60 = 43200 J = 약 43 KJ? 휴대폰 사용 전력량 = 휴대폰에 충전된 전력량 = 약 43 KJ? 전자제품 총 사용 에너지 = 13718 KJ? 나의 하루 에너지 사용량 : 30372 KJ■ 결과 및 고찰? 나의 하루 에너지 사용량 : 30372 KJ? 표를 통한 분석총 사용 에너지 (KJ)사용 비율 (%)수송부분7000 KJ23 %음식부분8882 KJ29 %조명부분772 KJ3 %전자제품13718 KJ45 %총 합30372 KJ100 %? 그래프를 통한 분석? 전체적인 분석 및 고찰분석결과 내가 하루에 사용하는 에너지의 양은 30372 KJ 이었으며 그중 가장 큰 부분을 차지하는 것은 전자제품 부분으로 45%를 차지했으며 그 다음으로 음식부분과 수송부분이 각각 29%와 23%를 차지하였다.분석 과정에 있어서 내가 하루에 사용하는 총 에너지를 계산하는 것에 의의를 두어 에너지가 사용되는 작은 부분까지 찾아내려 노력하였으며 세탁기 청소기 다리미와 같은 부분들은 일주일에 그것을 사용하는 에너지를 구한 후에 7일로 나누어 하루에 평균적으로 사용되는 에너지를 구하였다.또한 가족이 공동으로 사용하는 부분이나 학교와 같이 많은 학생들이 사용하게 되는 부분은 에되었다. 4학년 2학기. 마지막 학기에 나는 에너지 공학이라는 과목을 넣기 전에 얼마나 많은 고민을 했던가. 2년 전 화학공학에 첫발을 딛고 물리화학이라는 과목을 접하면서 그 속에서 겪어야 했던 수많은 과제와 그 속에서의 고민... 모든 레포트에서 최고의 점수를 받았지만 최종성적으로 내게 주어진 것은...C+ 이것은 너무나 큰 슬픔이었다. 4년 동안의 종합평점이 4.0 이상으로 학점에서는 그래도 높은 수준을 유지했다고 생각했던 나의 대학생활 4년 동안 유일무이한 C+이었으며 덕분에 3학년 1학기에 물리화학을 다시 한번 듣게 되었으니 물리화학은 정말 여러모로 내가 공부를 많이 하도록 만든 과목이었다.나에게 그렇게 큰 시련의 상처를 주셨던 교수님께서는 이번엔 에너지공학이라는 칼을 빼 드셨다. 피하고 싶었지만... 선택 전에 수많은 고민이 나를 괴롭혔지만... 내가 에너지 공학이라는 교수님의 수업을 선택하게 된 이유는 내가 받게 될 성적의 고 저와 관계없이 에너지공학이라는 과목 그리고 화학공학이라는 나의 전공의 본질적인 의미에 대해 심도있게 생각해보고 나 스스로 정의 내릴 수 있게 만들어 줄 학부 졸업 전에 마지막으로 주어진 좋은 기회라는 생각이 들었기 때문이다.그렇게 시작된 에너지 공학의 첫 번째 과제. 그것은 “ 나의 하루 에너지 사용량 계산 및 고찰 ” 이었다. 예전 기억을 떠올리면 교수님이 내주신 과제는 항상 그 속에 하나하나의 의미가 있었다. 이번에는 무엇이 담겨있을까... 라는 생각과 함께 과제에 대한 나의 고민의 시작되었고 그것은 과제를 조금씩 조금씩 해 나가면서 해결되어갔다.내 작은 생각에 우리가 받은 첫 번째 과제는 에너지공학이라는 과목을 시작하면서 ‘에너지란 무엇인가?’ 를 심도있게 고민해보라는 의미를 갖는다고 생각한다. 에너지 공학을 공부하기 위해서는 당연히 에너지에 대해서 먼저 알아야 할 것이다. 에너지... 낯설지 않은 친근한 말이다. 하지만 막연하게 생각해보려니 구체적으로는 떠올려지지 않는 추상적인 것이라는 느낌이다. (전기에너지... 화학한 에너지가 우리 생활에서 쓰이는 것 하나 하나를 살펴보면서 상당히 크게 놀라지 않을 수 없었다.내가 첫 번째로 놀란 점은 에너지가 쓰이는 곳이 너무 많다는 것이다. 이 문장이 우습게 느껴 질정도로 에너지는 우리의 삶 전반을 지배하고 있었다. 아니 우리의 삶 자체가 에너지의 생성과 소비로 이루어 진다로 할 수 있다. 과제를 하면서 에너지가 사용되는 것에는 무엇이 있을까 고민하였다. 조명...컴퓨터...자동차... 아니 그렇다면 사람은... 음식을 먹고 활동하는 사람역시도...화학에너지를 이용하여 운동에너지와 또 다른 화학에너지를 생성해내고 있는 것 아닌가 궁금증도 생기기도 하며 하나하나 자세히 찾아보았다.(차후에 생각해보니 사람이 걷고 움직이며 일을 하는 것은 음식을 섭취한 후 그것을 가지고 활도 하는 것이므로 음식의 열량을 계산하는 것으로 간단화 할 수 있다는 결론에 도달.)우리 주변의 에너지를 쓰이는 부분들을 찾으며 내가 모든 부분들을 다 고려할 수 있을까? 하는 생각이들 정도로 우리 삶의 모든 부분에 에너지는 사용 되고 있었다.나를 두 번째로 놀라게 한 것은 나의 하루 에너지 사용량이 매우 크다는 것이었다. 내가 하루에 사용한 에너지의 양은 30372 KJ로 내가 생각했던 것보다 어마어마하게 큰 양이었다. 앞에서 제시했듯이 그것은 형광들을 141시간 사용 할 수 있을 만큼 커더란 에너지의 양이었다.이런 놀라움과 함께 나의 생각은 자연스럽게 어떻게 하면 에너지를 아껴 쓸 수 있을까? 그리고 어떻게 이렇게 많은 에너지 사용을 감당해 내고 있을까? 라는 의문과 함께 으로 이어졌으며 앞으로도 계속 지구의 60억 인구가 사용하는...아니 우리나라 4800만 인구가 사용하는 거대한 에너지를 만들어 공급하기 위해서는 어떠한 조건이 필요한 가에 대하여 생각해 보게 되었다.첫째로 에너지 생성 효율 및 에너지 사용 효율을 증가시켜야 할 것이다. 우리의 삶 자체가 에너지를 생성하고 소비하는 것이라 할 수 있다. 그렇다면 첫 번째로 생각해야 하는 것은 에너지를 효율적으로 생산한다.)

