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  • 전자통신 기초실험 1 반도체 다이오드 2 제너 다이오드 결과 보고서
    전자통신 기초실험 1 반도체 다이오드 2 제너 다이오드 결과 보고서
    전자회로 실험 및 설계결과보고서반도체 다이오드제너 다이오드1. 반도체다이오드▣ 참고 문헌- 전자통신 기초실험(상학당) p143~p152- 인터넷 네이버 블로그▣ 시뮬레이션 결과9.456V그림 1-9 (b) 회로Pspice - 시뮬레이션결과1. 고정전압의 순방향 바이어스의 경우543.7mV그림 1-9 (a) 회로Pspice - 시뮬레이션결과695.4mV그림 1-10 회로Pspice - 시뮬레이션결과(a)(b)(c)V _{PS}V _{F}V _{R1}I _{F}V _{R1}V _{F}V _{F}V _{R1}I _{F}계산값10V9.379V1.995mA0.604V9.575V29.01mA측정값10V0.6212V9.369V0.4248V1. 고정전압의 역방향 바이어스의 경우0V에 근접그림 1-11 회로Pspice - 시뮬레이션결과V _{PS}V _{R1}V _{D1}I _{S}R _{D1}계산값20V19.986V1.40nA14.276GΩ측정값20V0.014V3. 다이오드 순방향 특성곡선그림 1-13 회로 (가변저항대신 전압의 크기를 변화를 줌)V _{F}0.7V0.65V0.6V0.55V0.5V0.4V측정값V _{IN}4.5095V1.9635V1.0700V0.7224V0.5601V0.4002V계산값V _{RI}3.8095V1.3135V0.47V0.1724V0.0601V0.0002V계산값I _{RI}0.0115A0.0039A0.0014A0.52mA0.182mA6.0㎂4. 다이오드 역방향 특성곡성0에 근접그림 1-13 회로Pspice - 시뮬레이션결과V _{PS} =8VV _{PS} =16VV _{PS} =24VV _{R1}I _{S}V _{R1}I _{S}V _{R1}I _{S}V _{D1}R _{D1}측정값0.008V0.8nA0.0107V1.07nA0.0166V1.89nA23.983V12.69GΩ검토사항① 그림 1-9에서 다이오드와 저항 R1의 위치를 서로 바꾸어 놓으면 부품들 사이에서의 전압강하는 변화하게 되는가?부품들 사이에서의 전압강하는 변화하지 않았다② 그림 1-10에서 R1의 저항을 330Ω에서 4.7㏀으로 증가시켰 을 때, 다이오드 양단 전압강하에 어떠한 작용이 발생하며 그 이유는 무엇인지 설명하여라.저항을 증가시킴에 따라 증가된 저항에 더 많은 전압이 걸 렸으며 그에 따라 다이오드 양단 전압강하는 떨어졌다. 저항 이 증가함에 따라 전체 저항이 증가하였고 전체 전압은 일정 함으로 회로에 흐르는 전류는 줄어들었다. 그러하여 다이오 드 양단 전압강하 역시 줄어들게 되었다.2. 제너 다이오드▣ 참고 문헌- 전자통신 기초실험(상학당) p153~p159- 인터넷 네이버 블로그▣ 시뮬레이션 결과1. 제너 다이오드의 순방향 및 역방향 바이어스753.8mA그림 2-7(a) 회로Pspice - 시뮬레이션결과11.96V그림 2-7(b) 회로Pspice - 시뮬레이션결과(a)(b)V _{PS}V _{zi}V _{R1}I _{R1}V _{PS}V _{zi}V _{R1}I _{R1}계산값20V19.279V4.102mA20V8.029V1.708mA측정값20V0.7210V20V11.9971V2. 전원전압을 변화하는 경우11.97V그림 2-8 회로(Vps=20V)Pspice - 시뮬레이션결과11.95V그림 2-8 회로(Vps=Vzi+2V)Pspice - 시뮬레이션결과Vps=20VVps=Vzi+2VV _{PS}V _{zi}V _{R1}I _{R1}V _{PS}V _{zi}V _{R1}I _{R1}계산값20V7.998V3.635mA2.053V0.9332mA측정값20V12.002V14V11.947V3. 제너 다이오드의 전압-전류 특성167nA~439nA까지 서서히 증가한다그림 2-8 회로Pspice - 시뮬레이션결과I는 12V이후 증가한다그림 2-8 회로Pspice - 시뮬레이션결과Vzi2V4V6V8V10V12V15V20VIzi0000043.18㎂1.405mA3.6739mA실험 고찰첫 번째 실험은 반도체 다이오드 실험이다.실험의 목적은 반도체 다이오드의 직류 특성을 조사하는 것이다.이 실험을 통해 순방향 다이오드, 역방향 다이오드, 다이오드 특성곡선을 배우게 되어 반도체 다이오드에 대한 기본적인 특성을 배울 수 있었다.두 번째 실험은 제너 다이오드 실험이다.실험의 목적은 제너 다이오드의 직류 특성을 조사하는 것이다.제너 다이오드에 순방향과 역방향 제너다이오드, 전압에 따른 제너 다이오드의 특성과 제너다이오드의 기본적인 특성들을 배울 수 있었다.그리고 실험을 통해 나온 값과 이론 값 사이에 오차가 발생하였지만, 이것은 실험실 내 환경적 요인이나 외부적 요인에 의해 발생한 오차인 것 같다.
    공학/기술| 2018.03.23| 10페이지| 1,000원| 조회(345)
    태그 전자, 실험, 회로, 보고서, 결과보고서, 통신, 결과 보고서, 결과, 제너 다이오드, 반도체 다이오드
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