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  • Ex.48직렬RLC회로의 임피던스(A+자료)
    Ex. 48. 직렬 RLC회로의 임피던스1. 실험 목적- 직렬 RLC회로의 임피던스가 Z= sqrt {R ^{2} +X _{T} ^{2}} 임을 실험적으로 증명한다.- 공식외에 위상각과 저항을 이용하여 임피던스를 구한다.- 임피던스, 저항, 리액턴스, 위상각의 관계를 관찰한다.2. 기본 이론- Impedance의 측정과 그 합성그림 1에서럼 저항 R, inductor L, 그리고 capacitor C를 직렬 연결한 후 교류 전원 v`(t`) ``=`` V_p ``sin omega `t ``을 연결하자. 이 회로에 흐르는 전류를 i`(t`) ``=`` I_p ``sin (omega `t + phi`)``라 하고, R, L, C에 걸리는 전압을 각각 vR, vL, vC라 하면,v_R ~=~ i` R ~=~ R` I_p `sin (omega t `+ phi`)``, (12)v_L ~=~ L di over dt ~=~ omega` L ` I_p `cos (omega t `+ phi`) ~=~ omega` L ` I_p `sin (omega t `+ phi` + pi over 2 ) ``, (13)v_C ~=~ 1 over C int i`` dt ~=~ - 1 over {omega C} ` I_p `cos (omega t `+ phi`) ~=~ 1 over {omega C} ` I_p `sin (omega t `+ phi` - pi over 2 ) ``(14)이 된다.그림 1. RLC 직렬 연결 회로먼저 R, L, C 각각의 impedance는 식 옴의법칙,Z= sqrt {R ^{2} +(X _{L} -X _{C} ) ^{2}} 등에서 알 수 있는 것처럼, vR, vL, vC의 rms 값(혹은 peak-to-peak 값)을 i의 rms 값(혹은 peak-to-peak 값)으로 나누어 구할 수 있다.이와 비슷하게 R, L, C의 합성 impedance는 vR+vL+vC의 rms 값을 i의 rms 값으 로 나누어 구하면 된다. 우선 주의해야 할 것은 vR+vL+vC의 rmo-peak 값 이 1로 같고 vR의 위상 phi``가 0인 경우를 그림 2에서 보이고 있다. vR+vL의 peak-to-peak 값은 각각의 peak-to-peak 값의 합인 2가 아니고 sqrt{2}``이다.그림 2. 위상차가 90도인 vR과 vL의 합이처럼 위상의 차이가 있는 전압을 더할 때는, 평면상에서의 2차원 vector의 더 하기를 이용하면 편리하다. 즉 vR의 rms 값을 x 축 상에 그리고, 그보다 90도 위 상이 앞서는 vL의 rms 값은 시계 반대 방향으로 90도 돌아간 +y 축 상에, vR보다 90도 위상이 뒤쳐지는 vC의 rms 값은 -y 축 상에 그린 다음, 이들을 vector 합을 하듯이 더하면 된다. vR = iR은 전류 i와 위상이 같으므로, 이 위상각 phi``는 곧 전 원 전압 v와 전류 i 사이의 위상각이다. 이를 수식으로 표현하면,V ~=~ sqrt{ V_R^2 `+` (V_L ``-`` V_C `)^2} ``(15)이고,phi ~=~ arctan {V_L - V_C} over V_R ``(16)- 임피던스는 일반적으로 Z= sqrt {R ^{2} +X _{T} ^{2}}의 공식을 통하여 구할 수 있지만 위상각 과 저항값을 이용하여 구할 수도 있다.3. 실험 결과 및 분석표 48-1RLC회로의 임피던스 결정(R= Ω)CircuitComponentAppliedVoltageV _{AB} ,`V _{p-p}VoltageAcrossResistorV _{R} ,`V _{p-p}VoltageAcrossInductorV _{L} ,`V _{p-p}VoltageAcrossCapacitorV _{C}, V _{ p-p}CurrentI, mAReactance, ΩImpedance Z, ΩR, ΩL, mHC, μFInd.X_{ L}Cap.X_{ C}Ohm's LawSquare-RootFormulaRL2k10051.292873216.163867.523773.95RLC2k1000.02251.635233216.161225.473057.662803.스와 저항에 관한 임피던스 공 식에 값들을 대입하여 계산하였다. 결과적으로 두가지 방법으로 임피던스를 구한 값을 비교해보고 오차가 어떠한지 알아보는 것이 목적이다. RL, RLC, RC 세 개 의 회로를 구현해서 측정을 하였고 각각의 경우에 대한 임피던스를 계산한 결과 를 알아보도록 하겠다.- DMM으로 2kΩ 측정했더니값이 나왔다 30Ω오차 정도는 무시할 수 있으니 오차의 원인으로 크게 작용하지 않을 것으로 보았다. 다음으로 측정한 전 압값들은 보면, DMM으로 측정한 값은 rms값이다 따라서 표에서는 peak to peak값이 므로 랩뷰로 찍은 값에서 sqrt { 2}를 곱해주어야 한다.1.8051×sqrt { 2}=2.5528V , 2.8985×sqrt { 2}=4.1V2.2832×sqrt { 2}=3.2289 V, 3.7188×sqrt { 2}=5.259V, 1.4710×sqrt { 2}=2.08V2.90062×sqrt { 2}=4.1021V, 1.74412×sqrt { 2}=2.466V- 위와 같이 Vrms값을 Vp-p로 바꿔주었고, 저항에 걸리는 전압을 저항(DMM측정 값)으로 나누어 전류를 구할 수 있다. 