위 하수증을 앓게 된 계기그 당시(16살) 나는 상당히 예민했다. 아주 사소한 일에도 걱정근심이 많았다. 그래서 그런지 스트레스를 받아 배가 자주 아프곤 했다. 처음에는 대수롭지 않게 여겼으나, 곧 잘 아파오는 배 때문에 내시경 검사를 통해서 내가 위 하수증을 앓고 있다는 걸 알게 되었고, 신경성(스트레스성) 이었다.위하수증(위 무력증)위가 배꼽 아래까지 처져 있는 상태를 말하는데 위장 근육이 힘이 없어서 중력의 작용을 받아 아래로 하수되어 위 운동능력이 저하된 상태. 병명이라 보다는 하나의 증세이다.위하수는 선천적인 것과 후천적인 것으로 구별하는데 선천적인 위하수는 대개가 마른 체질로 가슴이 좁고 얼굴이 창백하며 성격이 소심하고 날카로운 사람들에게 많다고 한다.위 하수증 증상배에는 항상 가스가 차 있고, 소화가 되지 않고 잘 체하며 설사를 하다가 변비가 되었다가 한다.식후에 위장부위의 팽만감이 심하다. 명치 부분이 꽉 막힌 것 같았다. (공복이 자주 나타나고 조금만 먹어도 배가 부르다)신경질이 잘 나며 우울증이 있다.주로 저혈압 환자에게 많으며 한국인의 1/3이 위하수증이다.대부분 만성위염을 동반하게 된다.(첫째 소화가 안 되고 배가 당기고 아프면서 묵지근한 느낌이 오게 된다.) (나의 경우 만성위염까지 동반하게 되었다.)오목 가슴이 쓰리고 간혹 구역질과 트림이 나고 목이 자주 마르면서 밥맛이 없어진다.항상 손발이 차고 안색이 창백해지며 차를 타면 멀미를 하고 빈혈이 생긴다.소화흡수가 덜 되기 때문에 살이 찌지 않고 피로가 쉽게 오며 두통이나 불면증이 생긴다.**진한색으로 된 것은 내가 느꼈던 위 하수증 증상.나의 건강을 찾기 위한 식이요법1. 일단 식사를 나눠서 먹되 거르지 않았다. 배가 자주 아팠기 때문에 거의 하루에 한끼 정도 먹을까 말까 한 정도였는데, 배가 아프고, 명치부분이 답답할 지라도 꼭 조금씩의 식사를 했다.2. 계속해서 불규칙적인 식사(안 먹거나, 먹을 땐 폭식해버리는 경우)를 했고, 계속해서 이유 모를 배 아픔에 시달렸다. 그래서 내시경검사를 한 뒤 내가 위 하수증 이라는 증세를 앓고 있다는 걸 알았다. 불규칙한 식사는 좋지 않았고, 위에 부담을 주지 않기 위해 식사는 보통 하루 4번 정도로 횟수를 늘렸다. 한번에 많이 먹는 것이 아닌 조금씩 나눠먹기 식사였다. 위에 부담도 줄었고, 명치 쪽에서 느껴지는 답답함도 조금 줄어들었다.3. 음식은 소화가 잘되는 음식이건 소화가 안 되는 음식이건 다 가리지 않고 먹었으나,소화가 잘 안 되는 음식인 밀가루 음식(자장면)을 먹고 단단히 체하고 설사를 계속 했기 때문에 그 뒤로는 밀가루 종류는 피했다.자극적인 음식 또한 밀가루 음식을 먹었을 때와 같았다. 그래서 자극적인 음식(매운 음식)을 피했다.
