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한국 골프의 역사 평가A+최고예요

한국 골프의 역사1. 한국 골프의 시작한국에 골프가 전래된 것은 1897년 무렵으로 알려져 있다. 1880년 함경남도 원산항이 개항되면서 한국의 해관관리로 고용된 영국인들이 해관 안유목산 중턱에 6홀 규모의 간이 코스를 만들었다고 한다. 훗날 시가지를 확장하면서 외인촌을 철거할 때 다락방에서 쏟아져 나온 클럽세트며, 그들 골프를 즐겼다는 내용이 구전으로 전해졌고 그때 클럽을 포장한 신문지가 1897년도 판이어서 국내 골프 도입을 그 이전으로 추정케 한다.2. 한국의 골프코스 역사-원산 골프코스(최초의 골프코스)1897년 이전에 있었던 원산 골프코스가 한국 골프 100년의 역사를 말해주고 있다. 원산골프코스는 당시 원산에 상주했던 영국 세관원들이 해관내 유목산 중턱에 만든 6홀 규모의 코스이다.-효창원 골프코스전장 2,300야드 1홀 규모의 효창원 골프코스는 1919년 5월 착공해 1921년 6월 1일 개장했다. 당시 철도국 산하 조선호텔 이용객을 위한 부속시설로 만들어진 코스였다. 단 1홀만 사용했던 이 코스는 외국인 내장객만으론 적자를 면키 어렵자, 법인체인 경성골프구락부를 구성하게 된다. 이후 효창원 골프코스는 공원으로 편입되면서 1924년 2월 폐장된다.-청량리 골프코스조선에도 18홀 골프장을 만들자는 계획과 함께 효창원 골프코스가 공원화 되면서 개장 3년만에 폐쇄하고 청량리에 있는 이왕가의 능림으로 골프코스를 옮기게 된다. 전장 3,942야드, 파 70의 18홀 코스를 만들어 1924년 12월 개장했다. 이때부터 한국인 골퍼가 눈에 띄기 시작했으며, 이곳에서 1925년 국내 공식대회인 제1회 전조선선수권이 홀매치 플레이로 개최됐다.-지방 골프코스경성골프구락부 청량리 골프코스 이후 전국적으로 골프코스가 확산되며 골프계는 활기를 띤다. 지방 최초로 대구골프구락부가 창설되고 1923년 9홀 규모의 대구 골프코스를 개장하면서 지방에 코스가 생겨나기 시작했다. 평양 골프코스(1928년) 9홀은 나중에 18홀로 증설됐고, 원산 골프코스(1932년) 9홀이 각각 탄생했다.-한국전쟁 전 골프코스1930년 1월 22일 유능 일대 30만평에 전장 6,160야드 18홀(파 69)의 정규코스가 아카보시(일본인) 설계로 탄생하게 된다. 제3차 세계대전이 확산되면서 국내 골프장은 비행장 농경지, 신병 훈련장으로 전환되고 말았다. 1942년 평양, 원산, 대구, 부산, 흥남 골프코스가 폐쇄됐고 1943년엔 군자리 골프코스마저 전쟁의 희생양이 됐다. 광복 후 수년간 골프코스는 방치됐다. 경작지로 이용하던 소작인들과의 마찰 등으로 풀어야 할 문제점이 산적해 골프장 재건은 생각할 수 조차 없었다. 1950년 이승만 대통령의 지시에 의해 연덕춘 프로의 설계로 복구됐으나 1개월만에 또다시 한국전쟁을 맞게 된다.-한국전쟁 후 골프코스1950년 복구한지 한달만에 또 다시 전쟁의 재물로 농경지가 됐던 군자리 골프코스는 이순용씨에 의해 복구에 들어간다. 1953년 사단법인 서울칸트리구락부를 창설하며 1954년 전장 6,750야드 18홀(파 72) 국제 규모의 골프코스를 개장하게 된다. 그로부터 1972년 어린이대공원으로 자리를 내주기까지 18년간 군자리 골프코스는 한국 골프의 맥을 이어왔다.-1960년대 골프코스1960년 박정희대통령의 경제 성장 정책에 힘입어 비약적인 경제 발전으로 골프인구가 증가되자 국내최초 민간자본으로 1964년 9월 한양칸트리클럽이 탄생됐다. 이어서 1965년 제주칸트리클럽이 개장됐고, 1966년 태능과 뉴코리아, 1967년 (구)관악, 1968년 안양이 속속 개장했다.-1970년대 골프코스1970년대 들어서면서 용인과 부평이 개장됐고, 1971년 부산과 동래 그리고 남서울이 개장되는 등 총 22개의 골프장이 개장했다.-1980년대 골프코스1980년 프라자를 비롯해 1989년 개장한 중문 등 10년간 모두 20개 골프장이 건설되면서 한국 근대 골프장은 1989년말 42개로 증가했다.3. 한국 골프대회의 역사-초창기 아마추어대회우리나라 최초의 골프대회는 1925년 청량리 골프코스에서 열린 제1회 전조선선수권 대회 이다. 이 대회는 일본인 골퍼들을 주축으로 치러졌지만 한국 골프대회 효시였다는 점은 부인할 수 없다. 1928년 전조선선수권에서는 대구골프구락부의 사이토 선수와 경성골프구락부의 나카무라 도라노스케 선수가 일몰로 승부를 가리지 못해 3일간에 걸쳐 53홀 플레이 끝에 나카무라 선수가 우승을 거둔 기록도 있다. 1937년 9월 23일 조선골프연맹이 경성, 대구, 평양, 부산, 원산 등 5개 클럽을 회원으로 창립했고, 이날 제1회 전조선아마추어선수권대회가 개최됐다. 결승전 정병량 선수와 일본인 오바시 선수가 대결하여 오바시가 우승을 차지했다.-초창기 프로 대회한국 최초의 프로대회는 1958년 서울칸트리구락부에서 골프수업을 받은 프로선수와 지도자들이 출전한 한국프로골프선수권대회다. 1958년 6월 개최된 이 대회에 참가했던 프로골퍼는 배용산, 김복만, 김성윤, 한장상, 문기수, 이일안, 한성재, 조태윤 선수 등이다. 1회 대회에서는 한국최초의 프로골퍼 연덕춘 선수가 후배들과는 현격한 스코어 차로 우승했다. 그해 9월 열린 제1회 한국오픈골프선수권대회에서는 국내선수 10명(아마추어와 프로)과 외국선수 1명이 참가했다.-아마추어 대회1953년 사단법인 서울칸트리구락부를 창설하고 이어 1954년 군자리 골프코스를 개장하면서, 신인선수의 발굴과 육성을 위해 1954년 제1회 한국아마추어골프선수권대회를 최초로 개최하게 된다. 국내선수 20명과 외국인 선수 1명이 참가한 이 역사적인 대회가 진정한 우리나라 최초의 공인 골프선수권대회다. 대통령배로 개최해오던 이 대회는 1975년 10월 정부의 ‘대통령배’ 명칭사용 철회로 1976년 23회부터 대통령배 명칭을 삭제했다. 2004년 (제 50회)부터 고 허정구 씨를 기리고자 허정구배 한국아마추어골프선수권대회로 명칭을 변경했다.-한국아마추어골프팀선수권대회한국아마추어골프팀선수권대회는 1976년 10월 5~^일 양일간에 걸쳐 서울C.C에서 첫 대회를 개최했다. 출전선수의 출신도 대항 친선경기로 첫 대회부터 국내 시,도팀과 실향 5도팀, 해외동포팀인 재미 LA팀, 제일관동팀, 제일북해도팀 등 모두 21개 팀이 참가해 대성황을 이뤘다. 1986년 전국체육대회 골프부 경기가 시작되면서 제12회(1987년) 대회부터는 성격이 동일해 전국체츅대회로 전환됐다.

