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물체의 자화에 대한 프리젠테이션

..PAGE:1유도자, 전자석 및 영구자석..PAGE:2목 차5.1 유도자-자성 에너지의 저장5.2 자화-스핀으로5.3 자구와 M(H)5.4 이방성에 대항하는 회전5.5 자구벽5.6 연성과 경성..PAGE:35.1 유도자-자성 에너지의 저장캐패시터(축전기)..PAGE:45.1 유도자-자성 에너지의 저장캐패시터(축전기)캐패시터에서는 전류가 전압보다 위상에서 90도 앞선다..PAGE:55.1 유도자-자성 에너지의 저장전기장에서 유전 재료의 반응유전상수( ): 진공의 유전율( )에 대한 상대적인 값...PAGE:65.1 유도자-자성 에너지의 저장솔레노이드..PAGE:75.1 유도자-자성 에너지의 저장자기장에서 유전재료의 반응투자율(μ)전기장에서의 유전율 ε과 같이 자기장에서도 투자율이라고 하는 μ가 나타남. 자기장의 영향을 받아 자화할 때에 생기는 자기력선속밀도와 자기장의 진공 중에서의 세기의 비.진공 중에서의 투자율은 μ0로 하여 물리 상수로 취급.mm당 1번감겨있는 비어있는 솔레노이드로 1tesla의 자기장을 만드려면 1000A의 전류가 필요.투자율(μ)이 10^4인 철심을 삽입하면 100mA만 필요...PAGE:85.2 자화-스핀으로자기모멘트자기장에서 자극의 세기와 N,S 양극간 길이의 곱. 방향은 S극에서 N극이며, 자석의 세기를 나타낼 때 사용됨.자기모멘트가 발생하는 경우흐르는 전류가 만드는 것외부 자기장 안에 놓인 자석 또는 전류회로에 의한 것원자핵 주위를 도는 전자에 의한 것..PAGE:95.2 자화-스핀으로퀴리온도물질이 자성을 잃는 온도. 원자의 열에너지가 자기모멘트의 결합에너지와같아지는 온도. 이 온도 이상에서는 자기모멘트가 결합하지 못하여 상자성을 가짐.일반적으로 자철석의 퀴리온도는 575℃, 적철석은 675℃, 순수한 철은 768℃, 니켈은 350℃, 코발트는 1120℃이다퀴리온도 이상에서 상자성이 나타나는 이유 : 원자의 열에너지가 자기모멘트의 결합에너지와 같아져서 자기모멘트가 결합하지 못하기 때문...PAGE:105.2 자화-스핀으로퀴리-바이스 법칙강자성과 반강자성 물질이 퀴리온도에 이르러 상자성을 띠는 경우, 자화율은 절대온도와 퀴리온도와의 차에 반비례.상자성체 인력의 자기계수가 절대온도에 역비례.강자성체는 퀴리온도 θK 이상에서 상자성체가 되는데, 그 절대온도 T K에서의 자화율 χ는 χ=C/(T－θ)로 나타난다는 법칙. 상자성을 갖는 물질과 마찬가지로 자기 쌍극자들의 간격이 멀어서 물질 사이의 상호작용 힘이 미약한 경우에 적용.퀴리온도 이상일 때 강유전체의 유전상수도 온도에 대하여 자화율과 마찬가지의 의존성이 나타남. C값은 물체에 따라서 차이가 있으며, 퀴리상수라고 함...PAGE:115.2 자화-스핀으로강자성외부 자기장이 없는 상태에서도 자화되는 물질의 자기적 성질.물질을 이루는 전자의 스핀이 모두 같은 방향으로 정렬되어 있기 때문에 생기는 것으로 외부 자기장을 이용해 전자의 스핀을 바꾸면 자성이 사라지거나 재배치됨.상자성열운동 등에 의한 불규칙적인 스핀의 방향분포 때문에 스핀 배열이 없고, 자화를 나타내지 않는 상태. 주위에 자기장이 존재하면 그 방향으로 약하게 자화됨...PAGE:125.2 자화-스핀으로반자성물질에 자기장을 작용시킬 때, 자화의 방향이 자기장의 방향과 반대로 생기는 현상을 말함.반자성이 생기는 이유 : 원자핵 주위를 도는 전자가 전류를 만들기 때문. 원자에 외부자기장이 가해져 자기장이 변화하면 전자의 전류가 흐르는 속도가 달라지면서 유도기전력이 생기고, 유도기전력은 외부 자기장에 의한 효과를 상쇄하는 방향으로 작용하기 때문.반강자성전자의 스핀이 인접한 스핀과 균일하게 반대로 정렬하여 순 자성이 없는 상태.일반적으로 반강자성 물질은 저온에서 반강자성을 보임.특정 온도 위에서 특성이 사라지며 무질서하게 되어 상자성이됨...PAGE:135.2 자화-스핀으로페리자성자화되는 형은 강자성과 비슷.자기가 발생하는 메커니즘은 반강자성에 가까우며, 결정 내 자성 이온의 자기모멘트가 서로 반대방향으로 일치.그럼에도 불구하고 강자성과 비슷할수록 강하게 자화되는 것은, 반대방향의 자기모멘트를 가진 자성 이온의 수가 다르고 빼낸 나머지의 강자성과 같은 자발자화가 나타나기 때문...PAGE:145.3 자구와 M(H)자구인접 원자간에 자화가 서로 평행하게 배열된 영역...PAGE:155.3 자구와 M(H)경(영구) 자석의 자화곡선..PAGE:165.3 자구와 M(H)보자력자화된 자성체의 자화도를 0으로 만들기위해걸어주는역자기장의 세기. 이 값은 물질에 따라고유한 값을 가지며,영구자석으로 사용할 물질은 이 값이 클 수록 좋음.자성체에 충분한 자기장((a)이상)을 가한 후 자기장을 제거하면자성체는 잔류자화 (b) 를 갖는다. 자성체의 자화도를 0으로 만들기 위해서는 자기장(c) 을 역방향으로 가해주어야 하고(c)값이 보자력이 된다...PAGE:175.4 이방성에 대항하는 회전이방성(비등방성)물체의 물리적 성질이 방향에 따라 다른 성질.

