soomee123 스토어

soomee123

개인인증

팔로워4 팔로우

소개

등록된 소개글이 없습니다.

전문분야 등록된 전문분야가 없습니다.

판매자 정보

학교정보

입력된 정보가 없습니다.

직장정보

입력된 정보가 없습니다.

자격증

입력된 정보가 없습니다.

판매지수

판매중 자료수

12개
전체 판매량

518개
최근 3개월 판매량

1개
자료후기 점수

평균A
자료문의 응답률

-

전체자료 12개

광전자공학-Resolution Enhancement Technology

Resolution Enhancement Technology목차1. Resolution(분해능,해상도)2. Resolution Enhancement Technology(RET, 해상도향상기술)① OPC(Optical Proximity Correction, 광학근접보정)② OAI(Off-Axis Illumination, 비등축조명)③ PSM(Phase-Shift Masks,위상변위마스크)④ Immersion Lithography (액침노광)⑤ Double / Quadruple Patterning Technology1. Resolution(분해능,해상도)-> Resolution(분해능,해상도)은 서로 떨어져있는 두물체를 서로 구별할 수 있는 능력을 의미한다. 주로 광학기기의 성능을 나타낼때에 사용된다.두점이 근접해있을때 Airy Disk는겹치게되고, 두점이R 이하의 거리로 근접해있으면두점으로 보이지않고 한점으로 보이게된다. 이때의 R분해능 또는 분해능한계(resolution limit)라한다. 따라서 Rayleigh기준에 의하면 한 회절의 중심 극댓값이 다른 회절의 첫 번째 극소값에 있을때 겨우 분해 가능하다.Resolution공식은 다음과 같다.파장의변화가 없는상태에서 NA 값을 올리면 보다 작은 R값을 얻을수있다. 하지만 NA 값의증가는 한계가 있으므로 빛보다 짧은파장의 전자빔을 이용해서 R값을 보다 감소시킬수있다.반도체의 크기가 점점 줄어들면서 반도체 표면에 Pattern을 형성시키는 리소그래피 공정의 분해능이 더욱 좋아 져야한다. 따라서 공정변화 따라 분해능이 좋아지는 방법을 알아보자.2.Resolution Enhancement Technology(RET, 해상도향상기술)1) OPC(Optical Proximity Correction, 광학근접보정)회절 된 빛이 리소그래피 장비의 렌즈를 벗어 나게되고 그로 인해 웨이퍼에 패턴을 형성시키는 과정에 참여하지 못하게되어 웨이퍼 상에 왜곡 된 마스크 패턴이 생기는 현상이 일어난다. 이러한 근접 효과를 보정하기 위해 마스크 패턴을 만들 때 Assist feature (보조 형상)을 이용하여 분해능을 향상시키는 방법을 OPC(Optical Proximity Correction, 광학근접보정)이라고 한다.2) OAI(Off-Axis Illumination, 비등축조명)비등축조명 방식은 이름 처럼 빛을 비등하게 쬐여주는 방법이다. 아래의 그림을 보면 쉽게 이해할 수 있다.수직조명을 사용하면 패턴에 의해 회절된 빛은 웨이퍼에 도달 못하는 경우도 많지만 비등축조명으로 하면 회절이 일어난다해도 더 많이 빛을 모아 웨이퍼에 전사시켜 좀 더 정확한 상을 맺게 해주는 장점이 있다. 즉 ?0차항 뿐만 아니라 +1, -1차항의 빛을 렌즈로 집속시켜 상을 맺을 수 있게 하는 해상도 향상 기술이다.3) PSM(Phase-Shift Masks, 위상변위마스크)Phase Shift Mask는 180 도의 위상 변화를 통해 상쇄 간섭을 이용하여 분해능을 향상시킨다.Phase Shift Mask의 원리는 일반 마스크는 마스크 패턴을 지나가는 빛이 웨이퍼에도 달할 때 회절에 의하여 분포되어 있던 빛 에너지가 변하게된다. 마스크를 통과 한 빛은 보강 간섭이 발생한다. 그로 인해 마스크의 불투명 한 부분 (투과도가 0 % 인 부분)에서도 상당히 큰 전기장이 발생하게되며, 전기장의 제곱에 비례하는 빛 에너지가 웨이퍼에 조사되어 분해능을 떨어뜨린다. 그러나 마스크의 불투명 한 부분과 투명한 부분의 위상을 180도 위상 차이를 가지도록 층을 변화 시키면, 회절되어 웨이퍼에 도달하는 빛은 서로 반대의 값 (+,-)을 가지게되어 상쇄된다. 따라서 분해능을 향상시킬 수 있다.4) Immersion Lithography (액침노광)RES=K _{1} {lambda } over {NA} Resolution 식을 보면 노광공정이 잘되게 하기 위해서는 Res가 낮을수록 좋다. 이를 위해서는 파장을 줄이는 방법이 있는데 파장을 줄이면 그만큼 에너지, 즉 전력 소모가 크기 때문에 좋지 않다. 그렇기 때문에 NA를 늘리는 방법을 선택해야 하는데 NA는 n sinx이기 때문에 n(굴절계수)를 늘리거나 sinx를 늘릴 수 있다. 공기의 굴절계수는 n=1이고 물의 경우 n=1.44정도라서 공기 대신 물을 사용함으로써 NA를 늘릴 수 있다. 이를 immersion lithography라고 한다.5) Double / Quadruple Patterning Technology해상도를 높이기 위해 노광과 패터닝 단계를 각각 두번씩 또는 네번씩 반복하여 패터닝 하는 방법이다.Double Patterning은 구현하는 방법에 따라 크게 SADP(Self-Aligned double patterning)과 LELE(Litho-etching-litho-etching)로 나뉜다.SADP는 기초 패턴을 형성한 뒤 여러 번 식각을 해서 패턴을 미세화한다. 패턴을 한 번만 만들기 때문에 정교한 패턴은 구현하기 어려워 메모리에서 주로 활용된다. LELE는 말 그대로 노광, 식각, 노광, 식각으로 패턴을 2번 나눠 그린다. 비용이 많이 들지만 정교한 패턴 구현이 가능하다.

