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증폭 대역폭과 롤 - 오프 율 예비+결과 레포트 [A+자료]

Amplifier Bandwidth and Roll-Off Rates(증폭 대역폭과 롤-오프 율)● Determine the bandwidth of a BJT amplifierBJT 증폭기의 대역폭을 결정할 수 있다.● Determine the roll-off rate for a BJT amplifierBJT 증폭기의 롤-오프 율을 결정할 수 있다.The bandwidth of an amplifier is the range of frequencies over which the gain of the circuit remains relatively constant.The limits of amplifier bandwidth are the lower cutoff frequency (), and the upper cutoff frequency ().At these frequencies, the voltage and power gain of the amplifier are 3dB lower than their midband (maximum) values.In other words, amplifier power gain is approximately 0.5and voltage gain is approximately 0.707 at the cutoff frequencies.☞ 증폭기의 대역폭은 회로의 이득이 비교적 일정하게 유지되는 동안의 주파수 범위이다. 증폭기 대역폭의 한계들은 더 낮은 차단 주파수(f _{c1}), 상부 차단 주파수(f _{c2})이다. 이 주파수에서, 증폭기의 전압 및 전력 이득은 중역(최대) 값보다 3dB 낮다. 다시 말해, 증폭기의 전력 이득은 대략 0.5A _{p(mid)}이고 전압 이득은 차단 주파수에서 대략 0.707A _{v(mid)}이다.In the first part of this exercise, you will apply one technique for measuring the cutoff frequencies for a BJT amplifier. It should be noted that the circuit shown in Figure 20.1 is not a practical amplifier circuit.It has been modified so as to make some of your measurements and calculations easier. First, you will notice that there is no output coupling capacitor. This component has been left out so that the base circuit alone determines the value of . The second modification is the 470pF capacitor connected from the transistor collector to ground. By adding this capacitor (labeled as ), the value of is lowered from the megahertz range to below 100kHz, making it easier to measure with commonly available test equipment.☞ 첫 번째 실험에서, BJT 증폭기에 대한 차단 주파수를 측정하기 위한 방법을 적용한다. 그림 20.1에 도식 된 회로는 실제 증폭 회로가 아님에 유의해야 한다. 그것은 실험자의 측정 및 계산의 일부를 용이하기 위해 수정된 것이다. 첫 번째로, 출력 커플링 커패시터가 없다는것을 알 수 있다. 베이스 회로 단독 f _{c1}의 값을 결정하도록 이 구성요소는 생략하고 있다. 두 번째 변형은 트랜지스터에서 콜렉터에 연결된 470pF의 커패시터가 접지로 향한 것 이다. 이 커패시터(C _{out})를 추가하여, f _{c2}의 값이 100kHz이하로 메가 헤르쯔 범위에서 하강하고, 일반적으로 사용할 테스트 장비로 f _{c2}를 측정을 쉽게 한다.In second part of this exercise, you will look at the roll-off rates of the amplifier. You will take measurements at frequencies well above and below the two cutoff frequencies and use these results to draw the Bode plots for the circuit.