포토마스크 제조공정 , 재료 및 제조설비 노광 공정 및 스테퍼장비 20031111 배용준 20032222 송승헌 20033333 이병헌목차 포토마스크 제조공정 , 재료 및 제조설비 1 노광 공정 및 스테퍼장비 2 참조 31. 포토마스크 제조공정 , 재료 및 제조설비 포토마스크란 ? 유리기판 위에 반도체의 미세회로를 형상화한 것 투명한 석영기판 상층에 도포된 크롬 박막을 이용하여 반도체 집적회로와 LCD 패턴을 실제 크기의 1~5 배로 식각 해 놓은 제품 사진의 필름과 유사한 역할을 수행1. 포토마스크 제조공정 , 재료 및 제조설비 제조공정 패턴설계 CAD Tool 을 사용하여 패턴을 설계한 후 설계된 Data 를 Writing 하거나 mask exposure 설비에 맞게 Data 를 처리 Blank Mask 패턴이 형성되기 전에 Quartz 위에 Cr 과 Photoresist 가 코팅된 것 Writing electron beam 또는 laser 를 사용하여 mask 위의 PR 에 패턴을 전사하는 공정1. 포토마스크 제조공정 , 재료 및 제조설비 제조공정 PR Develop 전사된 PR 을 형상화하는 공정 Cr Etching PR Strip Develop 후 생성된 PR 패턴을 막으로 하여 Cr 을 Etching 한 후 남은 PR 을 제거 Inspec tion /Cr repair PR Strip 및 Cleaning 을 실시한 후 mask 상의 defect 를 검사하여 이를 repair 하면 최종 mask 가 완성1. 포토마스크 제조공정 , 재료 및 제조설비 재료 블랭크 마스크 반도체 및 TFT- LCD,Color Filter 등을 제조하는데 필수 구성요소인 포토마스크를 생산하기 위한 재료 패턴이 노광되기 전의 마스크를 가리키고 기판위에 금속막과 레지스트가 도포된 형태로 이루어짐 BIM 블랭크 마스크 (Binary Mask) 와 PSM 블랭크 마스 크 (Phase Shifter Mask) 으로 크게 2 종류로 구분1. 포토마스크 제조공정 , 재료 및 제조설비 재료 펠리클 마스크 (Mask) 와 레티클 ( Reticle ) 표면을 대기중 분자나 다른 형태의 오염으로부터 보호해 주는 박막 포토마스크의 오염으로부터 보호하고 포토마스크의 사용 수명 연장 포토마스크 세정 주기를 연장하고 반복적인 포토마 스크의 사용시 오염원으로 부터의 격리1. 포토마스크 제조공정 , 재료 및 제조설비 제조설비 -Converter 된 Data 를 이용하여 SUS 를 절단하는 장비 사용 가스 : 산소 및 압축 공기 사용 재료 : SUS304 또는 기타 재질 , 알루미늄 Data 없이도 PCB 와 Film 을 이용하여 Metal Mask 를 제작 망사를 Frame 에 부착하는 기구 Laser Machine Etching Line Machine 견장기2. 노광 공정 및 스테퍼장비 노광기술이란 ? 반도체 디바이스의 미세화 , 직접화를 주도 하고 있는 기술 반도체 프로 세서의 핵심 기술 마스크 상에 설계된 회로의 패턴을 공정 제어 규격하에 웨이퍼 상에 구현하는 사진기술 웨이퍼상에 회로를 그리는 기술2. 노광 공정 및 스테퍼장비 노광 공정 방법 노광기를 이용 빛을 마스크의 회로의 패턴에 따라 pr 막이 형성된 웨이퍼로 통과 웨이퍼 상의 감광액은 빛을 받으면 화학적 성질 이 변경 빛을 받은 부분과 빛을 받지 않은 부분의 성질이 달라짐 변화한 화학적 성질을 이용 현상과정을 통해 웨이퍼상 에 회로가 옮겨진 회로 확인 빛을 받은 부분과 받지 않은 부분중 어느부분을 제거 하냐에 따라 positive 와 negative 로 나뉨2. 