자외선/가시광선 흡수 실험1. 실험 결과(1) No samplea. Absorptivity graphb. Transmissivity graph(2) Transparent samplea. Absorptivity graphb. Transmissivity graph(3) Absorptivity graphⓐBlueⓑGreenⓒRed(4) Transmissivity graphⓐBlueⓑGreenⓒRed2. 실험 결과 분석이번 실험은 분광기를 이용하여 시료의 파장에 따른 투과율을 측정하였다. 첫 번째는 샘플을 넣지 않고 측정했을 때의 그래프로 여러 종류의 시료를 넣었을 때와 비교하기 위해 한 것이다. 이 경우에는 200nm~800nm의 파장에서 흡수율 0%, 투과율 100%이다.투명 샘플을 넣었을 때에는 200nm~300nm에서 흡수율의 피크가 나타난다. 즉 이 시료는 자외선 영역에서 흡수가 일어나며, 가시광선과 적외선을 투과시키거나 반사시킨다는 것을 알 수 있다. 이는 투과율 그래프를 통해서 확인된다.이제는 색이 있는 시료를 가지고 실험하는데, 우리는 가시광선 영역 내의 빛은 700nm는 빨강색을, 540nm는 초록색을, 480nm에서는 파란색을 보인다는 것을 알고 있다. 흡수율 그래프를 보았을 때 세 그래프는 투명 시료의 성질과 비슷하게 파장이 길어질수록 흡수율이 감소하는 경향성을 보인다. 그러나 주위보다 약간 높은 부분인 피크 지점의 위치가 각각 다르다. 파란 샘플과 초록 샘플의 실험에서는 600nm~700nm 사이에서 피크를 보이는데 초록색 샘플에서의 피크가 더 두드러지고, 500nm~600nm에 감소하는 골 부분이 있다. 빨간색 샘플을 넣었을 때에는 피크가 500nm~600nm사이에 있다. 이를 통해, 시료 자신의 색 부분의 파장은 덜 흡수한다는 것을 알 수 있고, 파란색은 자외선 영역과 가깝기 때문에 그러한 영향이 덜 보였다.자외선과 가시광선 영역에서의 물질과 전자기파의 주된 상호작용은 흡수와 방출이다. 광자의 에너지가 물질의 밴드갭 에너지보다 클 경우 물질은 광자의 에너지를 흡수하여 전자를 여기 시키고, 여기된 전자가 다시 안정한 상태로 돌아가면서 에너지를 방출한다. 적외선 영역의 에너지는 파장이 길고 에너지가 작다. 그렇기 때문에 전자를 여기 시키지는 못하지만 물질을 구성하고 있는 원자를 격자 진동시켜서 빛을 흡수 할 수 있다. 물질의 종류에 따라 특정한 범위의 빛만을 흡수하지 않고 통과시킨다. 만약 우리가 다른 종류의 시료를 이용했다면 다른 그래프를 볼 수 있을 것이다.3. 연구 과제(1) 실험으로 측정한 transmittance(투과율)와 물질상수인 dielectric constants(유전상수), refractive indices(굴절률), absorption coefficient(흡수 계수) 등과의 관계에 대해 알아보자.빛은 전자기파로, 전기장과 자기장이 공간 안에서 진동하며 진행하면서 에너지를 전달한다. 이 때 에너지 전달식은이며 여기서 S는 단위 면적당, 시간당 에너지를 의미한다. 물질1에서 물질2로 빛이 입사할 때, 빛의 투과율과 반사율은 각각 물질에서 에너지의 비율로 나타낸다. 투과율T=S _{t} /S _{i} =n _{2} /n _{1} t ^{2} =4n _{1} n _{2} /(n_1 + n_2 )^2 여기서 t는 투과계수,n_1 , n_2는 물질의 굴절률을 의미한다. 여기서 투과율과 굴절률의 관계를 알아보았다.절대 굴절률n = c_0 /c (c_0는 진공 속의 광속,c는 매질 속의 광속)이다. 