☞ 두 번째 실험에서, 증폭기의 롤-오프 율을 볼 것이다. 또한 위의 두 차단 주파수 이하의 주파수에서 측정을 수행하고 회로 Bode plots을 그리기 위해 결과를 사용한다.● Introductory Electronic Devices and Circuits의 14단원을 검토한다.● 차단 주파수 측정을 이 매뉴얼의 부록A 섹션에서 검토한다.● 함수 발생기● 이중 추적 오실로스코프● 가변 직류 전원● 디지털 멀티 미터● 브레드 보드● 저항(4.7kOMEGA , 3.6kOMEGA , 2.2kOMEGA , 1kOMEGA , 560OMEGA )● 10kOMEGA 가변저항● 커패시터 (100mu F, 1mu F, 470pF)● 2N3904 NPN 트랜지스터BW=f _{c2} -f _{c1}f _{0} = sqrt {f _{c1} f _{c2}}● 대역폭 (Bandwidth)대역폭의 한도낮은 컷오프 주파수(f1)높은 컷오프 주파수(f2)증폭기에서 고역 차단 주파수(상한 주파수)와 저역 차단 주파수(하한 주파수) 사이의 주파수폭을 말한다. 바꾸어 말하면 주파수 특성에 있어서 이득이 그 최댓값에서 3㏈ 저하하는 2점간의 주파수폭이다.● 롤오프율 (Roll-off rate)차단 주파수를 넘어 동작할 때 증폭기의 전압이득이 감소하는 비율Part 1 : BJT 증폭기 대역폭1. 그림 20.1에 도시 된 회로를 구성한다. 함수발생기의 출력을 0V로 설정하고 전원을 바이어스 회로가 중간이 되도록 R _{1B}를 조정한다. 회로의 입력 및 출력 신호를 체크하는 것과 같이 오실로스코프를 연결 한다.참고 : 이 실험에서, 입력 주파수를 조정할 때마다, 입력 진폭이 변화하지 않는것을 확실히 하는 것이 중요하다.2. 20kHz의 입력 신호를 설정하고 출력이 왜곡되지 않도록 입력진폭을 조정한다. 회로는 중간 대역에서 동작하는 것을 보장하기 위해 킬로 헤르쯔로 상하 입력주파수를 변화한다. 증폭기가 중간 대역에서 동작하는 경우, 출력은 일정하게 유지되어야 한다.그림 20.1 회로그림 20.1 회로 시뮬레이션3. 주파수 중간대역에서 피크-투-피크 출력 전압을 측정하고 기록한다.v _{out} = 2.56V4. f _{c1} 값을 측정하기 위해, v _{out}의 중역값이 70.7%로 감소될 때 까지 입력 주파수를 줄인다.v _{out} = 1.92V, f _{c1} = 179Hz(실제 70.7% 값 = 1.80V)5. f _{c2} 값을 측정하기 위해, v _{out}의 중역값이 70.7%로 다시 감소될 때 까지 입력 주파수를 높인다.v _{out} = 1.28V, f _{c2} = 59.3kHz(실제 70.7% 값 = 1.35V)6. 이 증폭기의 대역폭 및 중심 주파수를 계산을 위해 단계 4와 5의 계산값을 사용한다.BW=f _{c2} -f _{c1} = 59.12kHzf _{o} = sqrt {f _{c1} f _{c2}} = 3.25kHzPart 2 : BJT 증폭기 롤-오프 율7. 단계 4에서 측정한 f _{c1}의 절반 값으로 입력 주파수를 감소시킨다. 주파수에서 피크-투-피크 출력 전압을 측정하고 기록한다. {f _{c}} over {4}를 반복 측정한다.v _{out} = 1.12V@{f _{c1}} over {2} v _{out} = 720mV@{f _{c1}} over {4}8. 단계 7을 반복한다, 그러나 2f _{c2}먼저 입력 주파수를 증가하고 4f _{c2}도 한다. 출력 전압을 아래에 기록한다.v _{out} = 3.36V@2f _{c2} v _{out} = 5.60V@4f _{c2}9. 회로에서 R _{1B}를 제거하고 그 값을 측정한다. 그리고 R _{1}의 값을 계산한다. 이 값을 아래에 기록한다.R _{1B} = 16.29KOMEGAR _{1} =R _{1A} +R _{1B} = 4.7KOMEGA +16.29KOMEGA = 20.99KOMEGA (이론값)= 4.65KOMEGA +16.29KOMEGA = 20.94KOMEGA (실험값)1. 출력 커플링 커패시터가 존재하지 않기 때문에, 그림 20.1의 증폭회로의 낮은 차단 주파수는 단독 베이스 회로의 함수이다. 그 결과, f _{c1}는 다음과 같다.f _{c1} = {1} over {2 pi (R _{s} +R _{in} )C _{c1}}여기서 R _{in} =R _{1} PVER R _{2} PVER h _{ie} . h _{ie} =3k OMEGA (대표 값)으로 가정한다. f _{c1}을 계산하는 단계 9에서 이러한 값과 결과를 사용한다.R _{IN } =R _{1} PVER R _{2} PVER h _{ie} =20.94k OMEGA PVER 2.2k OMEGA PVER 3k OMEGA =1.0k OMEGA