노광 공정 및 스테퍼장비 스테퍼의 구성 초고압 수은 Lamp : 파장 365㎚(320~480㎚) Ellipsoidal Mirror : 램프의 빔을 집광 Cold Plane Mirror : 빔 경로 변경 : 자외선 반사 , 열선 투과 Fly-Eye Lens : 조도 분포 향상 Spherical Mirror : 평행광으로 경로 조절 Mask Photo Resist 기판 LAMP 에서 발산된 UV 가 거울을 통하여 집광렌즈로 모이고 반사경을 통하여 다시 대상물로 조사되는 구조로 되어있음2. 노광 공정 및 스테퍼장비 회사별 제품 특징 오에프티 ㈜ 다품종 , 소량생산이나 실험 , 연구에 최적인 수동노광기 독자적인 Mirror, Lens 광학계 채용에 의한 전면적 균일조명 독자적인 Gap 기구와 수동 Alignment System 에 의한 다층노광이 가능 MA-1200 PA-6000 대형기판의 일괄 노광기 가능한 Proximity 노광기 5 매의 마스크를 수납하여 사용할 수 있음2. 노광 공정 및 스테퍼장비 회사별 제품 특징 세명백트론 Lead Frame, EMI Filter, CSP 등의 제조에 널리 사용되고 있는 Model 제품 처리 조건에 대한 Parameter 들은 Touch Screen 을 통해서 Operator M/C 간의 Conversation 방식으로 제품이 처리됨 완전 자동 평행광 노광기 반 자동 PDP 노광기 UV-A,B 파장을 이용한 PDP Pattern 중에서 ITO 및 CNT 노광용으로 개발된 제품 현재 양산용으로 사용되고 있음2. 노광 공정 및 스테퍼장비 회사별 제품 특징 한 시스템 소재에 양면을 동시 노광 할 수 있음 한 개가 노광 작업을 하는 동안 나머지 프레임에서 정렬 작업을 동시에 할 수 있어 노광과 정렬 작업에 드는 시간을 절약 HANEX-A201D/P HANEX-M201DT/P 노광 작업에 필요한 모든 작동을 터치 모니터를 이용하여 편리성을 부여 조도 균일도 90%2. 노광 공정 및 스테퍼장비 회사별 제품 특징 한 시스템 Roll type 의 소재를 노광을 하기 위한 장비 높은 생산성과 낮은 유지 비용이 이 장비의 장점 필름의 셋팅 및 교환이 비교적 손쉽게 설계 HANEX-M301S/R HANEX-A301DT/P Pattern 의 형상을 평행광을 사용하여 노광하는 수동식 양면 동시 노광이 가능하며 PCB 와 FPCB 모두 적용 가능참조 http://www.fstc.co.kr( 에프에스티 ( 주 ) ) http://www.oft.co.kr( 오에프티 ( 주 )) http://www.smv.co.kr/( 세명백트론 ) http://www.hsystem.co.kr( 한시스템 ){nameOfApplication=Show}
R/E/P/O/R/T포토마스크 제조공정 재료 및 제조설비노광 공정 및 스테퍼장비과목교수학과학번이름1.포토마스크 제조공정, 재료 및 제조설비(1)포토마스크란?반도체 및 LCD 제조시 매우 중요한 원재료로 사용되는 포토마스크(Photomask)는 유리기판 위에 반도체의 미세회로를 형상화한 것입니다.즉, 투명한 석영기판 상층에 도포된 크롬 박막을 이용하여 반도체 집적회로와 LCD 패턴을 실제 크기의 1~5배로 식각해 놓은 제품을 말합니다. 설계자가 설계한 회로를 첨단 노광시스템(MEBES : Manufacturing Electronic Beam Exposure System)을 이용해 웨이퍼에 묘사시키는 사진 원판이기 때문에 감광물질이 입혀진 기판에 패턴을 묘사할 수 있게 해준다는 점에서 사진의 필름과 유사한 역할을 수행한다고 할 수 있습니다.