예체능| 2014.04.03| 4페이지| 1,000원| 조회(1,000)

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낙태의 허용여부에 대한 고찰

낙태의 허용여부오늘날의 우리나라는 저출산, 고령화의 추세가 국가 위기 수준으로 이르고 있다고 할 수 있는데, 지난 노무현 정부시절에 저출산, 고령사회위원회를 출범하여 다양한 분야의 해법을 모색하기 시작하였다. 현 정부에서도 저출산, 고령화 문제를 국가적 위기로 인식하고 보건복지부 장관이 주도하는 최우선 정책과제로서 정책적 대안을 다방면에서 강구하였고, 2009년 11월 16 대통령 직속 미리기획위원회는 저출산 대책의 하나로 불법 낙태시술을 단속할 것이라는 발표를 하게 된다. 그 후 2010년 3월 1일 보건복지가족부가 ‘불법 인공임신중절 예방 종합계획’을 통해 불법낙태 단속방침을 밝히게 되었고, 프로라이프 의사회가 성명서를 내며 낙태 반대운동을 확산시키게 된다. 또한 현생 법령 및 제도의 미비점을 보완하고 법과 현실의 차이를 줄이기 위해 2010년 2월부터 ‘인공임신 중절 법제 위원회’를 관련 전무가들로 구성하여 운영하며, 특히 절차적 어려움과 인권 보호의 문제가 지적되고 있는 강간, 준강간, 근친상간등 윤리적 허용사유와 관련된 제도개선을 위해 특별분과를 운영하는 방안도 제시된다. 그리고 제정 당시부터 자의적으로 해석될 수 있는 위험이 있어 무분별한 불법 인공임신중절의 만연의 중요한 원인으로 지적되고 있는 ‘모자보건법’ 14조(인공임신중절수술의 허용한계) 제1항 제5호 ‘임신의 지속이 보건의학적 이유로 모체의 건강을 심각하게 해치고 있거나 해칠 우려가 있는 경우’와 관련하여 구체적인 세부기준과 진료 지침을 마련하기로 한다. 그후 프로라이프 의사회가 낙태시술 병원을 고발하게 되면서 산부인과들의 표면적인 낙태시술은 중단되었다. 하지만 이에 대한 반발과 우려 또한 만만치 않았는데, 낙태를 할 수밖에 없는 사회 환경은 개선되지 않은 채 국가의 일방적인 여성의 몸의 통제는 옳지 않다는 것이다. 여성단체에서는 낙태를 선택하는 여성의 상황이 무엇인지 파악해야 한다고 강조하였으며, 보건복지가족부와 한국보건사회연구원이 조사한 인공임신중절의 이유는 경제적인 이유가 주요원인이었으범법자만을 증가 시키고 있다. 또, 관련법의 규정이 의학적으로 정당성을 인정하기 어려운 낙태를 허용하고 있다는 점도 문제이다. 이러한 법규정과 현실의 괴리를 좁히기 위하여 법규정의 윤리적 근거를 확호하고 사회적인 합의점을 찾는 것은 매우 중요하고 이를 위한 다양한 방법을 모색하려고 노력해야 한다.과거 보건복지부는 2005년의 ‘인공임신중절 실태조사 및 종합대책 수립’을 시작으로, 2008년 ‘부적절한 인공임신중절 예방사업개발 및 법적정비방안 연구’를 통해 합의도출을 시도하였었다. 또한 정부는 다양한 관점을 지닌 전문가들로 구성된 합의체의 의견수렴 과정을 거쳐 낙태 허용 기준을 개정하게 되어, 입법부는 2009년 7월 7일 모자보건법 시행령 제 15조 인공임신중절수술의 허용기간을 임신 28주에서 24주로 단축하여 개정한다. 한편 정부는 2010년 2월 ‘불법 인공임신중절예방 종합계획’을 발표하며 낙태와 관련된 모순을 극복하려는 의지를 보인다.각 국가의 낙태 관련 법률을 살펴보면 그게 3가지로 나눌 수 있는데, 첫째 형법에만 두는 경우, 둘째 형법과 특별법 양 규범에 규정하는 경우, 셋째 오로지 특별법의 형식을 취하는 경우이다. 우리나라는 두 번째의 형식을 취하고 있어 낙태행위를 처벌하기 위한 목적으로 제정된 낙태 금지 규정인 형법, 형법의 낙태죄 위법성 조각 사유로써 낙태 허용 규정인 특별법적 지위의 모자보건법을 두고 있다.형법과 모자보건법에서의 낙태는 다르게 포기되면 형법에서는 낙태로서, 모자보건법에서는 인공임신중절수술로써 표시된다. 낙태와 인공임신중절수술의 개념은 오해의 소지가 다분하다. 낙태는 자연분만기 이전에 자궁에서 발육중인 태아를 인공적으로 배출시키거나, 모체 내에서 강해하는 것을 말하며, 인공임신중절수술은 태아가 모체밖에서 생명을 유지할 수 없는 시기에 태아와 그 부속물을 인공적으로 모체 밖으로 배출시키는 수술을 말한다. 어의상 넓은 의미로 해서하면 낙태는 의사에 의한 합법적인 임신중절을 포함하고, 좁은 의미의 낙태는 불법적인 인공임신중절수술만을 의낙태죄의 처벌 대상이 된다.형법 제 27장 낙태의 죄에 관하여 2개의 조문과 7개의 항이 있으며 낙태죄의 보호법익에 관하여 태아의 생명으로 보거나 임신한 부녀의 신체의 안정성으로 보는 견해, 혹은 태아의 생명과 산모의 신체의 완전성을 포한한다는 견해 등이 있다.제269조 낙태제270조 의사 등의 낙태, 부동의 낙태① 부녀가 약물 기타 방법으로 낙태한 때에는 1년 이하의 징역 또는 200만원이하의 벌금에 처한다.② 부녀의 촉탁 또는 승낙을 받어 낙태하게 한 자도 제1항의 형과 같다.③ 제2항의 죄를 범하여 부녀를 상해에 이르게 한때에는 3년 이하의 징역에 처한다. 사망에 이르게 한 때에는 7년 이하의징역에 처한다.① 의사, 한의사, 조산사, 약제사 또는 약종상이 부녀의 촉탁 또는 승낙을 받어 낙태하게 한 때에는 2년 이하의 징역에 처한다.② 부녀의 촉탁 또는 승낙없이 낙태하게한 자는 3년 이하의 징역에 처한다.