매질 속에서의 굴절률n _{매질} =c _{0} /c _{매질} = root {`} of {{mu epsilon } over {mu _{0} epsilon _{0}}}이고 여기서mu _{0} SIMEQ mu 일 때는n _{매질} `=` root {`} of {` {epsilon } over {epsilon _{0}}} 이다. 여기서 매질의 굴절률과 유전 상수, 흡수 계수(감쇠 계수)의 관계를 알 수 있다.(2) 회절격자(diffraction grating)에 대해회절격자는 평면유리나 오목한 금속판에 다수의 평행선을 등간격으로 새긴 것으로 이것에다 빛을 비추면 투과 또는 반사된 빛이 그 회절광끼리의 간섭으로 그 스펙트럼을 얻을 수 있다. 투과형과 반사형이 있으나 실제로 사용되고 있는 것은 대부분 반사형이다.이 평면유리로 만들어진 회절격자에 평행으로 입사한 빛들은 금이 그어진 곳에서는 흡수가 되거나 산란하고 금이 그어지지 않은 좁은 틈으로 들어오는 빛은 통과한다. 그러나 통과한 빛은 그대로 직진하지 않고 호이겐스 원리에 의하여 회절되어 원기둥 형태로 퍼져 나간다. 이때 이웃하는 틈으로 통과한 빛과의 광로 차이가 파장의 정수배가 되는 조건이라면 서로 보강간섭이 일어나서 빛이 강해지나, 광로차이가 파장의 정수배가 아닐 때에는 소멸하여 버린다. 따라서 보강간섭이 일어나는 조건이 성립하는 어떤 특정한 방향으로만 빛이 밝게 비추어지고, 그 조건은 그 빛의 파장에 따라 달라지기 때문에, 여러 파장의 빛이 섞여 있을 때에는 프리즘에서처럼 파장 별로 분리가 되는 것이다.프리즘 분광기보다 빛을 분산시키는 성능이 좋으며 스펙트럼 띠가 장파장인 빨강 쪽에서도 좁아지지 않고, 빨강에서 보라에 이르기까지 각 파장마다 균일하게 퍼진다. 우리 실험에서 사용한 분광기의 경우, 분광광도계 안에 회절격자가 있고, 이 회절격자가 회전하여 파장을 바꾸어준다. 회절격자가 회전하면 빛과 회절격자의 수직축 사이의 각이 달라지고, 그에 따라 반사각이 달라지며 고정된 output 슬릿을 통과하는 빛의 파장이 달라진다. 이것이 연속적으로 이루어지기 때문에, 연속적인 파장변화에 따른 투과율, 흡수율 그래프를 얻을 수 있다.(3) Monochromator(단색화 장치)에 대해분광하여 단색광으로서 얻기 광학계이다. 여러 가지 종류가 있는데 일반적으로 입사 슬릿, 콜리메이터, 빛을 분산하는 광학계(프리즘 또는 회절격자), 결상계(렌즈 또는 오목 거울) 및 출사 슬릿으로 되어 있다. 분상 광학계를 회전시켜 임의의 파장을 택할 수 있게 되어 있다.구조를 살펴보면, 콜리메이터, 분산계 및 분산된 광선을 사출 슬릿에 수렴시키는 광학계의 세 부분으로 이루어진다. 그림은 스펙트럼 분산에 60° 프리즘을 사용한 예로, 입사 슬릿 S1에서 들어온 빛은 콜리메이터 렌즈 L1에서 평행광이 되어 프리즘 P에 입사된다. P에서 분산된 빛은 결상 렌즈 L2에서 사출 슬릿 S2의 위치에 스펙트럼을 만든다. S2를 통과한 단색광의 파장은 사출 슬릿의 위치에서 결정되고, 파장 폭은 프리즘의 분산, 렌즈의 초점 거리, 입사 및 사출 슬릿의 폭에 관계한다. 결정의 Bragg반사를 이용한 것이 많으며 평형 빔을 격자간격 d의 단결정에 각도 θ로 입사시키면 nΛ=2d sinθ(브래그반사조건)을 만족시키는 파장이 반사된다
Hall Effect 실험1. 실험 목적금속이나 반도체에 전류를 흐르게 하는 전하운반자가 무엇인지, 그것의 전하 밀도가 얼마인지 측정하는 실험으로서 n형 또는 p형 si 반도체의 비저항, 전하 운반자의 농도 및 이동도 등을 알아본다.2. 이론1) Hall Effect홀효과는 전류가 흐르는 도선 안이나 다른 고체 안에서 움직이는 전하와 관련이 있다. 전류가 흐르는 도선에 수직인 자기장은 도선 내에서 움직이는 전하들을 한쪽 면으로 휘어지게 만든다. 따라서 도선의 한쪽면에는 음전하가 쌓여 음으로 대전되고, 다른 한쪽면은 양으로 대전된다. 