공학/기술| 2011.11.27| 9페이지| 1,500원| 조회(571)

열량, Kcal, 소비전력, 나의 하루에너지사용, 전력량, Kw, 에너지량, 에너지 ..

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R&D정의

R&D Definition{분류본래의 정의관용적인 정의기초연구응용목적을 의식하지 않는 연구개발과 사업전개를 위한 기초가되는 연구응용연구응용목적을 의식하는 연구재료와 기술(지식체계 포함)을응용하는 연구개발자원(지식체계 포함)을 응용하여사회에 공헌하기 위한 것.본래의 정의와 동일하나,prototype만을 의미하기도 함.{연구개발.지식체계(기술 포함)의 추구.연구소 단독 행위.독창성과 체면 중시.규모가 작음..개인 base.성패는 개인의 risk.성과는 idea·concept에 비례.목표관리.성과평가는 학회와 관련.실용화·사업화 추구.연구소와 사업부의 공동행위.사업성 중시.규모가 큼..team base.성패는 기업의 risk.개발비의 전략적 투입이 필요.스케쥴관리.성과평가는 사회와 관련{분류연구개발사업부의탐색연구·응용연구기초개발본격개발신제품개발1∼3년간∼3년간∼3년간1∼3년간신원리와 신현상의 발견idea의 창출과 검증신사업과 획기적인 신제품의개발현제품에 대한 개량과 개발

공학/기술| 2011.11.27| 1페이지| 1,500원| 조회(244)

R&D, 개발, R&D분류, 기초연구, 조립계통기업, 제품개발 흐름, R&D Def..

