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교육학개론 정리 파일

1. 교수 · 학습1) 학습의 과정 및 정의(1) 학습의 과정* 정보처리 이론<그 림>(2) 학습의 정의학습 = A - (B + C + D) [그림 7-1]⓵ 변화가 행동으로 나타나야 함 ⓶ 행동의 변화가 장기간 지속되어야 함 ⓷ 학습의 수단이나 방법은 연습이나 훈련, 경험에 의한 것이어야 함2) 교수의 정의 및 하위 영역(1) 교수의 정의- instruction : 수업 전/중/후 모든 활동- teaching : 교사의 수업활동- 코리 “개인이 구체적인 조건하에서 또는 구체적인 상황에 대한 반응으로서 특정 행동을 나타내게 하거나 그 행동에 관여할 수 있게 하기 위하여 그의 환경을 의도적으로 조작하는 과정” -> 교수- 가네 “학습자의 내적 학습과정을 지원하기 위해 의도적으로 설계, 정렬된 외적 사상(external event)의 집합.” (2) 교수의 하위 영역- 교수설계 : 기술적(descriptive), 처방적(prescriptive)- 교수개발 - 교수실행- 교수관리- 교수평가

학교| 2016.04.14| 2페이지| 무료| 조회(249)

교육학, 포트폴리오, 교육학개론

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MFC 영상처리를 이용한 자동 퍼즐 맞추기 평가C아쉬워요

5. 추가 실험조각4.BMP의 경우 기존의 알고리즘으로는 그림이 정확히 맞추어지지 않았기 때문에 다른 추가 작업을 실시하였다.1) 기존의 블록의 모서리를 좌측, 상단쪽만 사용하는 것에서 우측, 하단쪽의 모서리를 이용해보았다.2) 그레이 영상을 이용하기 위하여 0.3 * R + 0.59 * G + 0.11 * B 식을 이용해서 알고리즘을 수정해보았다.

공학/기술| 2016.04.14| 17페이지| 3,000원| 조회(697)