그리고 옴의 법칙을 이용하여X_{ L}와 X_{ C}를 구할 수 있고 리액턴스를 통해 결과적으로 임피던스를 구할 수 있다.전류 (mA), 리액턴스(Ω)I= {V _{R}} over {R} =2.5528/1.9746=1.29287 mA, X_{ L} ={V _{L}} over {I}= 4.0991/1.29287*1000 = 3216.16 Ω임피던스 (Ohm's Law)Z = {V} over {I} = 5 / 1.29287 * 1000 = 3867.52 Ω임피던스 (Squear-Root Formula)Z = sqrt {R ^{2} +X _{L} ^{2}} = sqrt {(1974.6) ^{2} +(3216.16) ^{2}} = 3773.95 Ω전류 (mA), 리액턴스(Ω)I= {V _{R}} over {R} =3.2289/1.9746=1.6532 mR ^{2} +(X _{L-} ^{} X _{C} ) ^{2}} _{} = sqrt {(1974.6) ^{2} +(3216.16-1225.47) ^{2}} = 2803.90 Ω전류 (mA), 리액턴스(Ω)I= {V _{R}} over {R} =4.1021/1.9746=2.0774mA, X_{ C} = 1225.47Ω임피던스 (Ohm's Law)Z = {V} over {I} = 5 / 2.0774 * 1000 = 2406.85 Ω임피던스 (Squear-Root Formula)Z = sqrt {R ^{2} +X _{C} ^{2}} = sqrt {(1974.6) ^{2} +(1225.47) ^{2}} = 2323.96Ω- 각 부하에 걸리는 전압과(p-p), 부하에 흐르는 전류, 전류를 토애 구한 리액턴 스, 구한 값들을 2가지 공식에 대입하여 임피던스를 계산해냈다.- 두가지 방법으로 구한 임피던스를 보면 100~200Ω 정도의 오차가 발생했다. 전 체 임피던스에 비하면 4%정도의 오차율이 나오지만 오차가 발생할 수 밖에 없는 이유가 계측기로 값들을 측정할 때 계측기 자체의 오차율, 각 부하들 자체의 오 차율, 여러 번의 복잡한 계산을 위해 소수점 값들을 반올림했을 때 생기는 오차, 또는 캐패시터, 인덕터, 주파수의 값들이 충분히 큰 값이 아니라서 생기는 오차 가 있기 때문이고 매번 실험 결과를 보면, 실험과정상에 생기는 계측기 내부적인 오차 때문이라고 판단 지어진다.그림 48-1오실로스코프를 이용한 위상각 측정- 실험 43에서 phase angle을 구해봤었는데, 파형의 한주기가 수평으로 몇칸인 지 구하는 Width of Sine wave D와 수평의 한 칸의 크기를 말하는 Distance between zero points d를 통해 Phase Angle을 구하도록 하겠다. 오실로스코 프의 파형 그래프 토대로 Phase Angle을 구한다.- 파형의 주기는 수평의 칸 수이다. 따라서 한 주기는 20칸이이므로 d는 다음과 같다. d= {360 DEG } over {프를 이용하여 파형을 측정한 그림이다.d는 다음과 같다. d= {360 DEG } over {D} = {360 DEG } over {20} =18 DEG 즉, 수평거리 1칸당 18도를 의미한다. 두 파형의 첨두치 사이의 수평거리는 2.5칸이므로 18˚×2.5 = 45˚이다.- 위의 그림은 RC회로에서 오실로스코프를 이용하여 파형을 측정한 그림이다.d는 다음과 같다. d= {360 DEG } over {D} = {360 DEG } over {20} =18 DEG 즉, 수평거리 1칸당 18도를 의미한다.두 파형의 첨두치 사이의 수평거리는 2.5칸이므로 18˚×2.5 = 45˚이지만, 이전 의 두 실험의 오실로스코프 파형과 그래프 개형이 반대이다. 캐패시터에 걸리는 전압이 저항에 걸리는 전압보다 45˚ 앞서기 때문에 phase angle은 45˚ 이다.- 오실로스코프의 파형을 이용해 phase angle을 구했지만 그림을 확대해서 가시 적으로 칸 수를 세어 값을 계산했기 때문에 정확한 각도는 아니다. 따라서 오차 가 발생했음은 당연하다고 본다.4. 실험 교재 고찰1. 직렬 RLC회로에서 저항, 캐패시턴스, 인덕턴스, 임피던스의 관계를 설명하시 오.- 임피던스는 Z = sqrt {R ^{2} +(X _{L} -X _{C} ) ^{2}} 이므로, 저항과 인덕턴스와 캐패시턴스 차 이가 증가하면 임피던스는 증가한다. square root값이므로 정비례관계는 아님 을 식을 통해 확인 할 수 있다.2. 직렬 RL회로에 캐패시터를 첨가하면 임피던스는 어떻게 변화하는가?- 원래 RL회로에서의 임피던스는 Z= sqrt {R ^{2} +X _{L} ^{2}} 인데, 캐패시터가 첨가되면 임 피던스의 식이 Z= sqrt {R ^{2} +(X _{L} - X _{ C}) ^{ 2} }이 된다. 인덕턴스와 캐패시턴스 차이가 원래의 식 XL보다 작으므로 임피던스는 감소하게 된다.3. 그림 48-4(b)에서 어떤 조건하에서 임피던스가 가장 낮은가? 이때 임피던스값 은 얼마인가? (R, L, C다.
