*주* 스토어

*주*

개인

팔로워0 팔로우

소개

등록된 소개글이 없습니다.

전문분야 등록된 전문분야가 없습니다.

판매자 정보

학교정보

입력된 정보가 없습니다.

직장정보

입력된 정보가 없습니다.

자격증

입력된 정보가 없습니다.

판매지수

판매중 자료수

2개
전체 판매량

6개
최근 3개월 판매량

0개
자료후기 점수

평균A+
자료문의 응답률

-

전체자료 2개

[사전보고서]쌍극성 접합 트랜지스터 특성(사전보고서)-pspice파형 첨부 평가A+최고예요

실험 8. 쌍극성 접합 트랜지스터 특성1. 실험 목적① 디지털 멀티미터를 사용하여 트랜지스터의 형태(npn, pnp), 단자, 재료를 결정한다.② 실험적 방법과 곡선 추적기를 이용하여 트랜지스터의 콜렉터 특성을 조사한다.③ 트랜지스터의 와 값을 결정한다.2. 이론바이폴라는 트랜지스터 구조에서 케리어로 전자와 정공 두 개가 모두 사용된다는 말에서 유래된 말이다.? 트랜지스터의 원리.아래 그림은 npn 트랜지스터에 관한 내용으로 그림 (a)는 기호를, 그림 (b)는 구조를 나타낸다.그림 (b)의 구조를 살펴보면 베이스와 이미터 사이 및 베이스와 컬렉터 사이는 각각 하나의 pn접합 다이오드를 이루고 있으므로 구조적으로 그림 (c)와 등가이다. 그림 (c)는 두 개의 다이오드가 반대방향으로 결합된 형태이므로 하나가 순방향이면 다른 하나는 반드시 역방향이 되어 회로적으로 의미가 없는 것처럼 보일 것이다. 그러나 실제로는 베이스-이미터간의 다이오드는 일반적인 다이오드로 동작하지만 베이스-컬렉터같 다이오드는 특이하게 하나의 종속 전류원으로 동작한다. 따라서 동작상의 등가회로는 그림 (d)와 같으며 이를 이해하는 것이 앞으로 우리가 할 일이다. 그림 (d)에서 전류는 베이스 전류이며 종속전류원로에 비례한다. 비례 상수는 보통 수십에서 수백에 이르며 컬렉터에는 베이스 전류가배로 증폭되어 나타나므로를 전류 증폭률이라고 한다. 이와 같이 BJT는 확대 복사기나 환등기 영사기 등과 같이 주어진 원판을 확대시켜 나타내는 원리가 들어있다. pnp 트랜지스터 경는 npn 트랜지스터와 완전히 역상이므로 그 내용은 아래 그림과 같다.그림(a)와 (b)는 pnp 트랜지스터의 기호와 구조이며 그림 (b)는 구조상 그림 (c)와 같다. pnp 트랜지스터는 npn 트랜지스터와 완전히 역상이므로 앞으로 npn 트랜지스터를 위주로 설명하기로 하겠다.BJT의 이미터와 컬렉터는 같은 유형의 반도체이므로 기능상 서로 전도 될 수 있다. 따라서 이 둘을 차별화 하기 위해 이미터의 다수 캐리어 농도가 컬렉터의 다수 캐리어 농도에 비해 훨씬 높도록 한다. 그리고 베이스 영역의 다수 캐리어 농도는 이미터나 컬럭터에 비해 가장 낮도록 한다.즉이며 첨자 ‘+’는 농도의 강함을 암시한다.? 트랜지스터의 동작.트랜지스터는 증폭기로 적절히 동작하기 위해서는 두 pn접합이 외부 직류전압으로 바르게 바이어스 되어야 한다. 트랜지스터의 동작 설명은 npn트랜지스터를 기본으로 사용한다. pnp의 동작은 전자와 정공, 바이어스 전압의 극성, 그리고 전류가 모두 역이 되는 것 이외에는 npn과 같다.그림 4-2는 양 트랜지스터 npn과 pnp에 걸어준 바이어스 방식이다. 두 경우 모두 베이스와 이미터 접합(BE)은 순방향 바이어스를 걸고 베이스-컬렉터(BC) 접합은 역방향 바이어스를 건다. 