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재료공학실험2(세라믹) 실험노트6

1. 실험 목적Figure 1. Picture of SEMSEM 분석을 통하여 성형과 소결이 완료된 0.4mol%SiO _{2} dopedBaTiO _{3} 시편의 표면 형상을 관찰하고 pureBaTiO _{3}와 분말의 형상, 기공 크기와 구조, 소결성을 비교한다. SEM 장비는 OM으로 보기 힘든 sample에 전자를 주사하여 고분해능과 고해상력을 구현할 수 있는 장비이다.2. 실험 과정1) SEM 분석에 앞서 시편 표면을 Ion spin coater를 이용해 금으로 코팅한다.- SEM은 전자를 시편 표면에 입사할 때 발생하는 이차전자를 포집하여 분석하기 때문에, 표면에 전도성이 없으면 입사전자가 표면에 누적되어 분석이 어려워진다.- 따라서 세라믹 소결체를 분석할 때에 표면에 도금 처리를 하여 표면에 전도성을 부여한다.Figure 2. Picture of Ion spin coater2) 지그(jig) stage에 시편을 결합한 뒤 진공상태에 있는 SEM 장비를 사용하기 전에 진공을 한 번 제거한 후 다시 pumping 해서 진공을 만들고 유지한다. 진공은 저진공, 고진공, 초고진공 상태가 있으며 rotary pump에서 저진공을, turbo molecular pump로 고진공을 만들어 사용한다.3) 도금처리 된 시편을 SEM 분석기에 넣고 10kV의 가속 전압으로 분석을 실시한다.- SE(Secondary Electron) mode가속된 전자를 표면에 입사할 때 발생하는 이차전자(Secondary Electron)를 detector로 포집하여 표면의 형상을 분석하는 방법이다. 이차전자는 비교적 에너지가 낮아 저속으로 운동하며 양으로 대전된 detector에 포집된다.Figure 3. SE mode- BSE(Back-Scattered Electron) mode일차전자가 탄성 산란을 일으켜 운동량을 그대로 가진 채 방출되는 후방 산란전자를 발생시킨다. 원자번호가 높을수록 더 많은 BSE 가 발생하여 더 밝게 나타나기 때문에 Z-contrast를 비교할 때 사용한다.Figure 4. BSE mode3. 실험 결과Figure 5. SEM image of 0.4mol% dopedBaTiO _{3} (5kx, 10kx, 20kx, 30kx)4. 고찰 및 계산과정Figure 6. SEM image of PureBaTiO _{3}(5kx, 10kx), 0.4mol%SiO _{2} dopedBaTiO _{3}(5kx, 10kx)Work Distance를 조절함으로써 분해능을 높일 수 있었고 Z 값의 조절로 Stage와의 거리를 조절해가며 초점을 맞춰 진행했다.SiO _{2} dopedBaTiO _{3}의 SEM 분석 결과로, 입자 크기의 분포는 대략 0.2 ~1 정도의 직경을 가지고 있으며, 평균적으로 7.25particles/(um) ^{2}개로 입자당 평균 사이즈는 약 0.138(um) ^{2} 정도의 크기를 갖는다. 또한SiO _{2} dopedBaTiO _{3} 표면 이미지를 보면 명암이 작은 것으로 보아 단차는 매우 적다고 예상된다. 전체적으로 pureBaTiO _{3}에 비해 어느정도 고른 분포와 치밀화가 잘 된 모습을 보이긴 하지만 기공(빨간 표시)을 통해 부분적으로 치밀화가 덜 된 곳도 확인되고 있어 성능에 영향을 미칠 것으로 생각된다. 또한 노란색 표시에서 응집된 분말을 보아 pureBaTiO _{3}에 비해 ball milling이 과하게 됐거나SiO _{2} doping의 이유로 입계 이동을 저지시켜 소결성이 좋아짐에 따라 neck을 생성하는 치밀화가 이루어졌다고 볼 수 있다.

