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건식식각 PPT

건 식 식 각I NDEX 1 건식식각의 원리 2 건식식각 종류 3 문 제 점 4 건식식각 장비1 건식식각의 원리건식식각의 원리 금속 , 세라믹 , 반도체 표면에서 불필요한 부분 을 화학적 , 물리적 으로 제거 하여 원하는 모양을 얻는 공정 VS 건식 식각 습식 식각건식식각의 원리 물리적 식각 Sputter Etch 화학적 식각 Reactive Radical Etching 물리 + 화학적 식각 Reactive Ion Etching(RIE) 플라즈마 내의 이온을 가속 , 식각 물리 화학적 방법 동시 사용 가스를 사용하여 플라즈마 발생 Radical 이용 식각건식식각의 원리 Wafer건식식각의 원리 Wafer plasma건식식각의 원리 영향 요인 Gas Flow( 가스 유량 ) Process Gas( 가스 종류 ) RF Power, Magnetic field intensity(RF 파워 ) Process Pressure( 공정압력 ) Substrate Temperature ( 기판 온도 )2 건식식각 종류건식식각의 종류 1) 물리적 식각 가 ) 이온식각 고 에너지를 가지는 이온들을 식각 표면에 충돌 운동량을 전달하여 결합을 끊고 나올 수 있게 만든다 이온빔 식각과 RF 스퍼터 식각으로 분류 He 보다 질량이 큰 Ar , Kr, Xe 이온 사용시 효율이 좋 다건식식각의 종류 진공펌프 ~ ~ 진공펌프 Gas 진공실 이온 빔 테이블 웨이퍼 RF 발생기 양극 웨이퍼 음극 이온빔 식각 RF 스퍼터 식각건식식각의 종류 입사각 a 에 따른 스퍼터링 효율건식식각의 종류 2 ) 화학적 식각 반응성 강한 물질을 표면과 반응시켜 휘발성 물질을 생성 Cl , F 원자는 식각 될 기판과 반응하여 쉽게 물질 생성 플라즈마는 반응성 Etchant 를 만들어 공급 Isotropic 하게 에칭 됨건식식각의 종류 Diffusion to Surface Generation of etchant Species Adsorption Reaction Desorption Diffusion into bulk gas건식식각의 종류 2 ) 화학적 식각 가 ) CF 4 Gas 를 이용한 식각 CF 4 플라즈마의 경우 해리 이온화 과정을 거침 e + CF 4 = CF 3 + F* + 2e CF 3 이 전자 하나를 흡수하여 CF 3 * 이 됨 CF 3 * 오랜시간 생존 가능하고 radical 생성속도가 빠름 Radical건식식각의 종류 2 ) 화학적 식각 나 ) 산소 첨가의 영향 CO 2 , CO, COF 2 등이 생성 CFx 의 농도를 감소시켜 F 의 농도를 증가시킨다 12% 에서 식각률 최대건식식각의 종류 2 ) 화학적 식각 다 ) 수소 첨가의 영향 수소가 직접적으로 F 와 결합하여 HF 를 만듬 식각 작용을 하는 F 가 감소 하므로 식각률 감소건식식각의 종류 3) 물리 - 화학적 식각 가 ) 이온 조사 반응 식각 상온의 가스분위기에서 이온빔을 조사시켜 식각 XeF2 기체가 흡착 , Xe 가 증발하고 F 만 남는다 Ar 을 조사시키면 식각률이 크게 증대건식식각의 종류 3) 물리 - 화학적 식각 나 ) 전자 조사 반응 식각 이온빈 대신 전자를 조사하여 식각 SiO 2 건식 식각에 주로 XeF 2 기체와 전자빔을 사용 전자빔이 조사되는 부분만 SiO 2 가 식각3 문제점문제점 얼룩식각 식각의 불균일성 속도가 늦고 경제성이 낮음 언더컷과 과도식각 식각 과정중 오염물 흡착 문제점4 건식식각 장비건식식각 장비 1) TE-8500건식식각 장비 1) TE-8500 일본 TEL 사의 장비 본체 , 제어장치 , 냉각기 , 진공펌프 , 고주파 발생기 , 교류 공급 장치 RF Power Out Line 은 고출력이 나오므로 손이 닿지 않도록 해야함THANK YOU{nameOfApplication=Show}

