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  • 판매자 표지 (실제 면접 질문 및 후기) 2025 하반기 sk하이닉스 전임직 메인트 직무 면접
    (실제 면접 질문 및 후기) 2025 하반기 sk하이닉스 전임직 메인트 직무 면접
    1. 면접 환경• 장소: 이천 인트라다 호텔 (SK 하이닉스 이천 공장 인근)• 특이사항: 호텔 객실을 면접실로 개조하여 진행. 입실 시 신발을 벗고 들어가는 구조이며, 침대가 없는 호텔 객실에 면접관 용 책상과 지원자용 의자가 배치되어 있었음• 분위기: 생각했던 것 보다 면접관과 지원자 사이의 거리가 매우 가까워(약 1~1.5m 내외) 압박감보다는 심층 면담을 하는 듯한 느낌을 받음.<중 략>• Q. 돌이켜 봤을 때 전공 수업 중 가장 아쉬움이 남았던 과목은?<중 략>• Q. 본인의 강점을 말주시고, 이를 실제 메인트 업무에 어떻게 적용할 것인지 알려주세요
    면접준비| 2025.12.30| 2페이지| 4,500원| 조회(76)
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  • 2021 lg디스플레이 PT면접, 1차면접, 2차면접 후기 및 질문 List와 합격답변 평가A+최고예요
    1차 면접 및 직무 PT면접 후기대기방 입장->PT문제 확인->PT문제 풀이->PT발표(5분)->질의응답 및 면접(30분)화상면접으로 진행하며, 온라인대기실에서 신분확인 후 문제풀이 방으로 들어가 40분정도 문제풀이를 한다. 문제풀이는 필기를 하는 것이 아니라 컴퓨터상에서 타이핑으로 하며 금번 PT문제 풀이의 경우 온라인 검색이 가능했다. 때문에 문제를 보고 D군의 디스플레이와 같은 블로그에서 빠르게 해당내용을 찾을 수 있도록 블로그 컨텐츠들을 미리 파악하는 것이 중요하다고 생각된다.*참고예전 공고에서는 PT문제가 직무와 관련된 문제가 아닌, 주어진 자료(표, 신문기사 등등)를 분석하여 최적의 대안을 도출하여 자신의 견해를 설명하는 방식이었다고 한다.*참고문제풀이 방으로 들어가면 나 혼자 방에 있는 것이 아니라, 다른 지원자들도 같은 방에서 문제를 푼다. 이때 마이크를 켜놓고 시험을 치기 때문에 기계식 키보드를 쓰는 다른 지원자로 인하여 집중력이 낮아질 수 있으므로 예민한 사람은 귀마개를 준비하도록 한다. (그렇게 복잡하거나 어려운 문제는 아니었기 때문에 딱히 필요는 없음)문제풀이 방으로 가면 두 개의 문제가 나오고, 이중 본인이 원하는 문제를 선택해 답안을 작성한다. 다만 문제는 공통이 아니라, 각 면접관마다 출제 문제가 다르기 때문에 많이 공부하는 방법밖에 없다. 나에게 주어진 문제는 다음과 같다.1. 디스플레이 공정에서 검사 과정에 대해 설명하라.2. LCD, pOLED, LTPS의 장단점에 대해서 각각 설명하라.본인은 2번을 선택해 문제풀이를 함.내가 작성한 답안이 면접관에게 전송되기 때문에 최대한 간략히, 알아보기 쉽게 작성하려 노력했다. 답안의 핵심만 적어보자면,(1) LCD: 액정의 복굴절현상을 이용해 빛 투과 조절, 백라이트가 존재하기 때문에 두께가 두꺼우며, 이 때문에 빛의 투과 효율이 떨어지는 단점이 존재한다. 다만 유기물을 사용하지 않기 때문에 수명에서 장점을 가질 수 있다 정도로 정리했음.(2) pOLED: 플라스틱 OLED를 지칭하며, 다.PI기판 단독으로 두고 유기물을 올리기에는 어려움이 존재하여 유리기판위에 PI코팅과 열처리를 한 후 후속공정을 진행한 뒤 레이저를 통해 유리기판과 플라스틱 기판을 분리하는 Laser realse (또는 LLO) 기술을 사용하는 것으로 알고 있다.추가적으로 자체발광하기 때문에 응답속도, 명암비에서 LCD대비 압도적인 장점을 가질 수 있으나, 유기물을 사용하기 때문에 투습방지를 위한 인캡공정의 발전이 계속해서 이루어져야한다? 정도로 정리함.