그러면 전기장이 도선을 가로질러 존재하게 되는데, 이를 홀 전기장(Hall field)이라고 하며, 홀 전기장은 도선을 가로지르는 전위차(홀 전압, Hall voltage)를 측정하여 계산할 수 있다. 또한, 전하의 표류 속도는 vD=E/B이므로, 홀효과를 이용하여 움직이는 전하의 표류속도를 측정하고 부호를 결정할 수 있다.전류가 같은 방향이라도 전하를 운반하는 입자의 전하 부호에 따라 발생하는 전기장의 방향이 달라진다. 그리고 입자의 농도에 따라서도 전기장의 세기가 달라진다. 이를 이용해서 고체 속에서 전류를 운반하는 자유전자의 농도나 움직이기 쉬운 정도를 측정하고, 반도체에서는 자유전자와 함께 자유양공(自由陽孔)에 대한 식별 및 측정을 할 수 있다.(a) 직사각형 단면을 가진 막대 모양의 시료가 자기장(Bz)에 놓여 있고, 시료의 양 끝에 가해진 전기장(Ex)으로 인해 막대에 전류(jx)가 흐른다.(b) 움직이는 전하는 자기장에 의해 y방향으로 휘어진다.(c) 자기장에 의한 로렌츠 힘을 상쇄할 정도의 홀 전기장이 생길 때까지 막대의 한쪽 면에는 전자가 쌓이고 반대 면에는 여분의 양이온들이 형성된다.2) Hall Effect로 구할 수 있는 식고전적 이론은 로렌츠 힘을 사용하는 방법으로 약한 자기장, 상대적으로 높은 온도에서 아주 유용하다.시료 내부에 전하가 몰림으로서 형성된 y방향으로의 전기장가 전하에 작용하는 힘은z방향으로의 자기장 B가 시료내부를 x축 방향으로 속도로 움직이는 전하에 작용하는 로렌츠힘은두 힘이 평형을 이루므로한편 시료의 두께를 d, 폭을 b 그리고 길이를 c라고 하면 전류는 다음과 같다.전압계에 걸리는 전압 이므로 측정된 I, B, V로부터 n을 구할 수 있다.또한 이므로 이를 에 대입해서 를 소거하여 을 구하면 다음과 같다.여기서 은 양의 값이어야 하므로, 이로부터 의 부호를 결정할 수 있으며, 전하운반자가 어떤 charge를 갖는지 알 수 있다. 따라서 Hall coefficient를 알면 반도체가 p형인지 n형인지 알 수 있다.는 시료의 윗면을 기준으로 하여 아래 면에 걸리는 전압이다. 그리고 이 전압을 홀 전압이라고 부른다.한 종류의 전하 운반자(여기에서는 전자)만이 있는 도체판에서, 홀 전압VH 은이고 여기서 I는 판 위로 흐르는 전류, B는 수직으로 걸린 자기장, d는 판의 두께, q는 전자의 전하 n 은 전하 운반자 밀도이다. 홀 계수는 다음과 같이 정의된다.여기에서 j는 전하를 운반하는 전자의 전류 밀도
반도체의 전기전도도의 온도의존성 측정1. 실험 결과V=10V온도 [°C]전류 [mA]5389559258102.76110765109.268110.475712. 결과 분석에서 하나의 기판을 사용했고, 전압을 10V로 유지하며 실험했기 때문에의 값은 I에 비례한다. 그렇기 때문에 온도의 변화에 따른 전기전도도의 변화를 보기 위하여가로축을 온도로, 세로축을 전류로 하여 그래프를 그려보았다.그래프를 보면 반도체에서는 온도가 올라감에 따라 반도체의 전도도가 증가함을 알 수 있다. 금속은 온도가 증가할수록 금속 내 원자진동에 의해 격자의 불규칙성이 증가하게 되고 이에 따라 비저항이 증가하게 된다. 다시 말하면 전자의 이동경로가 증가하여 전자의 모빌리티가 감소하고 이 때문에 전도도가 작아진다 (이 식에서 이완시간이 감소). 반도체 전기전도도의 온도의존성을 이해하기 위해서는 반도체에 대한 이해가 필요하다. 반도체에서는 전류가 흐르는 경우 전자와 양공이 모두 이동한다. 다시 말해서, 반도체에서 에너지를 가지고 있는 전자는 이웃하고 있는 원자와의 공유결합을 끊고, 자유롭게 이동할 수 있는 상태가 돼서 전하를 전도시킨다. 