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CNT와Graphene이용

Key Point- Graphene 층 만들기투명전극용 재료로서 자주 응용되는 ITO(Indium Tin Oxide)는 높은 전도도 및 우수한 광투과도를 지니지만 구부릴 경우 쉽게 크랙(crack)이 생기는 등의 고유의 기계적인 결점도 함께 지니고 있다. 또한 인듐의 소비량이 증가함에 따라 계속적으로 가격이 높아지고 있어 대체 물질의 개발이 시급한 상황이다.상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 새로운 투명전극으로 개발된 예로서 탄소나노튜브를 들 수 있다. 이러한 탄소나노튜브를 소재로 한 투명전극은 기존의 액정표시소자(LCD)뿐만 아니라 유기발광 표시소자(OLED), 전자 종이 표시 소자(Electronic Paper Like Display), 또는 태양 전지(Solar Cell) 등의 다양한 소자에 응용될 수 있다. 그러나 이와 같은 탄소나노튜브는 직경 및 카이랄성(Chirality)에 따라 금속 및 반도체 특성이 달라지고, 다른 밴드갭을 갖기 때문에 정제를 통한 분리가 필요하지만 기술적 및 경제적으로 어려운 실정이다.그래핀 필름을 대면적으로 용이하게 제조하여 이러한 그래핀 필름의 전사, 패터닝, 에칭 등의 공정을 이용하여 대면적 그래핀 투명 전극을 용이하게 제조하는 방법을 개발하여 본 발명을 완성하였다. 이에, 본원은, 화학 기상 증착법에 의하여 제조되는 대면적 그래핀 필름을 이용하여, 상기 그래핀 필름을 도전막으로서 포함하는 그래핀 투명 전극, 이를 포함하는 플렉시블 실리콘 박막 반도체 소자 및 그의 제조 방법을 제공하고자 한다.그래핀 필름을 도전막으로서 포함하는, 그래핀 투명 전극을 제공한다. 상기 그래핀 필름은 화학 기상 증착법에 의하여 제조되는 대면적 그래핀 필름을 이용할 수 있다.그래핀은 전기적, 기계적, 화학적인 특성이 매우 안정적이고 뛰어날 뿐 아니라 우수한 전도성 물질로서 실리콘보다 100 배 빠르게 전자를 이동시키며 구리보다도 약 100 배 가량 더 많은 전류를 흐르게 할 수 있다. 또한, 그래핀은 상대적으로 가벼운 원소인 탄소만으로 이루어져 폴리에틸렌나프탈레이트(Polyethylene naphthalate PEN) 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.예시적 구현들에 있어서, 상기 유전층은 투명 경화성 수지를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 경화성 수지는 에폭시 수지일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.example ex-num="1">1. Ni 촉매층 상에서 그래핀 박막의 성장상부에 300nm 이상의 두께를 가진 산화 실리콘층을 지닌 실리콘 웨이퍼 위에 약 500 nm 두께의 Ni 촉매층을 형성하고, 직경 3.9 인치의 석영 튜브 내에 서 상기 Ni 촉매층 상에 탄소 소스를 포함하는 가스 혼합물(CH4 : H2 : Ar = 50 : 65 : 200 sccm)을 공급하여 상기 Ni 촉매층 상에 그래핀 필름을 섭씨 950~1000도에서 성장시켰다. 이후, 단시간에 He, Ar과 같은 불활성 기체를 흘려 주어 ~10℃/s 또는 그 이하의 속도로 실온으로 냉각하여, 상기 Ni 촉매층 상에 성장된 그래핀 박막을 수득하였다.2. 