[POLED 공정 순서]1) 글래스 기판에 희생층 코팅 후 PI코팅 후 열처리 경화.2) 화소구동을 위한 백플레인(TFT공정)3) 기존 OLED와 같이 발광 재료 증착Thermal Evaporation와 FMM을 통해 증착-HIL HTL EL ETL EIL Cathode4) Laser release기술을 통해 유리기판 분리.5) 인캡슐레이션 공정 진행(TFE). ALD로 유기(유연성 유지, 에폭시나 아크릴 사용), 무기(수분, 산소 차단, Al2O3 사용) 복합막을 형성6) 알맞은 크기로 패널을 자르는 CELL공정7) 모듈공정 진행: PCB기판에 구동회로를 구성하여 빛의 색상제어(3) LTPS: 전자이동 모빌리티가 굉장히 빨라 고성능 모바일 기기에 활용하나, 아무래도 그레인 바운더리가 존재하다보니 유니포미티 떨어지고, 레이저 어닐링이 대면적에 적용이 불가능하다는 단점이 있다. pMOS, nMOS 둘다 가능. 즉 CMOS가능함.추가적으로 ltps공정 순서를 정리하여 발표했었음.[LTPS공정 순서](1) 기판 위 SiO2증착(PECVD)(2) A-Si증착(PECVD)(3) 탈수소-> ELA (450도)(4) 폴리실리콘 패터닝(PR도포 노광 식각)(5) GATE절연막 (활성층과 GATE가 붙으면 안됨) PECVD(6) 게이트 물질 증착(구리, 알루미늄) 스퍼터링(7) 게이트 패터닝 (PR도포 포토 습식식각)(8) PR코팅후 활성층 이온주입 부분 패터닝(9) 활성층 이온주입(10) 중간절연막 PECVD 후 컨택홀 패터닝(11) 소스O 증착(스퍼터링)답안 작성을 완료하면 내가 작성한 답안이 면접관에게 전송되고, 나또한 면접관이 있는 면접방으로 이동한다. 면접자는 2명, 면접관은 3명으로 그 중 1명은 인사팀에서 오신 것으로 보이며, 이분이 면접을 이끌어가는 MC 역할을 함.본인은 같이 면접을 보는 인원이 불참하여 혼자 면접을 진행하였으며, 경쟁자가 없으니 편하게 면접 보면 좋을 결과 있을 것이라는 덕담과 함께 PT문제 설명을 바로 시작함.면접관 마다 다르겠지만 나 같은 경우는 1분 자기소개를 물어보지 않았음.pt발표는 내가 작성한 답안을 내가 볼 수 있기 때문에 답안작성만 깔끔히 잘 해놓는다면 큰 문제는 없을 것이라 생각됨.5분 동안 내가 작성한 답안을 설명하면 면접관님들이 이에 대해 질문을 함. 그러나 본인에게는 발표 내용에 대해 따로 질문이 없었고 내가 선택하지 않은 검사에 대해 물어보시거나, 본인이 궁금한걸 물어보셨음. (면접관 BY 면접관)-면접관: PT발표는 잘 했는데, 발표한 내용 말고 다른 키워드인 검사공정에 대해서 아는 것이 있나?-나: 본인은 검사에 대해서는 매우 생소했다. 때문에 반도체 공정에서 검사하는 부분 (CD-SEM, 엘립소미터를 통한 박막두께 측정 등등)에 대해서 설명함.-면접관: 그것 말고 디스플레이쪽 검사에 대해 더 아는 것은 없나?-나: 디스플레이 전공을 수강했으나 검사공정에 대해서는 배우지 못해 추가 학습이 필요할 것 같습니다... 라고 답함. (지금 생각해보면 에이징, 화소검사, 외관검사에 대해 설명하길 바라셨던 것 같음)-면접관: 파주에 지원을 하셨는데, 우리 회사의 다른 사업장에 대해서 아는 것이 있나요?-나: 대표적으로 국내에는 구미 사업장에서 오토용 디스플레이를 생산하는 것으로 알고있으며, 추가적으로 해외에는 광저우, 베트남 하이퐁에 사업장이 있는 것으로 알고 있습니다.-면접관: 지원자분의 학과에서는 보통 어느 분야로 취업을 하나요?-나: 보통 반도체, 디스플레이, 배터리 쪽으로 지원을 많이 하는 것으로 알고 있습니다.-면접관: 그럼 디스플레이를보다 피부로 직접 느낄 수 있는 디스플레이 산업으로의 진출을 희망하게 되었습니다. 특히 88인치 8K 올레드 TV와 디스플레이 협곡이라는 기술력을 마주하며 받은 충격을 통해 LG디스플레이에 대한 꿈을 키워 지원하게 되었습니다.-면접관: WOLED에 대해서 구체적으로 설명해보라.