영상처리, MFC, 퍼즐, 윈도우프로그래밍

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전자회로실습 - 트랜지스터 회로의 바이어스 설계

전자회로실습PRACTICE 4트랜지스터 회로의바이어스 설계1.개요1.1 회로개요1.2 설계목적2. 부품전류 귀환 바이어스자기 바이어스베이스 블리더 바이어스트랜지스터의 동작점을 고려해서 설정하면 회로를 안정시킬 수 있는데, 이 동작점을 결정하는 회로가 바어이스 회로이다. 이번 실험에서는 전류 귀환 바이어스, 자기 바이어스, 베이스 블리더 바이어스 3가지 바이어스에 온도를 변화시키면서 동작점을 측정함으로써 각 바이어스 회로의 온도 변화에 따른 안정성을 서로 비교해 본다.부품값트랜지스터C1815저항R _{E}2K OMEGA저항R _{C}3K OMEGA캐패시터C1,C222mu F캐패시터C3220mu FR _{B}1.1M OMEGA , 645k OMEGAR _{1}26.39k OMEGAR _{2}10k OMEGAR _{L}1k OMEGA , 10k OMEGA3.실습내용3.1 부품선정■ 트랜지스터2SC1815지난번 에미터 접지 증폭회로에서 사용하였던 npn-트랜지스터 2SC1815의 데이터 시트를 확인해 안정계수(xi =1.5)가 들어간 식에 대입해서 주어진 조건과 맞는지 확인한다.콜렉터와 이미터에 걸리는 전압(V _{CE})의 한계 값을 다음의 수식을 통해 충족하는지 판단한다.V _{CE} GEQ xi BULLET V _{CC} →50V GEQ 1.5 BULLET 10V →50V GEQ 15VV _{CC}를 콜렉터와 연결된 저항R _{C} (=R _{2} )로 나누어 준 값(I _{C})의 한계 값이 데이터시트에 나온 한계 값인150mA보다 낮아야 한다. 수식은 다음과 같다.(R _{C} =R _{2}값은 저항선정 부분에서 구했으므로 여기에서 저항 값 수식은 생략한다.)I _{C} GEQ xi BULLET {V _{CC}} over {R _{C}} →150mA GEQ 1.5 BULLET {10V} over {3k OMEGA } =5mA콜렉터에 걸리는 최대허용전력은 데이터시트의 내용처럼400mW 이내가 되어야 한다. 수식으로 충족하는지 확인하면 다음과 같다.P _{C} {I _{C}} `= {2V} over {1mA} =2k OMEGA 이 된다. 이미터 저항은 세가 지 바이어스회로에 공통적으로 사용하도록 한다.소신호가 입력되어 바이어스 회로에 의해 증폭되는데, 출력은 비교적 왜곡이 적은 파형이 출력되어야 할 것이다. 그렇기 때문에 A급 증폭기로의 동작을 이루도록 설계할 것이다. A급 증폭기의 경우 입력 대비 출력의 신호는 깔끔하게 출력이 되지만 전력의 효율은 떨어진다. 본 바이어스 회로에서는 전력의 증폭보다도 콜렉터 전류가 얼마만큼 안정적으로 흐르는가의 여부와 전압의 증폭률을 중심으로 보고 있으므로 A급 증폭기로의 설계를 생각해본다.따라서V _{CE} = {V _{CC}} over {2}이므로V _{C} =V _{CC} -I _{C} R _{C}에서V _{CE} =V _{C} -V _{E}이고V _{C} =V _{CE} +V _{E}이므로 이를 통해 계산하면V _{CE} =5V,V _{C} =5+2=7V이고R _{C} = {V _{CC} -V _{C}} over {I _{C}} = {10V-7V} over {1mA} =3k OMEGA 이 된다. 콜렉터 저항은 세 가지 바이어스 회로에 공통적으로 사용하도록 한다.전류귀환바이어스 DC 등가 회로에서 키르히호프의 전압법칙에 의해-V _{CC} +I _{B} R _{B} +V _{BE} +I _{E} R _{E} =0이고I _{B} = {I _{E}} over {h _{FE}}이므로이미터 전류I _{E}는I _{E} = {V _{CC} -V _{BE}} over {R _{E} +R _{B} /h _{FE}}이 된다.I _{E} CONG I _{C}이므로이를 통해 저항R _{B}를 구하면R _{B} = {h _{FE}} over {I _{C}} (V _{CC} -V _{BE} -I _{E} R _{E} )= {150} over {1mA} (10V-0.7V-1mA BULLET 2k OMEGA ) SIMEQ 1.1M OMEGA 이 된다.만일 안정계수S를 10으로 놓고 계산하게 되면S= 바이어스 저항R _{1} ,`R _{2}자기바이어스 DC 등가 회로에서 키르히호프의 전압법칙에 의해V _{CC} -(I _{C} +I _{B} )R _{C} -I _{B} R _{B} -V _{BE} -I _{C} R _{E} =0이를 콜렉터 전류I _{C}에 관해 정리하면I _{C} = {V _{CC} -V _{BE}} over {R _{E} +R _{C} +R _{B} /h _{FE}}가 된다. 이를 통해 다시R _{B}를 구하면R _{B} = {h _{FE}} over {I _{C}} (V _{CC} -V _{BE} -I _{E} R _{E} -I _{E} R _{C} )= {150} over {1mA} (10V-0.7V-1mA BULLET 2k OMEGA -1mA BULLET 3k OMEGA ) SIMEQ 645k OMEGA R _{B} =645k OMEGA 이 된다.