실리콘 박막 반도체 소자의 제조먼저 PET 유연성 투명 기판 상에 상기 수득한 그래핀 필름을 전사하여 투명한 게이트 전극을 형성하고, 그 위에 유전층 및 접착층으로서 에폭시 수지층을 형성하여, PET/그래핀/에폭시 수지 적층체를 수득하였다.한편, 단결정 SOI(single-crystal silicon-on-insulator) 웨이퍼(SOITEC unibond ; 상부 단결정 실리콘 박막 두께 290 nm, 비저항 13.5~22.5 ohmcm) 상에 마스크로 사용할 산화 실리콘층을 증착하고 사진석판인쇄술 및 에칭 과정을 통하여 복수의 소스 및 드레인 영역을 지정하였다. 이후 상기 복수의 소스/드레인 영역 각각에 P509(Filmtronics)와 같은 인을 함유한 도펀트를 SOD 방법을 통하여 코팅시키고 950℃에서 10 초간 즉각적으로 어닐링 처리하여 2x1018 ㎝-3의 농도로 상기 복수의 소스/드레인 영역 각각을 도핑하였다.이후_P&HL=%uC2E4%uB9AC%uCF58%7C%7C%uADF8%uB798%uD540Key Point-CNT와 Graphene의 연결나노튜브와 같은 나노물질과 그래핀은 우수한 전도성과 기계적 특성을 나타내며 표면적이 넓고, 산화되지 않는 환경에서 열적, 화학적으로 매우 안정하여 플렉서블 소자를 포함한 나노전기소자를 구성하는 요소로 좋다.그래핀 필름 상에 나노튜브(nanotube), 나노선(nanowire), 나노로드(nanorod), 나노니들(nanoneedle) 및 나노입자(nanoparticle) 중 어느 하나 이상의 나노물질이 적층되어 있는 3차원 나노구조체를 제공한다.본 발명은 또한, (a) 기판 상에 그래핀 필름을 형성하는 단계; (b) 상기 그래핀 필름 상에 블록공중합체 나노템플릿을 이용하여 패터닝된 금속촉매 어레이를 증착하는 단계; 및 (c) 상기 그래핀 필름은 환원시키고, 상기 금속촉매 상에 나노물질을 성장시켜 3차원 나노구조체를 수득하는 단계를 포함하는, 그래핀 필름 상에 나노튜브, 나노선, 나노로드, 나노니들 및 나노입자 중 어느 하나 이상의 나노물질이 적층되어 있는 3차원 나노구조체의 제조방법을 제공한다.그래핀(graphene)은 흑연의 구성 물질로, 탄소원자들이 무수히 연결돼 6각형의 벌집 모양으로 수없이 쌓아올린 3차원 구조이다. 그래핀은 여기서 가장 얇게 한 겹을 떼어낸 것으로, 탄소 원자 한 층으로 되어 있는, 두께 0.35nm의 2차원 평면 형태의 얇은 막 구조이다. 그래핀은 상온에서 단위면적당 구리보다 약 100배 많은 전류를 실리콘보다 100배 이상 빠르게 전달할 수 있을 뿐만 아니라 열전도성이 최고인 다이아몬드보다 2배 이상 높고, 기계적 강도는 강철보다 200배 이상 강하며, 신축성이 좋아 늘리거나 접어도 전기전도성을 잃지 않는 특성이 있다.발명에 있어서, 상기 그래핀 필름은 단층 또는 중첩된 그래핀 판이거나 단층 또는 중첩된 산화 그래핀 판을 환원시킨 것을 특징으로 할 수 있다. 일 예로, 산화 그라파이트의 수용성 분산액류 또는 다양한 합성방법에 따라 수평 또는 수직 배향이 가능하며, 배향방법은 이에 제한되지 않는다.본 발명에 있어서, 상기 나노물질과 그래핀 필름 사이에 금속촉매가 형성되고, 상기 금속은 철, 니켈, 구리, 금, 백금, 팔라듐, 코발트 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 할 수 있다.그래핀 필름 상에 블록공중합체 나노템플릿을 형성한 후, 상기 나노템플릿 상에 금속촉매를 증착시킨 다음, 상기 나노템플릿을 제거하여 금속촉매 어레이를 수득하게 된다. 