-나: 6세대 이상의 대형 기판에서는 FMM의 휨 현상이 존재해 기존의 미세 마스크 패터닝을 통한 개별 RGB픽셀을 발광은 대면적이 불가능합니다.또 청색 OLED는 R, G에 비해 수명문제가 존재하여 높은 수명을 요구하는 TV에서 문제점이 있는 것으로 알고 있는데요,이를 해결하기 위해 개별 서브픽셀의 RGB가 각각 발광하여 색을 표현하는 방식 대신 White OLED로 빛을 낸 후 컬러필터를 통해 색감을 입혀 빛을 내는 방식이 필요합니다.엘지디스플레이는 RGB각 레이어를 수직 증착하여 전류효율을 높이고 청색 발광의 수명을 높힌 텐덤구조라는 독자적인 방식을 가지고 있는 것으로 알고 있습니다.-인사팀 면접관: 취미가 무엇인가?-나: 어렸을 적 OOO광역시 대표로 선수생활을 한 적이 있어 운동을 굉장히 좋아합니다. 함께 뛰어다니는 운동을 좋아하지만 최근 코로나로 인해서 혼자서 할 수 있는 헬스트레이닝을 주로 하고 있으며, 벤치프레스 무게를 조금씩 올려가는데에 성취감을 느끼고 있습니다.-면접관: 시간이 다되었는데 마지막으로 하고 싶은 말 있으면 간략히 하라.-나: 긴장해서 저의 역량을 다보여주지 못한 아쉬움이 있지만, LG디스플레이를 향한 열정은 확고하다. 기회가 되면 면접관 분들을 다시한번 뵐 수 있었으면 좋겠다. 정도로 어필 후 마무리 함.1차 면접 종료 후 바로 웹엑스 방을 나가면 됨.2차 면접 후기2차 면접 역시 웹엑스로 진행하였고 면접관 3명, 지원자 2명이었으며 면접관 인원은 면접 방마다 달랐던 것으로 기억한다.-면접관: OOO씨부터 자기소개 간략히 부탁드려요.-나의 자기소개 전략본인은 어렸을 적 운동을 한 경험이 있어 이를 바탕으로 배운 성실함과 학부과정에서 디스플레이 수업을 들은 관해 꼬리 질문을 유도하려 노력했다. 실제로 다음 질문에서 내가 준비했던 질문을 유도해낼 수 있었다.-면접관: 운동을 했었는데 도중에 포기한 이유가 무엇인가?-나: 저는 애초에 운동선수보다는 대학 진학을 희망했습니다. 친구를 따라서 교내 OO부에 들어가게 되면서 처음 운동을 시작하게 되었지만, 저는 제게 주어진 것은 열심히 하자라는 마음가짐이 다른 학우들 보다 컸기 때문에 활동을 열심히 하다보니 XX시 대표까지 선발될 수 있었고, 한 시의 대표한다는 마음가짐을 통해 훈련을 꾸준히 진행하면서 전국체전에서 2등을 할 수 있었습니다. 제 목표를 달성하고 난 후부터는 부모님께서 원하는 거 맘대로 해라 하셨고 저는 중학교 때 까지 육상을 하다가 고등학교는 인문계로 진학해 학업에 전념했습니다.-면접관: (함께 본 면접자에게 질문) LG디스플레이는 어떤 회사인가?-상대 지원자는 무분별적으로 ~~한 분야에서 최고이고, ~~한 분야에서 세계최초임을 강조했으나 이는 적절하지 못했다고 생각됨. 실제로 한 면접관님은 “~~분야는 세계 최초 아닌데..” 라고 말씀하심.따라서 LG디스플레이가 어떤 분야를 잘하고, 어떤 분야는 경쟁사(삼성디스플레이) 대비 부족한지 알아보고 이에 대한 개인적인 생각(LG디스플레이를 선택한 이유)도 정리해볼 필요가 있다.-면접관: 두 지원자님 모두 6시그마 자격증을 가지고 있다. 기억이 잘 안날 수도 있지만 OOO지원자는 DMAIC에서 D와M이 무엇을 의미하는지, XXX지원자는 A와 I가 무엇을 의미하는지 설명해보라.-나: D는 Define 즉 문제정의 과정으로 고객의 핵심 요구사항인 CTQ를 도출하는 과정이며, M은 Measurement로 고객 니즈를 찾기 위해 필요한 부분을 측정하는 과정이다.-상대방 지원자는 잘 기억이 나지 않는다고 답했고, 면접관님은 DMAIC에 대해서 지원자들에게 설명을 해주심.-면접관: 식스시그마 왜 배우신건가?-나: 실습을 진행하면서 문제가 발생했을 때 체계적인 원인 분석이 없이 문제를 추측에 의거하여 해결하려 한 적이 많았기
    면접준비| 2021.08.15| 7페이지| 5,000원| 조회(8,025)
