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Active Filter(1)

▶실험 조건장소 : 공대12호관 412호시간 : 15:00 ~ 17:00온도 : 상온▶실험 도구CBIS(Computer Based Instrument System)1400, 컴퓨터, Active Filter회로기판(CBIS1400)저역통과 여파기(Low-Pass Filter)▶실험목적OP AMP를 이용하여 저역통과 여파기의 동작 원리를 이해하고 설계방법을 실습한다.▶실험이론가장 간단한 2차 저역통과 여파기는 VCVS(Voltage Controlled Voltage Source)회로인데, 그 회로는 그림과 같다. 이 회로에 대한 차단 주파수는 다음과 같다.이 여파기의 설계 시 고려해야 할 사항은 두 개의 저항과 두 개의 콘덴서에 개한 값의 결정이다. 가장 쉬운 방법은 R1과 R2를 같게 하고, C1과 C2를 같게 하는 것으로 이 때 차단 주파수는 다음과 같다.이것은 동치소자 저역통과 여파기라고도 한다. 통과대역의 이득은 2차 버터워즈(Butter Worth) 응답인 경우, 1.586(4dB)으로 고정되고 이것은 이 회로에 적용되는 유일한 이득이다. 차단주파수는 여파기응답이 통과대역 응답보다 3dB로 떨어지는 응답 이된다. 차단주파수 이하에서 응답은 12dB/Octave 혹은 20dB/decade로 감소한다. 이 여파기는 비반전 입력단자에서 OP-Amp를 사용하기 때문에 궤환 저항는 전압이득이 1.586으로 되게 하기 위해서, 입력저항값의 0.586배가 되어야 한다.의 저항을 사용하면 그림과 같이 이들 저항에 대한 선택은 각각 27, 47으로 된다.▶실험방법① SW1-1과 SW1-2를 a지점에 위피하여 0.033uF이 연결된 회로를 구성한다.② FG(Function Generator)를 TP1-1에 연결한다.③ DSO channel-1을 TP1-1로 연결하여 입력전압을, channel-2를 TP1-3로 연결하여 출력전압을 관찰 한다.④ FG의 출력을 사인파 200Hz 1Vp-p가 되도록 설정 한다.⑤ 출력전압의 크기를 DSO를 이용하여 측정하고 표에 기록한다.⑥ FG를 이용하여 주파수를 변화해 가면서 출력전압을 측정한다.⑦ SW1-1과 SW1-2를 b지점에 위치하여 0.068uF이 연결된 회로를 구성한다.⑧ ②~⑥의 과정을 반복하여 결과값을 기록한다.▶실험결과입력주파수[Hz]1k2k5k10k50k100k200k500k1M2M출력[v]1.021.01.00.9960.9860.9710.9570.9030.7810.4981)c값이 0.033uF일 때(불필요한 실험값 생략)3M4M5M0.3320.2140.209입력주파수[Hz]1k2k5k10k50k100k500k1M2M출력[v]1.00.9910.9910.9910.9860.9710.9220.8050.5712)c값이 0.068uF일 때(불필요한 실험값 생략)3M4M5M0.3900.3020.219(MATLAB으로 그래프 작성)*SOURCEclc;clear all;close all;%% Low-pass filter%%freq1 = [ 1 2 5 10 50 100 200 500 1000 2000 3000 4000 5000 ];freq2 = [ 1 2 5 10 50 100 500 1000 2000 3000 4000 5000];v1 = [1.02 1.0 1.0 0.996 0.986 0.971 0.957 0.903 0.781 0.498 0.332 0.214 0.209];v2 = [1 0.991 0.991 0.991 0.986 0.971 0.922 0.805 0.571 0.390 0.302 0.219];semilogx(freq1,v1);hold onsemilogx(freq2,v2,'r--');xlabel(' Frequency[KHz] ')ylabel(' Voltage[V]')title('Low-pass Filter')legend(' C = 0.033uF ', 'C = 0.068uF')고역통과 필터기(High-Pass Filter)▶실험목적OP AMP를 이용한 고역통과 여파기의 동작원리를 이해하고 설계방법을 실습한다.▶실험이론그림에서 보여주듯이 VCVS고역통과 여파기는 동치 VCVS 저역통과 여파기에서 저항과 콘덴서의 위치를 바꾸어 놓은 형태의 회로로써 통과대역의 이득이나 회로의 차단 주파수는 저역통과 여파기와 같다.통과대역의 이득은 1.586 즉, +4dB이다.▶실험방법① SW1-1과 SW1-2를 a지점에 위치하여 4.7k가 연결된 회로를 구성한다.② FG(Function Generator)를 TP2-1에 연결한다.③ OSC channel-1 TP2-1로 연결하여 입력전압을, channel-2를 TP2-3로 연결하여 출력 전압을 관찰한 다.④ FG의 출력을 사인파 200Hz 1Vp-p가 되도록 설정 한다.⑤ 출력전압의 크기를 DSO를 이용하여 측정하고 기록한다.⑥ FG를 이용하여 주파수를 변화해 가면서 출력전압을 측정하여 기록한다.⑦ SW2-1과 SW2-2를 b지점에 위치하여 10k가 연결된 회로를 구성한다.⑧ 과정 ②~⑥을 반복하여 기록한다.▶실험결과입력주파수[Hz]*************k1.2k1.4k1.6k1.8k2k출력[v]1.023.98.313.1917.420.3422.2023.3324.0324.451)저항이 4.7kΩ입력주파수[Hz]*************k1.2k1.4k1.6k1.8k2k출력[v]1.043.3744.9605.5615.7765.8645.9085.9225.9375.9372)저항이 10kΩ(MATLAB으로 그래프작성)*SOURCEclc;clear all;close all;%% High-Pass filter%%freq = [ 200:200:2000 ];v1 = [ 1.02 3.9 8.3 13.19 17.4 20.34 22.20 23.33 24.03 24.45];v2 = [1.04 3.374 4.960 5.561 5.776 5.864 5.908 5.922 5.937 5.937];plot(freq,v1);hold onplot(freq,v2,'r--');xlabel(' Frequency[Hz] ')ylabel(' Voltage[V]')title('High-pass Filter')legend(' R = 4.7 Kilo ohm ', 'R = 10 Kilo ohm')▶고찰이번 실험은 저역 통과 여파기 LPF(Law-Pass Filter) 와 고역 통과 여파 HPF(High-PassFilter)의 동작 원리와 특성을 알아보는 실험이었다. LPF, HPF 에대해서 어느 정도 지식이 있어서 이론은 빨리 이해했다. 하지만 CBIS1400이란 장비를 사용해서 실험값을 구해야 하는데 장비사용법도 익숙치 않고 입력 주파수와 입력 전압 등을 맞추어야 하는데 그 과정에서 시간을 많이 지체하게 되었다. 먼저 고역 통과 여파기를 실험하였는데 실험방법대로 주파수를 200Hz 씩 증가시켜 출력전압을 얻었는데 그 값이 예상했던 값과 비슷하게 나왔다. 그 다음 저역 통과 여과기를 실험했는데 저역 통과 여과기는 이론대로라면 저주파는 통과시키고 고주파를 걸러내야하는데 생각보다 큰 주파수가 걸러지지 않았다. 그래서 더욱 주파수를 크게 하였을 때 출력전압이 떨어지기 시작했다. 원하던 그래프 모양은 얻었으나 생각보다 큰 입력주파수가지고 결과값을 얻어냈다. 결론적으로는 원하던 그래프 모양을 얻어내게 되었고 실험자체를 제대로 이해하고 수행할 수 있어서 성공적인 실험이었다.HPF, LPF 는 전기전자학에서 기초가 되는 부분이며 실생활에서도 많이 이용된다. 우리가 한 실험은 능동필터(Active Filter)였는데 능동필터와 수동필터에 대해서 조사를 함으로써 모르는 사실들도 많이 알 수 있어서 뜻 깊은 실험이었다.능동필터(Active Filter)는 능동소자와 C, R에 의해 구성된 필터회로이며 OP-AMP, Transistor, 필터용 IC, DSP 등을 사용하며 저주파 영역(10[kHz]정도 이하)에서 널리 이용된다. Active Filter는 본래 필터회로에서 인턱턴스(L)를 추방하기 위해서 생각된 것으로 저주파영역의 필터를 LC로 구성하고자 생각하면 큰 인덕턴스의 값이 필요하게 되어 코일(인덕터)의 형상은 크고 무겁게 되며 Q도 저하한다. 또한 코어에 사용하는 자성체의 비선형성의 영향이 나오기도 하고 코일의 누설자계에 의해 다른 회로에 잡음을 흩뿌리는 등 부적당한 점이 많이 있는데 이것을 능동필터로써 하면 코일에 관련된 이런 불편함을 제거할 수 있다. 또 C, R의 값을 바꿈으로써 필터의 특성을 바꿀수 있고 필터의 이득의 범위도 넓게 설정할 수 있는 등의 장점이 있다. 반면, 능동소자를 동작시키기 위한 전원이 필요한 것이나 능동 소자의 주파수 특성에 의해 취급하는 신호주파수 대역이 비교적 좁게 되는 등의 단점이 있다. Active Filter에서 취급하는 신호주파수의 대체적인 표준으로서는 범용 OP앰프를 사용한 경우 10[kHz] 이하, 고속 OP앰프를 사용한 경우에는 100[kHz] 이하 이다.