③ 제1항 또는 제2항의 죄를 범하여 부녀를 상해에 이르게 한 때에는 5년 이하의 징역에 처한다. 사망에 이르게 한 때에는 10년 이하의 징역에 처한다.④ 전3항의 경우에는 7년 이하의 자격정지를 병과한다.모자보건법은 낙태의 위법성 조각사유를 나타내며, 전통적으로 인정되어온 낙태의 위법성 조각사유는 긴급피난을 들 수 있으며, 경우에 따라서는 정당행위 및 폭넓은 적응해결방식을 도입한 모자보건법상의 위법성 조각사유를 들 수 있다.형법의 업무상 동의낙태죄의 위법성이 조각되는 경우를 모자보건법에서는 일반적 요건과 적응요건의 차원에서 규정하고 있다. 일반적 요건으로서 의사가 본인과 배우자의 동의를 받아 낙태를 시행할 수 있다. 적응요건으로서 의학적 적응, 우생학적 적응, 윤리적 적응을 이유로 한 경우에는 위법성이 조각된다. 그러나 사회적, 경제적 적응 사유는 인정되지 않는다. 이러한 적응요건을 충족하는 경우에도 법 제 14조에 따른 낙태는 임신 24주일 이내인 사람만 가능하도록 시행령 제 15조에서 규정하고 있다.제14조 인공임신중절수술의 허용한계제15조 인공임신중본인이나 배우자가 심신장애로 의사표시를 할 수 없을 때에는 그 친권자나 후견인의 동의로,친권자나 후견인이 없을 때에는 부양의무자의 동의로 각각 그 동의를 갈음할 수 있다.① 법 제14조에 따른 인공임신중절수술은 임신 24주일 이내인 사람만 할 수 있다.② 법 제14조 제1항 제1호에 따라 인공임신중절수술을 할 수 있는 우생학적 또는 유전학적 정신장애나 신체질환은 연골무형성증, 낭성섬유증 및 그 밖의 유전성 질환으로서 그 질환이 태아에 미치는 위험성이 높은 질환으로 한다.③ 법 제14조 제1항 제2호에 따라 인공임신중절수술을 할 수 있는 전염성질환은 풍진, 톡소플라즈마증 및 그 밖에 의학적으로 태아에 미치는 위험성이 높은 전염성 질환으로 한다.이렇듯 우리나라는 형법과 특별법이 모자보건법으로 서 낙태를 규정하며 제한하고 있는 것을 알 수 있다. 하지만 매우 한정적인 내용에서 낙태를 허용하는 것을 알 수 있다. 낙태에 관한 논의는 아직도 매우 활발하게 이루어지고 있으며 아직 합의점을 찾지 못한 상황으로 느껴진다. 지금 낙태에 대한 논의에서 논해지는 중요 관점은 여성의 자기결정권과 태아의 생명권을 들 수 있으며 이 둘의 적절한 합의점이 필요한 상황이라 할 수 있다.현실의 우리 사회에서는 낙태가 현실적으로는 만연하지만 여성주의 낙태옹호의 논의는 별로 없다는 것이다. 그 이유는 우리나라에서는 낙태현상이 인간의 생명존중에 강한 영향을 받고 있기 때문일 것이다. 이러한 이유로는 낙태에 대한 논의는 주로 종교계가 중심이 되어 생명윤리에 대한 근거로의 논의가 주를 이루고 있기 때문이다. 일반적으로 낙태죄의 보호법익은 태아의 생명이 주된 법익이고 임부의 신체는 부차적 법익이라는 것이 형법학계의 다수의 설이라고 한다. 헌법재판소와 대법원의 판례에서도 ‘생명은 잉태되 때부터 시작되는 것이고 회임된 태아는 새로운 존대와 인격의 근원으로서 존엄과 가치’를 지닌다고 판시한 것으로 확인 할 수 있다.처음의 통계조사와 우리의 충분한 공간대에서, 현실적으로 아직까지 성교에서 양육조건에 이르러 와의 지속적 관계가 불투명하고 미혼모와 그 자에 대한 차별이 심하며 자기 자립이 힘들며 빈곤에 빠지게 되는 등 여러 조건에 기인해 출산을 선택할 수 없게 된다. 이러한 측면에서는 현행의 낙태관련법은 미혼여성의 자기결정권을 무시하고 있다고 생각할 수 있으며 법제도는 사회 변화와 여성인권보장의 미비의 직시가 필요하다고 생각된다. 기혼여성에게 있어서도 출산이 선택이기 하지만 사회적인 여러 상황에서 임심과 출산은 통제되는 게 현실이다. 또한 모자보건법상 배우자의 동의조항은 여성의 낙태 결정에 대한 배우자의 실질적, 상징적 통제를 허용한 것으로 볼 수 있고 배우자와의 의사 불일치의 경우에는 여성의 의사가 더 우선권을 가지는 것이 더 합리적인 합의규법이 될 수 있을 것이다. 물론 규범의 합의 가 쉽게 도출되는 것은 아니지만 여성의 자기운명결정권은 기본적인 가치규범의 근거로 인식되어야 한다. 미국의 경우는 ‘아내와 남편이 낙태결정에 대해 의견이 일치하지 않을 때 아이를 임신하는 것은 여성이고 임신에 의하여 보다 직접적이고 즉각적인 영향을 받는 것이 여성인 만큼 여성의 의사가 우선되어야 한다‘라는 미연방대법원이 설시한 예가있다.낙태 금지로 인해 낙태가 음성화되어지면 그것의 실태조자 제대로 파악이 되지 못하고 의료, 복지, 여성정책 수립에 있어 심각한 문제가 될 것이다. 여성의 건강 측면에서도 낙태는 국가의 통제가 미치지 않는 의료적 사각지대이며 낙태는 각종 후유증과 정신적인 상처가 따를 수 있는 수술이다. 이러한 수술이 국가적 관심이나 의료보험 등의 지원 없이 열약한 상황에서 불법적으로 시술된다면 시술을 받는 여성들의 건강에 더욱 해가될 가능성이 높아질 것이다. 또한 낙태 수술이후의 검진이나 산부인과 치유과정 또한 미흡할 것이다.이렇게 음성화된 낙태는 적절한 의료와 사회복지체계 구축을 저해할 수 있고 현명한 임신 대응을 어렵게 만든다. 따라서 낙태에 대한 정보를 공유하고 교육, 상담하여 여성들이 보다 종합적으로 판단하여 낙태를 선택할 수 있도록 해야 한다.위와 같은 여성의 .

