④ 실험1과 실험2에 대한 고찰을 작성하여 제출하시오. 1번 실험을 통해 시간 변화에 따른 기전력값의 변화를 확인할 수 있다. 기준접점의 온도는 얼음물의 온도로 시간이 흐름에 따라 조금씩 증가하기는 하지만 계속 가열하는 측정점에 비하면 온도차가 매우 작다. 따라서 시간이 흐름에 따라 온도차이는 계속 증가하고 그에 따른 기전력도 증가함을 확인 할 수 있다. [그래프1]을 통해 실험값과 이론값의 차이를 확인 할 수 있다. 실험 시 발생한 오차의 원인으로는 이론상으론 기준접점의 온도는 0‘c로 정해놓고 기전력표에서 값을 구했는데 실제 실험시에는 기준접점의 온도를 0'c로 맞추기 위해 측정점과 기준접점의 온도의 차를 이용했는데 여기서 오차가 발생했을 수 있고......<중 략>
⓶ aliasing이란 무엇인가? aliasing이 발생하는 이유는?aliasing을 피하기 위해서는 어떻게 해야 하는가?➢aliasing - 컴퓨터의 도형 처리에 의해 작성된 이미지에서 부적정한 샘플링 때문에 생기는 바람직하지 않은 시각효과.- 아날로그 신호의 표본화 시 표본화 주파수가 신호의 최대 주파수의 2배보다 작거나 필터링이 부적절하여 인접한 스펙트럼들이 서로 겹쳐 생기는 신호 왜곡 현상- 컴퓨터 이미지의 해상도가 낮아 곡선이나 원, 문자나 그림 등의 경계선이 매끄럽지 않고 네모난 색 벽돌처럼 들쭉날쭉한 계단 모양으로 나타나는 현상➢aliasing이 발생하는 이유- 샘플링 속도가 실제 신호 속도보다 다르면 다른 주파수의 모양을 가질 수 있기 때문이다.➢aliasing을 피하는 방법- 화면의 sampling rate가 물체의 변화 속도보다 적어도 2배 이상은 되게 한다.- 샘플링하기 전 여파기를 통해 최대 수 이상의 신호들을 제거한다.- anti-aliasing을 이용한다.⓷ 스트레인 게이지의 원리에 대해 설명 하시오.➢Strain Gage- 구조해석 등을 하기위해 응력과 하중을 측정하는데 쓰이는 장비이다. 측정하는 대상의 변형을 직접 측정할 수 있고, 이를 전기적인 신호로 바꾸어 우리가 얻고자 하는 변형률이나 응력 변화를 알 수 있다.⓸ 휘스톤 브리지 회로의 quarter, half, full 브리지에 대해 조사하시오.➢Wheatstone Bridge - Wheatstone Bridge는 저항의 배열이 다이아몬드 형일 경우 저항의 변화에 따라 대각선 방향의 전위차가 발생하는 원리를 이용한 것이다.접점 A와, C에 전원을 공급할 경우 접점 B와 D에 전위차가 0값을 갖기 위해서는 저항 R1, R2, R3, R4가 어떠한 특정한 저항 값을 갖더라도 서로 마주 보는 저항 값의 곱이 항상 같은 값을 갖는다는 원리이다.
② 진동 시스템의 고유진동수에 대해 논하시오.진동시스템에서 역학계가 외력의 영향이 없이 자유롭게 진동할 때 시스템의 질량과 강성으로부터 결정되는 일정한 진동수를 의미한다. 계의 내부조건에 의해 결정되는 값이므로 계에 손실이 없다면 진동수가 변하지 않는다.일반적으로 진동체의 길이와 크기, 밀도 등이 주어지면 그 진동체에는 특정한 값을 가진 진동수의 진동만이 허용된다. 이 진동을 고유진동이라 하고 이 때의 진동수를 고유진동수라고 한다. 즉 계가 자유로운 상태에서 어떤 특정 진동수를 가지며 하는 진동이 고유진동이다. <중 략>③ 개루프제어(Open loop control)와 폐루프제어(Closed loop control)에 대해서 논하고, PPF(Positive position feedback)이 진동제어에 어떻게 효과적일 수 있는지 논하시오.- 폐루프 제어시스템출력의 일부를 입력방향으로 피드백시켜 목표값과 비교되도록 폐루프를 형성하는 제어계로서 피드백제어계라고도 한다. 출력량을 귀한할 수 있는 귀환경로를 포함한 제어계를 말한다. 일반적으로 폐루프 제어시스템은 제어장치와 제어대상으로 형성되는 폐루프 시스템으로 구성된다.
- 리소그래피는 마스크에 그려져 있는 제작될 마이크로머신의 평면 형상을 실리콘 웨이퍼상에 옮겨놓는 사진작업을 의미한다. 일반적인 반도체 IC의 제작공정에서 기본적인 공정에 해당하며, 반도체 산업의 발달과 함께 발전되어 있는 공정이다. 한 장의 실리콘 웨이퍼로부터 많은 수의 동일한 칩의 생산을 가능하게 하는 것도 리소그래피 공정의 기본 원리에 근거하고 있다. 각 공정의 단계를 살펴보면 다음과 같다. (a) 우선 웨이퍼 표면에 실리콘 산화막을 입힌다.(b) 그 표면에 PR(photoresist-감광제)을 바른다 (c) 별도로 만들어진 마스크를 통해 강한 자외선을 쪼인다. 이 마스크는 크롬 등이 선택적으로 입혀 있어 그 부분은 빛이 차단된다. (d) 이어지는 현상과정에서 빛을 쬔 PR부분은 남아 있고(양성 감광액의 경우는 녹아 나간다.) 마스크 위의 형상이 PR의 상으로 재생된다. (e) 다음, 이 PR을 차단재로 아래 부분의 산화막층을 에칭(etching)한 후, PR을 제거하면 마스크의 상이 결국 산화막층의 상으로 마스크의 상과 같은 모양이 웨이퍼 위에 만들어진다. 이러한 리소그래피(lithography) 기술에 의한 상의 재현(pattern transfer)이 대부분 마이크로가공 기술의 기본이 되고 있다. IC 제작에서 웨이퍼 표면에 형성되거나 입혀지는 박층(thin film)으로는 산화층(silicon dioxide), 질화층(silicon nitride), 다결정 실리콘(polycrystalline silicon), 알루미늄 등이 주를 이루며, 식각으로는 화학액을 사용하는 습식에칭(wet etching)과 플라즈마를 이용하는 건식에칭(dry etching)으로 대별할 수 있다. 3) Bulk Micromachiningmembrane, beams, bridges, cavity등 3D 구조를 만들기 위하여 그림과 같이 기판으로 Tm이라는 실리콘을 식각해서 실리콘으로 이루어진 구조체를 만들거나, 구조체의 일부로 사용하는 기술을 말한다.