그림4-3과 같이 베이스-이미터가 순방향으로 바이어스 되면 BE 공핍층의 폭이 좁아지고 베이스와 컬렉터 접합이 역방향으로 바이어스된 경우에는 BC 공핍층의 폭은 넓어진다.그러므로 순방향으로 바이어스된 다이오드와 마찬가지로 전도대의 자유전자들이 순방향 바이어스된 BE접합을 통해 높게 도핑된 n형 이미터 영역에서 p형인 베이스 영역으로 쉽게 확산해 들어간다. 베이스 영역은 불순물이 엷게 도핑되고 폭이 좁으므로 매우 적은 수의 정공을 갖고 있기 때문에 BE접합을 통해 들어온 모든 전자들의 소수만이 베이스에 정공과 재결합하고 소수 재결합된 전자들은 베이스리드로 흘러 나가 적은 베이스 전류를 형성한다. 이미터로부터 베이스 영역으로 흘러들어간 재결합을 하지 못한 대부분의 전자들은 BC공핍영역으로 확산해 들어간다. 이 영역 내에 있는 전자들은 콜렉터의 (+)전계에 의해 역방향 바이어스된 BC접합을 통해 끌려온다. 이 전자가 컬렉터 전류를 형성한다.? 트랜지스터 전류npn 트랜지스터에서 전류의 방향은 아래 그림 (a)와 같으며 pnp 트랜지스터의 경우는 그림 (b)와 같다. 트랜지스터 이미터에 나타낸 화살표가 통상적인 전류의 방향이다.그림에서 이미터 전류()가 컬렉터 전류()와 베이스 전류()의 합이라는 것을 알 수 있다. 이것을 식으로 표현하면 다음과 같다.앞서 언급한 것과 같이는와에 비해 매우 적다. 첨자로 쓴 대문자는 직류값을 나타낸다.? 컬렉터 특성 곡선.아래와 같은 회로를 사용하여 특정 값의 베이스 전류에 대해서 컬렉터-이미터 전압에 대한의 변화를 보여주는 컬렉터 특성 곡선을 그릴 수 있다. 회로도에서와모두 조절 가능한 전압원이라는 것에 주목하라.가 어떤 특정 값이 되도록를 정하고는 0이라고 가정하자. 이와 같은 조건에서 이미터와 컬렉터는 0V이고, 베이스는 대략 0.7V이기 때문에 베이스-이미터와 베이스-컬렉터의 접합은 순방향 바이어스가 된다. 베이스 전류는 낮은 임피던스 경로를 따라 흐르므로 베이스-이미터 접합을 통과하게 된다. 따라서는 0이 된다. 모든 접합이 순방향으로 바이어스가 될 때 트랜지스터가 포화 되었다고 한다.를 높여 놓고,를 증가시키면 아래 그림(b)과 같이 점 A와 B사이의 곡선 부분에서 보인 바와 같이가 증가한다.를 증가시키면도 증가하는데 그 이유는 순방향 바이어스된 베이스-컬렉터 접합 때문에는 0.7이상 증가하지 않기 때문이다.이상적으로가 0.7V를 초과 할 때 베이스-컬렉터 접합은 역 바이어스가 되며 트랜지스터는 활성 또는 선형이라 부르는 동작 상태로 들어가게 된다. 베이스 컬렉터 접합이 역방향 바이어스가 되면가 계속 증가하여도 그림과 같이에 의해 정해지는는 다소 감소하지만 거의 일정하게 유지된다. 실제는가 증가하면 조금 증가하는데 이는 베이스-컬렉터의 공핍층이 넓어지기 때문이다. 이 현상은 베이스 영역에서 재결합을 하기 위한 정공의 수를 감소시키는 결과가 되어, 실질적으로가 조금 증가하는 효과를 얻는다. 위의 그림(b)의 점 B와 C사이에 특성 곡선은 이 부분을 보여준다. 여기서값은 오직에 의해서만 결정된다.의 값이 충분히 커지면, 베이스-컬렉터 접합은 역 바이어스가 되어 위 그림(b)의 C점 오른편에서 보여준 바와 같이 컬렉터 전류가 갑자기 증가하는 파괴 동작으로 바뀐다. 트랜지스터는 이런 파괴영역에서 사용하면 안 된다.위 그림(c)에 보인 바와 같이 각각 다른에 따라 더 많은대의 곡선을 얻을 수 있다.=0일 때, 트랜지스터는 미소한 컬렉터 전류가 그림과 같이 흐르지만 차단 되었다고 한다. 