자연과학| 2010.07.03| 22페이지| 4,000원| 조회(308)

영구자석, 자구, 전자석, 강자성, 자화, 유도자, 반자성, 상자성, 반강자성

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반도체 레이저 프리젠테이션

..PAGE:1반도체 레이저..PAGE:2목 차반도체 레이저의 정의반도체 레이저의 동작원리반도체 레이저의 구조, 특징반도체 레이저의 응용..PAGE:3반도체 레이저란?반도체 다이오드에 순방향의 전류를 흘리면 n-type반도체의 전자가 p-type 반도체의 양공 (hole)과 p-n접합 부분에서 재결합하면서 빛이 발생..PAGE:4반도체 레이저의 동작원리1. PN접합 다이오드에 순방향 바이어스 전압을 건다2. 전자는 N형 영역에서 접합부의 P형 영역 부근까지 흘러들어감3. P형 영역에서는 정공이 같은 형태로 흘러 들어감4. 나르개 주입이 많아 지면 재결합이 일어남5. 전도대와 가전자대의 에너지간격에 상당한 레이저광을 방출..PAGE:5반도체 레이저의 동작 특성발진 파장온도가 높아지면 전자와 정공의 밀도분포가 넓어지기 때문에 발진 가능한 파장의 범위도 넓어짐반도체 레이저의 발진 파장은 정해진 파장이 아니고 조건에 따라 변함발진파장영역[㎛]활성재료클래드 재료기판비고0.75~0.9Ga1-xAlxAsGa1-yAlyAsGaAsY>x1.2~1.6In1-xGaxAs1-yPyInPInpY=1-2.2x0.66~0.69In0.5Ga0.5PIn0.59(Ga1-xAlx)0.5PGaAsX=0.4~1..PAGE:6Ⅲ-Ⅴ족 반도체의 발진파장 영역..PAGE:7발진출력온도에 의한 문턱전류의 변화에 따라 출력이 크게 변화함반도체 레이저의 동작 특성..PAGE:8반도체 레이저의 구조이중 헤테로 접합형큰 활성영역을 갖는 반도체 사이에 에너지 간격이 작은 활성영역을 넣은 샌드위치 모양의 레이저다른 종류의 접합이 이중으로 되어있고,문턱전류가 낮아서 작은 전류로도 연속적인 발진을 얻을 수 있음..PAGE:9반도체 레이저의 구조이중 헤테로 접합형..PAGE:10반도체 레이저의 구조스트라이프 구조 이중 헤테로 접합형이중 헤테로 접합형은 단일 횡모드가 아니고 일반적으로 발광면 전체에 걸쳐 복잡한 모드를 하고 있어서 기체레이저와 같은 단일모드를 얻을 수 없는 단점이 있음.활성영역 전체에 전류를 흘려 보내는 것이 아니라 스트라이프 형태 부분에만 전류가 흐르는 구조.나르개 밀도가 커지고 문턱전류도 낮아짐...PAGE:11반도체 레이저의 구조스트라이프 구조 이중 헤테로 접합형..PAGE:12반도체 레이저의 특징장점소형이며 경량구조가 간단[PN접합]대량생산 가능변조가 쉽다.단점짧은 동작 수명→ 대부분 해결방출광의 단파장화 과제..PAGE:13반도체 레이저의 응용광 통신반 도 체레 이 저신호표시광 기록