공학/기술| 2017.06.05| 25페이지| 3,000원| 조회(274)

반도체, 공정, 식각, etching, 건식식각, dry

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리소그라피실습

LithographyI NDEX 1 실험정보 2 배경이론 3 실험내용 4 토의1 실험정 보실험 정보 실험날짜 : 2014 년 11 월 28 일 금요일 실험 준비물 : AZ5214, Si-Wafer, 스핀코터 , 베이킹 장치 Di-water, 노광장치 실습목적 : UV 를 이용한 식각과 그 이전의 반도체 공정과정을 통하여 공정에 대한 이해를 높이고 최종 식각 된 Wafer 을 분석한다배경이 론 1. 감광액 도포 및 제거 ⅰ . Photoresist Photoresist 는 반도체 제조 시 원판 표면 위에 미세한 회로를 그리기 위하여 빛을 이용하는 광학 공정에 사용되는 액체이다 .배경이 론 1. 감광액 도포 및 제거 Positive Photoresist 감광액이 입혀진 Wafer 위에 mask 를 씌우고 빛에 노출 시킬 때 빛을 받은 부분이 식각되게 하는 방식 Negative Photoresist 감광액이 입혀진 Wafer 위에 mask 를 씌우고 빛에 노출 시킬 때 빛을 받지 않은 부분이 식각되게 하는 방식 ⅰ . Photoresist배경이 론 1. 감광액 도포 및 제거 Negative Positive 나쁘다 해상도 좋다 해상도가 나빠서 1.5 m 이상의 두께 에서는 사용하기 곤란 Step Coverage 2~3 m 의 두께에서도 Patterning 가능 노광된 부분이 Crosslinking 에 의해 고분자화 되어 현상액에 제거되지 않음 Image Tone 노광된 부분이 광변성이 발생하여 현상액에 의해 제거됨 어려움 편의성 폐액 처분이 용이 너무 빠르다 감도 빠르다 매우 양호 Dry 내성 양호 시료제작시 단면 Profile 이 변함 ( 고무처럼 늘어남 ) 단면 SEM 촬영 시료제작 용이배경이 론 1. 감광액 도포 및 제거 ⅱ . 도포 방법과 특징 가 . Spin Coating : 진공 펌프위에 기판을 고정시킨 후 특정 용액을 뿌려 회전을 통해 박막을 도포시키는 방법으로 두께 조절이 용이하고 균질성이 좋으며 가격이 저렴하다 나 . Spin Coating Process 에 영향을 끼치는 요인 가 ) 감광액의 점도 나 ) 기판의 크기 다 ) Spin Coater 의 회전속도 라 ) Spin Coater 과 감광액 사이 접착력배경이 론 1. 감광액 도포 및 제거 ⅲ . 감광액 제거 가 ) 감광액에 도포된 반도체를 준비한다 나 ) Wafer 표면에 유기용제를 뿌린다 다 ) 덜 지워졌으면 다른 유기용제를 뿌린다 라 ) 세척을 완료 후 구워서 건조한다배경이론 금속 , 세라믹 , 반도체 표면에서 불필요한 부분을 화학적 , 물리적으로 제거하여 원하는 모양을 얻는 공정 VS 건식 식각 습식 식각 2 . 습식식각 ⅰ . 식각공정이란 ⅱ . Mechanism 가 ) 반응화학 물질을 식각 시키고자 하는 표면으로 공급 나 ) 표면에서 화학반응이 일어남 다 ) 생성물질이 떨어져 나옴배경이론 2 . 습식식각 ⅲ . 특징 가 ) 등방성 식각 나 ) 절단한 웨이퍼 표면 연마 다 ) 용액을 이용해 식각 라 ) 최소 선폰 3um 이상 공정에 사용가 . SiO 2 나 ) 식각용액 SiO 2 + 6HF = H 2 + SiF 6 + 2H 2 O 식각 속도가 너무 빨라 공정 조절이 어려움 일반적으로 HF 를 NH 4 F 로 희석하여 사용 이런 완충 HF 를 BHF(Buffered HF) 라 한다 다 ) 단점 배경이론 2 . 습식식각 ⅳ . 습식식각 종류나 . Si 3 N 4 가 ) 특징 질화 실리콘은 두꺼운 산화막 성장이 어려움 SiO 2 막의 식각을 위한 마스크로 사용 따라서 , HF, BHF 용액에서 식각 불가능 배경이론 2 . 습식식각 ⅳ . 습식식각 종류나 ) 식각용액 인산 (H 3 PO 4 ) at 180℃ 인산으로 PR 이 들어올려지고 부품 질화 실리콘 식각은 질화막 위에 SiO 2 층을 만들고 PR 을 도포하여 Lithography 공정으로 SiO 2 마스크를 만들어 식각 다 ) 단점 배경이론 2 . 