공학/기술| 2011.03.05| 6페이지| 1,000원| 조회(319)

LPF, Active Filter, 엑티브 필터

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오실로스코프(1)

▶ 실험 목적① 오실로스코프(Oscilloscope)의 동작원리에 대하여 이해한다.② 오실로스코프의 사용법을 익힌다.③ 함수발생기(Function Generator)의 사용법을 익힌다.④ 파형관측, 전압, 주파수 및 위상측정 방법을 익힌다.⑤ 리사쥬 도형에 의한 위상차를 측정한다.오실로스코프▶ 관련이론오실로스코프는 시간적으로 변화하는 전기적인 신호를 음극선관(Cathode Ray Tube ; CRT)의 표면상에 파형으로 나타내어 전기적인 변화를 측정, 분석하는데 사용되는 계측기로써 “스코프(Scope)"라고도 불린다. 음극선관의 표면에 입혀진 형광물질에 전자들이 충돌하여 빛을 발하게 된다.대부분의 특수한 오실로스코프는 보통 CRT 에다 특수한 조절장치와 입력회로로 구성된다. 예를 들어, 아날로그 스토리지 오실로스코프 (Analog Storage Oscilloscope)는 특수한 CRT를 사용한다. 신호는 CRT내의 전극에 기억되므로 이 계기는 비주기성 파형 측정에 사용된다. 보통 오실로스코프로 측정하기 어려운 높은 주파수 신호를 측정하기 위해서는 점 파형(Dot Waveform)으로 나타낼 수 있는 샘플링 오실로스코프(Sampling Oscilloscope)를 사용한다. 이 계측기는 1주기당 반복신호를 샘플링하여, 고주파를 저주파로 재구성하여 사용하므로 비주기성 파형의 측정에는 적합하지 않다. 한편 디지털 스토리지 오실로스코프(Digital Storage Oscilloscope)는 샘플링 오실로스코프와 스토리지 오실로스코프를 조합시킨 것으로 입력파형을 샘플링하여 디지털 메모리에 기억시킨 후 이 파형을 주기적으로 재생시켜 파형을 나타내므로 주기성 파형과 비주기성 파형의 측정에 사용된다.▶장점: ㉠2현상 계측기이어서 2개의 파형을 동시에 나타낼 수 있다.㉡일반계측기로 측정할 수 없는 높은 주파수, 충격성 전압 및 전류 등 각종 파형을 관측할 수 있다.㉢펄스폭, 상승시간 및 지연시간 등을 측정할 수 있고 전자소자의 특성을 스크린 상에 나타낼 수 있기 때문에 그 응용의 함수로서 수직방향에서의 전기적인 양의 변화를 표시하기 위해서 시간에 따라 선형적으로 변화하는 전압이 수평편향판에 가해져야만 한다. 이러한 전압을 발생할 수 있는 발전기를 톱니파(sawtooth)발전기 혹은 스위프(sweep) 발전기라 부른다.기본적인 오실로스코프 그림 음극선관(CRT)의 기본구조(2) 외부단자의 기능 설명① INTENSITY(위도조절기) : 스크린상의 광점이나 파형의 휘도를 조절하는 단자로써 전자류의 세기를 조절함으로 형광면상의 광점의 밝기를 조절한다. 휘도가 너무 높으면 형광면의 손상을 가져올 우려가 있으므로 측정하지 않을 경우 휘도를 감소시켜 어둡게 하도록 한다.② FOCUS(초점조절기) : 광점을 작고 선명한 점이 되도록 초점을 맞추어 선명한 파형이 되도록 한다.③ CARIBRATOR : 교정전압의 출력을 얻을 수 있으며, 프로브 교정에 사용하는 경우에는 1k㎐, 0.5V의 구형파가 나타난다.④ VERTICAL POSITION(수직위치조절기) : 광점을 수직방향으로 이동시킨다.⑤ HORIZENTAL POSITION(수평조절기) : 광점을 수평방향으로 이동시킨다.⑥ VERTICAL INPUT(수직입력) : 음극선관 위에 나타나는 입력신호가 가하는 단자.⑦ VOLTS/DIV(수직시간조절기) : 수직 증폭기에 부가된 신호의 진폭을 조절한다.⑧ TIME/DIV(수평시간조절기) : 수평 스위프 시간을 조절한다. 이를 조절하여 주기가 짧은 신호나 주기가 긴 신호의 측정도 가능케 한다.⑨ VAR(스위프 미세조절기) : 스위프 시간을 연속적으로 가변 시킨다.⑩ COUPLING SWITCH(결합스위치) : 수직 증폭기에 결합되는 형태를 조절하는 단자.㉠ AC 결합 : 교류성분의 파형을 측정하는데 사용㉡ DC 결합 : 직류성분을 포함하는 신호를 측정하는데 사용㉢ GND 결합 : 증폭기의 입력단자를 접지시킨다.⑪ EXT TRIG IN : 외부동기 혹은 트리거 펄스입력 단자.⑫ TRIGGERING : 스위프 발진 주파수를 동기 시키기 위한 선택 스위치로 다며, 톱니파 신호의 일부는 Scope의 동기신호로 상용을 한다.이 Generator는 Sine파, Triangle파 및 Square파와 DC 출력을 얻게 하고, 또한 주파수 가변은 Front Panel에서 뿐만 아니라 외부의 DC Voltage에 의하여 가변 시킬 수 있으며, 따라서 FM 변조를 시킬 수 있게 된다. 이 Generator의 출력은 출력파형에 관계없이 50ohm에서 10V peak to peak 이며, Low 출력에서는 High에서 보다 20dB 적은 1V peak to peak(50ohm 부하 시)로 출력된다. 이외에도 SYNC OUT가 출력된다.▶ 함수발생기의 구성함수발생기는 주파수가변부, 동작모드부, 출력파형 선택부 그리고 DC 오프셋(offset)과 DC 출력부 등으로 구성되어 있다.