    공학/기술| 2014.02.17| 9페이지| 1,500원| 조회(311)
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  • Ex.43 직렬RL회로에서의 전압관계(A+자료)
    Ex. 43. 직렬 RL회로에서 전압관계1. 실험 목적- RL회로에서 인가전압 V와 전류 I의 위상각 를 측정한다.- 인가전압 V, 저항에 걸린 전압 V _{R}, 인덕터에 걸린 전압 V _{L}의 다음과 같은 관계를 실험적으로 확인한다.V= sqrt {V _{R} ^{````2} +V _{L} ^{```2}}, V _{R} =V TIMES {R} over {Z}, V _{L} =V _{R} × {X _{L}} over {R} =V × {X _{L}} over {Z}2. 기본 이론- 위 파형은 직렬 RL회로에서의 전압,전류의 파형이며 저항에서 걸리는 전압과 인덕터에 걸리는 전압의 파형을 알아볼 수 있다. 파형의 그래프는 오실로스코 프로 측정하여서 확인한다.- V_R과 V_L은 직각삼각형의 양변이며 피타고라스 정리에 의하여 V=sqrt{V_R ^2 +V_L ^2} 이다. RL회로에서 인가전압 V와 전류 I의 위상관계는 theta만큼 위상차가 생긴다. 이 각도 theta는 임피던스의 페이저선도에서 R과 Z의 위상차와 같다.- 위상차는 arctan({X _{L}} over {R})로 구할 수 있으며, RL직렬회로에서 인덕터의 전압강하 VL은 저항의 전압강하 VR과 90도의 위상차가 발생한다.3. 실험 결과 및 분석표 43-1RL회로에서 오실로스코우프를 이용한 위상각 측정- 각 저항을 DMM으로 측정한 결과 3.2625kΩ, 980.38Ω으로 근소한 오차의 차 이로 측정이 되었다.- 위 표 43-1을 보면 파형의 한주기가 수평으로 몇칸인지 구하는 Width of Sine wave D와 수평의 한칸의 크기를 말하는 Distance between zero points d를 통해 Phase Angle을 구하도록 하겠다. 오실로스코프의 파형 그래프 토대 로 Phase Angle을 구한다. 저항3.3kΩ 경우부터 차례로 페이져를 구하면 다음 과 같다.- 파형의 주기는 수평의 칸 수이다. 따라서 한 주기는 20칸이이므로 d는 다음과 같다. d= {360 DEG } over {D} = {360 DEG } over {20} =18 DEG 즉, 수평거리 1칸당 18도를 의미한다. 두 파형의 첨두치 사이의 수평거리는 2.3칸이므로 18˚×2.3 = 41.4˚이다.- 저항3.3kΩ 경우와 마찬가지로 구해보면 파형한 주기는 20칸이이므로 d는 다음 과 같다. d= {360 DEG } over {D} = {360 DEG } over {20} =18 DEG 즉, 수평거리 1칸당 18도이므로 두 파형의 첨두치 사이의 수평거리는 3칸 즉, 18˚×3 = 54˚이다.표 43-2RL회로에서 위상각과 전압의 관계- 함수발생기에서 10Vp-p를 인가했지만, DMM으로 측정되는 전압은 rms값으로 측정되기 때문에 7.07V가 나온다 전체 인가된 전압은 Vin이고 인가된 전압을 측정해보면 7.0096, 7.0275와 같이 7.07에 비슷하게 측정이 된다. 저항과 인덕 터에 걸리는 전압을 측정하였고, 전류I는 저항에 걸리는 전압에 의한 옴 의 법칙으로 구했다. 구한 전류로 인덕터의 리액턴스를 구하는데, X _{L} = {V _{L}} over {I}로 구할 수 있다.- 표 43-2의 데이터를 계산을 통해 확인해보면 다음과 같다.-I= {V _{R}} over {R} = {4.88} over {3262} =1.496mA-X _{L} = {V _{L}} over {I} = {4.8037} over {1.496mA`} =3210.63Ω- theta =arctan( {X _{L}} over {R} = {3210.63} over {3262.5} )=44.54 DEG- V=sqrt{V_R ^2 +V_L ^2} (applied voltage) = V= sqrt {4.88 _{} ^{2} +4.8037 _{} ^{2}} =6.847V- 전류와 리액턴스, 페이저 각도를 구해보았다. 궁극적인 목표는 표 43-1의 페 이져 각도와 비교해보는 것인데 41.4도와 비교했을 때 오차가 있음을 알 수 있 다.수식을 통한 계산과 오실로스코프 파형의 측정을 통한 페이져 각도와 다소 차이가 있음을 알 수 있다.표 43-1와 표 43-2의 Phase Angle을 비교해보자.-I= {V _{R}} over {R} = {2.0219} over {3262} =4.978mA-X _{L} = {V _{L}} over {I} = {6.5984} over {4.978mA`} =1352.51Ω- theta =arctan( {X _{L}} over {R} = {1352.51} over {1000} )=54.06 DEG-V=sqrt{V_R ^2 +V_L ^2} (applied voltage) = V= sqrt {2.0219 _{} ^{2} +6.5984 _{} ^{2}} =6.901V- 저항 3.3kΩ경우와 마찬가지로 전류와 리액턴스를 통해 페이저 각도를 구해보 았다. 54.06도와 표 43-1의 페이져 54도와 비교했을 때 거의 일치함을 알 수 있고 이로써 만족스러운 실험결과를 얻었다.4. 실험 교재 고찰1. RL회로에서 저항에 걸린 전압과 인덕터에 걸린 전압 그리고 인가전압의 관계 에 대하여 설명하시오.- 직렬RL회로에서는 일반적으로 V_L이 V_R보다 위상 90DEG앞선다. 인덕터와 저항 에 걸린 전압을 합해서 총 걸린 전압을 구하는 것이 아니고 V=sqrt{V_R ^2 +V_L ^2} 의 식을 통해 전압을 구한다. V_L과 V_R의 페이저 선도를 보면 벡터의 합이기 때 문에 피타고라스 정리에 의해 V=sqrt{V_R ^2 +V_L ^2} ,전압을 구해야 된다.2. 표 43-1과 43-2에서 오실로스코프를 사용하여 구한theta와 저항/리액턴스 공식에 의하여 구한 theta를 비교하시오.- 표 43-1에서 구한theta=41.4 DEG표 43-2에서 theta =arctan( {X _{L}} over {R} = {3210.63} over {3262.5} )=44.54 DEG 두 값을 비교해보면 3 DEG 정도 의 오차가 발생했다.오실로스코프를 사용하여 구한theta는표 43-1, 저항/리액턴스 공식에 의한theta는 표 43-2이다.- 표 43-1에서 구한theta=54 DEG표 43-2에서 theta =arctan( {X _{L}} over {R} = {1352.51} over {1000} )=54.06 DEG 두 값을 비교해보면 0.6 DEG 의 매우 근소한 오차가 발생했다.3. L_1값이 100mH에서 50mH로 변화하면 R_1에 걸린 전압은 어떻게 변화하는가?