공학/기술| 2015.09.27| 8페이지| 1,000원| 조회(122)

BJT 증폭기, 결과 레포트, 증폭기의 대역폭, 증폭 대역폭, 증폭 대역폭과 롤..

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CE회로의 특성 실험 예비+결과레포트

CE회로의 특성실험예비보고서1. 2N3904 와 2N3906을 사용하는 LED 구동회로의 특성을 비교 설명하시오.→가장 큰 차이점은 2N3904는 npn 형이고 2N3906은 pnp형이라는 사실이다.npn형은 베이스에 +전압을 걸어주어 이미터보다 높은 전압이 되므로 전류는 콜렉터에서 이미터로 흐르게 되고, pnp형은 -전압을 걸어주어 이미터보다 전압이 낮으므로 전류는 이미터에서 콜렉터로 흐르게 된다.2. 공통베이스에서의 전류 증폭률과 공통 이미터회로에서의 전류 증폭률을 정의하고 상관관계를 식으로 표현하시오.→공통베이스 전류이득은alpha I _{E} =I _{C} 로 표현하고 공통이미터 전류이득은beta I _{B} =I _{C} 로 나타낸다. 그런데I _{E} =I _{C} +I _{B} 에서I _{E} =(1+ beta )I _{beta } = {beta } over {alpha } I _{beta } 이므로 결국alpha = {beta } over {1+ beta } 이다.알파는 1보다 작다.1. 트랜지스터의 컬렉터와 이미터 사이의 전압 강하를 표시하는데 사용되는 기호는 어느것인가?→V _{CE}2. 트랜지스터의 (beta _{dc})는 공통 이미터 회로의 입력과 출력 사이의 직류 전류 이득을 표시하는데 사용된다.3. 다음과 같은 베이스 쌍극성 트랜지스터 회로를 고찰하고V _{BE}를 구하시오.R _{B} =33K OMEGA ,``R _{C} =560 OMEGA ,`` beta _{dc} =25,`V _{CC} =+10V→0.7V4.I _{C} =V _{CC} /R _{C} ` 이고V _{CE}=0V 라면 직류 부하선의 어느점인가?→포화점5.V _{CE} =V _{CC} 이고I _{C} =0 이라면 직류 부하선의 어느점인가?→차단점6. 무입력 신호에서 트랜지스터를 바이어스 시키는 직류 전압이 직류 부하선의 중간에 있을 때 (동작점)이라고 부른다.7. 베이스 회로에서 한 개의 전류 제한용 저항을 사용하는 트랜지스터의 바이어스 방법은 무엇인가?→베이스 바이어스8. 순방향으로 바이어스된 이미터 다이오드와 컬렉터 다이오드는 (낮은)저항을 갖꼬 역방향으로 바이어스된 이미터 다이오드와 컬렉터 다이오드는 (높은)저항을 갖는다.9. 트랜지스터 계측기는 트랜지스터의 (전체)를 체크한다.1. 그림 9-5(a)에서 컬렉터 전류와, 컬렉터-접지 사이의 전압, 컬렉터-이미터 전압을 구하시오.→I _{E} =I _{C} = {2.5V-0.7V} over {1.8 TIMES 10 ^{3} OMEGA } =1mA,`V _{C} =20V-(10 TIMES 10 ^{3} )I _{C} =20V-10V=10VV _{CE} =V _{C} -(1.8 TIMES 10 ^{3} OMEGA )I _{E} =10V-1.8V=8.2V2. 그림 9-5(b)에서V _{BB} =10V 라면 콜렉터-이미터 전압은 얼마인가?→V _{BB} =10V 일때V _{CE} =0V 이므로 이상적으로 0이 된다. 트랜지스터가 포화 상태이다.3. 그림 9-5(b)에서 컬렉터-접지 사이의 전압이 대략 3V이면 어떤 고장의 원인이 되는가?→V _{C} =3V 이면 원래의V _{C} 값인 8.2V보다 아주 작은 값이다. 컬렉터 이미터 단자 단락이 고장의 원인이다.4. 그림 9-5(c) 의 LED가 on-off 되는 조건을 찾으시오.a) 컬렉터-이미터 단자 단락→onb) 100 저항 개방→offc) 컬렉터-이미터 단자 개방→offd) 접지점과 100 저항 사이의 cold-solder joint 고장→off결과보고서2N3904 를 이용하여 다음과 같은 회로를 구성한 뒤, 입력전류I _{B} 를 변화시켜가면서 그에 따른 출력전류I _{C} 를 측정했다.V _{CE}(V)I _{B} =5 mu AI _{B} =10 mu AI _{B} =20 mu AI _{B} =40 mu A0.5444.18mu A2.1689mA3.7237mA9.423mA1.00.9877mA2.1892mA4.6201mA9.581mA51.0168mA2.2622mA4.8032mA10.128mA101.0425mA2.3315mA5.0137mA10.718mA151.0662mA2.4029mA5.243mA11.530mA201.0922mA2.4757mA5.468mA12.56mA[공통이미터 회로구성]BJT 를 이용하여 공통이미터 회로를 만든 뒤, 베이스 측에서 입력을 걸어주어 콜렉터 측에서 출력되는 전류를 측정하였다. 위 그래프를 보면 출력전압V _{CE} 가 증가하면서 출력 전류인 콜렉터전류가 미세하게 증가함 알 수 있다. 이 영역은 활성모드에서의 영역인데 콜렉터에 인가되는 전압, 즉 역바이어스가 증가함에 따라 콜렉터 전류도 조금씩 커진다는 사실을 알 수 있다. 입력전류를 40