출력파형은 기본적으로 정현파(Sine), 삼각파(Triangle), 구형파(Square) 그리고 TTL펄스 및 DC파로 구성되어 있다. 이들 파형의 선택은 함수출력부의 선택버튼을 눌러(ON)중으로 가능하다. 그러나 함수출력부의 선택버튼이 모두 OFF되어 있을 경우에는 DC 레벨이 출력된다.DC 오프셋(offset)버튼은 출력파형에 DC offset 전압을 줄 수 있게 한다. 즉, 파형 출력을 DC적으로 ‘+’ 또는 ‘-’로 편위되어 출력되게 한다. 그 조정의 범위는 50Ω 부하 시 - 10V ∼ + 10V 까지 이다.▶ 함수발생기 외부 단자의 기능① 동작모드(Operation Mode)· Continuous : 어느 파형이든 연속적으로 출력· Triggered : 수동 혹은 외부 trigger 입력에 의한 single 파형으로 출력· Gated : TRIG 입력이 ‘H’ 인 기간에만 파형이 출력② 가변함수 출력출력은 HIGH(HI)에서 20 Vp-p(50Ω 부하 시 10 Vp-p) 혹은 LOW(LO)에서 2 Vp-p(50Ω 부하 시 1 Vp-p)로 출력이 가변 된다. 최대 부하 전류는 100mA이다.· SINE 파 : 정현파 출력· Triangle 파 : 삼각-4V ∼ +4V 신호(AC 혹은 DC)로 주파수 범위는 Low Limited에서 Upper Limmited까지 선택이 가능하다.이는 주파수를 1000:1(Linear Mode시)까지 넓은 범위의 주파수 변화를 시킬 수 있다.⑥ 진폭조절단자 (Amplitude Control Select)반시계 방향으로 돌리면 출력 Level이 감쇠된다. 그러나 DC의 offset 전압은 조정되지 않는다.⑦ 가변 주파수부주파수의 정확한 겂을 조절하기 위하여 ×1, ×10, ×100, ×1K, ×10K, ×100K, ×1M 의 눈금이 기록되어 있다.▶ 오실로 스코프 실험방법 및 결과< DC 전압측정 >① 그림과 같이 회로를 구성한다.② 결합(coupling)스위치를 GND로 한 후 수직위치 조절기 (Y)를 스크린 중앙의 수평선에 맞춘다.③ 결합스위치를 DC로, 입력 위치를 CH 1으로, 수직감도를 1.0V/DIV로 맞춘다.④ 그림 6-7과 같이 1.5V 건전지 양단에 스코프 프로브(probe)를 접속하고 스코프의 화면상에 나타난 파형을 그린다.⑤ 수직감도를 0.5V/DIV로 맞춘 후 ④의 과정을 반복하여라.⑥ 오실로 스코프의 수직감도를 5V/DIV로 하고, DC 전원공급장치의 CH 1 전압레벨을 0V로 맞춘 후, 오실로스코프 프로브를 CH 1의 단자에 접속하여라.⑦ DC 전원공급장치의 CH 1 입력 전압레벨을 증가시키면서 오실로스코프 화면상에 나타난 파형을 그려라.TIME/DIV : 1 ms VOLTS/DIV : 1 V TIME/DIV : 1 msVOLTS/DIV : 5 V< AC 전압측정 >① 오실로스코프의 결합스위치를 AC로, 수직감도를 1V/DIV로, 수평감도를 1ms/DIV로 맞춘다.② 함수발생기의 주파수를 1k㎐와 500㎐로 진폭(Amplitude)단자를 최저(min)로 하기 위해 반시계 방향으로 끝까지 돌린다.③ 함수발생기 출력단자와 오실로스코프의 프로브를 접속시키고 파형의 진폭을 함수발생기의 진폭(Amplitude) 조절단자를 사용하여 진폭을 증가시켜 가면서 파형을 라.실험 결과? TIME/DIV : 1 ms VOLTS/DIV : 1.0 V ? TIME/DIV : 1 ms VOLTS/DIV : 1.0 V[ 1k㎐ 일 때 AC파형 ] [ 500㎐ 일 때 AC파형 ]옴의 법칙(V=IR)을 이용하여 구한 저항 R2의 양단에 걸리는 전압 VR2는 0.8V이여야 합니다. 하지만 R2의 양단에 걸리는 전압 VR2는 1.0Vp-p이므로 옴의 법칙으로 구한 결과와 실제로 측정한 결과가 다릅니다. 이는 측정할 때 실수가 있었거나 회로 구성할 때 미세한 실수가 있는 것 같습니다.▶ 실험 고찰◎오실로스코프 실험1) DC전압측정-(※ 실제 실험 때는 1.5V 건전지 대신 Power suppy에 연결하여서 실험하였다.)니드선으로 Power supply에 연결하여 스코프 프로브에 연결하였다. 수직감도를 1.0V/DIV로 맞추고, 1.5V를 인가시켰다. 예상은 1칸 반이 나와야 한다. 하지만 처음에 측정은 그렇지 않았다. 이유는 영점을 맞추지 않아서 그러했다. Vertical position을 이용해서 영점을 맞추었고, 그 후에 예상결과와 맞게 나왔다. 즉, 1.0V/DIV 일 때 1.5V 인가된 전압에 3칸이 나왔다.그 다음으로 수직감도를 0.5V/DIV로 낮춰서 실험하였다. 아까와 마찬가지로 0.5V 인가시켜 영점을 조절한 후, 1.5V를 흘렸지만 나오지 않았다. 아마도 수직감도가 낮아서 인가된 전압이 정확히 흘러나오지 않는 것 같다.수직감도를 최초 실험보다 높여서 5V로 실험하자, 5V, 10V, 15V, 20V에 대해서 정확히 일치했다. 수직감도가 높을수록 인가되는 V에 정확히 일치되는 것을 확인하였다.2) AC전압측정오실로스코프의 결합스위치를 AC로 한 다음 수직감도를 1V/DIV로, 수평감도를 1ms/DIV로 맞춘 다음, 인식하기 쉽게 하기 위해서 최대진폭이 한칸에 맞춰 나오도록 조절하였다. 주파수를 1kHz에 맞춘후 실험을 하였다. 그 결과, sine 파는 한 칸에 완성되고, 정확히 진폭이 위, 아래로 한칸씩 나왔다.그 후, 주파수를 다.