법학| 2014.04.03| 9페이지| 1,000원| 조회(155)

낙태, 낙태죄, 낙태법, 낙태의 허용

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Cu film의 전기적 특성 분석 실험

Cu film의 전기적 특성 분석 실험1. 실 험 목 적전자제품 (반도체, display)에 전기배선 재료로 사용되는 Al(알루미늄)이 있다. 하지만 최근의 경향이 고집적화, 대면적화로 진행됨에 때라서 대체 재료로 Cu(구리)이 각광을 받고 여러 방면에서 연구를 진행하고 있다.Cu bulk의 비저항은 1.67μΩ-㎝로서 Al bulk(2.7μΩ-㎝)에 비해 매우 낮다. 이러한 특성으로 인하여 RC delay로 인한 신호의 지연으로 응답속도의 차이를 극복하는데 이용할 수 있는 좋은 재료이다. 하지만 이러한 Cu 박막의 전기적 특성에 영향을 미치는 인자들에 대한 실험을 진행하고자 한다.2. 실 험 방 법1. 구리 필름을 증착 시키기위해 사용할 sio2필름을 준비해 가로세로 1cm의 정사각형으로 절단하여 sio2필름 조각 5개를 만든다.(절단시에는 펜등 날카로운 것으로 조그마한 흠집을 내고 양쪽을 잡고 꺽어 주어 절단)2. 만들어 놓은 sio2필름 조각들을 절단등의 과정에서 오염되었을 경우를 고려해 아세톤과 D.I(증류수)로 두단계에 걸쳐 세척한다.3. 세척한 sio2필름들을 스포터(PVD)에 넣고 스포터링을 할 구리를 장비에 장착한 후 장비의 뚜껑을 닫고 스포터 내부를 진공상태로 만들고 아르곤을 주입한 후 구리가 장착되어 있는 곳에 전류를 걸어 아르곤을 아르곤과 전자로 분리 하여 플라즈마 형태로 만들면 구리가 아르곤+입자와 전자의 충돌로 인해 떨어져 내리기 시작한다. 그러면 혹시나 있을지 모를 구리의 표면의 오염물질을 고려해 잠시 기다린 후 필름 위를 덮고 있는 막을 치워 sio2필름 위에 구리가 증착 되도록 한다. 이 과정에서 sio2필름들을 올려놓은 판이 돌아가며 구리가 일정하게 증착되도록 한다.4. 원하는 두께를 맞추기 위해 스포터가 증착되는 속도를 고려하여 시간을 설정하여 두께를 조절한다. 100nm를 증착에 필요한 시간이 경과한 후 덮개를 덮어 두께를 맞춘 후장비에 전류를 차단하고 공기를 천천히 주입하여 외부 압력과 맞춘 후 장비를 열어 증착된 구리 필름밀어넣어서 각각 30분씩 열처리를 한 후 다시 천천히 꺼내며 구리필름이 서서히 냉각될 수 있도록하여 꺼낸 후 four-point probe로 저항의 변화를 측청한다.3. 이 론 적 배 경1) RC delay소자의 집적도가 증가함에 따라 transistor의 gate length가 감소하게 되고 transistor switching time 또한 점점 빨라지고 있다. 이러한 gate length의 감소는 RC delay 식에서 저항을 증가시킴으로 RC delay가 커지게 된다. 또한 switching time이 빨라지면 이에 따른 delay는 보다 크게 문제가 되게 되므로 집적도 증가에 따른 RC delay 증가의 문제는 개선이 필수적이라 할 수 있다.아래 그림은 소자의 집적도 증가에 따른 RC delay의 변화를 나타낸 그림이다.그림 1. device size에 따른 RC delay의 변화여기서 design rule이 0.5㎛ 정도 이하에서 RC time delay가 급격한 증가를 보이게 되는데, 0.18㎛ 및 0.13㎛ 공정을 적용하고있는 현 상황에서의 RC delay의 개선은 중요한 의미를 갖는다고 할 수 있다. 이러한 RC delay의 증가는 RC delay로 인한 신호지연의 문제, cross talk noise문제 등이 그것이다. 이러한 RC delay에 의한 신호지연 및 cross talk 문제의 해결 방법으로는 R의 개선과 C의 개선이 진행되고있다. R의 개선은 Cu 배선의 도입이 주종을 이루고 있고 이는 현재 Al 배선에서의 저항을 약 37% 정도 개선 가능하다. C의 개선은 k 값이 작은 물질을 사용하는 것으로 현재 여러 가지 물질이 연구되고 있다.2) sputter의 원리plasma - 고온에서 음전하를 가진 전자와 양전하를 띤 이온으로 분리된 기체상태로서 전하분리도가 상당히 높으면서도 전체적으로는 음과 양의 전하수가 같아서 중성을 띠는 기체이다. 플라즈마 안은 동수의 양(+)과 음(-)에 전위를 갖는 소립자(전자, 이온 등)를 포함한 부분적으촉매작용을 할 수 있다. 또한, Plasma에 자장을 인가 시 전자와 이온은 자장의 방향과 직각으로 원운동을 한다. 이 성질을 이용 시 Plasma density를 조절할 수 있다.① Sputtering의 원리sputtering은 진공도가 일정수준에 이르면 진공 chamber내로 불활성기체 (Ar)을 주입하고 전장을 인가하면 Glow Discharge가 형성된다. 이러한 글로우 방전(Glow Discharge)을 이용하여 Ion을 형성하고, 이를 전자기장으로 가속하여 타겟 물질인 고체 표면에 충돌시킨다. 이때 내부의 원자와 분자들이 운동량 교환을 통해 표면 밖으로 튀어나오게 된다. 