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  • 2021 lg디스플레이 최종합격 자소서
    LG디스플레이 공정/장비_Panel직무 지식/경험지원 직무와 관련된 수강 과목 및 경험을 간략하게 기술하여 주시기 바랍니다.Guide> 학교수강교과목, 외부교육수강 이력, 프로젝트 경험 등을 제목/경험/성적(또는 성과) 등으로 기술하여 주시기 바랍니다.998/1000 (글자 수, 공백 포함)1. KIDS 디스플레이 스쿨: 다양한 전공 시각의 중요성을 배우다나노공학개론에서 광소자와 OLED를 처음 접한 후, 3학년 여름방학 동안 KIDS 디스플레이 스쿨 교육에 참여했습니다. 물리학, 전자공학 등 다양한 전공을 가진 학생들과 스터디를 꾸려 교육 중 생소했던 분야인 광학, 색채 이론에 대해 심도 있게 이해하며 최종 교육 평가에서 A등급을 받을 수 있었습니다.2. 직접 그리며 전문성을 키우다학부 4학년에는 디스플레이 패널 공정 전문가를 목표로 관련 심화 전공을 수강했습니다. 그중 삼차원 집적공정과 ICT융합소자에서는 기술적 동향에 맞춘 각 공정 Process와 주요 변수에 관해 공부했으며, CMOS의 Process integration 과정을 107단계로 세분화하여 각 단계를 직접 손으로 그리며 소자 제작 공정을 익혀나갔습니다. 디스플레이 공학에서는 TFT-LCD, LED, OLED 패널을 그리며 각 구조와 특징을 비교하고, 국내외 기업 스마트폰에 적용된 디스플레이의 타입, 해상도를 비교하며 시대별 디스플레이 패널의 트렌드를 익혔습니다. 이론을 바탕으로 반도체 소자와 디스플레이 패널의 구조를 직접 그리며 공부한 결과 위 세 과목 모두 A+의 성적을 받을 수 있었습니다.3. 나노융합기술원 공정 실습: Wet Etching 측면 형상 개선실습 중 PR 아래쪽으로 식각액이 침투하여 Undercut 현상이 두드러지게 나타나는 문제점이 발생했습니다. 저희 팀은 PR의 Adhesion을 향상시켜 식각 형상을 개선시키는 프로젝트를 계획했습니다. 이전 공정의 Data와 공정 지식을 활용하여 팀원들과 토론한 결과 HMDS time을 증가시키고 Hard bake 횟수를 늘리는 방안을 마련했습니다. 팀원들과 합숙하며 세부 공정 조건과 Fab in부터 Fab out까지의 일정을 계획하고, 이를 바탕으로 필요한 장비를 예약해 공정을 진행한 결과 PR 점착력을 향상 시킬수록 PR 아래 침투 식각 비율이 감소한다는 것을 분석하며 식각 형상을 개선시켰습니다.직무 관련 강점지원 직무 수행과 연계한 본인만의 경쟁력 및 강점을 기술하여 주시기 바랍니다.996/1000 (글자 수, 공백 포함)1. 공정 변수 컨트롤 및 분석 역량Panel 공정 엔지니어에게 레시피 조절을 통한 공정 이해와 이를 분석하는 역량은 필수입니다. 이를 위해 나노융합 기술원에서 진행하는 반도체 공정 실습에 참여하여 온도, 시간과 같은 공정 레시피를 조절하여 원하는 두께의 박막을 증착하고, 엘립소미터, 4-point probe 분석을 통해 두께 및 기판에 작용하는 스트레스에 대한 이해를 높였습니다.2. 협업을 위한 자세현직 엔지니어의 협력을 효율적으로 이끌어내어 백색광과 PR의 상관관계 규명 프로젝트를 성공적으로 수행했습니다. 공정 실습 중 코팅된 PR이 현상 공정 후 큰 두께 감소를 보이는 문제가 발생했습니다. 저희 팀은 PR 두께 측정 과정에서 Yellow room 밖에 있는 측정 장비를 이용한 것이 문제의 원인이라 생각했고, 정확한 원인 분석을 위해 백색광과 PR의 상관관계를 규명하는 추가 프로젝트를 진행하는 것이 맞다 판단했습니다. 그러나 새로운 실험을 설계하고 공정을 진행하기 위해서는 현직 엔지니어와의 장비 사용 협의가 필요했으며, 기한 내 실습 마감이 어려웠습니다.