공학/기술| 2011.03.05| 9페이지| 1,000원| 조회(216)

오실로스코프, 함수발생기, Oscilloscope, Function Gener..

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스트레인 게이지(1)

실험 1. 휘스톤 브리지 실험① 실험목적-미지의 저항을 보다 정밀하게 측정할 수 있는 방법으로 고안된 기구인 휘스톤 브리지를 사용하여 이미 알고 있는 저항을 내장하여 수치를 모르는 저항을 비례적으로 측정함으로써 모든 실험장치에 필수적으로 내장 되어 있는 휘스톤브리지의 원리를 이해한다.② 기본 이론미지의 저항을 정밀하게 측정하기 위해서 그림과 같은 휘스톤 브리지 회로가 사용된다.스위치를 닫아 검류계 ⓖ에 전류가 흐르지 않도록 가변 저항를 조절하면 C, D점의 전위가 같으므로또,,이므로또는따라서,,,의 저항값은 알고 있으므로 미지 저항의 값을 구할 수 있다.(1) 브리지(C, D) 사이의 전위차그림에서 CD사이가 끊어져 있다면 ACB를 흐르는 전류는,,B에 대한 C, D 사이의 전위차는,따라서, C, D 사이의 전위차는가 된다.여기서이면 C, D 사이의 전위차는 0이 되어 검류계 ⓖ를 연결하여도 검류계의 바늘은 움직이지 않는다.(2) 전류가 브리지(C, D) 사이를 흐를 때위의식에서라면로 되어 전류가 C→D방향으로 검류계를 흐른다.반대로라면로 되어 D→C의 방향으로 전류가 검류계를 흐른다.③ 실험장치/방법- 전류를 흐르지 않는 것이 목표이다.⑴저항의 컬러띠를 통해 색저항을 알아낸다.⑵미지의 저항을 측정하기 위해에다가 저항을 연결한다.⑶비례변의 다이얼을 돌려가면서 미지의 저항을 측정한다. (다이얼은을 조절하는 것이다.)⑷검류계가 0이 될 때의 저항값을 측정한다.⑸디지털 멀티메터로 측정한 값과 비교하여 오차를 알아낸다.④ 실험 결과/분석미지저항색저항휘스톤 브리지로 측정한 값디지털멀티메터로 측정한 값오차녹갈적금5100Ω ±2555035Ω4990Ω45Ω적적갈금220Ω ±10.7Ω214Ω219Ω-5Ω갈녹적금1500Ω ±75Ω1515Ω1509Ω6Ω황자적금4700Ω ±235Ω4713Ω4660Ω53Ω갈흑적금1000Ω ±50Ω1010Ω1003Ω7Ω- 이번 실험은 휘스톤 브리지를 이용하여 미지저항을 측정하는 실험이었다. 휘스톤 브리지란 3개의 확인된 저항을 이용하여 1개의 미지 저을 통해 저항에 표시된 색띠로 저항을 알아내는 법을 알게 됐다.저항에 따라 오차범위 안에 정확히 나오는 것을 확인하였고, 휘스톤 브리지의 원리에 대해서도 이해하였다. 휘스톤 브리지란, 미지의 저항을 정밀하게 측정하기 위해서 사용된다.스위치를 닫아 검류계 ⓖ에 전류가 흐르지 않도록 가변 저항를 조절하면 C, D점의 전위가 같으므로또,,이므로또는따라서,,,의 저항값은 알고 있으므로 미지 저항의 값을 구할 수 있다.※의 저항을 다이얼로 조절하였는데 그 값을 미지저항을 읽는 이유?그림과 같이 연결되어 있는 경우 위에 식을 전개하면 I가 일정하므로,의 비가 같게 된다. 그리고 마찬가지로,의 비가 같게 되므로의 변화값을 읽는 것이다.실험 2. 스트레인 게이지① 실험목적- 외력이나 자주에 의하여 재료는 미소한 변형을 발생하게 되고, 어느 수준을 넘어서면 재료는 구조용으로 부적합 하게 되며, 파손 및 재해의 원인이 된다. 스트레인의 측정 범위는 정적인 측정에서 동적인 측정까지 미치는 것으로 본 실험에서는 스트레인게이지의 원리 및 측정법을 익히는 한편 응력을 구하는 방법을 습득하는데 있다.실험기를 다루는 요령습득 및 스트레인 게이지의 작동원리를 이해 한다.한 쪽 끝이 고정되어 있는 보에서 실험에 의한 처짐과 이론 식에 의한 처짐과 비교해 본다.② 기본 원리전기저항 스트레인 게이지 원리는 전기전항의 변화는 단위길이에 대한 거리에 비례한다. 전기 저항의 변화와 길이의 변화의 비를 Gauge Factor(GF) 라고 하며 다음과 같다. 스트레인 게이지의 저항값 변화를 측정하려면 보통 Wheatstone Bridge를 사용한다.Wheatstone BridgeG에 전류가 흐르지 않도록 조절하면 다음과 같다.즉스트레인 게이지의 형상위의 그림과 같이 스트레인 게이지는 가는 금속 그리드 형태로 구조물에 완전하게 접착하면, 외부 하중에 따른 구조물 변형에 따라 같이 변형을 일으킨다. 스트레인 게이지의 변형은 금속 그리드의 저항을 변화시킴. 이 변화는 저항으로부터 외부에서 부가된 하중을 산출.가 나온 매우 정확도가 높은 실험이었다.J2와 J4 연결한 결과와 J6,J7의 연결한 결과는 회로 내에 있는 OP들에 의해서 증폭된다는 것이다. 부호가 반대로 나오는 것은 내부회로에 아마 반전회로가 있는 것으로 예측된다.이번 실험으로 스트레인 게이지를 이용해 어떻게 변형률을 측정하는지 알게 되었다. 하중이 증가할수록 선형적으로 변하게 된다는 사실을 알게 되었고, 얼마나 정확하게 결과값이 나오는지 알게되었다.⑤ 고찰/오차※ 휘스톤 브리지의 장단점 서술하시오.(1)The Quarter Bridge그림의 Wheatstone Bridge에서 다른 저항은 그대로 두고 한 개의 저항만 바꾼다. 그러면 스트레인이 걸리는 한 개 gauge 만이 active gauge가 되고 다른 저항은 inactive gauge가 된다.? 게이지 1개만 사용?,,중 한 개만 스트레인 게이지(SG),?