이렇게 전자가 나온 공유결합은 전자가 부족해지게 된다. 이를 양공이 생겼다고 볼 수도 있다. 이 때 반도체의 온도를 높여주면, 가전자대에서 전도띠로 전자를 이동시키는데 충분한 에너지가 공급되어 전자와 정공의 농도가 증가하고, 반도체의 전기전도도는 증가하게 되는 것이다. 에서 이완시간이 감소하지만, n이 늘어나는 효과가 훨씬 크다.75도에서 전류가 갑자기 감소하는 이유는 68도와 75도 사이에서 반도체가 탔기 때문이다. 그리고 우리가 스퍼터링 실험에서 만든 반도체를 가지고 첫 번째 실험을 하였을 때에는 온도가 증가함에 따라 흐르는 전류가 감소하는 양상을 보였다. 이것은 구리가 산화하여 기판이 더 이상 반도체의 역할을 하지 못했기 때문이다. 그렇지만 두 번째 반도체를 이용하여 실험했을 때에는 위와 같이 온도에 따라 전기 전도도가 증가하는 결과가 나왔다.
Sputtering 실험1. 실험결과TargetCuSubstrate(name-orientation)SiliconChamber pressure(Torr)6.6 TIMES 10 ^{-3}Ar Flow(sccm)18Growth time(minute)402. 토의사항우리 실험의 목적은 박막 성장 방법 중의 하나인 sputtering을 이용해 substrate 물질인 silicon에 target물질인 구리를 증착시키는 것이다. 우리 실험의 경우에는 진공 상태에 가까운 챔버에 아르곤 기체를 넣어준 뒤, 플라즈마 상태를 만들어주었다. 음극에 (-)전압을 가하면 타겟이 장착된 음극과 기판이 있는 양극 사이에 전기장이 형성되고, 이 전기장에 노출된 아르곤 가스가 Ar+로 이온화 되면서 플라즈마가 발생하는 것이다. 이 때, 타겟 물질의 표면은 기판보다 음전위로 유지되기 때문에 Ar+가 타겟 표면으로 가속 후 충돌 되고, 타겟 물질에서 원자와 분자들이 기판으로 날아가 증착되는 것이다. 이 과정을 supttering이라고 한다. Ar에 의한 플라즈마는 보라색을 띄고 있어야하는데, 우리 실험에서는 초록색에 가깝게 관찰되었다. 이것은 챔버 상태가 좋지 않아서, 즉 진공이 잘 되지 않아서 불순물이 들어갔기 때문인 것으로 보인다. 이 실험 결과로 만들어진 구리가 증착된 실리콘 박막을 다음 실험에서 반도체로 이용한다.실험에서 쓴 실리콘 wafer는 둥근 모양을 하고 있었다. 그 이유는 실리콘을 만드는 공정 과정에서 찾을 수 있다. 실리콘은 melted sand로부터 만들어 지는데, 이 것이 적정한 온도까지 올라갔을 때 crystal seed(씨 결정)을 melted sand에 떨어뜨리면, 결정이 자라나면서 회전하게 된다. 이 회전 때문에 모양이 원기둥 모양처럼 되고 우리는 그것을 slice하여 사용하는 것이다. 그런데 이때, 이 silicon wafer가 완전한 원모양이 아닌 이유는 crystal과 적정한 방향으로 나열되기 위해서이다. 그리고 이러한 둥근 모양은 heat distribution이 골고루 잘 되게 한다.그리고 이 실험이 오래 걸렸던 이유 중 하나는 온도가 떨어질 때까지 기다려야했기 때문인데, sputtering에 의해 기판 온도가 상승했고, 만약 온도를 떨어뜨리지 않고 바로 열면(차가운 기체를 유입하면) 급격한 온도차이로 인해 열충격이나 기판과 박막의 열팽창 차이로 박막이 깨질 수도 있기 때문이다.- 연구 과제1. Vacuum pump의 종류와 원리에 대해 알아보자.챔버 내의 기체분자를 제거하는 장치로 대기압 이하의 저압 기체를 흡입 압축해 대기 중에 방출하고 용기 속의 진공도를 높인다. 실험에서 챔버 내 진공을 만드는 것이 매우 중요했는데, 우리 장비는 로터리 펌프와 터보 펌프를 가지고 있었다.-기계적 진공펌프압축기로서 사용가능한 것은 모두 진공펌프로 이용할 수 있다. 