- 기초이론에 의하면 V_R =V times { R} over {Z }=V times { R} over {sqrt{X_L^2 +R^2} },저항에 걸린 전압을 구할 수 있다. 리액턴스는 X _{L} =2 pi fL이므로 인덕턴스값이 커지면 X _{L} =2 pi fL값이 비례 해서 커진다. 저항에 걸린 전압식에서 리액턴스가 분모에 있기 때문에 리액턴 스가 커지면 전압은 감소함을 알 수 있다. 즉 전압V_R은 커지게 된지만 인덕터 에서 걸리는 전압 V_L은 감소하게 된다.4. 식 43-1을 확인 하였는가? 실험 결과를 이용하여 설명하시오.- 식 43-1은 Applied Voltage를 말한다 즉 V=sqrt{V_R ^2 +V_L ^2} 인데 표 43-2를 통 해 구해보면 다음과 같다V=sqrt{V_R ^2 +V_L ^2} (applied voltage) = V= sqrt {4.88 _{} ^{2} +4.8037 _{} ^{2}} =6.847V으로 Vin=7.0096V와 비교하면 0.25V의 오차가 나온다.V=sqrt{V_R ^2 +V_L ^2} (applied voltage) =V= sqrt {2.0219 _{} ^{2} +6.5984 _{} ^{2}} =6.901V으로 Vin=7.0275V와 비교하면 0.37V의 오차가 나온다.5. 고 찰- 이번 실험에서는 직렬 RL회로에서 인가전압 V, 저항에 걸린 전압 V _{R}, 인덕터에 걸린 전압 V _{L}의 다음과 같은 관계를 실험적으로 확인해보았다. 실험책에 기재된 이론식을 측정한 값을 대입하여 확인해보는 실험이였다. 이론 식은 다음과 같다. V= sqrt {V _{R} ^{````2} +V _{L} ^{```2}}, V _{R} =V TIMES {R} over {Z} , V _{L} =V _{R} × {X _{L}} over {R} =V × {X _{L}} over {Z}-> 실험에서 저항과 인 덕터에 걸린 전압을 구해서 전체 인가된 전압을 구하는 방법을 사용했다. 여기서 주의할 점은 전압분배법칙으로 생각해서 V _{R} +V _{L} =V라고 생각하면 안된다. 페이 저 선도를 보면 저항 또는 인덕터에 걸리는 전압의 위상이 다르기 때문에, 즉 위 상차이가 나기 때문에 피타고라스 정리에 의해 전압 제곱의 합을 다시 제곱근으 로 구해주어야 한다. 따라서 이번 실험의 목적인 인가전압V, 저항에 걸린 전압 V_R 그리고 인덕터에 걸린 전압V_L의 관계를 실험적으로 증명해 볼 수 있었고, 실험43을 하기 전에 실험42를 진행해 보았기 때문에 이론적인 부분은 이미 숙 지 되어있어서 개념적인 부분에 있어 어려울 것은 없었다. 더군다나 구현하는 회로도 직렬회로이기 때문에 회로를 만드는데 있어서도 문제가 없었다. 실험을 통해 중요한 개념과 식들을 다시한번 숙지할 수 있는 기회가 되었고, 회로수업 에서도 다루는 부분이기 때문에 더욱더 중요하다고 느낀다. V=sqrt{V_R ^2 +V_L ^2} 와 위상각 theta=arctan { V_L} over {V_R }=arctan { X_L} over { R}의 식이 어떻게 나왔는지 결과레포트를 쓰면서 완전히 복습이 되었다.
    공학/기술| 2014.02.17| 7페이지| 1,500원| 조회(277)
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  • Ex. 52. 직렬 RLC회로의 주파수응답과 공진주파수(A+자료) 평가C아쉬워요
    Ex. 52. 직렬 RLC회로의 주파수응답과 공진주파수1. 실험 목적- 직렬 RLC회로에서 L과 C값에 따른 공진주파수를 구할 수 있다.- 주파수가 증감함에 따라 저항에 걸리는 전압을 측정해 본다.2. 기본 이론- 저항R[Ω],자기 인덕턴스L[H],정전용량C[F]를 직렬로 접속한 회로.합성 임 피던스Z0는- 이며,리액턴스부호가 +일 때 유도성, -일 때 용량성이라 한다. 리액턴스부를 0으로 하는 주파수를공진 주파수라 하고, 이 때 회로 전 류가 최대가 된다.- RLC회로에 교류전압이 걸리는 경우 왼쪽식을 아 래와 같이 바꿔쓸 수 있다. 위 이차 미분 방정식의 특수해는- (이때,)이다. 앞에서 우변이 0일 때에 대해서 구한 일반해를라하면 위 미분방정 식의 해는 아래와 같이 표현가능하다.(이때,)- 하지만 이때,는 시간이 흐름에 따라 지수적으로 감소하므로 전류가 흐른 후 약간의 시간이 흐른 후부터는를 무시할 수 있다. 위 식을 t에 대해 미 분하여 얻을 수 있는 회로에 흐르는 전류의 양은 다음과 같다.(이때,)이때,이라 하면 위 식은(이때,)으로 바꿀 수 있으며 이 때를 RLC회로의 임피던스라 정의한다. RLC회로는 저항이 Z인 회로에 V의 전압이 걸렸을 때와 유사한 모양을 보인다.RLC회로에서인 경우, 즉인 경우를 공명이라 한다. 공명상태에서는 전압과 전류의 위상차가 0이 되고, 전 류의 최대값이 가장 커진다.를공진 주파수와의 개념을 다시 정리 한 것이다. 공명이 라는 말은 위와 같이 설명이 된다.3. 실험 결과 및 분석표 52-1직렬 RLC회로의 공진주파수Inductor L,mHCapacitor C,μFResonant Frequency f _{R}, HzCalculatedMeasured100.0115915.494측정x100.003327705.31922550100.00150329.212측정x- 실험에 사용되는 10mH 인덕터에 대해 캐패시터 값을 각각 다르게 하여 공진 주 파수를 계산하였다. 계산한값은 위의 표에서 Calculated 란에 기입했고, 측정값은 따산하면 다음과 같 다.- Inductor L,mHCapacitor C,μFCalculated f _{R}, f _{R} = {1} over {2 pi sqrt {LC}}100.01f _{R} = {1} over {2 pi sqrt {(10mH)(0.01 mu F)}}= 15915.494 Hz100.0033f _{R} = {1} over {2 pi sqrt {(10mH)(0.0033 mu F)}}= 27705.319 Hz100.001f _{R} = {1} over {2 pi sqrt {(10mH)(0.001 mu F)}}= 50329.212 Hz- 이론상 공진주파수 공식에 인덕터와 캐패시터값을 대입해 계산을 했지만, 실제로 실험상에서는 공진주파수가 저렇게 나오지는 않는다. 인덕터와 캐패시터, 즉 부하의 크기를 실제로 재 보면 정확하게 떨어지지 않고 오차가 발생한다. 따라서 이론상으로 계산한 값과 실제 측정한 값은 조금 상이한 결과가 나올 것이다.