우선, 소요 시간 단축을 위해 재실험을 할 임시 팀을 꾸리고, I-line 용 PR의 특성에 대해 공부하며 프로젝트의 목적, 레시피, 예상 일정을 상세히 표기한 Runsheet를 작성했습니다. 이후 Spin Coater, I-line stepper 등 필요한 공정장비 담당자에게 컨택해 장비 사용을 설득했습니다. 작성한 Runsheet의 활용은 급박한 기간 내에서 효율적으로 팀의 목표와 필요사항을 전달하고, 일정 조율을 위한 엔지니어의 협조를 얻도록 도왔습니다. 이후 백색광 노광 시간에 따른 PR의 형상을 분석했고, 짧은 시간에도 PR에 변화가 생김을 확인하며 두께 감소 문제의 근본 원인을 밝힐 수 있었습니다.구체적 계획을 바탕으로 엔지니어의 협조를 효율적으로 이끌면서, 협업의 기본이란 내가 할 수 있는 부분과 도움이 필요한 부분을 계획 수립을 통해 명료화하는 것임을 배울 수 있었습니다.직무 이해도지원 직무 관련 최근 Trend를 간략히 기술하고, 이에 대한 본인의 견해를 구체적으로 기술하여 주시기 바랍니다.999/1000 (글자 수, 공백 포함)고성능 모바일 디스플레이의 핵심: LTPO최근 모바일 기기는 5G 기술과 부품의 고성능화로 전력 소비가 늘고 있습니다. 높은 전력 소비 문제를 해결하기 위해서는 배터리 용량을 키워야 하지만, 배터리의 부피가 커지는 단점이 존재합니다. 이는 다른 부품의 배치를 어렵게 하여 기기의 설계나 디자인에 방해가 됩니다. 최근 이러한 문제점을 해결하기 위해 LTPO가 새로운 기술 트렌드로 부상하고 있습니다. LTPO는 전하 이동도와 안정성이 높은 기존 LTPS와 균일성이 좋고 전류 누설이 적은 Oxide TFT를 동시에 배치하는 형태입니다. 디스플레이 구동에는 LTPS가, 스위칭에는 Oxide가 이용되어 전력 소모를 줄일 수 있어 120Hz의 고주사율도 안정적으로 구동할 수 있습니다. 저는 LTPO 로의 기술적 변화를 성공적으로 이끌기 위한 두 가지 전략을 생각해봤습니다.
    기타| 2021.07.06| 3페이지| 4,000원| 조회(965)
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  • 2020 나노융합기술원 나노기술 전문인력양성과정 동계 고급실습교육 최종합격 자기소개서 평가A좋아요
    자기소개서 및 교육신청 동기※ 아래 내용은 교육생 선발 평가에 반영됨으로 구체적으로 작성하시기 바랍니다.(최대 2페이지 이내로 작성하되, 초과할 경우 불이익 발생할 수 있음)성격과 강점[타인을 위해 목소리 낼 수 있는 용기]저의 강점은 매사에 적극적이고 능동적인 태도로 임한다는 것입니다. 학부시절 저의 별명은 퍼스트 펭귄이었습니다. 수업 중 질문이나 학생 참여가 저조할 때마다 먼저 질문을 꺼내 학우들이 쉽게 목소리 낼 수 있도록 행동하여 붙여진 별명입니다. 2학년 때는 이러한 성격을 바탕으로 학생들의 의견을 모아 학과 내 불합리한 학칙을 개선한 경험이 있습니다. 저희 학과에는 학생회비 미납부자가 사물함 대여 시 추가 비용을 내야 하는 학칙이 존재했습니다. 저는 교내 공동 시설물이 공평하게 이용되도록 학생들의 의견을 수립 후 개강총회에서 대표로 학칙 개선을 위한 목소리를 내었고, 대여비가 아닌 보증금 제도를 통해 학우들이 부담을 덜 수 있도록 도왔습니다.이러한 저의 성격이 이번 나노소자 공정ㆍ분석 교육에서도 강점을 발휘할 수 있을 것이라 생각합니다. 특히 실습 중 질의응답 시간에 적극 참여하여 다른 학생들의 참여를 증진시키도록 노력할 것입니다.경력사항(프로젝트 및 경력)[반도체 전공과목 및 온라인 공정교육 수강]4학년 전공인 집적공정개론 과목을 A+성적으로 이수했으며, 현재 ICT 소자 공정 수업을 수강하며 반도체 산업으로의 취업을 준비 중 입니다. 또 수업 중 보충이 필요한 내용은 온라인으로 진행하는 반도체 공정교육을 수강하며 보완했습니다. 하지만 전공 지식을 Fab 내에서 적용해보는 공정 실습 경험은 부족한 실정입니다. 