공학/기술| 2014.10.25| 5페이지| 1,000원| 조회(264)

기초회로실험, CE회로의 특성 실험 예비 결과레포트, CE회로의 특성 실험

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공통 이미터 접지 증폭기 회로의 특성 실험 예비+결과 레포트

공통 이미터 접지 증폭기 회로의 특성 실험1. 공통 이미터 접지 증폭기 회로의 특성베이스단자를 입력으로, 콜렉터단자를 출력으로 한 후, 이미터-베이스 접합에 순바이어스, 콜렉터-베이스 접합에 역바이어스를 걸어준다.V _{out} 은 콜렉터와 에미터 간의 출력이다.I _{C} = beta I _{B} 이므로 베이스 전류가 증가하면 콜렉터 전류도 증가하는데V _{out} =V _{CC} -I _{C} R _{C} 이므로V _{out}은 감소하게 된다. 따라서 베이스 전압과 콜렉터 전압은 역전관계이다.한편, 베이스에 소신호정현파를 인가하면 정현파 콜렉터 전류가 콜렉터 저항을 통해 흘러 출력 전압으로 표시되는데, 이때 교류출력 전압의 파형은 교류입력저항의 파형과 180도 위상이 바뀌게 된다.2. 저항비와 전압비가 같은 이유전압 이득을 구하기 위해서v _{out} =Av _{i`n} 이라는 식을 세워보자.v _{i`n} =z _{i`n`} i _{b} 이라고 한다면 결과적으로v _{out} 에도 전류i _{b} 가 흐름을 알 수 있다. 그렇다면 옴의 법칙을 이용하면V=IR 인데, 전체회로에 흐르는 전류가i _{b} 로 일정하므로V PROPTO R 이라고 봐도 무방하다. 따라서 저항의 비와 전압비는 결론적으로 같다고 할 수 있다.3. 입력 임피던스z _{in}이r _{e}와 크기가 일치하지 않은 이유를 설명하시오.z _{in}은 베이스 쪽에서 들여다본 저항이고z _{in} = {v _{in}} over {i _{b}}로 표시된다.옴의 법칙을 적용하면v _{IN } =i _{e} r _{e} 이고`i _{e} SIMEQ i _{c} SIMEQ beta i _{b} 이므로`v _{IN } = beta i _{b} r _{e} 이고z _{IN } = {beta i _{b} r _{e}} over {i _{b}} = beta r _{e}z _{in}은 오직 트랜지스터의 베이스에서 바라다 본 입력 임피던스이므로 베이스에서 연결된 외부의 바이어스 저항 값은 포함되지 않는다. 즉, 이미터 접지 증폭기의 베이스에서 바라다본 입력 임피던스는 이미터 저항에 교류전류 이득을 곱한 값과 같다는 뜻이다.4. 스웜핑 효과에 대해서 설명하시오.만약 스왐핑하지 않으면 전압이득이 온도에 따라 변하기 때문에 (r_e' 에 매우 dependent하기 때문이다.) 