그림에서 보여주는 컬렉터의 미소한 전류는 편의상 크게 확대한 것이다.?(직류알파),(직류베타)직류 베타()는 직류 컬렉터 전류와 직류 베이스 전류와의 비이며 이를 트랜지스터의 직류 전류 이득이라고 한다.의 전형적인 값은 20에서 200 혹은 그 이상의 범위이다.를 일반적으로 규격표에 등가 hybrid(h) 파라미터로 표시하며, 다음과 같다.직류 컬렉터 전류대 직류 이미터 전류의 비는 직류 알파()이다. 알파는 트랜지스터 회로에서 베타보다는 적게 사용된다.일반적으로의 값은 0.95에서 0.99이상이며 항상 1보다 적다. 그 이유는값 때문에가보다 약간 적다는 것이다.이미터 전류=+이다 이 식을로 나누면이고이므로위의 식을 정리하면 다음과 같은 식을 얻을 수 있다.3. 사용기기 및 부품계측장비○ 곡선 추적기 (이용 가능한 경우)○ DMM실험부품○ 저항 : 1㏀(1개), 330㏀(1개), 5㏀ 전위차계(1개), 1㏁ 전위차계(1개)○ 트랜지스터 : 2N3904(1개), 단자가 동일하지 않은 트랜지스터(1개)공급기○ 직류전원 공급기4. 실험순서1) 트랜지스터의 형태, 단자, 재료의 결정다음 실험순서는 트랜지스터의 형태, 트랜지스터의 단자 그리고 재료를 결정할 것이다. 여기에는 멀티미터에 있는 다이오드 테스팅 스케일이 사용될 것이다. 이와 같은 것을 이용할 수 없을 경우에는 멀티미터의 저항 스케일이 사용될 수도 있다.a. 그림 8-1의 트랜지스터 단자 1,2 와 3의 명칭을 적어라. 이 실험에서는 단자의 명칭이 없는 트랜지스터를 사용하라.b. 멀티미터의 스위치 선택을 다이오드 스케일로 두어라. (또는 다이오드 스케일을 사용할 수 없다면 2㏀의 범위의 저항 스케일을 사용하라.)c. 미터의 양의 리드를 단자 1에, 미터의 음의 리드를 단자 2에 연결하라. 표 8.1에 읽혀진 것을 기록하라.d. 단자를 반대로 하고 읽혀진 것을 기록하라.e. 미터의 양의 리드를 단자 1에, 미터의 음의 리드를 단자 3에 연결하라. 표 8.1에 읽혀진 것을 기록하라.f. 단자를 반대로 하고 읽혀진 것을 기록하라.g. 미터의 양의 리드를 단자 2에, 미터의 음의 리드를 단자 3에 연결하라. 표 8.1에 읽혀진 것을 기록하라.h. 단자를 반대로 하고 읽혀진 것을 기록하라.I. 두 단자 사이의 미터값은 미터단자가 연결된 극성 관계없이 높게 나타날 것이다. 이 두 단자 모두 베이스는 아니다. 위를 기초로 표 8.2에 베이스 단자의 번호를 기록하라.j. 음의 리드를 베이스에 연결하고 양의 리드는 다른 두 단자중의 하나에 연결하라. 만약 미터의 기록이 낮다면(근사적으로 Si는 0.7V Ge는 0.3V거나 더 낮은 저항) 트랜지스터의 형태는 pnp; 순서 k(1)로 가라. 만약 기록이 높다면 트랜지스터의 형태는 npn; 단계 k(2)로 가라.k. (1) pnp 형에 대하여, 음의 리드를 베이스 단자에 연결하고 양의 리드를 다른 두 단자중 의 하나에 각각 연결하라. 얻어진 두 개의 기록 중에 더 낮은 것이 베이스와 컬렉터 가 연결된 것을 나타낸다. 따라서 다른 단자가 에미터이다. 표 8.2에 단자를 기록하라.(2) npn 형에 대하여, 양의 리드를 베이스 단자에 연결하고 음의 리드를 다른 두 단자중의 하나에 연결하라. 얻어진 두 개의 기록 중에 더 낮은 것이 베이스와 컬렉터가 연결된 것을 나타낸다. 따라서 다른 단자가 에미터이다. 표 8.2에 단자를 기록하라.