공학/기술| 2020.11.20| 8페이지| 2,000원| 조회(292)

광전자공학, RET, Resolution, enhancement

미리보기

닫기
광전자공학-Flexible Display

Flexible Display목차1. Flexible Display란?2. OLED Flexible Display3. Flexible Display제조기술4. 플렉시블 디스플레이의 발전 순서1. Flexible Display란?Flexible Display는 유리기판을 플라스틱 필름으로 대체하여, 말고 접고 펼 수 있는 유연성을 가진 디스플레이이다.2. OLED Flexible DisplayLCD 방식은 백라이트 유닛을 사용하는 구조적인 특성상 유연성 확보가 어려워 보다 다양한 형태를 구현하고 확장해 나가는 데 한계가 있다. 반면 OLED의 경우 백라이트가 필요없고 유기 물질로 이루어져 있기 때문에 유연성을 확보할 수 있어, 플렉서블 디스플레이 구현에 가장 적합한 기술로 각광받고 있다. 플렉서블 디스플레이는 OLED와 기본 구조는 동일하지만, 유리 기판이 아닌 플라스틱의 한 종류인 폴리이미드(Polyimide)를 기판소재로 활용하였다.3. Flexible Display제조기술딱딱한 유리 기판이 아닌 유연한 플라스틱의 한 종류인 폴리이미드(Polyimide)기판을 가장 많이 사용한다. 플라스틱은 얇고 가벼울 뿐만 아니라 충격에도 강하다. 또 휘거나 굽힐 수 있고 다양한 형태로 제작이 가능하다는 장점을 갖고 있다. 폴리이미드기판은 액체상태에서 냉각해 박막의 필름형태로 만든다. 기판위에 증착할때는 기판이 너무 힘이 없기때문에 rigid 기판을 붙여 공정을 하고 rigid 기판을 때어내어 완성시키는 방법을 사용하고 있다.4. 플렉시블 디스플레이의 발전 순서? 1단계: 떨어뜨려도 부서지지 않는 ‘언브레이커블(Unbreakable)’? 2단계: 휘어지는 ‘커브드(Curved)’? 3단계: 사이드가 구부러지는 ‘벤디드(Bended)’? 4단계: 종이처럼 접을 수 있는 ‘폴더블(Foldable)’? 5단계: 두루마리 형태로 둘둘 말 수 있는 ‘롤러블(Rollable)’? 6단계: 디스플레이의 크기를 늘렸다 줄였다 자유자재로 바꿀 수 있는‘스트레쳐블(Stretchable)’참고문헌https://ko.wikipedia.org/wiki/%ED%94%8C%EB%A0%89%EC%84%9C%EB%B8%94_%EB%94%94%EC%8A%A4%ED%94%8C%EB%A0%88%EC%9D%B4