표 52-2직렬 RLC회로의 주파수응답 (실험에 사용한 저항의 크기는 993.7113Ω)StepFrequency f,HzVoltage Across ResistorV _{R}f _{R} - 21 kHz1550f _{R} - 18 kHz4550f _{R} - 15 kHz7550f _{R} - 12 kHz10550f _{R} - 9 kHz13550f _{R} - 6 kHz16550f _{R} - 3 kHz19550f _{R}22550f _{R} + 3 kHz25550f _{R} + 6 kHz28550f _{R} + 9 kHz31550f _{R} + 12 kHz34550f _{R} + 15 kHz37550f _{R} + 18 kHz40550f _{R} + 21 kHz43500- 표 52-2의 실험은 캐패시터가 0.0033μF 경우에 대하여 측정하였다. f _{R} 공진 주파수 측정을 오실로스 코프의 위상차이를 보고 결정하였는데, 사실 눈으로 측 정하기에 정확하게 공진주파수를 측정한다는 것은 어려웠다. 실험의 취지상 전 압의 위상고 할 수 있다. 그러면 표를 통해 주파수에 따른 전압 데이터를 알아보도록 하겠다.- 위의 표에서 측정한 전압은 DMM으로 측정한 것인데, Vrms 값이다. 함수 발생기 에서 인가된 전압은 V _{p-p}값이므로 Vrms값에 ×sqrt {2}를 해줘야 한다.Voltage Across ResistorV _{R},(rms)V _{p-p}0.26580.79051.35761.99852.72423.46874.05344.29364.20363.91323.56573.22512.92202.65642.4315- V _{p-p}는 위와 같이 계산되는데, 공진주파수 22550Hz일 때, V _{p-p}가 최대임 (4.2936V)을 알 수 있다. 이때 X _{L}=X _{C} 이므로 저항만 남게 되는 현상이 된다. 따라서 공진주파수에서 측정되는 전압이 최대이므로 옴의 법칙으로 전류가 최 대가 될 것이다. 본 실험에서는 전류를 구하지 않았지만 공진주파수에서 측정 된 전류가 최대일 것이라 예상된다.- 표 52-1에서 구한 공진주파수는 27700Hz인걸 감안하면 22500Hz와의 오차가 거의 5000Hz가 나왔다. 위에서도 언급했지만 오차의 발생원인으로 인덕터와 캐패시터의 실측값이 아닌 값인 원래의 값을 공식에 대입하여 구했다는 점, 그 리고 오실로스코프 위상차이를 눈으로 어림잡았기 때문에 정확한 위상차이를 알 수 없었기에 오차가 나왔을 것이다. 또한, 캐패시터는 예민하기 때문에 실험 과정상 브레드 보드를 만지면서 파형이 변할 수도 있음을 간과하면 안된다. 결 론적으로 측정한 데이터들이 완벽히 정확한 값은 아니지만, 실험의 목적은 공 진주파수에서 전압이 최대가 되고 그 기준으로 주파수를 증감 시켰을 때에 전 압의 변화가 어떻게 바뀌는지를 보는 것이므로 실험의 취지에 근접함을 알 수 있다.- 공진주파수를 기준으로 주파수를 증가시키면 전압이 감소함을 볼 수 있다. 마찬 가지로 주파수를 감소시켜도 전압이 감소하는 것을 알 수있다. 그 이유는 임피 던스에서 X _{L}-X _{C}의 차이가 증가.- 아래의 그림은 오실로스코프에서 찍은 파형의 그래프인데, 주파수에 따라 전압의 위상차이가 어떻게 변하는지 알아 보자. (위상차이를 잘 보이기 위해 한 주기 또 는 두 주기로 찍어 측정해보았다.)오실로스코프 파형 그래프1550Hz그래프를 쉽게보기 위하여 채널2 볼트를 100mV로 줄여서 봄(오른쪽)4550Hz그래프를 쉽게보기 위하여 채널2 볼트를 100mV로 줄여서 봄(오른쪽)7550Hz10550Hz13550Hz16550Hz19550Hz22550Hz25550Hz28550Hz31550Hz34550Hz37550Hz37550Hz40550Hz43550Hz- 두 파형의 위상차이가 0이 될 때의 공명주파수를 측정했을 때 22550Hz가 되었 다. 두 파형의 첨두치의 수평거리가 0이 될 때, 공명이 일어나기 때문에 그 때 의 주파수를 공명주파수라 한다. 우리 조가 측정한 공명주파수는 22550Hz인데, 이론상의 공식에 대입한 공명주파수 f _{R} = {1} over {2 pi sqrt {(10mH)(0.0033 mu F)}}=27705Hz 와는 5000Hz정도 차이가 났다. 오차의 발생원인은 위에서 언급했지만 실험과정을 통 해 알아볼 수 있는 것은 이론상의 주파수와 실험상의 측정 공명주파수의 값이 상이함을 알 수 있다.4. 실험 고찰1. 직렬 RLC회로의 공진주파수를 설명하시오.실험을 통해 알아 봤듯이 인덕턴스와 캐패시턴스 값이 같은 때 즉, X _{L}=X _{C}일 경우 공명이 일어난다. 그 때의 주파수를 공진주파수라 하며 f _{R} = {1} over {2 pi sqrt {LC}}으로 구할 수 있다. 공진주파수가 걸릴 때 회로의 임피던스에서 저항만 남게 되므로 임피던스값이 최소가 되어 전류는 최대가 된다.2. 공진시 저항에 걸린 전압이 5V _{p-p}와 다른 이유를 설명하시오. 표 52-2를 이 용하시오.주의해야 할 점이 임피던스에 남아있는 항이 저항밖에 없다고 인가된 전압이 모두 저항으로 가지는 않는다. 인덕터와 캐패시터에 걸리는 전압의 위상차이가 같게 걸리 ^{2} +(X _{L} -X _{C} ) ^{2}} = sqrt {(1k) ^{2} +(2 pi TIMES 22500 TIMES 10m) ^{2} -(1/(2 pi TIMES 22500 TIMES 0.01 mu )) ^{2}}= 1580.583236Ω 이다.4. 표 52-1에서 측정한 공진주파수와 계산한 공진주파수를 비교하시오.우리조가 실험했을 때 측정한 공진주파수는 22500Hz였다. 표52-1에서는 공진주파수 구하는 공식에 캐패시터와 인덕터값을 대입하여 구한 결과가 27705Hz인 것을 보면 주파수의 오차가 5000Hz정도 차이가 나왔다. 실험과정에서 우리가 공진주파수를 측정할 때 전압의 위상차가 0 이될 때를 가시적으로 측정했기 때문에 이론상 공진주파수와의 오차가 발생할 수 밖에 없었다.5. 직렬 RLC회로에서 R과 L을 고정시키고 C를 변화시킬 때 공진주파수의 변화 를 설명하시오.- f _{R} = {1} over {2 pi sqrt {LC}} 왼쪽의 공진주파수를 보면, 인덕터의 값은 고정되어 있을 때 공진 주파수는 캐패시터값에 영향을 받는다. 따라서 캐패시터가 감소하면 공진주파수 는 증가하며 캐패시터가 증가하면 공진주파수는 감소한다. 공진주파수 식을 보 더라도 주파수와 캐패시터 관계를 알 수 있다.fVrmsVRVc15500.1880.2658720.83250545500.5590.7905450.84325975500.961.3576450.87274105501.41321.9985670.919416135501.92632.72420.975765165502.45283.4687831.017244195502.86624.0534191.006284225503.03614.2936940.924124255502.97244.2036080.798504285502.76713.913270.665242315502.52143.5657980.548534345502.28053.2251140.453047375502.06622.9220480.377679405501.87842.6564590.오.