공학/기술| 2008.11.22| 8페이지| 1,500원| 조회(602)

첨부, 쌍극성

미리보기

닫기
선형 연산 증폭기 회로 (사전보고서)-pspice 파형 첨부

실험 28. 선형 연산 증폭기 회로1. 실험 목적: 선형 연산 증폭기회로에서 DC와 AC 전압을 확인 해 보면서 선형 연산 증폭기 회로의 특징에 대해서 알아본다.2. 이론: 회로이론 시간 때 배운 이상적인 Op-amp의 기본 특성은 다음과 같다.1) 무한한 입력저항() between (+) and (-) terminals2) 0인 출력저항() between the output terminal and ground3) 입력전압은 0 (가상적으로 단락되어 있다 가정)() between (+) and (-) terminals4) 무한한 전압 이득()연산 증폭기는 반전 및 비반전 입력을 가지는 매우 높은 이득의 증폭기이다. 그것은 외부저항으로 매우 작지만 정확한 이득을 제공하고, 원하는 전압이득을 가지는 각 입력 하나 하나를 합하는데 사용될 수 있다.반전 증폭기의 출력전압은비반전 증폭기의 출력전압은출력을 반전입력에 연결하면 정확히 단위이득을 공급한다.한 개 이상의 입력이 분리된 저항을 통하여 연결된 출력전압은계측장비오실로스코프DMM함수발생기직류전원 공급기실험 부품저항 : 20kΩ(1개), 100kΩ(3개)ICs : 741 Op-amp(1개)3. 사용기기 및 부품4. 실험순서: (1) 반전증폭기a. 그림 28-5의 회로에서 증폭기의 전압 이득을 계산하라.-> 실험이론에서 유도한 공식에 대입하면입력을 1V 주었기 때문엔 -5배 증폭된 파형이 나올 것이다.b. 회로구성(저항치를 측정 및 기록) 실효치 입력를 공급.① DMM을 사용하여 출력전압()을 측정하고 기록 ② 측정치를 이용하여 전압이득 계산 ③ 순서 a에서 계산된 이득치를 순서 b에 측정된 이득치와 비교c. ①을 100kΩ 저항으로 change.②를 계산 ->③ 실효치입력에 대해을 측청하고, 기록④ A를 계산 ⑤ 전압이득의 계산치와 측정치를 비교(2)비반전증폭기a. 그림 28-7의 비반전 증폭기에서의 전압이득을 계산하라.-> 위 실험이론에서 나온 공식에 대입하면 ,(입력을 1V 주었더니 6V가 나왔다. 즉 6배 증폭)b. 회로구성. ①실효치입력을 인가. ② DMM을 사용해 출력전압측정 및 기록. ③측정치이용하여 전압이득 계산. ④ 순서 a에서 계산된 전압이득을 순서 b에서 측정된 전압이득과 비교c.을 100kΩ으로 바꾸고 순서 a,b 반복 . 전압이득의 측정치와 계산치 비교(3) 단위 이득 폴로워a. 그림 28-9 회로를 구성하라. 입력신호 실효치를 인가하라. DMM을 사용하여 입출력전압을 측정하고 기록하라.회로전압이득

공학/기술| 2008.11.22| 4페이지| 1,500원| 조회(401)

증폭, 계산, 기록, 입력, 이득

미리보기

닫기