공학/기술| 2020.11.20| 5페이지| 2,000원| 조회(176)

flexible display, 광전자공학, flexible

미리보기

닫기
광전자공학-Quantum Dot Display 평가D별로예요

Quantum Dot Display목차1.빛의 발광원리2.양자점의 개념3.Quantum Dot 디스플레이의 원리4.Quantum Dot 디스플레이1.빛의 발광원리빛의 발광 과정은 전자의 들뜸(excitation; 여기)으로 인해 발생한다. 들뜬 상태(excitation)가 된 전자는 더 높은 에너지대로 “점프”한다. 그다음 높은 에너지대에서 낮은 에너지대로 전자가 떨어지면서 빛을 발생한다. 여기서 빛을 방출하기 위해서는 전자의 에너지를 높여야 하는데, 빛을 흡수시켜서 전자의 에너지를 높여 빛을 방출시키는 방법을 photoluminescence(PL), 전류를 통해 에너지를 높이는 방법을 electroluminescence(EL)라고 한다.2.양자점의 개념반도체(Bulk)에서 원자로부터 전자가 이탈하면 그 원자는 (+)전하를 가지는 electron hole이 되어 (-)전하를 가지는 electron과 쿨롱력에 의하여 어느 정도 묶여 평균적으로 일정한 거리에 머물게 된다.마치 수소 원자와 같은 형태가 되는데 이를 하나의 (수소 원자와 비슷한) 입자처럼 취급하여 exciton(엑시톤)이라고 부른다. 하지만 반도체(Bulk)의 크기가 electron hole과 electron의 평균적인 원보다 더 작으면 exciton은 반도체 내에서 움직이지 못하고 갇히게 될 것이다. 이렇게 exciton이 가지는 평균적 거리(Bohr radius)보다 반도체 크기가 더 작거나 비슷해서 exciton이 갇혀버린 물질을 quantum dot 이라고 한다. 즉 Quantum dot은 나노미터 스케일의 아주 작은 반도체 입자들을 일컬어 부르는 말이다.3.Quantum Dot 디스플레이의 원리반도체(Bulk)의 크기에 따라 입자의 에너지가 변화하는 값이 달라진다. 크기가 커지면 에너지 변화는 줄어들고, 크기가 작아지면 에너지 변화는 커진다. 따라서 이를 파장과 연관시켜보면 QD의 크기가 커지면 방출하는 빛의 파장은 길어지고(RED방향), 크기가 작아지면 방출하는 빛의 파장은 짧아진다(BLUE방향). 이렇게 입자의 크기에 따라 에너지 레벨이 변하는 현상을 quantum Confinement (양자구속효과) 라고 한다. 따라서 QD의 크기에 따라 같은 물질에서 다양한 색의 빛을 방출할 수 있다.4.Quantum Dot 디스플레이양자점은 무기물이기 때문에 OLED와 같은 유기물질에 비해 가격이 싸고 수명이 길며, 색 재현성도 높고 외부 광원이 필요없어 플렉서블/투명 디스플레이 등에 활용이 가능함양자점을 형광물질로 사용하거나, 자체 발광소자로 사용함에 따라 QD-LCD(형광물질 사용), QD-LED (자체 발광물질) 로 나눌 수 있다.1) QD-LCD광원으로 사용한 BLU에 QDEF(Quantum Dot Enhancement Film)를 추가하여 Blue 파장의 빛이 퀀텀닷 필름을 통과하면 퀀텀닷의 크기에 따라 빛의 파장이 변하여 순도 높은 색상을 출력한다. 이로 인해 밝기 손실이 줄어들고 더 좋은 컬러 스펙트럼을 갖는 백라이트가 만들어 진다. 기존 LED BLU 대비 색 재현성이 약 2배에 가깝다고 한다.2)QD-LEDQLED의 경우 발광층으로 양자점을 사용하는 것을 제외하고는 OLED와 기본적인 구조가 동일하다. OLED에서 광원으로 활용되는 RGB(적, 녹, 청) 세 개의 OLED 소자 자리에 청색 소자만 있다. 그리고 그 위에 RG(적, 녹) 퀀텀닷 컬러 필터를 배치하여 세가지 색을 구현하게 만들었다. 청색광이 적색과 녹색 퀀텀닷(QD) 입자 수십억 개와 섞임으로써 순백색의 빛도 구현 가능하다.