불안정하게 된다.따라서 r_e' 에 independent 하게 만들어주기 위해 스왐핑을 한다. 그렇게 되면 전압이득이 안정화되기 때문이다.첫 번째 실험 (그림 11-6)은 위상반전 회로의 입력임피던스 회로를 구성 한 후 위상반전의 방향을 알아보는 실험이다. 실험의 파형에서 입력과 출력은 거의 동일한 파형으로 나타났다. 이로서 입출력의 변화는 거의 없다고 판단하였다. 두 번째 실험 (그림 11-7)은 위상반전 회로의 출력 임피던스인데 우선 그림에 나타난 입력전압 7.07mV를 우리는 최소값이 7.07mV로 조정이 안되서 132mV로 실험을 진행하였다. 이 실험은 위상반전의 위치를 파악하는 실험이다. 실험은 입출력의 위상차이가 났으며 실험은 입출력의 위상이 동일하였다. 이로서 커패시터의 위치에 따라 위상이 차이가 나는 것을 확인 할 수 있었다.V _{B}V _{E}V _{C}(C _{2}와R _{L}제거)I _{e} =52.67 mu Ar _{e} '= {25mV} over {52.67 mu A} =474.6 OMEGA v _{out} =(52.67 mu A)(3.6K OMEGA )=189mV 세 번째 실험 (그림11-8)은 위상반전회로인데V _{B}와V _{C}는 교류파형이 나오고V _{E}는 직류파형이 나온다. 그림에서 보면V _{C}는 진폭이 미세해서 직류파형처럼 보이지만 교류파형이다. 이로서 이미터 단자에서만 직류로 바뀐다는것을 파악 할 수 있었다.실험4V _{B}V _{E}V _{C}I _{e} =3.42 mu Ar _{e} prime = {25mV} over {3.42 mu A} =7.3K OMEGA v _{out} =(3.42 mu A)(3.6K OMEGA )=12mV 네 번째 실험 (그림 11-9)에서는 세 번째 실험에서 저항과 커패시터의 위치와 값이 약간 변경된 것이다. 위와 마찬가지로V _{B}와V _{C}는 교류파형이 나오고V _{E}는 직류파형이 나온다. 그런데V _{C}의 파형을 자세히 보면 윗 부분이 잘려있는 것을 확인 할 수 있다.실험5V _{B}V _{E}V _{C}I _{e} =45.14 mu Ar _{e} prime = {25mV} over {45.14 mu A} =553 OMEGA v _{out} =(45.14 mu A)(3.6K OMEGA )=162mV 다섯 번째 실험 (그림 11-10)은 네 번째 실험에서 이미터 저항이 추가 된 회로이다. 이 실험도V _{B}와V _{C}는 교류파형이 나오고

공학/기술| 2014.10.25| 5페이지| 1,000원| 조회(466)

기초회로실험, 공통 이미터 접지 증폭기 회로의 특성, 이미터 접지 증폭기 회..