만일 안정계수S를 10으로 놓고 계산하게 되면S= {(R _{B} +R _{C} )(h _{fe} +1)} over {R _{B} +(h _{fe} +1)R _{C}}로10= {(R _{B} +3k)(150+1)} over {R _{B} +(150+1)3k}이다. 이를 통해R _{B}를 구하면R _{B} SIMEQ 30k OMEGA 이 된다.이를 통해 콜렉터 전류를 구하면I _{C} = {V _{CC} -V _{BE}} over {R _{E} +R _{C} +R _{B} /h _{FE}} = {9.3} over {2k+3k+30k/150} =1.788mA로 역시 초기 조건이었던I _{C} =1mA의 위배된다.콜렉터 전류I _{C} =1mA가 출력되게끔 선정한 소자R _{B} =645k OMEGA 을 사용하여 안정도를 구하면S= {(645k+3k)(150+1)} over {645k+(150+1)3k} CONG 89.1이 된다.테브난의 정리에 의해V _{TH} =( {R _{2}} over {R _{1} +R _{2}} )V _{CC},R _{TH} = {R _{1} R _{2}} over }} over {R _{1} +R _{2}}} =6.67 mu A이 된다.여기서R _{2}를10k OMEGA 으로 설정하면R _{1}=26.39k OMEGA 이 된다.■ 캐패시터C㉠ 커플링 캐패시터㉡바이패스 캐패시터교류전원의 안정적인 동작을 위해 DC 블록킹을 위한 커패시터를 사용해야 한다. 커플링 캐패시터는 입력과 출력에 모두 사용하여 동작을 보다 안정적으로 만든다. 커플링 커패시터의 경우 저주파 응답을 고려하여 Critical Frequency에 해당하지 않는 높은 주파수를 사용해야 하는데 본 회로의 동작 주파수는 60Hz이다.입력단의 저주파 응답은 다음과 같이 구한다.f _{c} = {1} over {2 pi R _{IN} C} ,(단,R _{IN}은 전류귀환 바이어스 회로에서R _{IN} =h _{fe} r prime _{e} ||R _{B} , 자기 바이어스 회로에서는R _{IN} =h _{fe} r prime _{e} ||(R _{B} +R _{C} ) , 전압분배 바이어스 회로 (베이스 블리더 바이어스 회로)에서는R _{IN} =h _{fe} r prime _{e} ||R _{1} ||R _{2}이다.)출력단의 저주파 응답은 다음과 같이 구한다.f _{c} = {1} over {2 pi R _{C} C}커플링 캐패시터 뿐만 아니라 교류 신호를 보다 크게 증폭하기 위해 이미터단에 교류적 접지를 위한 바이패스 캐패시터를 단다. 이 때에도 저주파 응답을 고려해야한다. 바이패스 캐패시터의 주파수 응답은f _{c} = {1} over {2 pi (R _{IN`(emitter)} ||R _{E} )C}(단,R _{IN}은 전류귀환 바이어스 회로에서R _{IN`(emitter)} =r prime e+R _{B} /h _{fe} , 자기 바이어스 회로에서는R _{IN`(emitter)} =r prime e+(R _{B} +R _{C} )/h _{fe} , 전압분배 바이어스 회로 (베이스 블리더 바이어스 회로)에서는R _{IN} =r prime e+R _{TH} 28CENTIGRADE에서 70CENTIGRADE 로 변화하는 동안I _{C}값은 1.1088mA에서 1.2474mA까지 변화함을 볼 수 있다.I _{C}의 변화율은 백분율로 표기하였을 때 12.5%이다.시뮬레이션의 경우 전류의 변화율을 구하면TRIANGLE I _{c} `=` {0.914`-`0.904} over {0.904} TIMES 100` SIMEQ 1.11%`이다.■ 캐패시터의 연결 유무- 시뮬레이션-실습V _{i(PP)}20mVV _{o(PP)}29.1mVA _{v}1.455V _{i(PP)}20mVV _{o(PP)}82.0mVA _{v}4.1전류 귀환 바이어스에서 교류 전압 이득은A _{v} = R_C OVER {r prime _e 이다. 계산상의 전압 이득은A _{v} = {R _{C}} over {r prime _{e}} = {3000} over {25} =120(r' _{e} = {25mV} over {I _{E}} = {25mV} over {1mA} =25 OMEGA ``(상온(27°C)일`때) 이다.바이패스 커패시터가 없으면 이미터는 교류 접지가 될 수 없다. 대신에 이미터와 접지 사이의R _{E}는 교류신호가 나타나며 결과적으로 전압이득 공식에서r prime _{e }=25Ω와 합의 형태가 된다.A _{v} = R_C OVER {r prime _e + R_E. 그러므로 교류전압이득은R _{E}의 영향으로 감소하게 된다. 실습값을 비교해 보면 커패시터가 있을 경우의A _{v} = V_OUT OVER V_{IN} = 2.08V OVER20mV 이므로 증폭도는 약 100이었다. 하지만 바이패스 커패시터를 제거 했을 때는A _{v} = {V _{OUT}} over {V _{IN}} = {82mV} over {20mV} 이므로 증폭도가 4.1가 됨을 알 수 있다. 결과적으로 교류 전압 이득이 감소함을 알 수 있다.(캐패시터를 달았을 때의A _{v} = {2.08V} over {20mV} =104)* 시뮬레이션의 경우 전압 이득이 1.455이고 {L}