공학/기술| 2020.11.20| 5페이지| 2,000원| 조회(325)

광전자공학, Quantum dot, QD display

미리보기

닫기
32장 교류회로에 대한 회로정리 결과리포트 (A+)

32장 교류회로에 대한 회로정리 결과레포트전자공학과 10조 2학년●결과데이터`1.C _{1}C _{2}R _{1}R _{2} 측정표시값측정값C _{1}0.1μF0.09μFC _{2}1000pF1030pFR _{1}9.2kΩ9.22kΩR _{2}10kΩ10kΩ▶ 9.2kΩ저항이 따로 없어서 5.6kΩ 3.6kΩ을 직렬 연결해서 사용함측정값=>5.64kΩ+3.58kΩ=9.22kΩ2. 원래 회로(그림 32-2a 회로)의 부하 전압과 위상각 측정부하표시값전압측정값위상각 측정값C _{L}0.01μF262mV67.3°L _{L}100mH1.46V14.7°R _{L}4.7kΩ708mV15.3°▶ 함수발생기를 17kHz , 3V(Vpp값)가 되도록 조정▶ 그림 32-2(a)처럼 회로를 구성해 A-B단자에 각각 부하를 연결하고 오실로스코프선 CH2를 A에, CH1을 B에 연결하여 CH2 - CH1 을 이용해 부하의 전압을 측정함▶ 원래회로의 부하(C _{L}L _{L}R _{L} )의 전압측정값은 각각 262mV 1.46V 708mV 가 나옴▶위상각을 측정하기 위해 CH1과 CH2 의 진폭이 같은 진폭이 되도록 스코프 화면을 보면서 맞추고 두 신호 사이의 시간차 △t을 측정함 (아래그림 참고)▶ 위상각theta =( {△t} over {T} ) TIMES 360°이므로 부하(C _{L}L _{L}R _{L} )의 위상각 측정값은theta _{CL} =( {△t} over {T} ) TIMES 360°=( {11 mu s} over {58.8 mu s} ) TIMES 360°=67.3°theta _{LL} =( {△t} over {T} ) TIMES 360°=( {2.4 mu s} over {58.8 mu s} ) TIMES 360°=14.7°theta _{CL} =( {△t} over {T} ) TIMES 360°=( {2.5 mu s} over {58.8 mu s} ) TIMES 360°=15.3°(※T는 함수발생기의 주기이다.)▶ 출력 단자에서 바라본 함수발생기의 임피던스는 R과 직렬이고 그 둘이 C와 R에 병렬인 상태이므로Z _{TH} =R _{1} ||(X _{C2} ||R _{2} `)X _{C2} = {1} over {j2 pi fC _{2}} = {1} over {j2 pi TIMES 17 TIMES 10 ^{3} TIMES 1030 TIMES 10 ^{-12}} `=-j9089ΩZ _{1} =R _{1} +C _{1} =9200+50=9250ΩZ _{2} =(X _{C2} ||R _{2} `)= {(10 TIMES 10 ^{3} ) TIMES (-j9089)} over {(10 TIMES 10 ^{3} )+(-j9089)} `=4523-j4977ΩZ _{TH} =R _{1} ||(X _{C2} ||R _{2} `)= {9250 TIMES (4523-j4977)} over {9250+(4523-j4977)} `=3900-j1985Ω=>Z _{TH} 는 3.9KΩ저항과 4700pF커패시터가 직렬인 경우(3900 - j1872Ω)와 비슷함▶ 함수발생기에서 본 복소 임피던스는 R과 함수발생기 자체의 내부저항과 직렬로 연결되어 있어서 전압분배법칙을 적용하여 무부하 출력 전압을 구할 수 있음V _{TH} = {Z _{2}} over {Z _{1} +Z _{2}} V _{S} = {4523-j4977} over {9250+4523-j4977} TIMES 3=1.22-j0.64=1.37V3. 