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전압 체배기회로의 특성실험 예비+결과레포트

전압 체배기 회로의특성실험예비보고서1. 전압 체배기회로의 필요성에 대해서 설명하시오.전압 체배기회로는 전원을 인가하였을시, 다이오드에 작용하는 순바이어스와 역바이어스를 이용하여 콘덴서에 전압이 충전되면 입력전압의 두 배 혹은 세 베에서 네 배 크기의 출력전압을 얻어내기 위해 필요하다.2. 콘덴서의 개수와 다이오드의 개수가 전압과 어떤 관계를 가지는지 설명하시오.2배전압 회로를 보면 다이오드2개, 콘덴서가 2개이고 3배전압 회로에서는 다이오드가 3개, 콘덴서가 3개이다. 이처럼 다이오드와 콘덴서의 개수가 증가할수록 인가전압에 대한 출력전압의 크기도 커짐을 알 수 있다. 따라서 콘덴서와 다이오드의 개수는 전압과 비례관계이다.3. 출력에 리플이 가장 적게 나타나는 회로는 무엇인지 설명하시오.보통 출력을 크게 하기 위해서는 큰 부하저항이 필요하다. 부하저항 R값이 크면 그만큼 시정수도 길어진다. 시정수가 길어지면 콘덴서에 충전된 전압이 방전 될 때 걸리는 시간도 그만큼 길어지므로 리플이 작아지게 된다. 따라서 4배 전압기회로가 리플이 가장 작다.[기초 확인 문제]1. 115V(실효치) 의 입력을 갖는 반파 전압 2배기의 출력은 약 (335.2)V이다.2. 반파 전압 1배기가 전파 전압 2배기와 비교할 때 가지는 두가지 단점을 말해 보시오.1)리플 주파수가 낮다2)콘덴서의 전압 정격이 크기 때문에 가격이 비싸다.3. 115V의 입력을 갖는 반파 전압 3배기의 출력과 전압 4배기의 출력을 구하시오.115V TIMES 1.414=162.6V#162.6V TIMES 3=487.8V,```162.6 TIMES 4=650.44. 115V 60HZ 의 입력을 갖는 반파 전압 2배기와 전파 전압 2배기의 출력 리플 주파수를 구하시오.1)60Hz 2)120Hz5. 전파 전압 2배기회로가 반파 전압 2배기 회로보다 우수한 점은 무엇인가?(b) 자신의 출력 리플 주파수가 높다.6. 만약 115V, 60Hz 의 교류 입력이 반파 전압 2배기 회로에 연결된다면 출력의 피크 전압과 리플 주파수는 얼마인지 구하시오.(c) 325.2V, 60Hz7. 만약 115V, 60Hz 의 교류 입력이 전파 전압 2배기 회로에 연결된다면 출력의 피크 전압과 리플 주파수는 얼마인지 구하시오.(d) 325.2V, 120Hz8. 만약 115V, 60Hz 의 교류 입력이 전압 3배기 회로에 연결된다면 출력의 피크 전압은 얼마인지 구하시오.(a) 487.8Va. X점에서의 출력전압의 크기와 극성을 말하고 원 안에 표시된 회로의 Y점과 비교하시오.115V TIMES 1.414=162.6V##X점``:``V _{OUI} =2 TIMES (-162.6V)=-325.2V#Y점``:``V _{OUI} =2 TIMES (162.6V)=325.2Vb. 출력 리플 주파수 =2 TIMES 입력`교류`주파수`=`120Hz결과레포트전파 2배 전압기 반파 2배 전압기전파 2배 전압기반파 2배 전압기전파 2배전압기에서는 출력파형이 입력파형의 2배는 못 미치지만, 대략 1.5배 크기로 나타났다. 입력의 양의 반주기와 음의 반주기에서 각각 다이오드가 순바이어스 되도록 회로를 구성했기 때문에 콘덴서의 축적된 전압의 출력파형은 음의 영역을 나타내지 않았다. 그러나 출력이 직류로 나타나지 않았기 때문에 문제가 있는 것 같아 오실로스코프를 교체해 보았지만 파형은 똑같이 나왔다. 다이오드 소자가 바이어스 작용을 하는데 문제가 있는 것으로 추정된다. 다이오드 두 개를 반대 방향으로 바꾸어 시도해보았지만 파형은 계속 똑같이 나왔다.