공학/기술| 2016.04.01| 20페이지| 1,000원| 조회(192)

트랜지스터, 바이어스, 전자회로, 회로, 전자회로실습

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전자회로실습 - 배전압 전파 정류 회로 평가A+최고예요

전자공학실습PRACTICE 1배전압 전파 정류 회로02분반 02조목차1. 개요1.1 회로목적1.2 회로개요1.3 동작원리2. 부품3. 실습3.1 부품선정3.2 실습결과㉠ 2배 전압 정류 회로■ 무부하시■ 부하 연결시㉡ 3배 전압 정류 회로■ 무부하시■ 부하 연결시㉢ 2배 전압 정류 회로(최저저항)㉣ 3배 전압 정류 회로(최저저항)㉤ 2배 전압 정류 회로(최대저항)㉥ 3배 전압 정류 회로(최대저항)4. 고찰1.개요㉠ 회로목적다이오드와 커패시터를 이용하여 교류 전압을 입력받아 전압을 2배, 3배 늘릴 수 있는 배전압 정류 회로를 제작한다. 다이오드와 커패시터, 저항에 따라 동작 특성이 달라질 수 있으므로 적당한 소자를 선정하여 정상적인 출력 값(2V _{p} ,`3V _{p})이 출력되도록 한다.㉡ 회로개요2배 전압 정류 회로3배 전압 정류 회로입력 교류 전압의 배에 가까운 직류 출력 전압을 얻는 회로로, 부하 전류가 어느 정도 증가하면 출력 전압이 갑자기 낮아지므로 부하 전류가 비교적 작은 곳에 사용된다.㉢ 동작원리■ 2배 전압 정류 회로5번 핀이 (+) 일 때,D1은 순방향바이어스 되고C1은 거의V _{P}까지 충전된다.5번 핀이 (+) 일 때,D2은 순방향바이어스 되고C2는 거의V _{P}까지 충전된다.C1과C2 는 직렬접속이므로C1과C2의 단자전압을 합한 2E_{P}가 된다.■ 3배 전압 정류 회로2차 전압의 (+)의 반주기 동안C2은D1을 통해 거의V _{P}까지 충전된다.(-)의 반주기 동안C1이 충전되고C3는D3을 통해 거의V _{P}까지 충전된다.다시 (+)의 반주기 동안C2는 전압이 합해져서 거의 2V _{P}까지 충전된다.다시 반복 되면 입력의 두 배가 충전된C2와 입력 값이 충전된C3 값이 직렬로 되어약 3배의 전압 값을 얻을 수 있다.2. 부품● 입력전압E_{pp} = 4V● 주파수f = 60Hz부품부품값다이오드1N4001커패시터10uF, 25V1000uF,25V저항160OMEGA (최저저항)18k OMEGA (부하저항)750k OMEGA ( 저항 값을 택하기로 한다.3배 전압 정류 회로의 경우C _{2`} =C _{3} ,`C _{1} `>>`C _{2}이므로C _{1}은C _{2}보다 충분히 큰 1000mu F 용량의 커패시터를 사용하였고C _{2}와C _{3}은 2배 전압 정류 회로와 같은 10mu F의 커패시터를 사용하였다.* 리플 전압은V _{r(pp)} CONG ( {1} over {fR _{L} C} )V _{p(rect)}로 구해지고 정류된 직류 전압은V _{DC} CONG (1- {1} over {2fR _{L} C} )V _{P(rect)}로 구해진다. 리플 계수는r ={V _{r(pp)}} over {V _{DC}}로 구할 수 있다. 일반적으로 리플 계수가 작으면 리플전압이 작아 효율이 좋으므로 리플 계수가 작으면 작을수록 좋다.■ 저항리플 전압은 작으면 작을수록 정전압의 공급이 용이해진다. 