일반적으로 수봉식과 기름회전식이 있다.수봉식 진공펌프는, 원통형 케이성에 물을 넣고 편심하게 부착한 날개차(impeller)를 회전시키면, 물이 원심력에 의해 케이싱의 바깥둘레 부분에 동심원상으로 달라붙어 2개의 날개와 수면 사이의 공간의 부피가 날개차의 회전과 함께 변화함에 따라 흡입구에서 흡입된 기체의 부피가 날개차 안에서 서서히 감소되어 대기 중으로 방출되는 장치이다.기름회전식 진공펌프는 회전자와 스테이터(실린더) 사이의 섭동부를 기름으로 실(seal)함으로써 새는 것을 막고 용적효율을 높여 고진공도를 얻을 수 있다. 캠(cam)식·베인(vane)식·흔들이식이 널리 사용된다.-확산펌프·이온펌프기계적 진공펌프로는 도달할 수 없는 고진공을 실현하기 위해 확산펌프·이온펌프 등이 사용된다.확산펌프는 보조진공펌프로 어느 정도 진공도를 높인 다음 기름 또는 수은을 가열·증발해 노즐에서 분출시켜 그 분류(噴流)와 함께 기체분자를 외부로 배출한다.이온펌프는 양극과 음극 사이에 높은 전위차를 두고, 그에 따라 유도된 전자를 기체분자와 충돌시켜 분자를 이온화한다. 양의 전하를 받고 이온화한 기체분자가 음극에 모여 용기 속의 기체분자는 적어진다. 그때 고밀도의 자기장에 의해 전자가 긴 나선 모양의 궤도를 그려 전자와 분자의 충돌 기회가 많아지도록 설계되어 있다. 이 펌프는 입자가속기·X선관 등에 사용된다.2. Vacuum gauge의 종류와 원리에 대해 알아보자.희박한 기체의 압력을 측정하는 장치이다.
광의 편광 특성 실험_결과각도투과광 세기 (편광판) [mW]투과광 세기(편광판+검광판) [mW]05.21.96101.20.38207.842.743023.349.08400.46416.26500.73420.72601.00618.84700.04412.3801.454.34901.560.34토의1) 레이저 광이 편광 되어 있는가레이저가 비편광이라면 편광판의 투과축의 방향을 변화시켜도 투과광의 세기의 변화가 없었을 것이다. 그런데 실험 결과 위 표의 왼쪽을 보면 투과축의 방향에 따라 세기가 변하므로 레이저는 부분편광되어 있다는 것을 알 수 있다.2)검광판의 회전각에 따른 투과광의 세기를 그래프로 그린다. 비례관계를 논의한다.3)말루스의 법칙이 성립되었는지 검토한다.두 개의 편광판을 통과한 빛(편광)의 세기를 나타낸 법칙으로 두 편광판의 편광축이 이루는 각도와 관련 있다. 즉 두 편광판의 편광축이 나란할 때(θ=0)를I _{0}라고 하면 각 θ일 때의 빛의 세기는I ~=~ I_0 `` cos^2 θ이다. 이것이 말루스의 법칙이다. 말루스의 법칙에 따르면 0에서 90도까지 코사인 제곱에 비례하므로 단조 감소하는 그래프가 그려져야 한다. 그러나 우리 실험 결과는 위로 볼록한 경향을 띠고 있다.이는 처음부터 레이저가 부분편광 되어있었기 때문인 것으로 보인다. 이것을 편광판이 3개일 때라고 생각하면 다음과 같이 생각할 수 있다. 세 개의 전광판을 늘어놓았을 때 가운데 편광판이 45도일 때 가장 밝은 것은 두개의 양쪽에 있는 편광판과 관련이 있다.양쪽 두개가 서로 90도 각도를 유지하고 있어서 수직 편광의 가운데 편광판이 수직 편광의 첫번째 편광판의 cos θ = 1 배의 진폭을 가지고 있을 때 두 편광판을 통과한 빛이 가장 밝지만, 가운데 편광판이 수직이 아닐 때 θ가 0에 수렴함에 따라 가운데 편광판의 편광이 세번째 편광판에 대하여는 90도에 수렴하므로 세번째 편광판에 대하여는 가장 어두워야 한다. 반대로 θ가 첫번째 편광판에 대하여 90에 수렴함에 따라 세번째 편광판에 대하여는 0도에 수렴하므로 가운데 편광판과 세번째 편광판에 대하여는 가장 밝아야 한다.