테브낭 회로(그림 32-2b 회로)의 부하 전압과 위상각 측정부하표시값전압측정값위상각 측정값C _{L}0.01μF250mV64.7°L _{L}100mH1.46V17.4°R _{L}4.7kΩ708mV12.5°▶ 위 실험에서 구한Z _{TH} phantom{} V _{TH} 를 이용하여 그림 32-2b 그림처럼 테브냉 등가회로를 구성함▶ A-B단자에 각각 부하를 연결하고 오실로스코프선 CH2를 A에, CH1을 B에 연결하여 CH2 - CH1 을 이용해 부하의 전압을 측정함▶ 테브냉 등가회로의 부하(C _{L}L _{L}R _{L} )의 전압측정값은 각각 250mV 1.46V 708mV 가 나옴 원래회로(32-2회로)와의 비교하였을 때C _{L}의 오차={(262 TIMES 10 ^{-3} )-(250 TIMES 10 ^{-3} )} over {262 TIMES 10 ^{-3}} TIMES 100=4.5% 였고, 나머지는 오차가 없음▶ 위상각theta =( {△t} over {T} ) TIMES 360°이므로 부하(C _{L}L _{L}R _{L} )의 위상각 측정값은theta _{CL} =( {△t} over {T} ) TIMES 360°=( {10.6 mu s} over {58.8 mu s} ) TIMES 360°=64.7°theta _{LL} =( {△t} over {T} ) TIMES 360°=( {2.86 mu s} over {58.8 mu s} ) TIMES 360°=17.4°theta _{CL} =( {△t} over {T} ) TIMES 360°=( {2.04 mu s} over {58.8 mu s} ) TIMES 360°=12.5°원래 회로와 비교 하였을 때 각각의 오차는{67.3-64.7} over {67.3} TIMES 100=3.8%{|14.7-17.4|} over {14.7} TIMES 100=18.3%{15.3-12.5} over {15.3} TIMES 100=18.3%로 오차가 나옴, 원인은 원래Z _{TH} =3900-j1985Ω는 이렇게 나왔지만 테브냉등가회로를 구성할 때 3.9KΩ저항과 4700pF커패시터가 직렬인 경우(3900 - j1872Ω)로 회로를 구성하였기 때문에 오차가 발생함●결과이번실험은 복잡한 회로를 구성하고 그 회로의 테브냉 임피던스Z _{TH} 와 테브냉전압V _{TH}을 구하여 테브냉회로를 구성하고 부하를 연결해 비교해보는 실험을 하였다.Z _{TH} =3900-j1985 ,V _{TH} =1.37V 를 이용하여 테브냉 등가회로로 재구성 하였을 때 부하에 걸리는 전압은 원래 회로와 비슷한 값이 나와서 오차가 5%미만 이었지만 위상각을 측정하였을 때는 오차가 생각보다 크게 나왔다. 원인은 원래Z _{TH} =3900-j1985는 이렇게 나왔지만 테브냉등가회로를 구성할 때 3.9KΩ저항과 4700pF커패시터가 직렬인 경우(3900 - j1872)로 회로를 구성하였기 때문에 오차가 발생한 것 같다. 실험을 통해 아주 높은 주파수에서는 C2의 리액턴스는 작아지게 되는데 그로 인해 테브낭 전압과 테브낭 임피던스 또한 작게 나타나게 된다는 것을 알게 되었다.●평가 및 복습문제2.의 회로로부터 최대 전력이 전달되도록 하려면 부하 임피던스는 테 브낭 임피던스의 공액 복소수 (complex conjugate)가 되어야한다 (공액 복소수는 단순히 허수항의 부호를 바꾼 것임을 기억 하여라).