실험에는0.2V의 수치를 도입하여 저항을 구하기로 하였다.V _{r(pp)} CONG ( {1} over {fR _{L} C} )V _{p(rect)} `=`0.1V앞서 정한C 값 10mu F과 동작 주파수60Hz (전파 정류이므로120Hz)로 부하저항{R _{L}} 값을 정하면 약16.67k OMEGA 이 된다.16.67k OMEGA 에 정확하게 부합하는 저항은 없으므로 비슷한 수치인18k OMEGA 로 소자를 선정하였다.18k OMEGA 의 저항을 사용할 경우 리플계수(Ripple`Factor)r는 약 0.0463이 나오며, 시정수tau 는tau `=`R _{L} C`=`18` TIMES `10 ^{3} ` TIMES `10` TIMES `10 ^{-6} `=`0.18 이 되어 충분히 작은 값이며 주파수 응답 또한f _{c} `= {1} over {2 pi R _{L} C} `=`0.8842Hz로60Hz는Critical`frequency에 해당하지 않고 충분히 안정적인 동작을할 수 있어18k OMEGA 의 저항을 선택하였다.최소로 사용할 수 있는 저항의 경우f`= {1} over {2 전압 강화된 값이 2배가 되어 직류전압 출력이 나와야한다.V _{P}=2V의 입력전압이 다이오드를 거쳐 약0.7V가 전압 강하된1.3V 전압이 2배가 되어2.6V가 출력된다고 예상할 수 있다. 하지만 실습 결과는 예상치 보다 높게 나왔다. 그 이유는 커패시터는 거의V _{p}까지 출력 되는데, 전압강하가 일어나도 커패시터는 계속 충전되기 때문에 전압강하가 된 값보다 큰 값, 즉 입력 전압만큼의 전압이 충전되어 결국 커패시터 2개의 전압이 합쳐져 2배의 전압이 된다.■ 부하 연결 시CR_{L}V _{max}V _{min}V _{avg}I _{d}rOscilloscope10uF18k OMEGA 2.64V2.28V2.42V0.204mA0.165Multisim10uF18k OMEGA 2.88V2.6V2.72V0.199mA0.102PIV = 약 4VMultisim SimulationOscilloscopeComments이론적으로 결정한 부품 값들을 가지고 Multisim으로 시뮬레이션 한 결과를 바탕으로 회로를 구성하여 실습한 결과 파형을 살펴보면, 리플 전압을 실습 전 0.1V 예상하여 부품 값을 결정 했는데 그와 비슷하게 나왔다. 약간의 오차가 있는 이유는 수식으로 얻은 저항 값과 실제 사용한 전항 값의 차이와 소자 특성상 인 것으로 볼 수 있다. 저항이 개방된R _{L} = INF 상태보다 출력 전압이 낮다. 전파 정류기의 각 다이오드는 번갈아 면서 순방향 바이어스와 역방향 바이어스가 된다. 그러므로 각 다이오드가 견뎌내야 하는 최대 역방향 전압을 고려해야 하는데, 각 다이오드에 걸리는 PIV는 4V (2V _{p})로 예상할 수 있다.㉡ 3배 전압 정류 회로■ 무부하CR_{L}V _{max}V _{min}V _{avg}I _{d}rOscilloscopeC2C3=10uFC1=1000uFOPEN5.124.965.08CONG 0CONG 0MultisimC2C3=10uFC1=1000uFOPEN5.335.315.33CONG 0CONG 0Multisim SimulationO 저항 값과 실제 사용한 전항 값의 차이와 소자 특성상 인 것으로 볼 수 있다. 저항이 개방된R _{L} = INF 상태보다 출력 전압이 현저히 낮아졌다. 하지만 출력전압만을 올리기 위해서 저항을 교체하지 않는 이유는 여러 가지 조건을 절충하여 만족시키기 위해서이다. 전파 정류기의 각 다이오드는 번갈아 면서 순방향 바이어스와 역방향 바이어스가 된다. 그러므로 각 다이오드가 견뎌내야 하는 최대 역방향 전압을 고려해야 하는데, 각 다이오드에 걸리는 PIV는 6V로 예상할 수 있다.