이 포토마스크에 담겨져 있는 전자회로 선폭은 마이크로(㎛ : 1/1000mm) 단위의 초 미세 형상 기술을 통해 실현되는 것입니다.(2)제조공정패턴 설계 : CAD Tool을 사용하여 패턴을 설계한 후 설계된 Data를 Writing 하거나 mask exposure 설비에 맞게 Data를 처리.Blank Mask : 패턴이 형성되기 전에 Quartz 위에 Cr과 Photoresist가 코팅된 것.Writing : electron beam 또는 laser를 사용하여 mask 위의 PR에 패턴을 전사하는 공정.PR Develop : 전사된 PR을 형상화하는 공정.Cr Etching & PR Strip : Develop 후 생성된 PR 패턴을 막으로 하여 Cr을 Etching한 후 남은 PR을 제거.Inspection / Cr repair : PR Strip 및 Cleaning을 실시한 후 mask 상의 defect를 검사하여 이를 repair하면 최종 mask가 완성된다.(3)재료1)블랭크마스크블랭크 마스크는 우리나라 주력 수출품목인 반도체 및 TFT-LCD (박막트랜지스터 액 정표시장치), Color-Filter 등을 제조하는데 필수 구성요소인 포토마스크를 생산하기 위 한 재료로서, 패턴이 노광되기 전의 마스크를 가리키며, Quartz 기판위에 금속막과 레 지스트가 도포된 형태로 이루어져 있다.여기서 포토마스크는 블랭크 마스크상에 E-Beam 또는 Optic 장치를 이용하여 일정한 패턴을 형성하는 과정으로써, 각 패턴은 투명과 불투명 영역에서 구분되어 입사하는 빛 에 대하여 선택적 투과를 하게 하는 것이라고 할 수 있다.①종류블랭크 마스크는 패턴이 노광되기 전의 마스크를 블랭크 마스크라고 하며, Quartz 기 판위에 금속막과 레지스트가 도포된 형태를 나타낸다.블랭크 마스크는 일반적으로 BIM 블랭크 마스크 (Binary Mask) 와 PSM 블랭크 마스 크(Phase Shifter Mask) 으로 크게 2종류로 구분된다.2)펠리클마스크(Mask)와 레티클(Reticle)표면을 대기중 분자나 다른 형태의 오염으로부터 보호 해 주는 박막이다 .막은 양극 산화된 알루미늄 프레임에 부착된 후 다시 레티클 위에 단단히 부착되어진 다. 일반적으로 펠리클은 반도체노광장비, 프로젝션 얼라이너(Projection Aligner)에서 는 레티클의 한쪽 크롬(Cr)면에, 스텝퍼(Stepper)에서는 레티클의 크롬면과 유리면 양 쪽에 부착되어 웨이퍼 이미지에 영향을 주지 않도록 한다.①사용목적? 포토마스크의 오염으로부터 보호? 포토마스크의 사용 수명 연장? 포토마스크 세정 주기의 연장? 반복적인 포토마스크의 사용시 오염원으로 부터의 격리(4)제조 설비1)Laser Machine?- Converter된 Data를 이용하여 SUS를 절단하는 장비2)Etching Line Machine- Data없이도 PCB와 Film을 이용하여 Metal Mask를 제작3)견장기- 망사를 Frame에 부착하는 기구2.노광 공정 및 스테퍼장비(1)노광기술이란반도체 프로세서의 핵심 기술로서 반도체 디바이스의 미세화 직접화를 주도 하 고 있는 기술로서 마스크 상에 설계된 회로의 패턴을 공정 제어 규격하에 웨이 퍼 상에 구현하는 사진기술입니다. 즉 웨이퍼상에 회로를 그리는 기술입니다.