자연과학| 2010.07.03| 16페이지| 4,000원| 조회(458)

반도체, 레이저, laser, 반도체레이저, 반도체Laser

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반도체 프리젠테이션

..PAGE:1..PAGE:2에너지 간격을 통과하기진성 반도체외인성 반도체n-형 반도체p-형 반도체재겹합과 수명III-V족 반도체와 II-VI족 반도체*..PAGE:3반도체란?전기 전도도에 따른 물질의 분류 가운데 하나로 도체와 부도체의 중간.확실한 경계는 없으나 비저항으로 보았을 때 약10^-6Ω㎝ 에서부터 10^7Ω㎝의 물질을 반도체라 할 수 있음...PAGE:4반도체는 자유전자의 수가 적은 재료로서 일반적으로 전기 저항은 저온에서 온도가 상승함에 따라 감소.온도계수가 마이너스(-)이면 반도체.극히 소량의 불순물을 첨가하면 저항률이 크게 변화하여 도전률이 증가...PAGE:5아래 = 가전자대 위 = 전도대절연체는 에너지차가 크고 도체는 작다.Band overlap = 밴드 겹침*..PAGE:6열에 의한 여기충분히 높은 온도에서 가전자대에서 양공을 전도대에서 전자를 생성하면서 상당수의 전자가 에너지 간격을 가로질러 열적으로 여기 됨.불순물순수한 반도체 내에 존재하는 에너지 준위와는 다른 허용된 전자 에너지 준위를 만듦.불순물 준위로 전자들의 열에 의한 여기가 일어날 수 있다.4번째 슬라이드 그래프 이용.*..PAGE:7광학적 여기충분한 에너지를 가진 광자들이 반도체에 입사하면 전자를 가전자대로부터 전도대로 여기 시킬 수 있다.전자 천이에 의한 전자-양공 쌍의 이러한 광학적 생성은 반도체의 전기 전도도를 증가.(광 전도도)..PAGE:8반도체의 분류..PAGE:9불순물을 첨가하지 않은 순수한 반도체.공유결합을 하고 있는 순수한 반도체.전류를 운반하는 전하가 없으므로 전기적으로 절연체인 상태.실리콘의 공유결합*..PAGE:10높은 온도에서는 가전자 대역의 전자가 열적으로 여기되어 전도 대역으로 올라감에 따라 전자-양공의 쌍이 생성. 이들 전자-양공 쌍은 진성 반도체 물질에서의 유일한 전하 나르개.나르개 = 나르개란 말 그대로 운반자입니다. 다시 말해서 전압이 가해졌을 때전하를 띈 물질은 극성에 따라 이동하기 때문에 전류를 운반한다는 의미에서 나르개란 용어를 사용하는 것입니다. 나르개 또는 캐리어라고 함.*..PAGE:11..PAGE:12진성 반도체에다 인위적으로 불순물을 넣어서 반도체에 나르개를 발생.이러한 과정을 도핑이라고 하는데, 반도체의 전도도를 바꾸어 주기 위한 가장 일반적인 방법.불순물 첨가로 인하여 결정은 전자 또는 양공 어느 한쪽이 더 많은 양이 되도록 바꾸어 줌...PAGE:13외인성 반도체의 종류..PAGE:14n-형 반도체양공의 수효는 대단히 적으며 전기 전도는 주로 자유 전자의 운동에 의해서 이루어짐.5개 가운데 4개는 공유결합. 다섯번째 나머지 전자(과잉전자)는 불순물 원자에 구속되어 있기는 하나 구속력이 매우 약함. 실내 온도에서 과잉전자는 불순물 원자를 떠나 자유 전자로 되어 있다고 볼 수 있다.*..PAGE:15과잉 전자의 이혼화에너지는 공유결합 전자의 이온화 에너지 보다 훨씬 작기 때문에 전도대보다 0.01~0.05eV 정도 낮은 불순물 준위를 형성. (도너 준위)과잉 전자는 낮은 열에너지로 쉽게 이온화되어 전도대로 여기.(-)전자에 의해 전기전도가 일어나며 극소수의 양공도 존재함.전자를 다수 나르개, 양공을 소수 나르개...PAGE:16..PAGE:17p-형 반도체과잉전자 보다 양공이 많아져 전기 전도는 주로 양공에 의해서 이루어짐...PAGE:18불순물과 진성 반도체가 공유결합을 할 경우 전자 한 개가 부족하게 됨.불순물은 가까운 곳의 진성 반도체가 가지고 있는 4개의 전자 중에서 하나를 빼앗아 (-)이온으로 되어 공유결합.한 개의 전자를 빼앗긴 진성 반도체에 양공이 발생...PAGE:19가전자대 위쪽에 0.01~0.05eV 정도의 새로운 불순물 준위를 형성. (액셉터 준위)불순물 준위는 가전자대로부터 한 개의 전자를 잡을 수 있는 작용을 하여 적은 에너지로도 가전자대의 전자가 불순물 준위에 붙잡혀 전기전도를 행함.*..PAGE:20..PAGE:21광자의 흡수는 전자를 전도대로 여기시키고, 전자-양공 쌍을 만듦.