진폭이 첫번째 편광판에 대하여 가운데 편광판에서는 cos θ배이며, 광량은 cos2θ배이다.가운데 편광판에 대하여 세번째 편광판에서는 cos(90-θ)배이며, 광량은 cos2(90-θ)배이다.처음 편광판을 통과한 빛에 대한 세번째 편광판을 통과하는 진폭은 cos θ배의 cos(90-θ)배이다. 그러므로 세번째 편광판을 통과하는 빛의 세기가 가장 클 때는 다음과 같이 나타난다.진폭 A = cos θcos(90-θ)= cos θsin θ= ½sin 2θ½sin 2θ 값이 최대가 되기 위해서는 θ = 45일 때이다. sin 2θ의 그래프는 실험 결과와 비슷하다. 이 결과도 말루스의 법칙이 성립하는 것이다.결과반사광이 사라질 때입사각: 58굴절각: 35토의1)브루스터각을 구해본다.반사광이 사라질 때의 입사각을 브루스터각이라고 한다. 실험으로 구한 브루스터각은 58도이다.2)반원통형 렌즈의 굴절률은 1.49이다. 이론적으로 브루스터각을 계산하고 실험결과와 비교한다.arctan(1.49/1)=56 이론값은 56도, 실험값은 58도로 거의 일치한다고 볼 수 있다. 약간의 오차가 있는 것은 반사광이 사라지는 것을 눈으로 관찰하고 판단하였기 때문이다. 그리고 편광판을 90도로 맞추어서 p편광으로 만들 때, 완전한 90도가 아니였다면 수직 성분도 남아있어서 반사광이 완전히 사라지지 않았을 수 있다. 즉, s편광된 빛도 합쳐져 있었기 때문에 반사광의 세기가 완전한 0이 아닐 수 있다.3)브루스터 각에서 입사각과 굴절각의 합을 구해본다. 결과를 분석한다.어떠한 각도로 입사하면 반사광=0이 되어 반사 없이 모두 투과되는 현상은 p편광된 빛에서만 일어난다. 이 때 입사각+굴절각=90도이다. 실험 결과 58+35=93이므로 실험값과 이론값에 미세한 차이만 있다.결과투과축 각도이상광선 투과광 세기 [mW]정상광선 투과광 세기 [mW]00.108418100.16*************0*************6*************63*************0*************07*************81*************841**************************17*************8토의1) 투과축의 각도를 기준으로 정상광선과 이상광선의 투과광세기를 그래프로 그린다.2) 정상광선과 이상광선의 편광상태를 논의한다.이론적으로 정상광선은 진동방향이 주자름면(주단면)에 수직이고, 이상광선은 진동방향이 주자름면에 포함되어 있어서 그 둘은 상호수직으로 선편광 되어있다.위의 그래프를 보면 실험결과 이상광선과 정상광선의 그래프 경향이 비슷한 것으로 보아 실험 할 때 정상광선과 이상광선을 제대로 찾지 못한 것같다.3) 주자름면을 결정해 본다.이상광선은 주자름면을 따라 굴절되므로 입사광선을 수직으로 유지하면서 방해석을 돌리면 정상광선은 움직이지 않고 이상광선은 회전하는 것을 볼 수 있다. 이 때 이상광선이 포함된 면이 주자름면이다.결과내부회전판각도투과축 0도(수직편광-s편광)반사광의 세기 [mW]투과축 90도(수평편광-p편광)반사광의 세기 [mW]0XX100.01627.58200.02487.18300.0295.68400.03763.72500.05440.128600.0870.0154700.14735.38800.1833.6690XX1000.3391.7221100.32641.7661200.2761.5721300.26941.6621400.1121.631500.03440.0041600.02080.0261700.01620.04418000토의1) 입사각을 독립변수로 하여 반사광의 세기를 그래프로 그린다.(내부 회전판 각도에 따른 반사광의 세기)2)최소, 최대점의 존재 여부 관측하고, 브루스터 각이나 전반사 임계각과 연관지어 토의한다.