습식식각 ⅳ . 습식식각 종류 나 . Si 3 N 4가 ) 특징 등방성 식각과 이방성 식각의 두가지 성질을 가진다 다 . Si 다결정 , 비정질 Si 단결정 Si 배경이론 2 . 습식식각 ⅳ . 습식식각 종류등방성 식각 일차적으로 산화시킨 후 산화물을 식각하는 방법을 사용 나 ) 식각용액 질 산 (HNO 3 ), 불산 (HF) 를 물이나 초산에 희석하여 사용 3Si + 4HNO 3 → 3SiO 2 + 4NO + 2H 2 O 3SiO 2 + 18HF → 3H 2 SiF 6 + 6H 2 O 3Si + 4HNO 3 + 18HF → 3H 2 SiF 6 + 4NO + 8H 2 O 다 . Si 배경이론 2 . 습식식각 ⅳ . 습식식각 종류결정 방향의 특수한 면에서 매우 빠른 식각 속도를 보임 나 ) 식각용액 KOH 를 물과 이소프로필 알코올에 섞은 용액 U 형 : 마스크 폭이 큼 , 식각시간 짧음 V 형 : 마스크 폭이 작음 이방성 식각 다 . Si 배경이론 2 . 습식식각 ⅳ . 습식식각 종류라 . Al 가 ) 특징 주로 회로의 연결을 위해 7000~15000Å 의 막 증착 , 등방향성 식각 나 ) 식각용액 인산 (H 3 PO 4 ) : 질산 (HNO 3 ) : 초산 (CH 3 COOH) : 물 (H 2 O) 80 5 5 10 2Al + 2HNO 3 → Al 2 O 3 + H 2 + NO + NO 2 Al 2 O 3 + 2H 3 PO 4 → 2AlPO 4 + H 2 O 질산 분해 저지 산화 알루미늄 생성 조절 ( 완충액 ) 산화 알루미늄의 분해 조절 ( 완충액 ) 배경이론 2 . 습식식각 ⅳ . 습식식각 종류다 ) 단점 생성 기포중 수소가 Al 막에 부착되어 식각에 방해 식각이 되지 않는 부분이 발생 ! So, 식각 도중 흔들어 기포 부착제거 ( 초음파 진동 ) 라 . Al 배경이론 2 . 습식식각 ⅳ . 습식식각 종류배경이론 3. 노광 ⅰ . 노광기술 광기술은 일반적으로 광에 의하여 마스크 상의 기하학적 모형을 반도체 웨이퍼 표면에 도포되어 있는 얇은 감광재료에 옮겨 놓은 것을 말한다 . 이 모형들은 다음단계의 식각 과정 때 웨이퍼 표면과 감광재료 사이에 놓여 있는 공정상의 실질적마스크 역할을 하는 박막층에 모형을 형성시키는 식각 방지 층으로 사용되어 지는 것이다 . 노광기술은 크게 광 노광기술 , 방사 노광기술 , 비광노광기술로 구분할 수있다 . ⅱ . 노광장치를 평가하는 요소 가 ) 해상도 나 ) 정합 다 ) 생산력배경이론 3. 노광 ⅲ . 음영 인쇄법배경이론 3. 노광 ⅳ . 투사형 인쇄법배경이론 3. 노광 ⅴ . 스캔의 종류 1:1 웨이퍼 - 스캔 1:1 라스 트 - 스캔 M:1 스텝 - 반복 - 선폭조절 용이 높은 정확도 각 칩의 패턴정합 1:1 스텝 - 반복3 실험내용실험내용 Step 1 먼저 이번 실험에 사용된 Promoter 는 Az5124 로 두번의 노광이 필요한 Promoter 이다 . 두번의 노광을 하는 이유는 AZ5124 의 특징 때문이다실험내용 Step 2 앞서 준비한 Promoter 을 Wafer 에 뿌린 후 Spin Coater 에 진공으로 고정시킨다 . 그 후 10 초간의 회전으로 Promoter 를 퍼트린다 . (5000rpm/60s)실험내용 Step 3 Spin Coater 에서 도포시킨 Wafer 는 베이킹을 한다 약 50 초실험내용 Step 4 다음 마스크 샘플을 진공으로 고정시키고 3 초간의 UV 노광을 시킨다 . 그 후 노광을 두번 해야하기 때문에 또 베이킹을 해야한다 . 두번째 베이킹을 Pre-bake 라고 한다 .실험내용 Step 5 그 후 마스크 없이 3 초간 노광 시킨다 . 여기서 Developer 의 Negative 패턴이 사라지게 된다 . 그리고 Di-water 에 담궈주는데 그렇지 않으면 모양이 같춰 지지 않게 된다 . 그리고 마지막 Hard-bake 를 한다THANK YOU{nameOfApplication=Show}