자연과학| 2010.07.03| 27페이지| 4,000원| 조회(573)

반도체, 진성, p형반도체, 진성반도체, n형반도체

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자유낙하 실험 프리젠테이션

4조1. 목적 및 기본원리 2. 실험 기구 3. 실험 방법 4. 결과 5. 토의자유 낙하운동 실험 장치목적 및 기본원리▷ 목적 자유낙하 하는 물체의 운동시간과 거리를 측정하여 지구 중력장에서의 중력 가속도를 구한다. ▷ 기본원리 처음속도가 없이 정지 상태에서 중력만 받아 떨어지는 물체의 운동을 자유낙하 운동이라 한다식 1의 등가속도 운동 방정식에서 처음속도를 0, 낙하위치를 기준점으로 잡으면 이 되어 식2 와 같이 된다. 자유낙하 운동에서 공기의 저항은 무시하기로 한다. 본 실험에서는 강체구가 만큼 낙하하였을 때 걸린 시간 를 측정하여 그 결과로부터 식3에 대입하여 중력가속도 를 구할 수 있다. 수식으로부터 중력가속도는 추의 질량에는 무관하고 오직 낙하거리와 시간에만 의존함을 알 수 있다.[식 1][식 2][식 3]자유 낙하운동 실험 장치목적 및 기본원리[자유낙하 실험장치 원리]자유 낙하운동 실험 장치실험 기구- 자유낙하 운동 실험장치[그림 2] - 수직추[그림 2]자유 낙하운동 실험 장치실험 방법스탠드의 홀딩장치 위치를 조절하여 수직추가 타임패드의 중심에 오도록 조절한다.먼저 그림2에서 보는 것과 같이 실험장치를 구성한다. 홀딩장치, 포토 게이트 타이머를 연결 한다.쇠구슬의 홀딩장치에 부착한다포토 게이트 타이머가 제대로 작동하는지 확인한다.1.2.3.4.자유 낙하운동 실험 장치실험 방법타임패드의 지시침 위치 를 기록한다.홀딩장치의 지시침 위치 를 기록한다.5.6.포토게이트의 타이머가 준비 상태가 되게 한다.7.홀딩장치의 버튼을 누르면 강체구가 낙하하기 시작하고 포토게이트 타이머가 시간기록을 시작한다. 강체구가 타임패드에 닿는 순간 포토게이트 타이머는 시간을 멈추고 강체구의 운동시간을 표시 할 것이다. 강체구의 운동시간( )를 5회 반복실험하여 평균값을 기록한다.8.홀딩장치의 위치를 5cm씩 이동시켜 ⑤~⑧의 과정을 반복한다.9.측정값으로부터 x축을 운동시간( ), y축을 이동거리( )로 하여 그래프를 작성한다. 그래프의 기울기로부터 중력가속도 를 산출한다.10.자유 낙하운동 실험 장치결 과(cm)(cm)Dx ( = - ) (cm)11211200.2470.0610.12211161150.2420.0580.11711111100.2360.0560.11211061050.2300.0530.10611011000.2270.0510.103196950.2220.0490.098191900.2140.0450.091186850.2070.0430.086181800.2040.0410.083176750.1960.0380.077171700.1900.0360.072166650.1820.0330.066161600.1750.0300.061156550.1650.0270.054151500.1610.0260.052146450.1520.0230.046141400.1430.0200.041136350.1310.0170.034131300.1230.0150.030126250.1120.0120.025자유 낙하운동 실험 장치결 과으로부터, 의 그래프의 기울기가 중력가속도 가 된다.자유 낙하운동 실험 장치토 의이론 값이 980 cm/s2인데 의 오차를 보였다. Q.이론적인 중력 가속도와 실험에서 얻은 가속도의 차이는 무엇 때문이라고 생각하는가?? A.오차의 이유에는 실험을 할 때에는 추가되는 외력과 통제할 수 없는 변인들이 있는데, 추의 미세한 질량차이와 실험기기의 조작상의 실수, 실험하는 지역에 따라서 달리 작용하는 중력의 미세한 변화, 공기가 물체에 미치는 마찰력 등 이다. 실험기기 조작상의 실수로는 holding 장치에 추를 부착하여 낙하 시킬 때 전압을 걸어주어 흔들림 없이 낙하 시켜야 하는데 직접 홀딩장치를 풀어 낙하시켰기에 추가 미세하게 흔들렸으며 거리를 늘려 갈 때 정확한 거리측정을 하지 못했던 것도 있겠다.{nameOfApplication=Show}