그 외는 Dummy Gage(저항값은 동일)? Vo/Vi=Kε/4(2)The Half Bridge만일 두 개의 gauge가 active gauge로 작용한다면 그러한 Bridge를 Half Bridge 라 한다.?게이지 2개 사용?,,중 (1),(4) 또는 (2),(3)에 SG사용?Vo/Vi=Kε/2(3)The Full BridgeBridge가 4개의 active gauge를 가지면 Full Bridge이다.?,,중 (1),(2),(3),(4) 모두 SG사용?안정적이고 정밀함?Vo/Vi=KεVo : 출력전압, Vi: 입력전압 , K : Gage Factor(2.1), ε: 변형률※ 스트레인 게이지의 종류와 그 용도는?1)일반용 Gauge주로 금속재료의 상온부근에서의 Strain측정에 사용하는 것으로 판 gauge와 선gauge가 있다. 판gauge는 두께가 Μ단위의 저항판(주로 동, 니켈계 합금)수지필름의 Base에 접착시키고 포토에칭기술에 의해 가공되어 지기 때문에 치수가 정확하고 저cost의 제조가 가능한 이점을 가지고 있다.일반적으로 사용되고 있는 Gauge는 거의 다 이 형식의 Gauge이것은 적합한 선팽창 계수에 맞게 제어된 저항재료를 사용한 것이고, 적합 재료에 접착된 경우에 온도에 따른 변화를 보면 자기온도보상 범위에 있어서 큰부분이 ±1.8×10e-6 Strain/℃이다.(단 2선 리드선 type의 Gage의 경우에는 리드선의 온도 여향이 있으므로 3선의 리드선 type을 권한다.)5) Strain Gauge식 변환기(센서류)Strain Gauge식 변환기는 Strain Gauge를 힘→전기량의 변환의 원리를 이용하여 각종물리량(하중,압력,가속도,진동,변위,Torque,등)을 전기적인 출력으로 변환하여 사용한다.전기량출력은 측정목적에 맞게 각종 측정기기접속 사용하여 물리량을 표시, 기록, 제어할 수 있다. 변환소자에 Strain Gauge를 사용하기 때문에 변환기는 소형경량, 기계적변위가 궁극적으로 작아지고 구조가 Simple해서 직선성(Linearity)이 우수하다. 변환기 자체의 성능향상, 주위기술의발달, 자동화 기술등의 발달로 실험, 연구용으로 많이 이용되고 있다.Strain Gauge식 변환기에 는 압축, 인장등의 힘을 검출하는 Load Cell, 물,기름,공기등의 압력을 검출하는 압력변환기, 충격이나 진동가속도를 검출하는 가속도변환기 또 각종 시험기에 이용되는 변위변환기, 회전체의 비틀림 Torque검출을 위해 Torque검출기, 자동차시험용의 변환기, 토목, 건설용의 토압응력, 등의 많은 측정용 변환기들이 있다.※ 하중값을 측정하기 위해 전기적 기술을 이용한다. 변형률과 후크법칙을 연계하여 설명하시오.- 스트레인의 측정 원리후크법칙: 응력-변형률 선도에서, 선도의 초기부분에 대해서는 응력 과 변형률이 명백히 비례한다.스트레인 게이지는 측정하는 대상의 변형을 직접 측정할 수 있으며, 이를 전기적인 신호로 바꾸어 우리가 얻고자 하는 변형율이나 응력변화를 알 수가 있다.스트레인 게이지의 저항값 변화를 측정하려면, 보통 휘스톤 브리지를 사용한다. 여기서 측정할 변형량은 거의 대부분이 재질의 탄성 영역 부분에서 측정이 이루어 지고 있ter alignment marksStrain Sensing Alloys부의 형상을 유지시켜주고, 측정대상에 접착하기 용이하도록 하며, 측정물과의 절연 기능을 맡는다.Backing터미널부에 결선을 용이하게 할 수 있도록 저항선보다 넓은 면으로 되어 있으며, 이곳에 납땜을 한다.Tab게이지를 붙일 때 수평 수직방향을 가늠할 수 있는 MarkTriangles grid center alignment marksStrain Sensing Alloys실제적인 변형량을 감지하는 부분으로 여러 가닥의 저항선으로 구성되어 있어 변형량을 증폭할 수 있도록 되어 있으며, 감지부의 저항선은 Wire 방식이나 Foil 방식으로 되 있다. 그 재질은 용도에 따라서 Constantan(Ni + Cu), Nichrome(Ni + Cr), Manganin(Ni+Cr+Cu), Karma(Ni+Cr+Al+Fe), Lsaclastic(Ni+Cr+Fe+Mo), 순수 Nickel, Platinum, Soft Iron, Copper등이 있지만 가장 보편적으로 쓰는 재질은 니켈, 구리 합금인 Constantan을 많이 쓴다. 초대 변형율은 6%정도이고 Gage factor는 2.0~2.1정도이다.BackingStrain Sensing Alloys부의 형상을 유지시켜주고, 측정대상에 접착하기 용이하도록 하며, 측정물과의 절연 기능을 맡고 있다. 재질은 Polyimide나 Epoxy등이 있고 두께는 12~50㎛ 정도이다. 또한 이재질은 감지부의 정항선을 보호할 수 있도록 보호막으로 코팅하는데도 이용한다.Tab터미널부에 결선을 용이하게 할 수 있도록 저항선보다 넓은 면으로 되어 있으며, 이곳에 납땜을 한다.기타게이지를 붙일 때 수평 수직방향을 가늠할 수 있도록 Triangles grid center alignment marks가 있고, 45° 각도를 유지하는 alignment marks가 있다.측정 원리먼저 측정하고자 하는 대상과 스트레인 게이지가 서로 일체가 되도록 붙어있다고 하면 측정대상이 변형을 일으키것이다.