이 때, 열처리를 통하여 금속촉매 입자크기를 조절하여 형성시키는데, 이는 나노물질 어레이가 밀집되게 수직 또는 수평으로 성장하도록 한다. 이러한 금속촉매는 스퍼터링(sputtering)이나 진공증착법을 이용해 기판 위에 얇은 금속막을 형성한 후, 나노물질의 성장을 위해 승온된 상태에서 금속원자들의 응집에 의해 만들어진다.본 발명에 있어서, 상기 3차원 나노구조체에 PDMS 엘라스토머(elastomer)가 추가로 주입되는데, 이는 3차원 나노구조체에 비하여 기계적 특성, 전기전도성 등을 향상시킬 수 있기 때문이다.본 발명에 있어서, 오믹 전기 접합에 의하여 접합되는데, 오믹 전기 접합이란, 전압-전류 특성이 옴의 법칙을 따르는 금속과 반도체와의 접합으로, 반도체 소자에서 금속 결선을 뽑아낼 때 전극 금속이 소자의 특성에 큰 영향을 주지 않도록 하려면 전극 금속과 반도체 간의 접촉 저항치가 작은 옴 접촉으로 되어야 한다. 즉, 두 재질의 일함수(work function) 의 차이에 따라 전류-전압(I-V) 특성이 달라지는데, 이 때, I-V 특성이 선형으로 나타나는 금속-반도체 접합을 의미하는 것이다.따라서, 본 발명에 따른 그래핀 필름-금속촉매-나노물질로 이루어진 3차원 나노구조체의 모든 접합이 오믹 전기 접합(ohmic electrical contact)을 이루어 전계 방출 디바이스(Field-emitting device)에 쉽게 통합될 수 있어 유용한 것이다.a) 기판 상에 그래핀 필름을 형성 나노튜브 어레이를 위해서는 열처리를 통한 금속촉매의 모양을 형성하는 단계가 중요한데, 이는, 상기 형성된 블록공중합체 나노템플릿 상에 금속촉매를 증착시키고, 톨루엔 소니케이션(Toluene Sonication) 등의 방법을 이용하여 블록공중합체 나노템플릿을 제거하여 그래핀 필름 상에 나노패터닝 된 금속촉매 어레이를 수득한 다음, 550~650℃의 열처리를 통하여 금속촉매 어레이의 입자 크기를 조절하여 원하는 크기의 금속촉매입자를 수득할 수 있다.이 때, 상기 블록공중합체 나노 템플릿은 그래핀 필름상에 블록공중합체 필름을 형성하고, 상기 블록공중합체 필름을 160~250℃에서 어닐링(anneling)시켜 실린더 형태의 자기조립 나노구조를 가지는 블록공중합체를 형성한 다음, 상기 실린더 형태의 자기조립 나노구조를 가지는 블록공중합체를 식각하여 블록공중합체 중 실린더를 구성하는 블록을 제거하여 제조될 수 있다.여기서, 상기 블록공중합체 필름 어닐링 시, 온도가 160℃ 미만이면 블록 공중합체가 자기조립을 일으킬 수 없고, 250℃ 이상에서는 고온으로 인해 블록 공중합체가 degradation이 발생하는 문제가 있다. 또한, 실린더를 구성하는 블록의 제거는 습식에칭(wet etching)과 UV 조사(UV radiation)를 함께 적용하여 수행될 수 있다.본 발명에 있어서, 상기 (b)단계의 블록공중합체는 PS-b-PMMA[polystyrene-block-poly(methylmethacrylate)], PS-b-PEO[polystyrene-block-poly(ethylene oxide)], PS-b-PVP[polystyrene-block-poly(vinyl pyridine)], PS-b-PEP[Polystyreneblock-poly(ethylene-alt-propylene)] 및 PS-b-PI[polystyrene-blockpolyisoprene]로 구성된 군에서 선택되는 이성분계 블록공중합체인 것을 특징으로 할 수 있다.본 발명에 있어서, 상기 (b)단계의 금속.