(2)노광 공정 방법1)노광기를 이용 빛을 마스크의 회로의 패턴에 따라 pr막이 형성된 웨이퍼로 통 과2)웨이퍼 상의 감광액은 빛을 받으면 화학적 성질이 변경 빛을 받은 부분과 빛 을 받지 않은 부분의 성질이 달라짐3)변화한 화학적 성질을 이용 현상과정을 통해 웨이퍼상에 회로가 옮겨진 회로 확인4)빛을 받은 부분과 받지 않은부분중 어느부분을 제거 하냐에 따라 positive와 negative로 나뉨(3)스테퍼의 구성LAMP에서 발산된 UV가 거울을 통하여 집광렌즈로 모이고 반사경을 통하여 다 시 대상물로 조사되는 구조로 되어 있다.(4)회사별 제품 특징1)오에프티(주)①MA-1200?- 다품종, 소량생산이나 실험, 연구에 최적인 Soft Contact&Proximity 수동노광기- 독자적인 Mirror, Lens 광학계 채용에 의한 전면적 균일조명- 독자적인 Gap 기구와 수동 Alignment System에 의한 다층노광이 가능②PA-6000대형 PDP기판의 일괄 노광기 가능한 Proximity 노광기로 5매의 마스크를 수 납하여 사용할 수 있는 마스크 라이브러리 구성과 자체 개발한 GAP Sensor와 Edge Sensor를 장착하여 GAP과 Pre Alignment를 고정도로 실시할 수 있다.2)세명백트론①완전 자동 평행광 노광기본 장비는 FINE Pattern용 자동 평행광 노광기로서, Lead Frame, EMI Filter, CSP등의 제조에 널리 사용되고 있는 Model 이다. 550x650 Size 의 Standard Panel을 가지고 있으며 Mechanical System Contol은 PC Control로 이뤄지며, 제품 처리 조건에 대한 Parameter들은 Touch Screen을 통해서 Operator &M/C간의 Conversation 방식으로 제품이 처리됨. Loader/Unloader는 Option 사항이다.* Half-Collimations Angle이 1 degree 이하로서 Resolution은 10~30㎛를 가지고 양산에 널리 사용되고 있다.* Light Source는 5KW Short arc uv lamp 1등을 사용하는 “순차 양면 노광방 식”이며, Lamp House/chamber내의 Temperature Control은 독립적인 Feedback System 으로 최적 상태로 조정되며, 제품 처리 속도는 3~4 Panel/min이다.* 5KW의 UV Flux는 15~25㎽/㎠를, 8KW일때는 25~35㎽/㎠의 Range를 가지 는 고효율 장비로서, 처리제품의 UV에 대한 Specification 및 Panel Size, Optics Light Path 등에 따라 다소 차이가 있다.* 漏光 및 구동 시 소음을 최소화 하였으며, 유지. 관리 및 Troubleshoot가 용 이하며, 안전성을 향상시킨 Model 이다.②반 자동 PDP 노광기본 장비는 SEMI-AUTO형 대면적 노광기로서 UV-A,B 파장을 이용한 PDP Pattern중에서 ITO 및 CNT 노광용으로 개발된 제품이다. 반평행광 및 Vertical Scan방식을 채택하여, 대면적인 경우 Fine Pattern 구현시, Horizontal Exposure방식에서 발생되는 Mechanical Distortion을 근본적으로 해결하고자 하 였고 제품 처리면의 온도 또한, IR Filter 및 Cooling System의 조합으로 저온화 를 실현하였다. 현재 양산용으로 사용되고 있다.