이러한 현상을 "Sputtering 현상" 이라고 한다. [ Glow discharge - 압력이 100～103 Pa 정도되는 진공내의 두 개의 전극 간에 고전압을 걸어주었을 때, 양전극에 생기는 방전현상] 튀어나온 secondary electron이 Ar과 충돌해서 ionization시켜서 Ar+를 만들거나 Ar* 을 만들고 Ar* 이 ground state로 떨어지면서 빛을 낸다. (glow discharge)충 돌 전충 돌 후② Sputtering의 특징?거의 모든 원소를 sputtering 할 수 있으며 합금, 화합물도 조성을 유지하면서 증착이 가능?고용되지 않는 원소도 증착 가능?증착 시 증착물의 조성을 바꿀 수 있다.?산화물의 증착이 가능하다.?증착막 두께의 균일성?큰 면적의 타겟 이용 가능?열적증발(Thermal evaporation)이 없다.?저온 증착이 가능?전자의 입사에 의한 기판의 손상?에너지의 비효율성?높은 working pressure ⇒ 박막의 순도 ↓③ sputter의 종류D.C sputter R.F sputterⅠ) DC sputtering직류전원을 이용한 sputtering 방법이다. DC sputtering에서는 target이산화물이나 절연체일 경우 sputtering되지 않는다. 이러한 경우 sputter 초기부터 target 뒷면의 영구자석을 회전 크다. - 구성이 간단하다.- 성이 복잡한 것도 적용시킬 수 있어 타깃재료성분 그대로 스퍼터 코팅이 된다.- 높은 에너지의 공정이므로 밀착강도가 높다.≫단점- 높은 Ar 압력이 필요하다.(10～15 mTorr)- Target 재료가 금속에 한정된다.- 생성속도가 적다. 즉 물질에 따라서 수 10nm/분 ~ 200nm/분의 두께이다.- 타깃은 판상으로 해야 한다.- 기판이 과열되기 쉽다.Ⅱ) RF SputteringDC sputtering에서는 target이 산화물등 절연물체일 때는 스퍼터링이 되지않는다. 그러나 고주파(RF : radio frequency)를 사용하면 절연체도 스퍼터링이 되며 1/1000 ~ 1/10000 torr 같은 저압에서도 플라스마가 유지될 수 있다. 보통은 13.56MHz의 주파수를 사용한다. 이러한 주파수 영역에서는 ion은 무겁기 때문에 potencial의 변화를 따라가지 못하지만 전자는 potencial의 변화에 충분히 대응하게 된다. 따라서 전자가 어느 한 쪽으로 몰리게 되면 다른 전극에는 ion으로 생성된 sheath가 생기게 되며 DC의 경우와 마찬가지로 sputtering이 발생하게 된다. RF sputtering은 금속 이외에도 비금속, 절연체, 산화물, 유전체 등의 sputtering이 가능하다.≫장점- Plasma 및 oscillating power source를 사용하므로 거의 모든 재료를 sputtering 가능- 낮은 working pressure≫단점- 절연체 target은 열전도성이 좋지 않아 열충격에 약하다.- 제한된 증착 속도로 증착 ⇒ 금속 target을 반응성 증착으로 절연막 형성- 생성된 막이 target의 조성과 반드시 일치하지 않는다.Ⅲ) magnetron sputteringⅣ) Reactivity Sputtering4. 실험결과※ 열처리 온도에 따른 resistivity의 변화resistivity(μΩ-㎝) = sheet resistance(Ω/ ) × 두께(㎝)Ω = 10?μΩ100nm = e pressure: 1*10-5 torrWorking pressure: 3.0 * 10-3 torrThickness: 100 nm(deposition rate(Cu):0.88nm/sec)Annealing conditionPressure: 1*10-5 torrtemperature: as-dep , 100oC, 200oC, 300oC, 400oCAnnealing time : 30 minas-dep100℃200℃300℃400℃※ SEM, XRD 분석에 따른 고찰이번에 PVD(sputtering)과정을 거쳐서 만들어진 5개의 구리필름 조각에 관상로를 이용하여 100~400℃ 까지 100℃씩 온도의 변화를 주어서 열처리를 가하여 면저항을 측정하고 금속의 grain을 관찰한 결과 열처리를 하지 않은 구리필름이 저항이 가장 크며 높은 온도에서 열처리를 할수록 저항이 줄어드는 것을 확인할 수 있었으며 금속의 grain은 고온에서 열처리를 할수록 grain이 성장하여 더 큰 grain을 형성 하는 것을 알 수 있었다.이러한 결과가 나타난 것을 보아 스포터링을 통해서 구리 필름을 형성할 때 내부에 있는 플라즈마형태로 존재하는 아르곤입자나 이온이 구리판에 충돌하면서 구리입자가 떨어져 나오는 방식으로 구리입자는 무작위로 떨어져 내려 아래에 있는 sio2필름에 쌓이게 되므로 무작위로 배열이 되어 사진과 같이 작은 grain이 형성되는 것으로 생각되며, 이것에 열처리를 가하면 구리 원자 열에너지에 의하여 진동을 하며 자리를 잡아감에 따라 원자들이 재배열이 되며 재배열과 함께 새로운 grain이 생성되어 이전의 grain보다 더 큰 크기로 성장하게 되는 것을 사진을 통해 확인할 수 있다. 이 과정을 통해서 grain이 성장하여 더 큰 grain을 형성하게 되면 저항이 감소하는 것을 알 수 있다. 이로서 grain의 성장과 저항에는 밀접한 관계가 있음을 알 수 있고 그 원인은 전자가 같은 거리를 이동한다고 하였을 때 grain이 작은 경우 보다 grain이 더 큰 경우 grain과 gr 있다.