공학/기술| 2011.11.27| 7페이지| 1,500원| 조회(271)

반도체, CNT, 나노, 그래핀, 반도체 소자, graphene, 그래핀 필름, Gr..

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과 목 : 전자전기프로그래밍실습과 제 명 :담당교수 :학 과 :학 년 : 3학년학 번 :이 름 :제 출 일 : 2011. 4. 5.1. 소개 및 실습목적이번 실습의 목적은 C 프로그램에서 사용되는 memory model을 이해하고, 포인터와 더블포인터의 차이와 역할, 그리고 동적 메모리 할당을 통한 memory할당에 대하여 배우고 free함수의 역할에 대하여 알 수 있다.2. 흐름도 및 알고리즘이번 실습은 위에서 말했듯이 포인터와 동적 메모리 할당에 대하여 배우고 실습해보는 것이다. main함수가 어떻게 돌아가는지 흐름을 파악하고 3개의 함수 내용을 채우는 것이 이번 실습의 주 내용이라고 할 수 있다.1. static double get_average(int *grades, int num_persons, double *std_dev)이 함수는 average, 전체 데이터의 평균과 표준 편차를 구하는 함수 이다. for 반복문을 통해 데이터를 읽어서 합을 구하고, sqrt 함수를 사용하여 표준편차를 구할 수 있다.2. static int find_nearest(char **names, int *grades, int num_persons, double average, char **who)이 함수는 평균과 가장 가까운 값을 가진 인물을 검색하는 함수이다. for반복문을 통한 반복적인 값 비교를 통하여 평균값과 가장 근접한 인물의 값을 찾는 구조이다. 텍스트에 저장된 인물들의 값을 1번 함수에서 구한 평균과 비교 후 가장 근접한 값을 return 하는 것이다.3. static void dispose_memories(int *grades, char **names, int num_persons, char **names_in_range)이 함수는 메모리에 할당된 데이터들을 free함수를 이용하여 할당된 메모리를 반환하는 함수이다.※ 플로우 차트1) main 함수2) static double get_average 함수3) static int find_nearest 함수4) t를 fopen함수를 사용하여 불러오고 fscanf함수를 사용하여 포인터 fp함수를 통하여 읽어들인 main2.txt파일의 내용을 scan한다. names와 grades 각각에 malloc이 포함된 ‘mmaloc'함수를 사용하여 해당되는 크기만큼의 메모리를 할당해주고 변수k를 0으로 선언한 뒤 for문을 사용하여 k값이 num_person 보다 작아질 때까지 for문을 반복 실행 시키도록 한다. get_average 함수를 사용하여 grades, num_persons, &std_dev 를 매개변수로 사용하여 average의 값으로 선언한다. printf 함수를 사용하여 평균과 표준편차 값을 모니터에 출력하도록 한다. find_nearest 함수를 사용하여 names, grades, num_persons, average, &who를 배개변수로 하고, 가장편균과 가까운 사람을 찾아 grade_of_who에 대입한 뒤 printf 함수를 사용하여 점수와 이름을 출력하도록 한다. get_in_range함수를 사용하여 평균 표준편차 값에 속하는 이름을 출력하도록 하는데 for문을 사용하고, k값이 num_in_range보다 같아 지기 전까지 실행하여 get_in_range함수를 통해 얻은 사람 수 만큼 실시 되도록 한다. dispose_memories 함수 내부의 free함수를 사용하여 할당되었던 메모리들을 돌려놓고 그후 check함수를 사용하여, 할당 취소가 제대로 되었는지 확인 한 뒤 종료한다.2) get_average 함수변수를 선언한 뒤 for문을 이용하여 num_person과 I 값이 같아지기 전까지 grade(i)를 sum값에 집어넣고, 이것을 통하여 전체 점수의 합을 구할 수 있다. 구한 전체의 합에 사람수를 나누어 평균값을 구하고 aver에 넣는다. 2번째 for반복문을 통하여 점수와 평균값의 차이의 제곱값인 분산값을 구하고, 분산값의 제곱근 값을 std_temp에 넣어서 표준편하 값을 정한뒤 포인터 std_dev로 가리키고 나서 aver값을 리턴하고 종수인 temp1을 이용한다. grade[i]와 average 값의 차이를 temp1에 넣는다. 이때 차이가 0보다 작으면 -1을 곱한뒤 넣은뒤 temp1과 temp(grade[0])의 값을 비교하여, 작은쪽이 temp값에 들어가도록 또는 유지되도록 if문을 반복하여 평균값과 가장 k이가 작은 사람의 이름을 who포인터로 가리키게 한다. 그리고나서 grades[count]를 반환하고 종료한다.4) dispose_memories 함수memory_free 함수를 k값이 num_person과 같아지기 전까지 반복하여 names[k]에 할당된 메모리를 되돌린다. for문 종료뒤 names grades names_in_range에 할당되었던 메모리를 free함수를 이용하여 되돌리고 종료4. 수행결과위 화면은 프로그램작성을 끝마친뒤 실행했을 때 출력되는 화면이다. 