    공학/기술| 2014.02.17| 12페이지| 1,500원| 조회(974)
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  • Ex.42직렬RL회로의 임피던스(A+자료)
    Ex. 42. 직렬 RL회로의 임피던스1. 실험 목적- 인덕턴스의 특성을 이해한다.- 오실로스코프로 위상변화를 측정한다.2. 기본 이론(1) RL회로의 임피던스- 이번에는 저항, 인덕터 직렬 연결된 회로의 특성을 알아보겠습니다. 여기서는 임피던스라는 개념이 필요한데 이것은 전류의 흐름을 방해하는 정도를 나타내 는 것으로 저항과 비슷한 의미이고 옴의 법칙을 사용할 수 있습니다. 임피던스 는 Z로 표기하고 이것의 크기는 저항의 제곱과 리액턴스의 제곱을 더해서 제곱 근을 한 것이고 위상은 리액턴스를 저항으로 나눈 후 아크탄젠트를 하면 구할 수 있습니다. 인덕터와 리액턴스는 wL이고 여기서 w는 각주파수로서 2πf 입니 다. 이렇게 저항과 리액턴스를 알면 위의 그림과 같이 임피던스 삼각도를 그릴 수 있습니다.임피던스 :dot{Z} =`R-j {1} over {omega C} [ OMEGA ],ZETA = sqrt {R ^{2} +( omega L) ^{2}}, 위상각은theta =tan ^{-1} {omega `L} over {R}- 교류회로에서 전류가 흐르기 어려운 정도를 나타낸다. 복소수로서 실수부분은 저항, 허수부분은 리액턴스를 의미하며, 크기뿐 아니라 위상도 함께 표현할 수 있는 벡터량이다. 단위는 SI 단위계로 옴(Ω)을 사용하며, 보통 기호 Z로 표시한다. 임피던스의 역수는 어드미턴스라고 한다.3. 실험 결과 및 분석표 42-1RL회로의 임피던스 공식 확인- 실험에서 사용된 저항을 DMM으로 측정하였더니 3.2625kΩ이였다. 그리고 함수 발생기에 입력한 주파수는 5Khz이다.- 이 실험에서 알아볼 것은 구현된 회로에서 인덕터와 저항에 걸리는 전압을 측정 한 다음 회로에 걸리는 전류를 옴의 법칙으로 인덕터의 리액턴스를 구하고 임피 던스를 구한다. 그 임피던스가 전체 인가된 전압을 전체전류로 나눈 결과(임피 던스와) 같은지를 알아보는 실험이다.- 위의 실험 결과 표 데이터를 통해 먼저 회로에 걸리는 전류와, 인덕터에 걸리는 리액턴스, 전체 임피던스, R-XL의 임피던스를 차례로 계산해보겠다.-{V _{R}} over {R} = 3.0373/3262.5 = 0.93mA-{V _{L}} over {I _{L}} = 1.4429/0.00093 = 1551.5Ω-{V _{T}} over {I _{T}} = 3.4895/0.00093 = 3752.15Ω-Z= sqrt {R ^{2} +X _{L} ^{2}} ` 이므로 계산한 결과 3615.3Ω 이 나온다. {V _{T}} over {I _{T}}와 Z 값을 비교해 보면 100Ω이상의 오차가 나오며, 오차율을 계산해보면 다음과 같다.- 오차율: {|Z-V _{T} /I _{T} |} over {Z``} *100(%) = |3615.3-3751.15|/3615.3*100(%) = 3.75%으로 근소한 오차가 발생했다.-{V _{R}} over {R} = 2.4629/3262.5 = 0.75mA-{V _{L}} over {I _{L}} = 2.3894/0.00075 = 3185.87Ω-{V _{T}} over {I _{T}} = 3.5046/0.00075 = 4672.8Ω-Z= sqrt {R ^{2} +X _{L} ^{2}} ` 이므로 계산한 결과 4556.3Ω 이 나온다. {V _{T}} over {I _{T}}와 Z 값을 비교해 보 면 100Ω이상의 오차가 나오며, 오차율을 계산해보면 다음과 같다.-오차율: {|Z-V _{T} /I _{T} |} over {Z``} *100(%) = |4556.3-4672.8|/4556.3*100(%) = 2.55%으로 근소한 오차가 발생했다.표 42-2위상각과 임피던스 결정- 유도성 리액턴스와 tan값, phase angle, 임피던스 순으로 계산하도록 하겠다.- X _{L} = {V _{L}} over {I _{L}} =1.4429/0.00093 = 1551.2Ω 의 리액턴스 값이 나온다.- tan theta = {X _{L}} over {R} = 1551.2/3262 = 0.475- theta =arctan {X _{L}} over {R} =arctan {1551.2} over {3262} =25.41 DEG-Z= {R} over {cos theta } = 3262/0.903 = 3611.92Ω으로 임피던스를 구했고 표 42-1의 임피 던스 3615.3Ω과 큰 차이를 보이지 않는다. 오차율이 소수점으로 나와 따로 표시 는 하지 않았지만, 미세하게 작은 오차는 실험과정상 나오는 어쩔 수 없는 요인 이다.- X _{L} = {V _{L}} over {I _{L}} =2.3894/0.00075 = 3185.87Ω 의 리액턴스 값이 나온다.- tan theta = {X _{L}} over {R} = 3185.87/3262 = 0.97- theta =arctan {X _{L}} over {R} =arctan {3185.87} over {3262} =44.13 DEG-Z= {R} over {cos theta } = 3262/0.717 = 4549.5Ω으로 임피던스를 구했고 표 42-1의 임피던 스 4556.3Ω과 큰 차이(7Ω)를 보이지 않는다. 오차율이 소수점으로 나와 따로 표 시는 하지 않았지만, 미세하게 작은 오차는 실험과정상 나오는 어쩔 수 없는 요 인이다.