1. DRAM (Dynamic Random Access Memory)1) Dynamic (동적 램)Dynamic은 메모리칩이 데이터를 기억하기 위해서 일정한 시간 안에 매 비트를 refresh하는 것을 말하며, Random Access는 메모리 칩의 모든셀은 일정한 순서 없이 읽기/쓰기를 행한다는 것을 말한다.2) Refresh가 필요한 이유각각의 DRAM 비트는 SRAM이 6개 트랜지스터를 사용하는데 반해 1개의 트랜지스터와 캐패시터로 만들어지고 그 캐패시터를 충전시켜 데이터를 저장한다. 메모리 리프래시가 필요한 이유는 캐패시터 때문으로 캐패시터는 완전한 절연이 되지 않아 내부의 전하를 잃어버리기 때문이다.1MB DRAM에 백만 개 이상의 캐패시터와 다른 회로가 들어간다고 하면 캐패시터의 크기가 어느 정도인가와 그 캐패시터에 전기를 충전한다고 했을 때 얼마만큼의 전기를 충전하는가를 상상해볼 수 있다. 따라서 일반적인 DRAM에서 4ms 밖에 데이터가 유지되지 못하는 것은 지극히 당연하다. 내부의 데이터가 지워짐에 따라 데이터를 반복적으로 다시 써놓는 작업을 해야하는데, 실제로는 다시 데이터를 써넣는 것이 아니라 한 번 읽은 데이터를 다시 그대로 보내주기만 한다. DRAM은 데이터를 써놓은 후 주기적으로 리프래시하지 않으면 그 데이터를 잃어버리는 성질이 있어서 이것을 위한 재생회로를 메모리에 부착한다. 따라서 회성 구성이 복잡해지지만 가격 면에서 저렴하다.3) 저장구조DRAM이 SRAM보다 저렴한 이유는 단순히 번지세트로 구성이 되는 것이 아니라 비트별로 행번지와 컬럼 번지를 가지기 때문이다. 즉 DRAM 의 비트들은 셀로 정렬되며 여기서 각각의 셀은 특별한 비트수를 포함한다. 예를 들어 4MBx4비트 DRAM은 셀당 4비트를 가지고 있다. 이 DRAM의 셀은 스프레드쉬트 처럼 배열되어 행과 열 어드레스에서 억세스한다.전형적인 DRAM의 억세스는 특별한 열과 행 어드레스의 지정에서 시작되며, 그 후에 신호들은 억세스가 읽기냐 쓰기냐에 따라 활성화와 비 활성화가 된다. DRAM은 셀의 데이터 출력부분에 데이터가 위치하는데, 만약 억세스가 쓰기라면 DRAM은 셀의 데이터 입력에서 데이터를 쓴 후에 읽어들인다. 따라서 DRAM은 매 초당 여러 번 메모리 어드레스를 리프래시해 주어야 하며, 램 어드레스는 끊임 없이 리프래시하기 때문에 수시로 입/출력이 가능하다.1MB DRAM은 백만 개 이상의 기억장치가 내부에서 있어서 2ms초안에 2백만 번의 리플래시를 시키고 처음부터 리플래시를 다시 시작해야 되지 않는가를 생각할지도 모르지만 전혀 그렇지 않다. DRAM은 내부의 기억장치들이 행과 열을 이루어서 구성되어 있기 때문에 단지 행 또는 열 단위로 리프래시 시키면 된다. 그러므로 컴퓨터 내부에서는 그다지 많은 시간이 필요하지 않으며, DRAM이 시스템의 가장 기본적인 램으로 된 것은 비용이 적게 들고 적은 파워를 사용하기 때문이다.메모리의 저장 구조는 행과 열로 이루어져있다. 그리므로 이런 행과 열이 모여서 메모리의 주소가 되는 것입니다. 그러므로 행과 열을 지정하면 당연히 메모리의 저장 주소를 알 수가 있게 된다. DRAM에는 이 어드레스를 지정하는 기능이 있으며 행과 열을 입력하여 데이터를 출력하는 방식을 취하게 된다. 바로 이 때에 각 데이터가 출력되는 시간이 엑서스 시간이라고 말하는데 흔히 말하는 10ns다 8ns다 하는 것이 이에 속한다.DRAM에서는 특정한 주소에 접근하기 위해서는 바로 이 행과 열이 필요하게 되는데 이를 RAS(Row Address Strobe) 와 CAS(Column Address Strobe)라고 한다. RAS가 보내면 그 다음에 CAS 어드레스가 보내지게 된다. 