㉢ 2배 전압 정류 회로 (최저 저항)CR_{L}V _{max}V _{min}V _{avg}I _{d}rOscilloscope10uF160 OMEGA 0.992V0.936V0.969V3.65mA0.061Multisim10uF160 OMEGA 1.148V1.040V1.05V3.962mA0.095Multisim SimulationOscilloscopeComments하한 임계주파수의 관계식을 통해 얻은 최소저항160 OMEGA 을 부하로 연결하였다. 파형을 보면 매우 낮은 전압을 갖고 불안정한 직류 전압을 나타낸다. 위의 결과로 보면 임의의 커패시터를 결정하고, 안정적으로 회로를 동작시키기 위해서는 적절한 소자의 값을 선정을 하는 것이 중요하다는 것을 알 수 있다. 만일 저항이 계속해서 작아진다면 동작 주파수인60Hz에서 제대로 동작을 하지 않을 것이다.㉣ 2배 전압 정류 회로 (최대 저항)CR_{L}V _{max}V _{min}V _{avg}I _{d}rOscilloscope10uF730K OMEGA 3.36V3.04V3.23V0.004mA0.0099Multisim10uF730K OMEGA 3.21V3.209V3.2V0.004mA0.0006Multisim SimulationOscilloscopeComments최대저항을 부하로 연결 하면 출력 전압 값이 3.36V로 리플 계수가 0으로 가까워 지고 무부하시의 출력 전압 값과 비슷한 값을 얻는다는 것을 알 수 있다. 저항 값을 올리면 출력 전압 무부하시의 출력 전압 값과 비슷한 값을 얻는다는 것을 알 수 있다. 저항 값을 올리면 출력 전압 값을 최대로 얻을 수 있다. 하지만 시상수 값이나 출력 전류 값, 리플계수를 고려하면 적당한 저항 값을 선정해야 함을 알 수 있다.4. 고찰이번 배전압 전파 정류 회로는 교류의 전압을 입력받아 전압을 2배와 3배로 만들어주는 회로이다. 2배 전압 전파 정류 회로는 처음에 전압을 입력하였을 때위 그림처럼 함수 발생기에서 출력된 처음 양의 반주기 동안 다이오드D _{1}으로 전류는 흐르게 되고 커패시터C _{1}는 최대전압(E _{p} `=`2V)으로 충전된다. 반면에 이때D _{2} 때문에 전류가 흐르지 않아C _{2}는 충전되지 않는다. 반대로 음의 반주기 동안D _{1}은 차단상태에 있고,D _{2}가 도통되므로C _{2}으로 전하가 충전된다. 부하가 접속되어 있지 않으면 이 회로의 출력전압은2V _{p}으로 충전 된 상태로 계속 유지된다. 실험에서 이론상이라면 무부하시V _{o} `=`4V이였지만 시뮬레이션 결과는V _{o} `=`3.576V이고 실제 측정값은V _{o} `=`3.16V가 나왔다. Multisim 시뮬레이션 결과와 실제 측정값이 모두 이상적으로 2배가 출력되지는 않았다.만일 회로에 부하를 연결하게 되면 커패시터가 방전할 수 있는 경로가 생기어 커패시터는 방전을 하게 되고 출력파형은 리플이 존재하는 전파 정류된 파형이 출력하게 된다.부하를 연결하는 경우에 시뮬레이션 출력 전압(평균값)은V _{o(avg)} `=`2.72V, 실제 측정 값은V _{o(avg)} `=`2.42V로, 본래 저항을 병렬로 연결한다 하더라도 커패시터의 방전 경로가 생겼다 해도 출력 전압은 2배가 되어야 하지만 2배가 되지 않은데다 기존 무부하일 때의 출력 값보다 더 낮은 결과 값이 출력 되었다.3배 전압 전파 정류 회로의 경우에도 비슷하게,처음 과도상태의 양의 반주기 동안은C _{1}이 충전하고 음의 반주기 동안은C _{3}와C _{2}가, 다음 양의 반주기 동안은C _{다.