공학/기술| 2011.03.05| 17페이지| 1,500원| 조회(262)

스트레인, 브리지, 스트레인 게이지, 실험장치

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로보틱스(1)

① 목적자동화 설비라는 이름의 “산업용 로봇”은 이미 생산현장인 공장에서 인간을 대신해 산업 역군으로서 그 역할을 충실히 하고 있다. 보통 작업환경이 나쁜 현장이나 원자력 발전소, 탄광의 채탄작업과 같이 위험한 곳에서 사람을 대신해 산업용 로봇이 쓰이는데 단순한 반복 작업으로 인한 권태감과 부주의에서 오는 제품 불량률을 최소화하기 위한 수단으로도 이용됩니다.특히 이번에 사용하게 될 장비는 수평다관절형 로봇으로 특히 수평면에서의 조립작업에 매우 적합한 형태이므로, 전자제품의 조립공정에서 많이 사용된다.이번 실험은 어떻게 기술을 단순화하고 제조 공정을 자동화하는가를 보여주며, 자동화 요소와 제어장치의 동작을 이해할 수 있다.② 이론▶ 실험장비- 수평다관절형 로봇- 터치 팬던트 : 프로그램 작성 및 편집, 포인트 설정 및 수정, 파라미터 셋팅, 시퀀스 프로그램 작성 및 수정, 접점 입출력 모니터링, 현재 상태 모니터링 등을 할 수 있다.- 다축 서보 컨트롤러- 수평다관절형 로봇 - - 터치 팬던트 (오퍼레이팅 로더) -- 다축 서보 컨트롤러 -▶ 프로그램 작성 방법(예제문)1) 먼저 원점을 수행합니다. 제어기에게 로봇의 현재 위치를 알려주는 역할을 한다. Incremental엔코더를 사용한 로봇에서는 센서를 사용하여 로봇의 현재 위치를 파악하기 때문에 센서가 있는 위치로 이동하는 작업을 하게 되고 이를 원점 복귀한다. 원점 복귀에는 여러 가지 방법이 있으며 원점 복귀를 수행하지 않고 제어기의 전원을 켰을 때 로봇의 위치를 원점으로 설정하는 방법도 있다.2) 모션 프로그램을 작성합니다. 가장 기본적인, 두 점을 왕복하는 프로그램을 예로 들면, 모션 프로그램은 오퍼레이팅 로더나 PC를 사용하여 작성할 수 있다. 처음 SPD명령어를 사용하여 로봇의 이동속도를 설정한다. 이 명령어를 사용하지 않으면 기본값은 파라미터의 JogSpd0값이 사용된다. P0와 P1은 로봇의 특정위치를 나타내는 위치값으로 포인트 파일에 저장되어 있다. ‘//’이후에 오는 문자들은 실행과 관련이 없는 프로그램의 설명을 위한 주석이므로 입력하지 않아도 된다. 또한 오퍼레이팅 로더에서는 한글입력이 지원되지 않습니다.L000 SPD=1000 //10%로 속도를 설정합니다. 10000일 경우 100%속도.L001 TAG A //레이블을 설정합니다. GOTO를 사용하여 이곳으로 이동.L002 MPTP P0 //P0 위치로 이동합니다. P0가 없을 경우 에러 발생.L003 MPTP P1 //P1 위치로 이동합니다. P1이 없을 경우 에러 발생.L004 GOTO A //‘A’ 레이블이 있는 L001로 이동.L005 MEND //프로그램을 종료.3) 포인트 파일을 만들어 P0와 P1의 위치를 지정한다. 모션 프로그램이 처음 실행될 때에 자신의 프로그램 번호와 같은 포인트 파일을 찾아서 있을 경우에 이를 사용하게 된다. 포인트 파일은 모션 프로그램을 만들 때 자동으로 생성되지 않으니 주의해야한다. 포인트 파일내에 해당 포인트가 존재하지 않는 경우에는 모션 프로그램을 실행할 도중에 에러가 발생하게 된다. 모션 프로그램과 번호가 같은 포인트 파일을 만든다(이름은 달라도 무관). 포인트 파일안에는 1000개까지의 포인트가 저장될 수 있다. 첫 번째와 두 번째에 저장된 포인트를 각각 P0, P1이라고 한다. 포인트 값을 만드는 방법은 손이나 Jog로 로봇을 움직여서 그 위치를 저장하는 방법과 직접 값을 입력하는 방법이 있다.4) 모션 프로그램을 실행합니다. 오퍼레이팅 로더나 접점, PC를 이용하여 실행할 수 있으며, 오퍼레이팅 로더를 사용할 수 있다.5) 모션 프로그램을 정지합니다. 오퍼레이팅 로더의 STOP 버튼을 누릅니다. 서보의 전원은 ON 상태가 유지됩니다.6) 서보 전원을 OFF 합니다. 오퍼레이팅 로더에서 2nd + Servo 키를 누릅니다.▶ 사용되는 명령어 - 각 코드를 통하여 로봇을 제어할 수 있다.③ 방법단순 PTP 이동 반복 / 횟수 제한 프로그램- 프로그램 설명 # 11. 표시된 위치를 설정한 입력 접점이 입력되면 50%의 속도로 단순 반복한다.2. 1회 반복 후 출력 접점 B(2).0 을 On시킨 후 50[ms] 후에 Off 시킨다.- 프로그램 작성 Tip