이렇게 데이터가 읽히고 나면 CAS가 사라지는데 그와 동시에 데이터도 함께 유실되게 된다. 즉, 데이터의 접근은 CAS가 있는 동안만 가능하게 되는 것이다.4) DRAM의 동작 원리DRAM(Dynamic RAM)의 데이터 저장 원리는 콘덴서가 전기를 저장하는 원리를 이용한다. 컴퓨터에서 데이터라고 하는 것은 실제로는 전기적인 신호의 흐름이다. 컴퓨터의 데이터는 1과 0으로 표현되고 이들은 각각 전기가 흐르는 상태와 흐르지 않는 상태를 의미한다. 전기를 저장하는 매체 중 가장 흔한 것은 콘덴서 또는 배터리라고 불려지는 전자 부품이다.예를 들어 10101010이란 데이터를 저장하기 위해서 8개의 콘덴서를 준비하고 다음과 같이1 0 1 0 1 0 1 0저장을 한다면 이는 곧 10101010이란 데이터를 저장한 것이다. 바로 이런 콘덴서의 원리를 이용하여 데이터를 저장하는 장치가 DRAM이다.5) 기타 특징DRAM은 임의의 억세스에 고속으로 읽기, 쓰기가 가능하며, 읽고 쓰는데 걸리는 시간은 거의 같다.DRAM은 단일 포트를 가지고 한번 처리에 단 하나의 작업만을 할 수가 있는 RAM이다. 그러므로 CPU에서 그래픽 카드로 데이터를 보내는 동안에는 모니터에 아무런 데이터를 보내주지 못하고 또한 모니터에 데이터를 보낼 때에는 CPU로부터 데이터를 받을 수 없다는 치명적인 문제를 가지고 있다.2. SRAM (Static Random Access Memory)SRAM 은 STATIC RAM의 약자로 전원이 공급되는 동안은 항상 기억된 내용이 그대로 남아 있는 메모리로서 하나의 기억소자는 4개의 트랜지스터와 2개의 저항, 또는 6개의 트랜지스터로 구성되어 있다.SRAM은 DRAM이 갖는 불편을 최소화시키면서 속도를 높인 것으로 가격은 DRAM보다 비싸다. 그 이유는 DRAM과 달리 캐패시터(Capacitor) 회로를 사용하지 않고 래치(Latch) 회로를 사용하기 때문에 리프래시 회로가 필요 없고, 일반적인 DRAM보다 빠르게 동작하며 주변 제어회로를 간단하게 구성할 수 있기 때문이다. 리프래시가 필요하지 않는 이유는 SRAM이 트랜지스터의 집합으로 만들어져 있기 때문이다.1Mb의 집적도에서 현재의 동기식 SRAM은 2.5ns의 파이프라인 된 액세스 시간과 7ns의 플로스루 액세스 시간을 제공하며, 이에 반해 빠르다고 생각되는 비동기식 SRAM은 12~15ns 범위의 액세스 시간을 제공한다. 동기식 SRAM은 SRAM시장에서 가장 빠르게 성장하였다.
자동화 수족관 20045678 홍길 동Contents 전체 구성 1 2 3 회로도 4 진행도 시스템 동작선도 과제 진행 및 진행일정 차주일정 5 6전체 구성100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 0 기구부 회로부 프로그램부 진행도시스템 동작선도 처음시간 읽기 처음사료량 읽기 ( 수행의시작 ) 1 초부터 스위치로 지정된 시간까지 카운트 메인 회로부에 들어온 신호를 읽고 모터로 전달 (MOVE) 1 번지에저장된 밥먹자 란 음성 3 초 후 원래 상태로 모터위치복귀 딥스위치를 원래상태로 돌려 놓음으로써 초기화 딥스위치를 변경할 시 카운터주기변경 물 , 사료 량 감지 센서로 입력된 데이터 중앙처리장치로 이동 메인 회로부에 들어온 신호를 읽고 음성전달장치로 이동 설정된 음성 작동 5 번지 : 목말라 물주세요 10 번지 : 배고파 밥 주세요 먹이 사료 채워주기 음성경고 정지 처음상태로 초기화진행과정회로부음성 회로부 음성칩에서 스피커로 연결되는 회로부분의 문제로 프로그램 오동작 문제 찾아서 회로도 다시 그려서 수정할 예정임스피커 음성전달 회로도 음성칩으로 부터 받은 신호 스피커로 연결하는 부분 회로문제수정과제 진행 및 계획 일정물 감지 센서와 사료량 감지센서 재점검 효율적인 정화시스템 개발 차주일정 완성된 먹이공급기 프로그램을 계속해서 보완해 나갈 예정 음성신호를 스피커로 보내는 회로 오류 원인 찾아 수정할 예정Thank You !