공학/기술| 2016.04.01| 17페이지| 1,000원| 조회(450)

다이오드, 회로, 전자공학, 전자회로실습

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테니스 - 포핸드 스트로크의 이해 평가A+최고예요

목차I. 포핸드 스트로크란?II. 포핸드 스트로크의 순서III. 알아두면 좋은 팁I. 포핸드 스트로크란?포핸드(forehand)는 테니스에서 라켓을 쥔 손의 반대쪽 방향으로 스윙하여 공을 치는 것을 말한다. 오른손잡이의 경우 포핸드 스윙은 몸의 오른쪽에서 시작하여 몸의 앞쪽에서 공을 맞춘 뒤, 계속 스윙을 하여 몸의 왼쪽에서 끝나게 된다. 몸의 움직임이 비교적 자연스러워서 일반적으로 가장 배우기 쉬운 기술로 여겨진다.포핸드는 흔히 톱스핀으로 치는데, 이는 톱스핀을 사용하면 공이 각도 큰 포물선을 그리며 날아가게 되어 공이 네트에 걸리거나 아웃되지 않고 안전하게 코트 안에 떨어지게 만들기에 용이하기 때문이다. 네트로 전진하면서 어프로치 샷을 칠 때처럼 특수한 상황에서는 종종 백스핀으로 치기도 하는데, 이는 슬라이스라고 불린다.일반적으로, 강력한 포핸드를 가진 선수는 자신의 포핸드로 공격할 기회를 만들어내는 방향으로 경기를 운영하게 된다. 가장 보편적으로 쓰이는 방식은 백핸드 쪽으로 오는 공을 포핸드로 돌아서서 역 크로스 방향으로 치는 것으로, 이러한 샷은 인사이드 아웃(inside out) 포핸드라고도 불린다.II. 포핸드 스트로크의 순서포핸드 스트로크의 순서는 다음과 같다.준비 - 턴 - 라켓 백 - 스윙(잔걸음하고 왼발디디고) - 임팩트(라켓은 지면과수평) - 팔로우스루각각에 대해서 세부적으로 알아보면 다음과 같다.< 그 립>위 그림처럼 라켓을 쥔다.① 어깨 너비만큼 발을 벌린다.② 기마 자세를 취한다.③ 겨드랑이에 공 하나 정도 들어가도록 하고 라켓 헤드 끝은 눈 높이로 한다.④ 왼손은 라켓 목을 부드럽게 잡는다.⑤ 앞꿈치로 선다.⑥ 몸과 라켓과의 거리는 약 20cm 정도로 한다.1-준비 자세에서 그대로 앞꿈치로 90°회전한다.2-라켓다운동작으로 오른 팔꿈치를 라켓과 수평이 되게 살짝 펴면서 내린다.① 라켓 면이 지면과 85°정도의 각을 이룬다.② 다른 동작은 없다.3-임팩트로 손목을 고정한 채로 라켓을 땅과 수평유지 하면서 손목이 먼저 나온다. 체중을 앞으로 이동시킨다.① 어깨를 열지 않는다.② 왼손은 임팩트 지점으로 이동한다.4-왼발을 45°선상으로 그림과 같이 내딛는다.① 왼발에 30, 오른발에 70 정도로 체중분배를 한다.② 어깨선은 거의 수평으로 한다.5-팔로우스윙으로 공 5∼6개를 치는 기분으로 앞쪽으로 쭉 밀어 왼쪽 어깨선까지 올려 준다.① 오른쪽 어깨 너머로 날아가는 공을 본다.② 오른 발은 자연스럽게 끌어 준다.③ 가슴은 정면을 향하면서 몸을 쭉 편다.6. 연속 동작 설명한꺼번에 준비 자세에서 실제로 공이 날아온다고 생각하고 모든 동작을 부드럽게 이어서 한다.III. 알아두면 좋은 팁라켓을 처음 잡는 초보자들은 실전에서 많은 어려움에 직면한다. 