부족한 직무 역량을 향상시키고자 동계 나노실습 교육에 참가하여 프로젝트 경험을 쌓는 것이 목표입니다.교육신청 목적[백번의 말 보다 귀중한 경험]이공계 취업의 핵심은 지원 직무관련 경험을 통한 산업현장 이해입니다. 이번 교육을 통해 반도체 장비 및 공정 flow를 이해하고, 그 속에서 생기는 공정 이슈를 조원들과 함께 고찰하며 직무역량을 기르고 싶습니다.8주 동안 반도체 소자를 제작, 분석하며 첨단 장비를 다룰 수 있는 이번 교육은 사설 공정교육 등 Fab 경험이 없는 저에게 희망으로 다가왔습니다. 50만원이 넘는 사설기관 공정교육 비용은 아르바이트로 학비를 조달해야하는 현 상황에서 큰 부담이었기 때문입니다. 나노융합 기술원에서 체계적인 교육을 지원받아 교육비의 부담을 덜고, 취업에 전념할 수 있도록 도움 받고 싶습니다. 이후 받은 도움을 당연하게 생각하지 않고 반도체 중소기업 등 국내 나노 산업의 경쟁력 강화에 도움 주는 것이 최종 목표입니다.이번 교육과정에서 바라는 점[높은 실습 접근성 및 ALD 장비 활용]동계 고급 실습교육에서 가장 바라는 점은 실습과정 중 장비와 소자를 직접 만져볼 수 있는 높은 참여 기회입니다. 특히 나노공학개론 수업에서 흥미롭게 배웠던 ALD 장비를 경험해볼 수 있다는 기대로 나노융합 기술원을 선택했습니다. 수업 자료로만 봐왔던 장비를 직접 체험한다면 더욱 심도 있는 공정 이해력을 키울 수 있을 것이라 생각합니다.[수준 높은 Project 수행을 통한 문제해결력 향상]실습 중 생기는 공정 이슈를 조원들과 논의하며 개선하는 프로젝트를 진행하고 싶습니다. 실습 중 다양한 시행착오를 겪고, 공정 레시피 조절을 통해 공정 변수들 간의 상관관계를 파악하며 실제 산업 맞춤형 인재로서의 문제해결력을 향상시키고 싶습니다.[교육생 간 인적 Network 형성]이번 교육의 주된 목표는 경력화 된 전문 기술 인력 양성입니다. 취업을 목표로 하는 교육인 만큼 교육 기간 동안 조원들과의 취업스터디를 결성해 실습 내용을 함께 정리, 복습하고 싶습니다. 이를 바탕으로 상반기 자소서 작성 및 첨삭, 취업 정보를 함께 교류하는 인적 네트워크를 형성한다면 더욱 높은 취업 역량을 기를 수 있을 것입니다.
    기타| 2021.06.20| 2페이지| 5,000원| 조회(4,781)
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  • 반도체 공정 중 식각 및 증착에 이용되는 플라즈마의 원리 및 발생방법 정리
    1. 플라즈마: 고체-액체-기체-플라즈마 (기체는 기체인데 기체의 고유상태와는 다른 상태를 가짐) 플라즈마를 제 4의 상태라고 하기보단 ionized된 기체상태라고 설명하는 것이 옳다.보통 반도체 공정에서 사용하는 플라즈마는 GLOW DISCHARGE2. 플라즈마의 특징1) 전체적으로 기체의 성질을 갖지만 전기 전도체이며 자기장의 영향을 받음. (전기장과 자기장에서 영향을 받음)2) 집합적 행동 : 하전입자의 거동을 롱레인지 힘이 지배3) 플라즈마는 전체적으로는 중성이지만 숏레인지에서는 중성이 깨짐 =>준중성의 특성을 가짐3. 플라즈마의 이온화율플라즈마는 중성원자,라디칼,전자,양이온으로 구성됨. 이온화율은 주로 플라즈마 안의 전자 에너지에 의해 결정되는데, 대부분 반도체 공정용 플라즈마의 이온율은 0.001%이하임(저온플라즈마). 최근 사용하는 high density plasma(HDP)는 1%정도의 이온화율을 가지며, 태양도 플라즈마 상태인데, 태양핵의 이온화율은 100%임.플라즈마 속의 이온밀도는 실제로는 굉장히 낮음 1토르 기압에서 10의 10제곱개 정도. (굉장히 낮은 밀도임)4. 플라즈마 생성두 개의 전극사이에 기체를 넣어놓고 적당한 에너지를 인가해주면 가스가 플라즈마 화 됨.=>열에너지 대신 voltage 또는 current source에 의해 유도됨=>자유전자와 중성입자의 충돌로 이온화됨.