공학/기술| 2014.10.25| 5페이지| 1,000원| 조회(345)

기초회로실험, 전압 체배기회로의 특성실험 예비 결과, 전압 체배기회로 특성실..

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제너 다이오드 회로의 특성실험 예비+결과레포트

제너 다이오드 회로의 특성 실험●제너 전압조정기제너 전압 조정기는 부하저항 양단의 전압을 조정하기 위해서 사용되어 진다.제너다이오드가 갖는 기본 개념인 항복영역에서 작동하고 출력을 일정하게 유지시키는 특성은 같다. 우선 제너다이오드의 동작이 가능한가를 고려해야 하는데, 부하저항으로 인해 제너다이오드를 작동시키는 테브낭 전압은 전원 전압보다 항상 작게 되고V _{TH} 의 크기는V _{TH} = {R _{L}} over {R _{S} +R _{L}} V _{S} 이다. 여기서V _{TH}가V _{Z} 보다 큰 경우에만 제너다이오드의 항복동작이 발생한다.●제너저항제너다이오드에 역방향 바이어스를 걸어주었을 때 전압 전류 특성곡선을 보면 항복영역에서 동작 할 때 전류가 변하더라도 전압의 변화는 아주 적은 크기만 변화하게 된다. 이것은 제너다이오드가 아주 미소한 저항을 갖는다는 것을 의미한다. 예를들면V _{ZT} =10V,I _{ZT} =25mA,Z _{ZT} =7 OMEGA 으로 표시되어 있을 때 이것은 제너다이오드의 제너전압이 10V이고I _{ZT},가 25mA 일 때 제너 저항은7 OMEGA 이라는 것을 나타낸다. 이와 같은 특성 때문에 제너다이오드는 전압 조절 역할을 할 수 있다.●리플전원의 특성에 따라 나타나는 직류전압의 규칙적인 변조를 말하며, 통상, 단상 반파 정류일 때에는 1초간에 50 또는 60개, 단상전파 정류일 때는 1초간에 100 또는 120개의 피크가 나타난다.1. 제너 다이오드의 전압 전류 특성에 대해서 설명하시오.소신호용 다이오드와 정류용 다이오드는 파괴를 방지하기 위해서 항복전압 영역 이내에서만(정격) 동작시키지만 제너다이오드는 항복영역에서 동작하도록 제조된 다이오드로 보통 항복 다이오드라고도 부른다. 이런 다이오드는 도핑농도를 조절함으로써 2V에서 200V사이의 제너 전압을 조정하게 되는 데 재료로는 보통 실리콘이 사용되며 전력정격은 1/4W에서 50W까지 다양하다. 제너다이오드의 최대전류I _{ZM} = {P _{ZM}} over {V _{Z}} 이고I _{ZM}은 최대 정격 제너 전류,V _{Z}는 제너전압,P _{ZM} 은 제너다이오드의 정격전력을 의미한다.2. 제너 이탈점에 대해서 설명하시오.제너다이오드가 동작할 때 주의할 것은 최소전원 전압과 최대 부하전류를 가지게 되는 최악의 경우에는 제너전류가 최소가 되며 이점을 기준으로 해서 제너다이오드의 동작이 전압조정기능을 수행할 수 없게 되는데 이런 점을 제너 이탈점이라고 한다. 이때는 직렬저항의 임계값을 계산해야 한다.R _{S(max)} = {V _{S(min)} -V _{Z}} over {I _{S(min)}}3. 제너 다이오드의 검사방법에 대해서 설명하시오.제너다이오드가 고장나지 않았는지 진단하려면 먼저 입력신호를 가하고 잘못된 값이 검출될 때까지 입력부에서 출력부방향으로 전압이나 전류를 측정해가는 것이다. 