공학/기술| 2020.11.20| 4페이지| 2,000원| 조회(186)

기초회로실험, Floyd, 교류회로, 전자공학과, 32장, (A+)

미리보기

닫기
기초회로실험 30장 병렬공진(A+) 평가A+최고예요

30장 병렬 공진 예비레포트전자공학과 10조 2학년◎ 실험목적이 실험을 통해 다음을 할 수 있도록 한다.1. 병렬 공진 회로의 공진주파수, Q, 그리고 대역폭을 계산한다.2. 병렬 공진 회로의 주파수 응답을 측정한다.3. 주파수 응답곡선을 사용하여 병렬 공진 회로의 대역폭을 결정한다.◎ 실험재료인덕터 : 100 mH 1개커패시터: 0.047 μF 1개저항 : 1.0 kΩ 1개심화연구 : 0.01 μF 2개, 1000pF 커패시터 1개응용문제 : 가청 주파수 대역(10 kHz까지)용 스위프(sweep, 소인) 발생기◎ 이론요약병렬RLC 회로에서, 각 가지에 흐르는 전류는 그 가지의 인가전압과 임피던스에 따라 결정된다. 이상적인 인덕터(저항 성분이 없음)의 가지 임피던스는X _{L}이고 커패시터의 경우엔X _{C}이다.X _{L}과X _{C}가 주파수의 함수이기 때문에 각 가지에 흐르는 전류 또한 주파수에 따라 달라진다. 주어진L과C에 대해 각 소자에 흐르는 전류가 크기는 같고 방향이 반대로 되는 주파수가 존재하게 된다. 이 주파수를 공진 주파수라 하며 직렬 공간에서 사용했던 것과 같은 식을 사용하여 구할 수 있다.f _{r} `=` {1} over {2 pi sqrt {LC}}회로가 공진할 때 이상적인 병렬RLC 회로의 회로도와 페이저도를 에 나타내었다. 몇 가지 재미있는 점들을 볼 수 있다. 공진 시 전체 전원 전류는 저항에서의 전류와 같다. 전체 전류는 실제로는 인덕터나 커패시터에 흐르는 각가의 전류보다 작다. 인덕터와 커패시터 간에 생기는 위상천이가 반대 반향이므로 전류를 더하면 서로 상쇄됀다. 또한 이상적인 경우에, 인덕터와 커패시터는 공진점에서 개방(open)된 것처럼 보이기 때문에 호로의 임피던스는 오직R에 의해 결정된다.L과C로만 구성된 두 가지에서, 전원 전류는 0이 되고 결과적으로 임피던스는 무한대가 된다! 물론 이 상황은 실제 소자에선 일어나지 않는데 실제 소자는 저항 성분을 갖고 있고 또 다른 영향을 받기 때문이다.(a) (b)그림 30-1한 식은 다음과 같다.L _{eq} `=`L LEFT ( {Q ^{2} +1} over {Q ^{2}} RIGHT ) `그리고R _{peq} `=`R _{W} `(Q ^{2} +1)R _{peq}는 병렬 등가 저항을 나타내고Q는 인덕터의Q값을 나타내며R _{W}는 인덕터의 권선 저항을 나타낸다.L _{eq} =L LEFT ( {Q ^{2} +1} over {Q ^{2}} RIGHT )R _{peq} =R _{W} (Q ^{2} +1) 그림 30-2변환식에 사용된Q는 인덕터의Q이다.Q`=` {X _{L}} over {R _{W}}공진 회로의 선택도(selectivity)는 회로가 어떻게 주파수의 그룹에 반응하는지를 설명한다. 선택도가 높은 회로는 좁은 범위의 주파수 그룹에 반응하고 그 외의 다른 주파수에는 반응을 하지 않는다. 병렬 공진 회로는 또한 특정한 주파수 그룹에 반응한다. 병렬 공진 회로에서 임피던스는 주파수의 함수로, 직렬 공진 회로의 전류 대 주파수 곡선과 같은 형태를 갖는다. 병렬 공진 회로의 대역폭(bandwidth)은 전류가 최대전류의 70.7%가 되는 주파수 범위를 말한다. 주파수에 대한 응답의 첨예도(sharpness, 날카롭게 응답하는것)는 다시 회로의 값의Q의해 측정된다. 