(Dissociation과 Ionization)=>표면에서 전극과의 접촉에 의해 전자 및 이온 손실이 있음.=>중성입자의 이온화에 의해 플라즈마가 유지됨(외부에서 에너지가 계속 필요)=>전자와 이온의 무게차이 (이동속도 차이)로 인해 손실속도에 차이가 있음 (전자가 빨리 움직임) =>나중에 쉬스를 만들어내는 원인이 됨.플라즈마: 전기적으로 하전된 입자와, 중성입자들이 모여있는 상태로서 (-)로 하전된 입자의 밀도와 (+)하전된 입자의 밀도가 같은 상태를 유지하며 거시적으로는 중성을 띄는 물질.전자는 굉장히 빨라서 전극과 충돌하며 특성을 잃어버리고 이온은 느리게 움직여 계속 플라즈마 안에 같힘. 이로 인해 전위차가 발생하며, 이를 이용하는 것이 플라즈마 공정.플라즈마 내 존재물질 : 분자>원자>라디칼>이온>전자플라즈마 생성 :1. 중성가스에 에너지를 공급하여 발생.2. 벽에서 방출되는 전자나 공간내의 자유 전자들이 전기장에 의해 가속되고 공간내의 중성가스와 충동하여 이온화반응에 의해서 플라즈마 생성e+A->A+ + 2e 이온화가 진행 될 수록 더 많은 플라즈마 생성. 예를 들어 Ar+e->Ar+ + 2e3. 플라즈마 내의 하전 입자는 전자의 경우 양전극으로, 이온의 경우 음전극으로 흘러나가 손실되거나 챔버벽을 구성하는 입자와 충동하여 리콤비내이션 과정을 겪으면서 소멸. 즉 플라즈마를 유지하기 위해서는 계속 에너지를 가해줘야함.이 과정에서 Excitation과 Relaxation도 일어남. 전자가 떨어져나간 분자와 전자는 불안정하여 재결합하기 때문.그 과정에서 빛을 냄. 원자/분자의 종류에 따라 다른 파장의 빛을 방출-> 가스 종류에 따라 플라즈마 발광색이 달라짐. 에너지 차이가 충분히 크면 자외선을 냄(대부분)플라즈마의 발광색 변화를 통해 식각공정/챔버 클린 공정의 종말점을 알 수 있음예를들어 CF4+SIO2->CO2+SIF4 로 에칭되는 과정을 볼 때 SIF4의 빛이 더 이상 나오지 않으면 반응이 끝났구나를 알 수 있음.#Dissociation(분열,해리)전자가 분자와 충동하여, 화학 결합을 깨고 자유 라디칼(홀전자를 가진 원자 혹은 분자) 발생.예를 들어 SiF4+e -> SiF3+F+e 이들이 화학반응을 활성화 시킴.Dissociation : SiF4+e -> SiF3+F+eIonization : Ar+e->Ar+ + 2eDissociation과 Ionization은 한번의 충돌로 발생할 수도 있다.즉 플라즈마 속에서 이온화 뿐만이 아니라 Excitation-relaxation, 탄성충돌, 분열, 해리 등 다양한 중간 상태가 존재.#플라즈마 공정에서 라디칼과 이온의 이용1) positive lons(양이온)는 에칭과 스퍼터링에서 중요한 역할을 한다.2) 개수측면에서 라디칼>>이온 임. 즉 개수가 많은 만큼 라디칼을 많이 사용하지만, 라디칼은 보통 중성이라 우리가 컨트롤이 어렵고, 이온은 수는 적은 대신 우리가 컨트롤이 가능.3) 라디칼은 플라즈마 속에서 이온,전자보다 수명이 길다. (전자,이온은 부딪히면서 리콤비네이션 혹은 중성화 될 수 있음). 라디칼은 챔버 벽과 반응하지 않고 반사되어 플라즈마로 돌아감.#플라즈마를 다룰 때 압력을 꼭 고려 하는 이유.mean free path : 한 입자가 다른 입자와 충돌하기 전까지 이동한 평균거리.MFP=1/p (PV=nRT인데 V와 T는 일정하므로, P는 n에 비례)즉 높은 압력->짧은 mean free path.#전기장 속에서 전하입자의 운동전자의 무게원운동을 함이 때 원의 반지름은 질량에 비례함 (r=mv/qB) 따라서 자기장속에서 전자는 충분히 원운동을 하면서 나선으로 나아가지만, 이온은 질량이 커서 원운동의 반지름이 커 공정의 챔버안에서 원운동을 해도 직선처럼 보임. 따라서 자기장 속에서 전자만 영향을 받음. 