자연과학| 2009.06.21| 10페이지| 3,000원| 조회(760)

중력, 자유, 물리학, 자유낙하, 낙하, 자유낙하운동

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RC 회로 프리젠테이션

R-C직렬 , 병렬회로실험 목적R – C 직렬 회로의 전압과 전류를 측정하여 VR과VC, IR과IC의 관계를 파악해 본다 R – C 회로에서의 전압, 전류 사이의 위상개념을 이해한다 R – C 직렬 회로의 Filter를 통해 차단주파수를 구해본다주요 실험 도구파형 발생기(waveform generator) 오실로스코프(oscilloscope) 저항 : 200Ω, 500Ω, 1.2㏀, 2㏀, 5.1㏀, 10㏀ 각 1개 콘덴서(condenser) : 9.73㎋R-C직렬연결1.R,C를 breadboard 상에 직렬로 연결 (C=9.73nF) 2.출력전압을 1Vp-p 와 주파수 10kHz의 교류전압을 R-C직렬 회로에 인가 3.VR 과 Vc측정한다 4. 주의 사항 : 저항을 교환할 때마다 CH1으로 관찰되는 파형 발생기의 출력전압이 1Vp-p 가 되도록 매번 조정해 주어야 한다R-C직렬회로 실험결과위상차(전압)R-C병렬연결1.1KΩ의 저항을 저주파 발진기의 출력단자에 직렬로 연결 2.1KΩ양단의 전압을 일정하게 유지 3.1KΩ 양단의 전압이 1Vp-p가 되도록 하면 항상 1 mAp-p의 전류가 흐르게 된다 4.주의 사항 : 저항을 바꿀때마다 직렬로 연결된 1KΩ 양단의 전압이 1Vp-p가 되도록하여 항상 1 mAp-p의 전류가 흐르게 한다R-C병렬회로 실험결과위상차(전류)R-C FILTER1.R=1.2k옴 ,C=9.73nF을 breadboard상에 직렬로 연결 2.주파수를 1Hz부터 약 40kHz 까지 변화시키면서 인가전압이 1Vp-p가 되도록 조정 하고 VR 을 측정한다. 3.그래프로 그려보고 차단 주파수를 구해본다.이론적인 VR 구하기차단 주파수란??신호발생기의 주파수를 증가시키어 오실로스코프 상의 진폭이 원래 진폭의 70.7% 되는 주파수{nameOfApplication=Show}

자연과학| 2009.06.21| 15페이지| 2,500원| 조회(573)

물리학, RC회로, RC, RC직렬회로, RC병렬회로, rc필터

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