- 아래는 오실로스코프로 저항과 인덕터에 걸리는 전압의 위상차를 보여준다. - 오실로스코프 그림에서 확인할 것은 저항과 인덕터에 걸리는 전압의 위상차는 파 형의 첨두치 간의 수평거리와 관계가 있음을 알 수 있다.4. 실험 교재 고찰1. RL회로에서 저항, 유도성 리액턴스, 임피던스의 상호관계를 설명하시오.- 임피던스, Z= sqrt {R ^{2} +Xc ^{2}}는 다음과 같은 식으로 임피던스를 구할 수 있다. 따 라서 그리고 저항 R과 임피던스 Z가 이루는 각 theta는 arctan= { X_L} over {R }식을 이용하 여 구할 수 있다. RL회로에서 저항과 유도성리액턴스X_L은 90DEG의 위상차를 갖 는다. 두 성분의 벡터 합이 임피던스Z 이다.2. RL회로에서 X_L이 일정할 때 인덕턴스의 증감이 위상각에 미치는 영향을 설명 하시오.- X_L이 일정할 때 인덕턴스 L의 증감은 식X_L =2pifL에 따라 주파수f에만 영향을 주기 때문에 유도성 리액턴스X_L은 일정하고, 저항도 변하지 않으므로 위상각 theta=arctan( {X _{L}} over {R} )에는 인덕턴스의 증감이 아무 영향을 미치지 못한다.3. 그림 42-5에서 사용된 인덕턴스가 short된다면 회로의 임피던스와 위상각에 어 떠한 변화가 일어나는가?- 그림 42-5 회로에서 인덕턴스가 short되게 되면 그 부분이 도선으로 취급하면 되기 때문에 교류전원과 저항의 직렬연결인 회로가 되게 된다. 인덕터의 리액 턴스는 X_L=0이므로 임피던스 Z는 곧 저항 R이 되게 되므로 임피던스와 저항R 의 위상각은 0DEG가 되게 된다.4. 어떠한 조건하에서 임피던스 각 theta가 45DEG가 되는가? 자료를 이용하여 설명하시 오.- 위 그림 오른쪽 페이져 선도를 보면 위상각theta일 때 인덕터와 저항의 전압의 관 계를 알 수 있다.theta=arctan {X_L } over {R }=45DEG가 되려면, {X _{L}} over {R}=1이되어야 한다. 이 조건을 만족해야 theta=45DEG가 된다.5. 이 실험의 결과에서 식 42-2를 확인하였는가? 표 42-1과 표 42-2의 결과를 이용하여 설명하시오.표 42-1RL회로의 임피던스 공식 확인표 42-2위상각과 임피던스 결정
    공학/기술| 2014.02.17| 7페이지| 1,500원| 조회(241)
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  • Ex.18부하를 갖는 전압분할 회로
    Ex. 18. 부하를 갖는 전압분할 회로1. 실험 목적- 전압분할 회로에서 부하가 전압 관계에 미치는 효과를 알아본다.- 위의 결과를 실험적으로 입증한다.2. 기본 이론- 분할 회로망은 전류가 흐르는 부하에 전압을 공급하기 위한 전압원으로 자주 사용된다. 이 경우에는 무부하 상태에 대해 얻어진 분할기-전압 관계는 더 이 상 성립되지 않으며, 실제 변화는 회로 결선과 추출되는 전류의 양에 따라 달 라진다. 그림 18-1(전압원+저항기3개 직렬연결)의 회로에서 V는 부하에 무관하 게 분할 회로망에 15V의 전압을 유지시키는 고정 전압원이다. 무부하 상태에서 각 저항기에 흐르는 전압은 각각 5,10,15V라 할 때, 5mA의 분로전류 I1이 흐른 다. 만약 2mA의 부하전류 IL 이 흐르는 부하저항 RL을 추가하면 전압은 무부하 상태와 다르게 나타날 것이다.RL 에 흐르는 부하전류가 IL일 때 분로전류 I1이 흐른다고 하면, 키르히호프 전압법칙을 이용하면 다음의 식을 쓸 수 있다.I1(R2+R3)+(I1+IL)(RL)=15I1에 대해 풀면, I1(R1+R2+R3)=15-(R1)IL, I1={15(IL*R1)} / {R1+R2+R3)무부하 전압분할 회로에서 R1에 걸리는 전압 V는 아래의 수식으로 구해진다.V1 = V * R1/RT부하를 갖는 전압 분할기의 전압과 분로전류는 키르히호프 전압법칙과 전류법 칙을 이용하여 구할 수 있다.실험 10에서의 직렬회로에 부하를 걸어주면, 저항 사이가 무부하 상태와는 다르게 나타난다. 부하를 걸어주었을 때 KVL을 사용해서 식을 정리해주면 다음 과 같다.I _{1} = {15 - (I_{L} TIMESR_{1}) } over { R_{1}+R_{2}+R_{3}}수식1에 각각의 값들을 대입하고 이론값을 계산할 수 있다. 그리고 옴의법칙V=IR 을 통해서 전압분할 회로에 부하가 추가되면 전압과 분로전류가 영향을 받는다는 사실을 알 수 있다.3. 실험 결과 및 분석표 18 -1-표 18 -1의 결과는 전압분할기에 대한 부하의 영향을 받았을 때 측정한 전 류I1과 전압, RL이다. step2에선 부하가 연결되지 않은 저항세개의 직렬연결회 로에서 측정한 값이다.- step2에서 저항 1.2kΩ 3개가 직렬 연결로 되어 있기 때문에 각 저항체에 걸리 는 전압은 같다. 전체저항이 3.6kΩ이므로 옴의 법칙에 의해 전류를 구하게 되면, I=V/R=10V/3.6kΩ=2.78mA가 계산값으로 나오는데, 실험상 DMM으로 구한 측정 값은 2.76mA로 0.02mA오차로 거의 동일했다. VBD는 저항 R2와 R3에 걸린 전 압인데, 전체 전압이 10V이므로 계산적으로 10V*2/3 = 6.66V가 나오는데, 측정 한 값은 6.6854V로 0.02V의 근소한 오차가 발생했다. VCD는 저항 R3에 걸린 전압이기 때문에 전체전압의 1/3이 걸린 3.33V계산값에 거의 근접한 수치를 나 타냈다.