자기장과 전기장에 의해 Gyromotion(원운동을 하면서 앞으로 나가는 나선운동을 함)#볼츠만 멕스웰 디스트리뷰션불활성기체를 제외하고, 대부분의 기체를 이온화시키기 위해서는 5~10eV의 에너지가 필요한데, 저온플라즈마에서는 그 정도 에너지를 가진 전자를 만들기 어려움. 하지만 볼츠만 멕스웰 디스트리뷰션에 의하면, 이온화를 시킬수 있는 충분한 에너지를 가진 전자가 소수이지만 존재 하긴하므로 이 전자를 어떻게 하면 많이 만들 수 있는지가 핵심이다.#플라즈마 발생원에 따른 구분1) DC Glow Discharge (효율이 낮음)cold cathode : 두 개의 평행 전극판 사이에 플라즈마 생성->이온이 음극판(캐소드)로 끌려가서 충돌->이중 10%이하 정도가 2차 전자를 발생함. (전자가 양극으로 끌려가는 도중에 기체랑 충돌해서 2차 전자를 발생시킴)->이 2차 전자는 양극(애노드) 방향으로 가속됨. -> 플라즈마 내의 중성입자와 충돌해 이온-전자 pair를 만듬*쉬쓰(sheath) :플라즈마와 챔버 벽면이 맞닿는 경계면, 다크스페이스 영역이라고도 함.Excitation-relaxation반응이 부족해 발광이 없이 어두워 보이는 영역.전자는 빨라 챔버 벽, 혹은 전극과 부딪혀 소실되는 반면, 이온은 느려 플라즈마 안에 갇힘, 이 때문에 챔버 벽, 전극쪽에는 중성화가 되고, 플라즈마 쪽에는 + 이온이 존재하여 전하 중성이 깨지고 전기장이 발생됨=>플라즈마 볼티지 형성.이로인해 양이온은 sheath포텐셜에 의해 강하게 벽/전극에 충돌함. 양이온으로 충동시켜 식각을 함.전자는 벽/전극에서 음전위에 의해 반발됨. 전극에 충동을 안함.중성입자와 라디칼은 쉬스포텐셜에 영향을 받지 않고, 확산에 의해 벽/전극에 자유롭게 도달.웨이퍼쪽에 마이너스 전극이 걸려있어 양이온은 강하게 척 쪽으로 부딪힘. 그러나 전자는 전극쪽(챔버월)에서 소멸. 그래서 전극표면쪽에 전자가 거의 존재하지 않으며 양이온만 존재하는 구간이 존재함. 이런 구간을 쉬쓰라고 하며, 쉬쓰가 얇으면 양이온이 전극으로 도달하는데에 쉽지만, 쉬쓰가 두꺼우면 많은힘이 필요. 쉬쓰영역에서는 전자가 없다보니 Excitation-relaxation반응이 부족해 발광이 없이 어두워 보이는 다크스페이스 영역이라고도 함. 에너지 측면에서 봐도 챔버월쪽의 플라즈마에너지는 없음. 전자가 없으니 충돌할 일이 없기때문.그렇다면 중간에 떠있는 플라즈마영역에서 에칭이 일어날까?NO. 쉬쓰를 건너올만큼의 높은 에너지를 가진 애들이 건너와서 부딫히면서 에칭이 일어나는 것. 쉬쓰의 길이를 조절해 에칭에 알맞은 공정을 찾아감.지금까지 DC를 봤는데 정리하면, -,+전극이 있으면 자유전자가 +전극으로 이동하면서 gas분자와 충돌해 이온화시키고 이때 이온화된 +이온은 ?전극으로 이동하면서 충동해 전자를 생성하고, 이 전자는 또 + 전극으로 이동하면서 gas분자와 충돌함을 반복.2) Radio Frequency (13.56MHz)RF주파수에 맞추어 전자가 왔다 갔다 하면서 전자가 gas분자와 충돌가능성이 높아 디씨에 비해 효율이 높음. 또, 부도체인 sio2박막에 사용할수도 있음. 즉 전극이 뭐든 상관이 없음.*Self bias : RF Bias를 한쪽방향으로 치우치게 만들어 한쪽 전극만 ?가 되도록 하는 방법.-전자가 이온보다 빨리 움직여 RF 시그널에 맞추어 움직임-전극크기가 작을 경우, 전극에 흡수되지 못한 전자가 쌓임(음의 전위 발생)->이때 달아놓은 Blocking capacitor에 의해 self bias(강한 마이너스 bias)유지됨. 즉 특정 한쪽 전극에 마이너스 전위를 걸 수 있게 만들 수 있음. 비로소 양이온이 특정하게 정해진 마이너스 전극에 충돌하도록 만드는 것.
    공학/기술| 2021.06.20| 5페이지| 1,000원| 조회(366)
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