공학/기술| 2014.04.03| 7페이지| 1,000원| 조회(187)

cu film, 구리박막, 구리 전기적 특성

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솔젤법(Sol-Gel Process)

솔젤법 (Sol-Gel Process)을 이용한TiO2 박막제조 및밴드갭(bandgap)에너지 측정1. 실험목적산화물 반도체 박막 특히 TiO2 박막을 솔젤법으로 제작하고, 밴드갭에너지를 측정한다. 본 강의를 통하여 솔젤화학에 관한 이해를 증진시킴과 동시에 밴드갭에너지측정원리를 이해하는 것을 목적으로 한다.2. 실험방법(1) TiO2 sol preparationa. 물기없는 500 cc 비이커 두개 및 stirring bar 준비b. 비이커 (a)에 150 cc 무수에탄올(absolute)+물(deionized water) 2.7 cc+질산(70%, Aldrich) 섞은 후 약 5분간 stirring.c. 비이커 (b)에 150 cc 무수에탄올(absolute)에 TTIP 23.04 cc를 섞은 후(Aldrich, Titanium (IV) isopropoxide 97%) 약 30초간 stirring.d. 비이커 (a)의 solution을 비이커 (b)에 방울방울 첨가하여 약 30초~1분사이에 완전히 첨가.e. 비이커를 sealing한 후 약 1~2시간동안 계속 stirring 후 nalgen병에 옮긴후 냉장보관(2) TiO2 thin film 제조a. 2cm*2cm glass 기판 클리닝 [아세톤 5분 sonification, 흐르는 DI물에washing, 에탄울 5분 sonification]b. TiO2 sol을 기판에 완전 cover하도록 dropper로 drop시킨 후 3000 rpm 1분동안 spinning함.c. 위의 step을 여러번 (3번까지) 반복하여 coating층 제조 총 3개 샘플제작d. 샘플 2개 각각 500℃와 800℃로 열처리(3) 밴드갭에너지 측정a. UV-Visible spectroscopy를 이용하여 200~800 nm까지 absorbance 측정하여 얻음.b. 얻어진 raw data를 A2(absorbance의 제곱, y축)과 hυ(x축)으로 plot한 후 커브의 연장선과 x축사이 만나는 x값이 밴드갭 에너지임. TiO2의 경우ing)을 통하여 분말이나 섬유, 박막 및 모노 리스 등의 제조가 가능함으로 최근 상당한 관심과 두각을 나타내고 있는 분야이다.Sol -gel법은 용액 즉, sol 로부터 출발한다. 여기서 졸이란 일반적으로 1-1000nm 정도의 입자들로 이루어져 있어서 van der waals 인력이나표면전하의 작용이 주된 원인이 되어 침전 없이 균일하게 분산된suspension 형태를 말한다.이렇게 형성된 졸은 용매 및 유기물의 제거에 의해서 유동성이 없는gel로 전이되는데 이때 사용되는 원료는 일반적으로 다음과 같다.금속 알콕사이드 및 염 : 원하는 산화물 세라믹스 제조를 위한 출발물질알 콜 등과 같은 용매 : 알콕사이드나 염과 같은 출발물질의 용해H2O 및 H2O을 포함한 기타 물질 : 가수분해 및 중축합 반응용산 또는 염기 : 가수분해 및 중축합 반응의 촉진을 위한 촉매작용 및 입자들의 응집방지안정화제 및 그 밖의 첨가물금속 알콕사이드는 반응성이 풍부하며 용액 중에서 산소-금속-산소결합으로 이루어진 금속산화물의 중합체, 즉 금속산화물의 전구체(precursor)를 만들기 때문에 sol - gel법의 원료 화합물로 많이 사용된다.금속 알콕사이드는 M(OR)n의 일반식으로 나타내는데 여기서 M은 금속원소, R은 알 킬기 그리고 n은 금속원소의 산화수이다. 알콕사이드는 M및 R의 종류에 따라서 액체상태와 고체상태가 있으며 M의 종류는 합성하고자 하는 산화물의 종류에 따라서 정해진다.sol -gel법에서는 일반적으로 출발 물질이 균질하여 야하며, 또 출발용액은보통 알 콜, 물 및 산 또는 염기로 된 용액으로 이들이 용액 중에서 용해되어야 하며, 특히 복합산화물을 만들 때에는 알 콜에 용해되는 것이 바람직하다.이렇게 되기 위해서는 가용성의 금속 알콕사이드를 선택할 필요가 있으며하나의 M에 대하여 R의 종류에 따라 가수분해 특성 및 중축합 특성이 달라지므로 용액조성 전체에 대하여 고려함과 동시에 목적에 따라 R의 종류를 선택 할필요도 있다2. Sol -gel 법의 반응Sol-g해M - OR + H2O → M-OH + ROH ----------------- (1)(2) 중축합 반응 (condensation)Alcoxolation ( alcohol condensation )M-OR + HO -M → M-O-M + ROH -------------- (2)(3) Oxolation (water condensation)M-OH + HO-M → M-O-M + H2O ---------------- (3)알콕사이드 M(OR)n과 알 콜 ROH에서 R이 다를 때에는 알콜분해에의하여 M(OR)n 중의 OR기가 달라지며 OR기의 반응이 완료되면 그 이상의 반응은 진행되지 않는다. gel 화가 일어나기 위해서는 금속 알콕사이드의 중축합반응에 의해와 같은 M - O 결합으로 형성되는 중합체의 생성이 필요한데 이러한중합이 일어나기 위해서는 가수분해가 반드시 일어나야 한다.