공학/기술| 2017.06.05| 30페이지| 3,000원| 조회(183)

반도체, 공정, 반도체공정, 리소그라피, lithography, 노광, 노광공정, 공..

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CVD의 구조

S tructure of P lasma Enhanced CVD S emiconductor FabricationChapter 1 Background Theory Chapter 2 CVD Chapter 3 Structure of PECVD Chapter 4 Summary ContentsBackground Theory Chapter 1Chapter 1 Background Theory B.T What is Plasma?? 초고온에서 전자 ( 음전하 ) 와 이온 ( 양전하 ) 으로 분리된 기체 상태 전하 분리도가 상당히 높다 전체적으로 음과 양의 전하수가 같아서 중성 Ionized GasChapter 1 Background Theory B.T CVD vs PVD CVD PVD 화학적 변화 변화 요인 물리적 변화 고온 (because 화학 반응 ) 온도 상온에서도 가능 MOCVD, HVPE 등 종류 스퍼터링 , 전자빔 증착법 , 열 증착법 등CVD Chapter 2CVD CVD(Chemical Vapor Deposition) Chapter 2 PECVDChapter 2 PECVD PECVD(Plasma Enhanced CVD) PECVDChapter 2 PECVD PECVD Source Type PECVD Direct Plasma Glow Discharge RF Plasma Remote Plasma ICP Plasma MW plasma ECR Plasma Helicon Plasma PECVDStructure Chapter 3Structure Chapter 3 Structure ECR(Electron Cyclotron Resonance) PECVDChapter 3 Structure Microwave Power Head Quartz Antenna Main Chamber MFC Ar H CH 2 Controller RF Generator Pump Structure of PECVD StructureSummary Chapter 4Chapter 4 Summary S ummary Deposition Thin Film Growth Structure PECVD CVDThank You Any Questions?{nameOfApplication=Show}