맨처음 get_average 함수를 통해 average값과 std_dev값이 출력된 것을 화면 맨위쪽에서 확인할 수 있고, fine_nearst함수를 통해 얻은 가장 표준편차가 작은사람인 Parkjk라는 이름과 점수가 출력된 것을 볼 수 있다.5. 결론 및 평가이번 실습은 memory할당 함수인 malloc 함수 그리고 pointer 에 대하여 배우고 직접해보는 실습내용 이였다. 처음에는 생소하고 처음보는 함수인 malloc 과 free함수는 이미 어느정도 작성 있었다고 할 수 있고, 직접 작성 해야 할 함수는 총 3개의 함수였다. 점수의 평균과 표준편차 값을 구하는 average 함수와, 평균값과 가장 근접한 사람을 찾는 nearest함수, free함수를 사용해서 메모리를 반환하는 dispose_memory 함수 였다. 비록 실습에서의 전체적인 코딩이 길고 복잡해서 처음에는 어떻게 해야되지라고 막막하게 생각했지만 직접 작성해야 될 함수부분은 생각보다 어렵지 않아서 조교님과 함께 질문을 해서 해결해나가니 생각보다 쉽게 작성할 수 있었던것 같다.6. Source Code (with suitable comments)Pointers and dynamic Memory Allocation.** This is the main program provided to students who registered* in "Programming Lab" at School of Information and Communication,* Sungkyunkwan University.**You must have the following output in this program.**average = 65.93*std. dev. = 25.20*Grade '66' of 'ParkJK' is nearest to average.*ParkES*LeeYS*MinHB*MoonYS* ChoiKI* KimIS* ParkJK* LeeDR* ChoiKI* KimBY*/#include #include #include #include // 절대값을 사용하기위한 abs()함수 를 위한 헤더 추가#include // memory allocationrhk deallocation사용을 위한 헤더 추가#include // 문자열에 관련된 함수를 사용하기 위한 헤더 추가#define cfree(x) free(x)/**The following functions are given in this file.*YOU MUST USE "mmalloc()" and "memory_free()" for dynamic memory allocation.*/static void *mmalloc(int); // 메모리를 할당하는 함수static void memory_free(void *); // 메모리를 해제하는 함수static void check_memory(void); // 메모리 해제를 확인하는 함수/**Given a table of grades, compute average and standard deviation.*Standard deviation is given via the last argument, and*this function ret = A = (f0 + f1 + ... + fN)/N*std_dev = sqrt(((f0-A)**2 + (f1-A)**2 + ... + (fN-A)**2)/N)*/static double get_average(int *grades, int num_persons, double *std_dev){int i;double sum =0, aver,std_sum =0, std_temp; // 네개의 더블형 변수 선언for(i=0;i < num_persons; i++) // for문 사용{sum += grades[i]; //모든사람 점수 다 합함}aver =((double)sum / (double)num_persons); //평균값 구함for(i=0;ipcode)) {cfree(the_mem->ptr);cfree(the_mem);return((void *)0);}*(the_mem->pcode) = the_mem->code;if(!mems) {size_mems = 128;mems = (MEM_CHUNK **)calloc(2*size_mems, sizeof(MEM_CHUNK *));assert(mems);}else if(num_mems >= size_mems) {int k;MEM_CHUNK **temp_mems = mems;mems = (MEM_CHUNK **)calloc(2*size_mems, sizeof(MEM_CHUNK *));assert(mems);for(k = 0 ; k < size_mems ; k++)mems[k] = temp_mems[k];if(temp_mems)cfree(temp_mems);size_mems += size_mems;}mems[num_mems] = the_mem;num_mems++;return(the_mem->ptr);}static void memory_free(void *ptr){int k, for_code, size;assert(mems);assert(size_mems > 0);assert(num_mems > 0);for(k = 0 ; k < ) {