{nameOfApplication=Show}
학과:학번:성의 상품화는 인간의 노동에서부터 시작하여 사회 생활의 모든 부분을 상품 가치로 전환하는 자본주의 시장 경제의 한 현상이다. 이윤 증대의 목적에 따라 에로티시즘이 소비와 여가의 산업 경제와 상업 문화에 적극 이용되면서 인간의 성은 한낱 상품이 되어 버리는 것이다. 따라서 성은 스트레스 해소에서부터 사교, 오락, 유흥, 향락과 퇴폐에 이르기까지 다 기능적 소모품이 되어 간다. 마르쿠제(Marcuse)는 현대 자본주의 사회에서의 성해방이 위장되고 허위 적인 것이라고 강조한다. 성해방은 상업적인 이해 관계와 대중매체의 조작에 의한 것이며, 모든 사회가 성애화되는 상황은 도리어 성적 긴장과 강박 관념, 그리고 성에 대한 맹목적인 숭배를 조장하기 때문에 진정한 성해방이 불가능하다고 본다. 게다가 각종 성 산업은 성의 기교에만 광적으로 몰입하는 퇴폐적이고 변태적인 성 상품을 양산한다. 가학적이고 자학적인 성, 공격적이고 폭력적인 성이 시장에서 경쟁적으로 전시되는 현실에서 각종 성폭력과 성범죄가 늘어나게 된다.20세기의 자본주의의 발달로 인한 성상품화 현상은 성개방과 더불어 행락산업이란 파행적 서비스산업을 번창하게 하였고, 성적 유흥과 매매춘이 일반대중의 성문화의 하나로 정착하게 되었다. 성의 상품화를 통한 향락산업의 확대, 물질만능주의, 성개방 및 경제적 불평등은 사회경제적으로 열악한 일부 여성의 상대적 빈곤감을 가중시켜 쉽게 성매매의 대상으로 전락하게 하였다.매매춘은 단순한 현상적 차원에서의 심각성뿐만 아니라 자연스런 인간성 발현으로서의 성적욕구를 왜곡시켜 성을 상품화하고 인간을 도구화한다는 점에서 건전한 성문화의 정착을 저해한다. 또한 금전을 매개로 이루어지는 매매춘 관계에서 당사자간의 인격적 교류를 기대하기는 어려울 것이다. 매매춘은 매춘여성 뿐만 아니라 그 상대인 매춘남성 역시 인간의 존엄성을 상실하게 되고 결과적으로 인간소외라는 사회적 병폐를 초래한다.현대의 경제적 상업주의는 20세기 후반의 급격한 대중매체의 발달과 함께 각종의 성산업을 발전시켰고, 성 과학과 성 혁명의 영향으로 성개방 풍조가 확산되면서 성을 공공연한 대중소비와 여가대상으로 여기게 되었으며, 자본주의 문화의 중심을 이루도록 하였다. 각종 광고와 선전에 의해서 성에 대한 호기심을 자극시켰고, 여성의 성과 육체를 전시하고 눈요기화 함으로써 여성비하적인 여성상을 조장하였다.엥겔스는 이중적 성 윤리와 상품경제의 결합의 위협을 경고한 바 있다. 즉, “전통적인 난혼은 자본주의 상품경제의 영향을 받아 공공연한 매매업으로 발전하면 할수록 더욱더 퇴폐적인 것으로 되어 여자보다도 남자를 훨씬 타락시킨다”고 말하였다.마르크스주의적 접근은 매매춘의 원인을 사회구조적 파생물로 파악한 점에서 중요한 의미를 갖지만 왜 매매춘의 수요자는 남성이고 공급자는 여성이어야 하는가, 그리고 왜 매춘여성만이 비난의 대상이자 타락한 자로 낙인찍히고 수요자인 남성에게는 면죄부가 주어지는가 하는 물음에는 아무런 설명을 제시하지 못한다.