공학/기술| 2011.03.05| 5페이지| 1,000원| 조회(295)

로보틱스, 산업용 로봇, 포인트 파일, 수평다관절형

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다이오드 (1)

1. 관련이론-다이오드다이오드란 전류를 한쪽 방향으로만 흘리는 반도체 부품이다. 반도체란 원래 이러한 성질을 가지고 있기 때문에 반도체라 부르는 것이다. 트랜지스터도 반도체이지만, 다이오드는 특히 이와 같은 한쪽방향으로만 전류가 흐르도록 한다.반도체의 재료는 실리콘(규소)이 많지만, 그 외에 게르마늄, 셀렌 등이 있다. 다이오드의 용도는 전원장치에서 교류전류를 직류전류로 바꾸는 정류기로서의 용도, 라디오의 고주파에서 신호를 꺼내는 검파용, 전류의 ON/OFF를 제어하는 스위칭 용도 등등, 매우 광범위하게 사용되고 있다.다이오드의 작동원리다이오드 소자는 PN접합으로 불리는 구조를 가지고 있으며, 반도체의 P측 단자를 양극(Anode), N측단자를 음극(Cathode)이라 한다. 이러한 구조는 양극에서 음극으로 즉, 순방향으로만 전류가 흐르며, 그 역방향은 거의 전류가 흐르지 않는 기능이 있습니다. 이러한 효과를 정류 작용이라 하며, 교류를 직류로 변화하는 효과가 있다. 다이오드의 기능은 쉽게 생각하면 전류 스위치라고 할 수 있다. 전기의 흐름을 물의 흐름에 비유해 보면 양극은 물의 상류, 음극은 하류에 해당하며, 상류에서 하류로 물이 흐르는 것처럼 애노드에서 캐소드로 전류가 흐르며 하류에서 상류로 물이 흐르지 않는 것처럼 다이오드의 정류 원리이다.순방향과 역방향 특성다이오드에는 애노드와 캐소드라고 하는 2개의 단자가 있다. 애노드에 (+)를, 캐소드에 (-)를 인가하여 애노드로부터 캐소드로 전류가 흐를 때의 특성을 순방향 특성이라고 하며, VF, IF가 이것에 해당한다. 이와 반대로 애노드에 (-), 캐소드에 (+)가 이나되었을 때 다이오드에는 기본적으로 전류가 흐르지 않는다. 이때의 특성을 역방향 특성이라 하며, VR이나 IR등이 역방향 특성이다.다이오드 종류와 응용분야다이오드의 종류와 특징①정류 다이오드 (밸브역할)다이오드 소자는 PN접합으로 불리는 구조를 가지고 있으며, 반도체의 P측 단자를 양극(Anode), N측단자를 음극(Cathode)이라 한다. 이 효과가 있다. 다이오드의 기능은 쉽게 생각하면 전류 스위치라고 할 수 있다. 전기의 흐름을 물의 흐름에 비유해 보면 양극은 물의 상류, 음극은 하류에 해당하며, 상류에서 하류로 물이 흐르는 것처럼 애노드에서 캐소드로 전류가 흐르며 하류에서 상류로 물이 흐르지 않는 것처럼 다이오드의 정류 원리이다.순방향과 역방향 특성다이오드에는 애노드와 캐소드라고 하는 2개의 단자가 있다. 애노드에 (+)를, 캐소드에 (-)를 인가하여 애노드로부터 캐소드로 전류가 흐를 때의 특성을 순방향 특성이라고 하며, VF, IF가 이것에 해당한다. 이와 반대로 애노드에 (-), 캐소드에 (+)가 이나되었을 때 다이오드에는 기본적으로 전류가 흐르지 않는다. 이때의 특성을 역방향 특성이라 하며, VR이나 IR등이 역방향 특성이다.② 정전압 다이오드(제네 다이오드)역방향으로 전압을 가했을 경우에 어떤 전압에서 안정하는 성질을 이용하여, 일 정한 전압을 얻기 위해 사용한다.이러한 제너효과를 이용해 정전압 회로인 기준 전압을 필요로 하는 회로에 이용되며 온도보상 기능이 첨부된 것도 있다.Zener Diode는 보통저항을 직렬로 연결하여 사용한다. 이것을 풀어보면 E=R*IZ (R의 양단전압) + VZ(제너전압) 가 성립한다.즉, 전원 전압 E가 변동해도 제너 전압 VZ는 일정하며 (단, E>VZ) E와 VZ의 차이에 의한 전압이 R의 양단에 발생하게 된다.③바리캡 다이오드 (Variable - capacitance diode)가변용량 다이오드로 Varator라고도 한다. 다이오드 접합부의 Capacity가 역전압에 비례하는 것을 이용한 것으로 TV 튜너, 무선기 등 고주파 변조나 주파수 변환,동조 등에 이용된다.④쇼트키 다이오드 (schottky barrier diode)N형태 반도체에 직접 쇼트키 게이트 전극을 붙여 금속과 반도체의 접촉면에서 역방향 전압을 저지하는 기능(쇼트키 베리어)을 이용하는 다이오드이다. 고주파용과 일반 정류용이 있으며 고주파용은 UHF대와 마이크로파대의 검파나 믹서용으용된다. 또한 고속특성을 이용하여 고주파 정류회로나 스위칭 전원용으로 이용된다.⑤발광 다이오드(LED)전류를 순방향으로 흘렸을 때에 발광하는 다이오드이다. 발광 다이오드는 여러 종류가 있으므로 용도에 맞추어 선택할 수 있다. 주로 적색, 녹색이 많지만, 청색 및 오렌지색 등 다양한 색을 발광하는 LED도 있다. 발광 다이오드의 극성의 확인 방법은 신품의 경우에는 리드선이 긴 쪽이 애노드, 짧은 쪽이 캐소드이다. 다시 말해 시중에 판매되는 다양한 종류의 LED를 보면 다리가 긴쪽이 + 짧은 쪽이 -이다.극성을 모르는 경우에는 1.5V의 전지를 접속하여 확인하거나, 테스터를 저항 측정 모드로 해서 확인한다.그 외에 다이오드의 종류는 다양하게 존재한다.-트랜지스터트랜지스터는 반도체를 이용하여 전기 신호를 증폭?제어?발생하는 사용하는 소자이다.반도체의 대표적인 부품으로 현재 사용되는 것은 실리콘이며 트랜지스터는 PNP와 NPN의 2종류가 있으며 PNP 형은 얇은 N형 반도체를 2개의 P형 반도체 사이에 끼우거나 반대로 N형 사이에 P형을 끼우는 것이다. 