공학/기술| 2011.09.08| 14페이지| 1,000원| 조회(212)

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전전프 project8

과 목 : 전자전기프로그래밍실습과 제 명 :담당교수 :학 과 :학 년 :학 번 :이 름 :제 출 일 : 2011. 6. 13.1. 소개 및 실습목적이번 시간에 실습할 내용은 선형 연립 방정식을 푸는 방법 중에 하나인 가우스 소거법과 피보팅에 대해 알고, 가우스 소거법과 피보팅으로 행렬을 계산하는 프로그램을 직접 구현해 보는것이다.2. 흐름도 및 알고리즘우리는 이미 2x2 행열의 행열식 detA=ad-bc 임을 공학수학을 수강했던 학생이라면 누구나 알고 있는 사실이다. 2x2 이상의 큰 정방행렬의 경우 그보다 작은 정방행렬의 행렬식들의 조합으로 큰 정방행렬의 행렬식을 구할 수 있다. 이러한 방법이 여인수 전개법이다.우리가 작성할 함수는 DetMatrix 함수로 여인수 전개법을 이용해서 det를 구해주는 함수이다. 행렬의 크기와 행렬자체를 전달받으면 더 작은 행렬로 쪼개서 함수를 호출하게 된다. 계속해서 쪼갠후 2x2 행렬이 되면 detA=ad-bc의 공식으로 det를 계산해서 return을 하고, 이return된 값들을 합산해서 최초 원래 행렬의 det를 구하게 된다.※ 플로우 차트1) ForwardElim & Pivoting 함수2) BackSubs 함수3. Implementation1) ForwardElim함수for문에서 반복적인 일을 하기위해 사용되는 변수 I,k,j와 대각 요소가 0인 행이 나왔을 때 Pivotiong함수에 교체할 행을 찾을 때 시작점이 되는 행이 순서값을 전해주는 역할을 하는 변수 StartRow 를 정수형 변수 int로 선언하고, 전진 소거법을 할 때 값을 소거하기 위해서 소거하는 값에 맞게 빼는 항에 곱해야 할 값을 저장할 수 있는 float형 변수a를 선언한다. for문 을 이용하여 첫 번째에서 두 번째 항부터의 첫 번째 열의 값들을 제거 하는 것을 시작으로 마지막 직전 항을 이용하는 과정까지 수행을 하게 된다.i번째 항의 대각요소가 0이 되는 경우가 생기면 StartRow에는 i값이 저장되고 Pivoting 함수를 호출하여 Pivoting과정을 수행하는 if문을 실행하고, i행 밑에 있는 항들에 대해 전진 소거법을 수행한다. i번째 행으로 그 밑의 행들의 대각요소를 소거해야 하므로 i번째 행에는 aMat[k][i]/aMat[i][i]; 값을 곱해준뒤 변수 a에 저장 한다. 이 과정을 for문을 이용해 모두 수행하면 I번째 행을 이용한 소거가 완료 되고 함수가 종료된다.2) BackSubst함수int형 변수 i, j를 선언한다. 변수 I, j는 함수에서 for문을 이용하여 반복적인 작업을 하기 위해 사용 되는 변수이다. 변수 temp를 float형으로 선언하고 0으로 초기화한다. temp는 아래 행에서 찾아낸 값을 대입하여 구한 값들의 합을 저장하여 그 행의 미지수를 구하기 위해 사용하는 변수이다. for문을 사용해 마지막 행부터 역순으로 행렬의 제일 마지막 행부터 미지수부터 구할 수 있기 때문에 미지수는 배열 answer에 역순으로 저장된다. answer에 저장될 값을 구하기 위해서는 그 행에 해당하는 연립 방정식의 값(aMat[RowSize-i][ColSize-1])에서 temp에 저장된 값을 빼주고, 구하고자 하는 미지수의 계수(aMat[RowSize-i][ColSize-(i+1)])를 나누면 구할 수 있다. 이 과정을 수행한 후에 temp에는 그 위에 있는 행에 이미 구한 미지수(answer[RowSize-j])와 그 계수(aMat[RowSize-(i+1)][ColSize-(j+1)])들을 곱한 수들의 합을 저장해준다. 이 temp는 i+1번째 과정에서 쓰인다. 행이 처음까지 대입을 다 마치면(RowSize-(i+1)

공학/기술| 2011.09.08| 8페이지| 1,000원| 조회(232)

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