걷기다이어트* 지금은 걷기 열풍걷는 게 건강과 다이어트에 효과적이라는 말은 많이 들어 보셨을 거에요. 유명 연예인 김희선씨와 손태영씨도 출산 후 걷기다이어트를 통해 살을 뺐다고 해요. 그 만큼 걷기다이어트는 체지방을 줄이는데 효과적이라고 볼 수 있어요. 그럼 걷기다이어트에 대해 알아 볼까요.??* 걷기다이어트의 효과비만의 원인인 체지방 감량에 효과가 좋으며 힘껏 달리는 것보다 오히려 빨리 걷기가 다이어트엔 도움이 되요. 다이어트를 위해 필요한 지방을 연소하려면 충분한 산소가 필요해요. 또한 지방을 태우려면 적어도 30분 이상 움직여야 하며 지방을 태우는데 빨리 걷기라면 충분히 가능하답니다.비만을 예방해줘요. 복부의 지방을 줄이고자 하는 사람,콜레스테롤이 걱정되는 분들 께 좋아요. 골다공증을 예방해줘요. 아무리 칼슘을 많이 섭취해도 근육을 사용하지 않으면 칼슘이 빠져나가 뼈가 약해지고, 심할 경우 골다공증이 생겨요. 스트레스 해소에 좋아요. 걷기를 하면 뇌에 적당한 자극을 줘 자율신경의 작용을 원활하게 해 스트레스 해소에 도움을 줘요. 혈액순환을 원활하게 해줘요. 도파민 호르몬이 증가하고 카테콜라민 호르몬의 분비가 억제되어 혈액의 흐름이 원활하게 되어 성인병 예방에 효과적이에요.* 걷기다이어트의 효과혈압을 내리는데 효과가 있어요. 고혈압을 개선하는 데 걷기가 가장 좋아요. 혈압을 내리는 데 효과가 있는 것은 근육의 수축과 이완이 반복되는 걷기 운동이에요. 심장 관련 질환을 예방해줘요. 규칙적으로 걷기 운동을 하면 심장의 기능을 개선시켜 심장마비를 37%나 예방할 수 있어요. 당뇨병을 예방해줘요. 과식이나 운동 부족도 당뇨병의 원인이 된다는 사실. 하지만 적당한 정도의 혈당을 소비하면 고혈당의 상태가 되지 않아요.* 걷기다이어트의 효과* 걷기다이어트 방법자신의 몸 상태를 무시하고 마음만 앞서 무리하게 운동 하는 것은 건강에 해가 되요. 걷기 운동을 하고 1시간 후에 졸리고, 피곤하고, 공복감을 느낀다면 몸에 무리가 된다는 신호로 평소 운동량을 생각해 운동 강도를 조절하는 것이 좋아요.자신의 몸 상태에 맞춰 걷기 운동을 하세요.하루 1만보를 걷겠다는 욕심으로 무리하면 운동을 지속할 수 가 없어요. 걷기다이어트는 단기간 운동으로 효과를 얻을 수 없으므로 일주일에 4~5일, 하루 30분씩 꾸준히 운동을 하는 것이 좋아요.일주일에 4~5일 하루 30분 정도씩 걸어 주세요.* 걷기다이어트 방법걷기를 시작할 때는 가벼운 스트레칭으로 근육을 긴장, 이완시킨 후에 운동을 하는 것이 좋아요. 평소 운동을 하지 않던 몸으로 갑자기 1시간 이상 무리하게 걷는다면 오히려 근육에 무리를 줘서 건강에 해가 될 수 있어요.근육을 이완시킨 다음 걷기 다이어트를 하세요.* 걷기다이어트 방법바른 자세로 걸어주세요.양 발을 11자로 만들어 걷는다. 운동화를 신는다. 척추가 바로 서는 느낌으로 허리를 펴고 가슴을 내밀며 반듯하게 펴준다. 어깨도 한쪽으로 기울어지지 않게 좌우가 수평을 이루도록 해야 한다. 뒤꿈치-발바닥-발가락 순으로 땅에 닿게 한다. 나갈 때는 미는 듯이 발 앞 부분부터 지면을 차며 걷는다.워킹의 기본원칙010203040506* 걷기다이어트에 대한 궁금증Q걷기다이어트의 효과는 언제부터 나타나죠?걷기다이어트 효과는 시작하는 순간부터 하는 만큼 효과가 있지만 자신이 느낄 정도가 되려면 최소한 1~2주 이상의 시간이 필요해요.Q걷기다이어트를 하면서 물을 마셔도 되나요?30분 이상 걷기를 할 경우에는 수시로 조금씩 물을 마셔 수분을 보충해 주는 것이 좋아요. 