회로의Q값은 회로에 저항이 추가된다면 인덕터에서의Q값과 다를 것이다.L과C가 병렬인 회로에 저항이 추가 되지 않는다면 병렬 공진 회로의Q값은 인덕터의Q값과 같게 된다.◎ 실험순서1. 100 mH 인덕터, 0.047 μF 커패시터, 1.0 kΩ 저항을 측정하여 에 적어 넣어라. 인덕터나 커패시터를 측정할 수 없으면 표시값을 사용한다.2. 인덕터의 저항값을 측정하여 에 기록하여라.3. 에 보인 회로를 구성하여라.R _{S1}에 걸리는 전압을 측정하여 회로의 전체 전류를 구할 수 있다. 다음 식을 사용하여 회로의 공진 주파수를 계산하여라.f _{r} `=` {1} over {2 pi sqrt {LC}}에 계산한 공진 주파수를 기록하여라. 오실로스코프로 측정하면서 함수발생기를 전압을 회로가 공진하도록 주파수를 조정하여라.R _{S1}에 걸리는 전압이 최소일 때 병렬 LC 회로의 임피던스가 최대가 되기 때문에 회로의 공진이 일어난다. 공진 주파수를 측정하고 에 기록하여라.7. 측정한 대역폭을 4로 나누어서 주파수의 증가분(fi)을 계산하여라. 즉,f _{i} `=` {BW} over {4}f _{i}의계산값을에 기록하여라.8. 에 기록한 공진 주파수)와 주파수의 증가분)을 사용하여 의 ‘주파수 계산값’ 행에 있는 11개의 주파수 값을 계산하고 기록하여라.9. 에 열거한 각각의 주파수 계산값으로 함수발생기의 주파수를 조정하여라. 각 주파수마다 함수발생기의 전압이 여전히 1.0 Vpp를 유지하고 있는지 점검하여라. 그런 다음R _{S1}에 걸리는 피크-대피크 전압을 측정하여 의 두 번째 행에 기록하여라.10. 감지저항R _{S1}에 옴의 법칙을 적용하여(즉, I= VR _{S1}/R _{S1})각 주파수마다 전체 피크-대-피크 전류 I를 계산하고 의 세 번째 행에 기록하여라.11. 각 주파수에서 측정한 전원 전압과 전원 전류의 측정값을 가지고 각 주파수에서 임피던스를 계산하여라. 에 임피던스의 계산값을 기록해서 표를 완성하여라.12. 에 임피던스 대 주파수의 곡선을 그려라. 곡선을 사용하여 대역폭을 결정하여라. 대역폭의 측정값으로 를 완성하여라.◎ 심화연구이 실험의 공진 회로는 때때로 펄스발진기에서 나오는 펄스에 의해 ‘링(ring, 발진 정현 파형의 진폭이 점점 작아지는 현상)’을 만들 수 있다. 어린이 그네와 비슷하다는 것이 적절한 표현일 것이다-그네는 계속 움직이다가 때때로 밀어주지 않는다면 결국 멈추게 된다. 이 경우에 밀어주는 동작은 함수발생기에서 나오는 사각파가 그 역할을 하는데 함수 발생기는 에 보인 것처럼 회로와 용량성 결합을 한다. 함수발생기를 500 Hz로 조정하고 병렬 LC 조합회로의 파형을 관찰하여라(아마도 안정적인 파형을 얻으려면 ‘TRIGGER HOLDOFF’ 단자를 조정할 필요가 있을 것이다.)C _{A}를 1한 응답의 첨예도(파형이 얼마나 날카롭게 생겼는지)에 대한 비례계수이고 Q가 클수록 대역폭은 작아진다.30장 병렬 공진 결과레포트전자공학과 10조 2학년●실험데이터1.L _{1} ,`C _{1} ,`R _{s1} 측정 표시값측정값L _{1}100mH102.16mHC _{1}0.047μF0.045μFR _{s1}1.0kΩ996ΩL _{1} 저항값157Ω▶L _{1} ,`C _{1} ,`R _{s1} `,L _{1}저항값 모두 f=2.5kHz 로 두고 측정함▶L _{1}저항값은 인덕터의 권선저항R _{W}임2.f _{r} `,`Q,``BW,``f _{i} 측정 계산값측정값f _{r} `2355Hz2.3kHzQ9.6BW245.3240.6f _{i} = {BW} over {4}61.3▶ 위와 같은 회로를 만들어 측정함Vs=1.0V[Vpp]▶f _{r} = {1} over {2 pi sqrt {LC}} = {1} over {2 pi sqrt {102.16m TIMES 0.045 mu }} =2355Hz▶X _{L} =2 pi fL=2 pi TIMES 2355 TIMES 102.16m=1511.6Ω 이므로Q= {X _{L}} over {R _{W}} = {1511.6Ω} over {157Ω} =9.6▶BW= {f _{r}} over {Q} = {2355} over {9.6} =245.3▶f _{i} = {BW} over {4} = {245.3} over {4} =61.3▶ 주파수의 증가분f _{i} = {BW} over {4} = {245.3} over {4} =61.3▶R _{S1} 의 양단에 오실로스코프를 연결하고R _{S1} 의 전압이 최소가 되는 주파수(=공진주파수)를 찾음f _{r} =2.3kHz 였고 계산값과의 오차는{2355-2300} over {2355} TIMES 100=2.3% 였음▶BW 의 측정값은 앞에서 구한 공진주파수의 측정값을 이용해 구함BW= {f _{r}} over {Q} = {2300} over {9.6} =240계산값과의 오차는{245.312.5 kΩf _{r} phantom{} phantom{} ` phantom{} phantom{} ```= 2355 Hz76 mV76 μA13.1 kΩf _{r} +1f _{i} = 2416.1 Hz84 mV84 μA11.8 kΩf _{r} +2f _{i} = 2477.2 Hz102 mV102 μA9.8 kΩf _{r} +3f _{i} = 2538.3 Hz124 mV124 μA8.3 kΩf _{r} +4f _{i} = 2599.4 Hz148 mV149 μA6.7 kΩf _{r} +5f _{i} = 2660.5 Hz172 mV173 μA5.8 kΩ▶ 주파수를f _{r} -5f _{i} ~f _{r} +5f _{i} 까지 계산하였음 (값은 위의 표 참고)▶ 주파수를 변경할 때 마다 전압이 여전히Vs=1.0V[Vpp]인지 오실로스코프를 이용해 수시로 확인함▶I= {V _{RS1}} over {R _{S1}} 공식을 이용해 각 주파수에서의 전원전류를 구함 (값은 위의 표 참고)▶Z= {V} over {I} 공식을 이용해 각 주파수에서의 전체 임피던스 구함 (값은 위의 표 참고)▶ 구한 임피던스와 주파수를 이용해 임피던스대 주파수 곡선을 그림● 결과이번실험은 R L C 를 이용해 병렬 공진 회로를 구성하고 공진주파수를 구해 병렬 공진회로의 대역폭을 계산해보는 실험이었다. 병렬 공진회로는 저번에 한 직렬 공진회로와 다르게 공진일 때R _{S1}에 걸리는 전압이 최소가 되고 전체 임피던스값이 최대가 되었다. 그 이유는 공진일 때 인덕터와 커패시터의 전류는 위상이 반대방향이므로 공진일 때 서로 상쇄 되고 저항에서만 최소 전류만 흐르기 때문이다. 따라서 직렬공진은 주파수가 공진과 가까워 질수록 임피던스가 작아지고, 병렬공진은 주파수가 공진과 가까워질수록 임피던스가 커지는 것을 알 수 있었다. 실험에서 공진주파수의 계산값과 측정값이 각각f _{r} (계산값)=2355Hzf _{r} (측정값)=2.3kHz 이 나왔고{2355-2300} over {2355} TIMES 100=2

공학/기술| 2020.10.09| 10페이지| 2,000원| 조회(766)

기초회로실험, 병렬공진, 30장

미리보기

닫기