공정의 전체적인 개략 도를 나타내었다.3. Sol ?gel 특성에 영향을 미치는 인자Sol-gel 특성에 주로 원료 물질에서 기인한다. 앞에서 간단히 살펴본바와 같이 원료물질에는 금속 알콕사이드, 물, 산 또는 염기, 용매, 기타첨가물 등을 들 수 있으며 sol의 제조 공정중의 변수로써는 peptizatin 온도 등을 들 수 있다.[3] 이들의 원료물질 들의 종류와 양 및 제조공정 변수는 sol-gel 특성에 크게 영향을 미칠 뿐만 아니라 그들 간의 유기적인관계에 의해 매우 복잡하여 영향 또한 간단히 설명하기 어렵다. 그래서 본 절에서는 기존에 보고 되어지고 있는 내용을 중심으로 간략하게이들의 영향을 살펴보도록 하겠다.(1) 물의 양물은 sol-gel 반응에 있어서 가수분해 및 중축합 반응용으로 사용되는 원료로써 가장 필수적인 요소라 하겠다.그러나 TTIP와 같이 물에 대한 반응성이 우수한 금속 알콕사이드를사용할 경우 공기중의 수분의 양을 조절하여 물의 양을 조절하여 실제첨가하지 않는 경우도 있다. 또한 경우에 따라서는 별도의 용매를 첨가하지 않고 물을 용매로 사용하는 경우도 있다. 이러한 . 또한물을 solvent를 물로써 사용하고 산을 일정량으로 사용할 경우 pH가 증가하게 된다.이러한 aggregate size의 변화는 상 전이에 영향을 미치게 되며Kumar 등의 연구에 의하면 이는 rutile의 임계 핵 크기가 anatase의primary crystallite 크기 보다 큼으로 낮은 배위 수를 갖을수록 rutile의 임계 핵 크기에 이르기가 어려워지게 된다고 보고하고 있다. 즉 aggregatesize가 감소할수록 상 전이는 늦어지게 된다. 한편 A.G Ganor등은 물의양이 증가할수록 rutile로의 상전이가 증가한다는 결과를 보고하고 있기도 하다.(2)금속 알콕사이드출발 물질로써 사용되는 금속 알콕사이드는 앞에서 언급한 바와 같이 M(OR)n의 화학식을 가지며 여기서 R은 alkyl group 이다. 이 alkylgroup의 종류는 가수분해 반응 및 중축합 반응을 제어하게 되며, 또한가수분해 반응 및 중축합 반응 후 남게 되는 residual alkyl group은 sol -gel 법에 의해 제조된 물질의 morphology 및 상 전이에 영향을 미친다.B. E Yoldas는 alkyl group에 영향에 대한 연구에서 더 높은 alkylgroup을 사용한 경우 더 조대 한 texture를 형성한다고 보고하고 있으며,K. Terabe 등은 residual alkyl group이 상 전이에 영향을 미치며residual alkyl group 이 많을수록 상전이가 늦어진다고 보고하고 있다.(3) 산 또는 염기산 촉매 와 염기성 촉매의 첨가 여부 및 양에 따라 가수분해 기구는판이하게 달라지는데 산성촉매 첨가 시에는 하이드로늄이온의 프로톤H+ 가 OR 기의 O를 공격하는 친전자 기구에 의하여 가수분해가 일어나게 된다. 이러한 산 촉매의 역할은 크게 가수분해 반응을 촉진시키며, 또한 수분의 함량이 적을 경우에는 단량 체가 완전히 가수분해 되기 전에중축합 반응이 진행되므로 가교결합이 생길 확률이 작아지게 되며 선형구조를 형성하기 쉽다. 이는 Kee할 수 있는데 이것도 하나의 분자내에서 가수분해반응이 빠르게 진행되기 때문이다. 또한 산 촉매는 촉매로써의 역할뿐만 아니라 pH를 변화시킴으로써 앞에서 설명한 바와 같은 sol의 안정성에 영향을 미치게 된다.4.Spin coating스핀 코팅은 장치가 간단하고 두께가 균일한 film 을 얻을 수 있고Sol의 점도, 기판 회전속도를 조절함으로써 막의 두께를 조절할 수 있다.특히 기공의 크기,부피, 및 표면적등과 같은 미세구조를 제어하기가용이하기 때문에 널리 이용되고 있다.4. 실험결과(1)파장(nm)에 따른 absorbance의 변화 그래프 (UV-Vis)-열처리안함-500도 열처리-800도 열처리(2) 측정결과를 conversion하여 TiO2막의 bandgap 설정- 열처리 하지않음bandgap 에너지 = 4.54*10?¹? J- 500도 열처리bandgap 에너지 = 4.44*10?¹? J- 800도 열처리bandgap 에너지 = 4.72*10?¹? J(3) 열처리 온도에 따른 bandgap 변화 고찰이번 실험의 결과를 보기 전 예상했던 결과는 열처리에 따라 TiO2 박막의 결정화도가 높아지고 이온과 TiO2와의 상변화로 인하여 bandgap 에너지가 감소할 것으로 예상했지만, 결과를 통해 나타난 결과는 열처리를 하지 않은 것과 500도 열처리 한 샘플에서는 bandgap에너지가 감소했지만 500도와 800도 샘플 사이에서는 증가하는 결과가 나타났다. 이 결과를 보고 생각 할 수 있는 것은광촉매 반응에서 반응성에 영향을 줄 수 있는 것은 촉매가 에너지를 얼마나 잘 흡수할 수 있는가를 나타내는 흡광용량(light-absorptioncapacity)과 전자와 정공의 재결합 속도가 결정되는 밴드갭이다[29].따라서 에너지 흡수율과 밴드갭을 알아보기 위해 UV-DRS로 흡광도를 측정하였다. Figure 6은 TEATBF에 도핑이 된 것과 도핑이 되지않은 TiO2 광촉매의 UV-DRS 분석 결과를 나타낸 것이다. 분석은 3h동안 이루어졌고 평균값의 오차 값은 ± 2성 특성