물은 열량이 없으므로 운동 중에 마셔도 다이어트에는 영향을 미치지는 않아요.Q보폭을 크게 하는 것이 더욱 효과적인가요?보폭을 크게 해서 걷는 것과 작게 해서 걷는 것의 다이어트 효과는 큰 차이가 없지만, 작은 보폭으로 운동하면서 배에 힘을 많이 주면 복부에 더 자극을 주고, 보폭을 크게 하면서 무릎을 쭉 펴게 되면 엉덩이나 허벅지 부분의 탄력을 높이는데 도움이 되요.이상으로 걷기다이어트 발표를 마치겠습니다.{nameOfApplication=Show}
n-Channel(p-type si)로 구성되어 있는 MOSFET. 공핍형과 증가형 MOSFET 두종류가 있음.산화물 격리 영역 형성게이트 산화막 성장, 문턱 전압 조절게이트 형성소스와 드레인 형성금속 배선 공정100 방향의 연마된 P형 실리콘 웨이퍼를 사용. 실리콘 표면에 SiO₂ 층을 성장시키고, 그 위에 Si₃N₄ 박막을 증착. 선택 산화 위해 질화막(Si₃N₄) 위에 감광막(PR)을 도포하고, 마스크 1 을 가져다 노광 및 Si₃N₄ 식각 공정후 감광막과 질화막을 제거. 감광막 제거 후 고온에서 장시간 열 산화시키면 Si₃N₄ 아래에서는 산화가 일어나지 않는 반면 그 외의 영역에서는 두꺼운 필드산화(field oxide)층 만들어짐. Si₃N₄ 마스크는 구부러지고, 원래 Si₃N₄ 마스크 가장자리에서 내부 쪽으로 ΔW 만큼 새부리(bird's beak) 형태로 필드 산화층이 확장되어 들어오는 모양을 갖게 됨. (새부리 모양이 너무 ↑ 트랜지스터의 길이가 ↓ , 이웃하는 트랜지스터 사이의 필드 산화층 길이 ↑, 웨이퍼 면적의 많은 부분이 트랜지스터가 아닌 다른 영역이 되므로 실질적인 집적도가 감소하게 됨.)확대필드 산화층이 만들어진 후 , Si₃N₄ 및 SiO₂를 제거. 게이트 산화층을 열 산화 공정으로 성장시킴. (필요하다면, 게이트 문턱전압 조절 위해 게이트 산화막을 기르기 전이나 후에 채널 증가형에는 붕소, 채널 공핍형에는 인 주입) 웨이퍼의 전체 표면에 다결정 실리콘 막 증착. 감광막 도포 후, 마스크 2 를 사용하여 노광 및 식각 과정을 거쳐 게이트가 될 부분을 남기고 제거열확산이나 이온주입으로 n형 불순물(인 이온)을 확산 시켜 드레인과 소스지역 형성. 이때 폴리 실리콘 게이트층은 n형 불순물의 확산에 대한 마스크 역할과 드레인과 소스를 자체 정렬시킴. 감광막을 제거 후, 회로 보호 위해 CVD 산화막 형성. - 인이 도핑된 산화막을 저온에서 입히고, 약 30분간 PSG(인이 도핑된 이산화 실리콘 유리)를 흘려 완만하게 함으로써 금속의 스텝 커버리지를 좋게함. 드레인과 소스 확산 층을 금속 배선층과 연결 될 수 있도록 CVD 산화막에 감광막을 도포하고, 마스크 3을 사용하여 노광 및 식각 공정 하면, 드레인과 소스의 단자 접촉 부분이 드러나게 됨.감광막을 제거하고 웨이퍼 전체에 알루미늄을 증착 후, 다시 감광막을 도포 함. 마스크 4 를 사용하여 노광 및 식각 공정 하여 단자와 신호 연결선에 해당하는 알루미늄은 그대로 두고 나머지는 모두 제거하면, NMOS의 집적회로가 구현됨. 알루미늄 식각 후에는 접촉 개선하기 위해 반드시 열처리 하여야 함.이상으로 발표를 마치겠습니다. 감사합니다. *^^*{nameOfApplication=Show}