- step3부터 부하의 전류IL을 변화시켜줄 때의 결과값을 DMM으로 측정한 것이 다. 가변저항 분할기로 저항크기를 조절하여 구성된 회로에서 걸리는 IL의 크기 에 따라 전류I1이 어떻게 변하는지 측정값을 통해 알아볼 수 있다. 키르히호프 의 전압법칙을 사용하여 I1값을 도출할 수 있는데, 위의 표에서 계산된 값은 아 래의 수식에 의해 얻어낸 값이다.10=R _{1} (I _{L} +I _{1} )+(R _{2} +R _{3} )I _{1} 에의해 I1을 step3,4(IL=2mA)에서 계산하면 다음과 같다. 10=1.2(2mA+I1)+(1.2+1.2)I1이므로 I1은 2.11mA의 값이 나온다. B와 D 사이에 걸린 전압은 R2와 R3에 걸린 전압의 합인데, 전류I1*(R2+R3)를 통해 VBD를 구하면 2.11mA*2.4kΩ=5.06V가 나오고 측정값5.083V와 비교해보면 0.02V의 오차가 발생하였다. VCD는 저항R3에 걸린 전압이므로 VBD의 1/2값 (2.533V)이다. 측정된 전압값을 보면 VBD의 1/2임(2.537V)을 알 수 있다. RL은 병렬로 구성되있으므로 걸리는 전압이 VBD와 동일하고 VBD/IL 값이 RL이다. 계 산값은 2.533kΩ에 인데 반해 측정값은 2.5225kΩ이 측정되었다.- step5,6 에서도 step3,4와 마찬가지로 I1,VBD,VCD계산값을 구해보면 다음과 같다.10=1.2(4mA+I1)+(1.2+1.2)I1, I1=1.44mA, 측정값은 1.476mA, 0.03mA오차- VBD=1.44*(1.2+1.2)=3.46V, 측정값은 3.5130V, 0.04V,오차발생VCD=1.44*(1.2)=1.73V, 측정값은 1.7531V, 0.02V오차발생RL=VBD/IL=3.46V/4mA=0.866kΩ, 측정값은 0.869kΩ, 0.003kΩ오차발생비교적으로 측정값과 계산값은 거의 일치하였다. step7도 IL에 전류의 크기를 6mA으로 높여서 같은 실험은 반복한 것이고 표를 분석해보면,IL이 증가하면서 RL이 감소함을 알 수 있다. IL이 증가하면, 전체전류에서 유출되는 I1이 작아지 므로 VBD가 감소한다. 따라서 RL에 걸리는 전압도 감소하게 되므로 RL값도 작아지게 되는 것이다. 전반적인 오차율은 1%근방으로 나타났고 측정값과 계 산값이 근소한 차이로 비슷했기 때문에, 실험의 목적을 이뤘다.4. 고 찰- 이번 실험의 회로구성은 비교적 쉬웠다 부하를 연결하기 전에 세 개의 직렬회 로 구성이였고 그 후에 가변저항 분압기를 BD사이에 병렬로 연결했는데, 가변 팔을 돌리면서 원하는 IL의 크기를 맞추는데 어려움이 있었다. 2mA, 4mA, 6mA를 조절하는게 아날로그 적으로 가변팔을 돌리는 과정에서 조금만 팔을 돌 려도 값이 차이가 커지게 되어 실험과정에서 애를 먹었다. 정확하게 얻고자 하 는 IL의 값을 비교적 근사치에 적용하여 실험하였기 때문에 오차가 발생하였지 만, 측정값과 계산값이 큰 차이가 없어서 비교적 성공적인 실험으로 마칠 수 있었다. 전압분할 회로에서 부하가 생김으로써 기존의 전압과 전류에 어떠한 변화가 생기는지를 실험을 통해 알아볼 수 있었다. IL값이 커질수록 RL의 값 이 작아짐을 측정 결과값으로 얻었는데, 유입된 전류, 전체전류 I에서 I1값이 작아지기 때문에 BD구간 사이에 전압이 줄어들어 가변저항에 걸리는 전압도 줄어듬을 확인할 수 있었다. 키르히호프 전류, 전압법칙을 이론을 실험측정값을 통해 적용되는 것을 알 수 있었다. 이번 실험을 통해서 전압, 전류, 저항의 관 계를 더욱 잘 알게 되었다. 전기회로에선 키르히호프법칙과 옴의 법칙이 절대 빠지지 않는 것을 다시 한번 느끼는 계기가 되었다.이번 실험에서 헷갈렸던 부분이, 옆그림에서 전류측정할 때 프로브를 꽂는 위치였다. 전류 측정시 직렬연결이기 때문에 저 항의 다리 한쪽을 들어줘야한다. 처음 전류 I1 측정시 계산값과 너무 달라서 실 험 과정이 더뎠는데, 그림에서 보듯이 R1은 브레드보드판에 꽂은 상태로 R2의 다리 한쪽은 들어서 프로브에 꽂아야 I1이 측정이 된다. 제일 기본적인 전류 측 정임에도 막상 실험에서 실수를 했던 부분 중에 하나이다. 숙지하고 또 숙지해 야 됨을 느꼈다.저항에 분배되는 전압을 통해 옴의 법칙을 다시 이해할 수 있었다. 정량적인 실험이기 보다 실험 측정값을 통해 이론은 간접적으로 체험 할 수 있는 경험이 되었다. 준비를 철저히 했기에 매번 실험을 신속히 마칠 수 있어 보람을 느낀 다. 기본적인 준비과정을 숙지해야 앞으로도 계속 신속 정확 한 실험이 될 것 이라 생각한다. 실험시작 전에 회로구상은 물론 과정상 마인드맵을 해야겠다고 느낀다.5. 실험 고찰1. 전압분할 회로에서 부하가 전압관계에 미치는 영향을 설명하시오.- 부하의 저항의 크기에 따라 부하에 걸리는 전류가 IL이 달라지는데, 전체전 류 I = IL+I1이므로 IL이 증가할수록 I1이 작아짐을 식으로 알 수 있다. I1이 저항체 R2,R3에 걸리므로 각 저항에 걸리는 전압은 V2=I1*R2 , V3=I1*R3와 같다. IL이 커지면 I1이 작아지고 각 저항에 걸리는 전압이 감소할 것이다.2. 부하저항의 변화가 부하전류에 미치는 영향을 표 18-1의 데이터를 이용하여 설명하시오. 실험 데이터로부터 특정한 예를 보이고, 이와 같은 영향을 미치는 이유를 설명하시오.
    공학/기술| 2013.10.04| 5페이지| 1,000원| 조회(373)
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