이른바 몸과 마음과 볼이 따로 노는 현상이다. 의욕적으로 코트에 서서 마음먹고 스윙했지만 웬일인지 볼은 허공을 가르거나 네트에 걸리고 만다. 한숨만 절로 나온다. 원인도 알 수 없다. 모든 운동이 다 그렇듯 기본이 중요하다. 세 살 버릇 여든까지 간다는 말은 테니스에서 진리로 통한다.여기서는 테니스 초보자들이 가장 어려움을 느끼지만 반드시 숙달해야 할 사항 몇 가지를 말하고자 한다.1.정확한 그립을 잡고 있는가?이스턴 그립이 좋다. 힘주어 잡지 말고, 60-70%의 힘으로도 충분하다. 너무 힘 있게 치려고 힘을 준 나머지, 임팩트에서 그립이 흔들려서 볼에 위력이 전해지지 않거나, 잡는 법이 부자연스러워 안정된 스윙을 할 수 없거나 하는 여러 가지 문제의 원인이 그립에 있다. 힘을 무작정 주어 치면 스윙의 밸런스가 무너뜨려 지고 안정된 볼을 칠 수 없다.2.볼을 친후 준비 자세를 취하고 있는가?무릎을 유연하게 하여 앞으로 숙인 자세를 취해 바로 스윙으로 들어갈 수 있는 준비를 해두자. 확실한 준비 자세를 취하면 안정된 스윙이 나오게 된다는 하늘의 이치라고 말할 수 있을 것이다. 우선 어깨보다도 약간 넓게 양발을 벌려, 체중을 발끝에 싣고 앞으로 기운 자세를 만든다. 라켓을 들지 않는 쪽 손을 라켓목 부분에 가볍게 대고 라켓의 높이는 약간 눈 밑이 좋다. 볼을 신속히 맞기 위하여 무릎을 부드럽게 하여 리듬을 잡는 것도 중요하다. 스트로크를 치고 난 후에 바로 준비 자세를 취하는 것을 명심하자.3. 정확한 스윙 궤도를 취하고 있는가?자연스런 스윙으로 볼에 순 회전을 건다. 확실하게 치는 것 같은데도 아웃이 되거나 네트에 걸려버리는 사람은 자신의 스윙 궤도를 체크해 보아야 한다. 우선 몸 전체를 돌려서 부자연스럽지 않은 범위에서 원을 그리듯이 테이크백을 한다. 그리고 타점을 발(오른손잡이의 경우는 왼발)의 약간 전방에 두고 밑에서 위로 스윙한다. 이때 라켓 면이 약간 엎어놓은 듯, 위를 향하지 않도록 주의한다. 이 스윙을 부드럽고 자연스럽게 할 수 있으면 반드시 안정성은 높아질 것이다.■ 포핸드를 한 번 더 강조하여 살펴보자.1.양손의 밸런스를 생각2.겨드랑이에 공하나 정도 들어가도록3.임팩트를 확인4.머리가 돌아가지 않도록 주의5.팔로우 스루는 마지막까지 확실하게■ 포핸드의 파워 및 안정성을 위한 스킬1. 짧고 간결한 스윙이 10킬로 빠르다. 크게 휘두르는 것은 파워를 한 곳으로 집중하기 어렵다. 큰 스윙 = 스피드 업이라고 여기기 쉽다. 그러나 이는 잘못된 생각이다. 테니스에서 스피드업을 꾀하기 위해서는 라켓 헤드의 스피드업을 올릴 필요가 있기 때문이다. 즉 라켓헤드의 스피드를 올리는 스윙을 하면 바로 스피드업으로 연결되는 것이다. 따라서 실제로 큰 스윙과 짧고 간결한 스윙으로 쳐내는 볼의 스피드를 스피드건으로 측정 결과 10킬로나 빠른 것을 알 수 있었다.

예체능| 2016.04.01| 5페이지| 무료| 조회(902)

테니스, 포핸드, 포핸드 스트로크

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