공학/기술| 2017.06.05| 15페이지| 3,000원| 조회(186)

반도체, 공정, 증착, cvd, 반도체공정

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스태트칩팩 기업분석 평가D별로예요

관심기업 분석 스태츠칩팩코리아PPT TEMPLATE 회사연혁PPT TEMPLATE 기업현황PPT TEMPLATE 기업이념PPT TEMPLATE 핵심가치PPT TEMPLATE 회사소개 반도체 패키징 테스트 서비스반도체패키징 반도체 패키징의 역할 절연 신호연결 열방출 소자보호스테츠 칩팩의 주요고객사스테츠 칩팩의 핵심기술 1 FoWLP 다이의 크기를 줄여 , 남는 공간에 다른 칩의 다이를 붙이거나 다이 위에 다이를 연결하는 방식스테츠 칩팩의 핵심기술 2 EMI 차폐기술 전자파 간섭으로 인한 예상치 않은 이상 동작을 방지할 수 있다 . 회로 기판을 더욱 조밀하게 구성할 수 있다 현재 애플이 스태츠칩팩과 엠코에 emi 차폐기술 의뢰를 맡긴 상황이다 .스테츠 칩팩의 장 점 외국계 치고 높은 연봉 인천 근무로 서울과 근거리 최근 영종도로 이전함에 따라 기숙사의 퀄리티가 매우 높음 상가포르 , 중국의 영향을 받아 합리적인 근무 분위기스테츠 칩팩의 단 점 낮은 네임밸 류 영종도에 할게 없음 업계 3~4 위로 1,2 위와 큰 격차를 가지고 있음 진급이 정체되고 있음스테츠 칩팩의 자기소개서 지원동기 관심분야 학교생활에서의 성취한 업적 자기소개 자유 기술 ( 한글 ) 자기소개 자유 기술 ( 영문 ){nameOfApplication=Show}

경영/경제| 2017.06.05| 13페이지| 2,000원| 조회(208)

swot분석, swot, 기업분석, 칩팩, 스태츠칩팩, STATSCHIP, 스태츠칩..