이 두 가지의 접합을 한 것이 접합형 트랜지스터라고 하며 현재 쓰이는 것의 대부분이 이것이다.EBC 또는 ECB의 단자는 PNP형은 왼쪽에 P형을 이미터(E) 중앙의 N형을 베이스(B) 오른쪽의 P형을 컬렉터(C)라고 부른다.이것은 각각에 전극을 붙여 밖으로 끌어낸 단자이며 각각 E.B.C 또는 E.C.B 단자라 한다.① 트랜지스터의 대표적인 작용은 증폭 작용과 스위칭 작용이 있다. 증폭이란 작은 전기 신호를 수 백배까지 크게 할 수 있다. 예를 들면 증폭작용에 의해 베이스에 전류를 100배 증폭하여 이 베이스 전류를 몇배로 늘렸냐에 따라 증폭률이 결정된다.② 스위칭 작용은 이미터와 컬렉터간의 도통 상태로 하려면 베이스 전류가 다량으로 흐를 때 ON상태가 되며 베이스 전류가 전혀 흐르지 않게 하면 OFF 상태가 되는 것이다.이동작의 상태는 1초에 1000번 정도를 반복 동작이 가능하다. 즉 베이스 전류를 가감하여 컬렉되도록 붙여 놓은 것으로, 그 붙여 놓은 모양에 따라 pnp형과 npn형이 있다. 그림 1(a)는 pnp형 트랜지스터의 도식적인 그림이다. 이 두가지 transistor의 동작원리는 비슷하므로 여기서는 pnp형에 대해 설명을 하기로 한다. Transistor의 가장 기본적인 기능은 증폭작용인데, 이 증폭작용을 하기 위해서는 transistor에 적당한 바이어스 전압을 걸어줘야 한다. 증폭작용을 위한 바이어스는 두 pn 접합 중 하나에는 순방향 전압, 다른 하나에는 역방향 전압을 걸게 된다. 이 때 pnp형 transistor에서 순방향 전압이 걸린 접합의 p 영역을 에미터 (emitter), 역방향 전압이 걸린 접합의 p 영역을 컬렉터 (collector), 그리고 가운데 n 영역을 베이스 (base)라고 부른다. 그림 1(b)에 pnp형 트랜지스터의 회로기호가 있는데, npn 형의 경우에는 화살표의 방향을 반대로 하면 된다.그림 1. pnp 형 transistor의 (a) 도식도와 (b) 회로기호.Emitter와 base 사이에 순방향 전압을 걸면 다이오드에서와 마찬가지로, p형에서 n형으로는 정공이 주입되고 또 n형에서 p형으로는 전자가 주입된다. pnp형 transistor에서는 p형에서 n형으로 주입된 정공이 주된 역할을 하게 된다. 보통의 다이오드에서는 n 영역에 들어온 정공은 n 영역에 많이 있는 전자와 재결합하여 소모되게 된다. 하지만 transistor의 base 영역의 두께는 매우 얇으므로, 대부분의 정공은 재결합되기 전에 collector 접합에 도달하게 된다. 역방향 전압이 걸려있는 collector 접합에는 강한 전기장이 걸려있게 되고, 이 전기장은 collector 접합에 들어온 정공을 collector 영역으로 이동하게 만든다. 결국 pnp형 transistor에서 emitter에서 방출한 정공은 대부분 collector에서 모아지게 된다.이를 전류의 크기로 다시 얘기하면 다음과 같다. 그림 2에서 emitter 전류 IE는 emitt의 대부분이 collector 접합을 지나가게 되므로, 결국 collector 전류 IC는 IE와 비슷한 크기를 갖게 된다. 실제로(1)이 된다. Kirchhoff의 node 법칙에 따라(2)이므로, base 전류 IB = IE - IC는 IE나 IC에 비해 작은 값인데, base에서 emitter로 주입된 전자와 emitter에서 base로 주입된 정공 중 base 영역에서 재결합한 작은 비율의 정공에 의해 형성된다. 따라서, collector 전류와 base 전류의 비인(3)는 꽤 큰 값을 갖게 되는데, 이것이 transistor가 전류 증폭을 할 수 있는 이유이다.그림 2. Transistor bias 회로와 전류트랜지스터의 종류①접합형 트랜지스터BJT 타입은 아날로그회로나 디지털 회로 무도에서 사용될 수 있는 것으로 아날로그 회로에서는 주로 전류 증폭의 목적으로 사용되고, 디지털 회로에서는 스위치 목적으로 사용된다. BJT는 두가지 종류가 있다. 하나는 NPN이고, 다른 하나는 PNP라고 부른다.이 둘의 차이점은 이들이 동작을 했을 때가 어떤 상태인지를 이해해야한다.NPN의 경우에는 Base 쪽에 전류를 집어넣는 방식으로 트랜지스터를 동작시키고, PNP의 경우에는 Base를 통해서 전류를 뽑아내는 방식으로 트랜지스터를 동작시킨다.BJT 특징? 더 큰 이득을 줄 수 있다.? 선형성도 우수하다.? Si FET보다 더 높은 주파수까지 동작시킬 수 있다.? 요구되는 전압전원이 낮다.? 스위칭소자로 사용할 때 스위칭 속도가 더 빠르다.②전계효과 트랜지스터FET는 두가지가 있다. 바이어스를 가할 시에 금속-실리콘으로 구성되어 있는 소자는 바이어스 상황에 따라 p-n접합의 형성으로 인해서 같은 n형이나 p형에서의 전류는 조절해주는 JFET.금속-절연체-실리콘으로 구성이 되어 있는 상태에서 실리콘내에 강한 반전을 유도함으로 해서 드레인과 소스사이의 전류의 흐름을 조절 할 수 있는 MOSFET.JFET 의 사용용도? BJT를 통해서 흐르게 되는 leakage curre간단하다

공학/기술| 2011.03.05| 11페이지| 1,000원| 조회(290)

다이오드, 다이오드실험, 정전압 다이오드, 제네 다이오드

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