고장 부는 마지막 올바른 값과 첫 잘못된 값 사이에 소자부분이 된다. 이 경우는 올바른 값이 발견될 때까지 출력 측에서 입력 측 방향으로 측정해가는 것이다. 이때의 고장 부는 마지막 잘못된 값과 처음 올바른 값 사이에 있게 된다.4. 그림에 표시된 회로에서 제너 다이오드가 기능을 상실하는 부하저항의 최소 크기는 얼마인지 구하시오.결과보고서R _{S} =330 OMEGA (325.91 OMEGA )1N751IN7571N759V _{S}I _{T}I _{Z}V _{Z}R _{Z}[OMEGA ]I _{T}I _{Z}V _{Z}R _{Z}[OMEGA ]I _{T}I _{Z}V _{Z}R _{Z}[OMEGA ]1V00.17mA0.9419v5.5k0-0.3mA1.1v3.6k0-0.1mA1.04v0.01M2V0-0.18mA2.06v11.4k0-0.1mA2.04v20k0-0.06mA2.02v0.03M3V0-0.5mA3.18v6.3k0-0.1mA3.04v30k0-0.1mA3.05v0.03M4V0-0.2mA4.07v20k0-0.1mA4.05v40k0-0.1mA4.03v0.04M5V0.02mu A-0.4mA5.13v12.8k0-0.2mA5.09v25k0-0.1mA5.06v0.05M6V3.1mu A0.3mA5.99v19.9k006.01v∞0-0.2mA6.08v0.03M7V2.06mA2.5mA6.17v2.4k0-0.1mA7.04v70k007v∞8V4.48mA5.5mA6.18v1.1k0-0.2mA8.08v40k0-0.1mA8.03v0.08M9V8.22mA8.6mA6.19v0.7k0-0.1mA9.04v90k0-0.06mA9.02v0.15M10V11.27mA11.6mA6.21v0.5k00.1mA10.04v100k0-1mA10.5v0.01M15V26.05mA26.8mA6.26v0.2k9.85mA10.2mA11.66v1.1k8.58mA9mA12.05v1.3k20V41.14mA41.9mA6.33v0.1k23.52mA24.5mA12.01v0.5k22.66mA23.6mA12.3v0.5kR _{L} =470 OMEGA (469.14 OMEGA )측정값VinVoutpositive 조정기638mV494mVnegative 조정기-587mV-472mVR _{L} =4.7k OMEGA (4.685k OMEGA )측정값VinVoutpositive 조정기1.26V1.18Vnegative 조정기-1.24V-1.16V R=820OMEGA (측정값 0.805kOMEGA )V _{r}0.36vV _{dc}5.73vI _{L}10.268mA첫 번째 실험은 제너다이오드의 전압이 항복영역에 도달하기 전까지는 전류I _{T}가 0에 가까운 값으로 유지하다가 항복영역에 진입하는 순간부터 전류가 증가하기 시작하는데 이 때 알 수 있는 사실은 전압은 전류에 비해 변화하는 폭이 매우 좁다는 사실이다. 이것은 제너다이오드가 전류변화량에 상관없이 전압은 거의 일정한 값을 유지하는 정전압원임을 나타낸다. 저항R _{Z}은 항복영역에 들어서기 전 까지는 매우 큰 값들을 나타냈는데 그 이유는 항복영역 전까지는 거의 0에 가까운 전류가 흐르기 때문에 옴의 법칙에 의해

공학/기술| 2014.10.24| 5페이지| 1,000원| 조회(217)

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