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현대모비스 기업분석

현대 모비스회사 연혁 1970~1980 현대정공㈜설립 현대차량 흡수 합병 , 4 륜구동 자동차 사업 개시 , 기업상장 1980~1990 갤로처 출고 , 냉동컨테이너 생산 세계 1 위 등극 , 자동차 모듈부품 사업 추진 계획 , 자동차 섀시모듈 첫 공급 1990~2000 미국 오하이오 모듈공장 준공 , 카스코 합병 , 창원공장 신설 , 3 차원 물류관리 시스템 구축 국내 최초 상해저감형 조수석 에어백 개발 , 현대오토넷 합병 , 2000~ LG 화학과 배터리기술 합작사 설립사업 분야 부품제조 모듈 : 칵핏모듈 , FEM, 샤시모듈 핵심부품 : 안전시스템 , 제동시스템 , 조향시스템 , 램프시스템 , 에어서스펜션 시스템 친환경 : 하이브리드 , 수소전지차 , 전기차 관련부품 멀티미디어 : 오디오 , 내비게이션 , TMU, 사운드 , 안테나 DAS A/S 부품현대 모비스의 경쟁사 ( 자동차 부품업계 ) 1 위 Bosch- 엔진시스템 , 샤시 , 전장부품 2 위 Denso- 파워트레인 제어 , 공조 3 위 continental- 타이어 , 샤시 , 전장 , 시트부품 4 위 magna- 파워트레인 , 내외장 , 차체 5 위 아이신 - 변속기 , 엔진부품 , 차체 6 위 존슨컨트롤 - 시트 , 내장 7 위 포레시아 - 시트 , 칵핏모듈 , 도어판넬 8 위 현대모비스 - 샤시 , 카핏모듈 , 브레이크 , 조향 38 위 현대위아 - 샤시모듈 , 엔진부품현대모비스의 강점 1) 글로벌 top tier 3 를 위한 준비 외부완성차 공급 및 친환경 부품 확대 , 해외 타완성차 공급확대 , 자율주행 기술 확대 2) 모듈생산 경쟁력 3) 외형성장 지속 4) 해외 매출처 다변화 – 현대기아차 공급을 넘어선 성장폭 확대 5) 친환경차 부품 기술개발 6) 자율주행 기술 적용확대 – 지능형부품 ADAS, 무인차 원천기술 7)AS 부품사업 – 220 여개국 부품물류망 확보해외 진출상황 북미시장 크라이슬러에 샤시모듈을 수주하여 , 미국 오하이오주와 미시간주에 모듈공장을 운영하고 있다 . 이 중 오하이오 공장에서 공급하고 있는 지프 랭글러 차종 컴플리트 샤시모듈은 2013 년 5 월에 누적 생산대수 100 만대를 돌파하였는데 , 이는 2006 년 공급을 시작한지 약 7 년만의 성과이며 현대모비스의 모듈화 기술이 글로벌 시장에서도 경쟁력을 갖췄다는 점을 보여주고 있다 . 또한 , 부품의 경우 크라이슬러의 주요 차종에 해드 / 리어램프를 공급하고 있다 . Gm 에는 오디오와 공조장치를 제어하는 중앙 컨트롤 장치인 ICS 와 주차브레이크를 수주하여 공급하고 있다 . 유럽시장 - 다임러 ( 메르세데스벤츠 모기업 ) 에 오디오와 지능형 배터리 센서 IBS 를 공급하고 있으며 , IBS 의 경우 우수하고 안정된 제품력으로 거의 전 차종에 공급되고 있다 일본시장 - 미쯔비시에 첨단 LED 헤드램프와 주차보조시스템인 PAS 를 , 스바루에는 리어램프를 공급하고 있다 . 중국시장 - 상해 GM 에 ICS 및 주차브레이크를 , 북경 다임러 , 후지안다임러에 각각 IBS 와 오디오를 공급하고 있다 . 세계 1 위의 자동차 시장 규모를 갖고 있는 중국 시장의 강화를 위해 글로벌 JV 및 로컬 OE 에 대한 수주를 지속 추진하고있다 .자동차 산업 글로벌 동향 국내 수소차와 전기차 수요 확대 가능성 자율주행 자동차 ,ADAS 전기차 , 하이브리드와 같은 친환경 차량 - 연비개선현대 모비스 인재상채용절차 서류전형 - 인적성 - 1,2 차 면접 - 건강검진 - 최종 합격자 발표자소서 항목 16.3 - 본인의 가치관에 근거하여 현대모비스를 지원하게 된 이유와 입사 후 포부를 기재해 주십시오 - 본인이 지원 분야에 적합하다고 판단할 수 있는 근거에 대해 경험을 중심으로 작성해 주십시오 - 본인의 삶에서 새로운 관점으로 변화와 도전을 추구한 경험 및 그 경험을 통해 배운 점을 작성해 주십시오 . 15 년 하반기 현대모비스 해당 직무에 지원하게 된 이유를 기재해 주시기 바랍니다 . 본인이 지원분야에 적합하다고 판단할 수 있는 이유 및 근거를 , 본인의 노력과 경험을 바탕으로 제시해 주시기 바랍니다 . 입사 후 현대 모비스의 발전을 위해 본인이 어떠한 노력을 할 것인지 중장기적인 관점에서 기재해 주시기 바랍니다 .{nameOfApplication=Show}

경영/경제| 2017.06.05| 10페이지| 1,500원| 조회(373)

현대, swot분석, swot, 기업분석, 현대모비스, 모비스, 현대모비스기업분석

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