공학/기술| 2014.04.03| 12페이지| 1,000원| 조회(998)

솔젤법, SOL-GEL, 밴드갭, solgel, 솔겔법

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산화 공정

산화 공정1.실험 목표실리콘이 집적회로에 많이 사용되는 중요한 이유 중의 하나는 훌륭한 산화층(oxide), SiO2를 형성할 수 있다는 것이다. 이 산화층은 절연체로서 MOSFET과 같은 소자 및 소자들 간의 영역에 사용된다. SiO2 형성을 위한 다양한 방법이 사용되고 있다. 그 중에서 이번 실험에서는 열 산화(Thermal oxidation)방법에 대해 소개할 것이다.산화 공정과 산화 기구의 기본 원리와 산화 막 성장에 영향을 미치는 공정 변수들에 대해 알아보도록 하자.2.실험 방법* cleaning 공정① H2SO4 와 H2O2 를 4:1로 만든 용액에 Si wafer를 100℃, 1min 동안 담가놓는다.② D.I (de-ionized) water로 충분히 헹군다.③ Si wafer를 B.O.E에 넣어 10sec동안 etching한다.④ 다시 D.I water로 충분히 헹군다.⑤ Si wafer의 물기를 제거한다.* furnace 공정① furnace를 1200℃까지 올린다.② Si wafer를 furnace 안에 넣고 정해진 시간만큼 산화 시킨다.* inspection 공정① 일부분을 제외한 나머지부분의 산화막을 B.O.E를 이용하여 제거한다.② AFM을 이용하여 산화막의 단차를 측정한다.3.이론적 배경-산화 공정의 정의반도체 소자 제조 공정 중 하나로 고온(800-1200℃)에서 산소나 수증기(H2O)를 주입시키고 열을 가해 실리콘 웨이퍼 표면에 얇고 균일한 실리콘 산화막(SiO2)을 형성 시키는 공정이다. 실리콘 산화 막은 실리콘 표면에 원하지 않는 오염을 방지하는 역할 뿐 아니라 반도체 소자에서 매우 우수한 절연체(insulator)로 전류와 도핑물질(dopant)의 이동을 막는데 사용되는 물질로 고품질의 SiO2 박막을 성장시키는 산화 기술은 반도체 공정에서 매우 중요하다.-산화막의 용도·확산 공정 Mask layer도핑 방법은 산화막에 패턴을 형성하고 도펀트를 확산 또는 이온 주입 시키는 것이다. 도핑 중 도펀트는 실제로는 산화층 내로 확산된다. 그러나, 실리콘보다는 산화막에서 천천히 확산된다. 산화막두께를 충분히 두껍게 형성한 부분은 도펀트가 웨이퍼 표면에 닿는 것을 막을 수 있다.·표면보호첫 번째로 표면 보호는 실리콘의 비저항과 전도도는 0.001%의 dopant로도 변화한다. 그런데 공정 중에 생긴 오염으로 인해 저항과 전도의 형태가 바뀌고 소자의 동작이 바뀌게 된다. 산화 실리콘의 층은 두가지 방법으로 오염을 방지한다. 첫째, 오염물이 실리콘에 닿는 것을 막아준다. 둘째, 산화층이 아래로 성장해감에 따라 새로운 표면이 형성된다. 원래 표면에 있던 오염물이 산화층 위로 올라가 덜 위험하게 된다.·소자간의 격리LOCAS(Local Oxidation of Silicon), STI·Gate capacitor·MOSFET에서의 유전체MOSFET에서는 source와 drain을 연결하는 channel을 형성하는 전하를 유기시키기 위해 의도적으로 gate에 충분히 얇은 산화막을 성장시킨다. 이러한 산화막을 게이트 산화막(Gate Oxide)이라고 한다.딜-그로브의 열 산화 모델 (Deal-Grove Model of Oxidation)Si기판을 고온(1000℃ 전후)하에서 산소 등의 산화성 가스에 노출시키면, Si표면이 산화되어 SiO2 막이 형성된다. SiO2 막의 질과 두께를 제어하기 위해서는 산화기구를 알아야한다. 산소분자(O2)등의 산화 종이 우선 SiO2막 표면에 흡착한 후, SiO2막 중을 확산에 의해 통과하여 Si 와 SiO2의 계면에 도달하면 그곳에서 Si와 반응(산화)하여 SiO2가 형성된다. 다시 말해 SiO2 내에서의 실리콘 확산도는 O2 의 확산도보다 매우 작다. 따라서 화학반응은 Si-SiO2의 경계면에서 일어난다. 이는 중요한 효과로 열 산화에 의해서 형성되는 경계면은 대기 중에 노출되지 않는다. 따라서 불순물에 대해 비교적 자유롭다.Si의 산화를 고온에서 하는 이유는 상온에서는 Si 및 산소분자 모두 자연 산화층을 통해 확산할 수 있을 만큼 활동적이지 못하기 때문이다. 따라서 곧 반응은 멈추게 되고 이때 산화층의 두께는 25Å을 넘지 못한다.Deal-Grove Model은 oxidation mechanism을 설명하는 model로써,oxidation reaction은 oxide/ambient gas interface 보다는 oxide/substrate interface에서 일어난다고 가정하고, 다음 3가지 현장들에 의해 일어난다.-AFM(Atomic Force Microscopy)날카로운 탐침(Tip)이 표면에 수Å 이내로 접근하며 Scanning이 이루어 지며, 이때 표면과 탐침사이의 작용하는 상호힘에 의한 켄틸레버의 굽힘을 측정하여 피이드백 제어함으로서 표면 이미지가 얻어진다. STM(Scanning Tunneling Microscopy)의 경우에는 시료와 탐침사이의 터널 효과(Tunneling effect)를 이용하여 투과전류(Tunneling Current)가 제어되고, Scanning이 이루어지면서 표면 굴곡 정도에 따라 나타나는 전류 변화를 표면의 높이 함수로 전환하여 이미지를 형상화 하며, 이와 달리 AFM은 분석시료와 탐침 사이를 접근시킬 때 나타나는 시료표면과 탐침사이의 원자력을 측정하고 그것을 피이드백으로 조절하는 기능을 가지며 시료표면의 굴곡정도에 따른 원자력간 차이를 모니터링하여 이미지를 얻는다. STM이 도체 표1면만을 측정하는 것과 달리 AFM은 시료의 전기적인 특성과 무관하므로 도체, 반도체 및 부도체등 모든 시료의 분석에 범용적으로 이용되고 있다.-AFM 측정원리 및 구조AFM의 측정 방식에는 Contact Mode와 Dynamic Mode가 있다. Contact Mode중 가장 일반적인 방법은 등간격유지 제어방식으로서 시료의 표면을 Scanning 하는 Cantilever의 탐침(tip)이 시료에 접근하게 되면 탐침과 시료사이의 상호 작용력(interaction force)에 의해 켈틸레버가 굽힘이 일어나고, 이때 반사되는 Beam의 변화양을 Photodiode가 감지하여 이 신호가 z-motion 컨트롤러에 전달되며, 컨트롤러는 시료가 올려져 있는 PZT scanner의 z축의 위치를 변화시켜 tip 과 sample 표면간의 간격을 일정하게 유지 시켜 PZT scanner의 z 축 변위량을 표면이미지로 형상화 한다. 반면, Dynamic Mode는 Tip과 시료사이의 거리가 2-30nm정도로 Contact Mode일때보다 크며, 팁과 시료사이의 작용힘이 보다 Rough하게 측정된다. Dynamic Mode에서는 Cantilever가 PZT vibrator에 의해 Resornance Frequency주위에서 연속적으로 진동하며 이때 나타나는 작용힘의 감도량을 감지한다. AFM은 구조는 다음과 같이 되어 있다. 실제 시료표면과 상호작용하는 탐침(tip)을 포함한 Cantilever, 켄틸레버의 굽힘량을 감지하는 센서 unit(Laser beam, Photodiode), PZT(Piezoelectric transducer) scanner와 feedback controller unit, 등으로 구성된다.4. 실험 결과4시간1시간2시간-AFM 측정 사진1시간2시간4시간산화막의 두께38.69nm104.92nm213.19nm-실험 결과에 대한 고찰이번실험에서 결과에 영향을 미치는 중요한 변수는 역시 시간인 것 같다. 다른 변수들에 비해 생성되는 산화막의 두께에 직접적으로 영향을 미치고있기 때문이다. 이번 실험을 시작할 때 우리가 실험하고자 했던 시간에 형성되는 산화막의 두께를 알지 못하고 시작한 실험이므로 정확한 계산값은 알 수 없었다. 하지만 산화가 시간에 비례해서 진행되어지는 것으로 생각할 수 있기 때문에 대략적인 실험의 성공 여부를 알 수 있을 것으로 생각되어진다.

공학/기술| 2014.04.03| 9페이지| 1,000원| 조회(214)

산화, 산화공정, 산화 공정

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