공학/기술| 2022.09.08| 2페이지| 1,000원| 조회(189)

세라믹, 공학실험, 재료공학실험

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재료공학실험2(세라믹) 예비보고서2

1. 소결의 정의 및 구동력소결(Sintering)이란 분말과 같은 비표면적이 넓은 입자들을 더욱 치밀한 덩어리를 만들기 위해충분한 온도와 압력을 가하는 공정이다. 소결공정을 통해 재료의 밀도나 기공도, 기공의 크기와크기분포를 조절할 수 있으며 최종적으로 원하는 재료의 물성을 구현할 수 있다. 치밀화와조립화가 대표적인 소결 현상이라고 할 수 있다.소결의 구동력은 소결 과정에서의 구동력은 열역학적으로 시스템 전체의 표면에너지를 줄이는것이다. 성형체의 분말이 가진 높은 표면에너지가 표면적을 줄이는 방향으로 작용하여 낮은에너지 상태가 된다. 단위 면적 당 표면에너지를 r, 계의 전체 표면적을 A라 하면 계의 전체표면에너지는 이 둘의 곱인 r x A 라 표현할 수 있다. 소결 공정은 이 r x A를 감소시키는공정이다. 즉, 성형체를 고온으로 가열하면 분말 입자들은 서로 붙어 소결을 하게 되고, 낮은에너지 상태를 가진다.2. 고상 반응소결 매커니즘 (단계별 특징)(1) 초기 단계: 입자 사이의 목(neck) 형성되는 단계로 초기 수축이 약 3~5%까지 일어난다. 이단계에서는 곡률 차이가 구동력으로 작용한다. 소결의 구동력이 크고 물질 이동거리가 짧기때문에 소결이 빨리 일어난다. 이 때, 기공들은 열린 기공(open pore)으로 존재하고 약간의결정립 성장이 일어난다.(2) 중기 단계: 입자 사이가 상당히 접근해 소결수축의 대부분이 일어나는 단계로 구동력 감소,물질거리 증가 등으로 인해 소결속도는 초기단계보다 느려진다. 이 단계에서 상당한 결정립성장이 일어나면, 분말의 표면적은 상당히 줄어든다.(3) 말기 단계: 기공율이 약 5~10%일 때부터 이론밀도에 이를 때까지의 단계로 상당한 결정립성장이 일어나며, 기공들은 결정립 내부, 입계 또는 입계가 만나는 곳에 독립적으로 닫힌기공으로 존재한다.3. 입자 성장 시 미세구조 변화 ( 정상 vs 비정상 )ⅰ) 결정립 성장 (Grain growth)고온에서 재료의 결정립 크기가 증가하는 것으로, 많은 기공을 포함하고 있는 분말 성형체가가열시 결정립들의 결합에 의해 표면적이 감소하고 강도가 증가하게 된다.결정립 성장의 구동력은 입계 면적의 감소로 인한 총 계면 에너지의 감소로, 6면을 갖는 결정립은입계가 직선이고 입계간 각도는 120° 이고 면의 개수가 6개 이하일 경우, 각도가 감소하게 되어볼록한 입계를 가진다. 6개 이상의 면을 갖는 결정립의 경우엔 각도가 증가하게 되어 오목한입계를 가지게 된다.θ < 120°θ > 120°ⅱ) 결정립 성장의 종류θ = 120°정상 결정립 성장(Normal grain growth)결정립 크기의 상대분포가 시간에 따라 변하지 않고 단순한 형태로 일정하게 유지되는 결정립성장을 뜻한다특징 : -정상 결정립 : 입계 간 각도를 120° 로 유지하며, 성장속도가 느리다.- 정상 성장된 결정립들 사이에 큰 결정립이 존재해도 결정립계간 각도는120° 도를 유지한다.ⅲ) 비정상 결정립 성장(Abnormal Grain growth)일부의 결정립들만이 예외적으로 크게 성장하여 시간에 따른 상대적인 크기 분포가 변화하고,2중의 분포를 보일 때의 결정립 성장을 뜻한다특징 : -소결체에 대한 영향 : 소결밀도 저하(입내 기공 생성), 강도 저하- 비정상 결정립 성장의 구동력 : 결정립간 크기 차이, 입계 면적을 감소시키려하는 힘- 성장의 방향 : 곡면형태의 입계를 안정한 직선형태로 바꾸는 방향.4. 소결 조건 (온도, 분위기(환원)에 따른 의의, 소결체의 영향)ⅰ) 소결 온도온도를 높이면 소결반응이 더 빠르게 일어난다. 또한 확산방식에 따라 활성화 에너지가 다르기때문에 소결거동 또한 온도에 따라 바뀔 수 있다. 예를 들면 부피확산의 활성화 에너지는 표면확산 활성화 에너지보다 크다. 소결 과정 중 일어나는 치밀화는 표면확산보다 부피 확산에 의해일어나며 반대로 입자 성장은 부피 확산보다는 표면확산에 의해 일어난다. 따라서 고온조건에서는 부피확산이 피밀화의 주요 메커니즘으로 작용하며 상대적으로 입자 성장은 더디게발생할 수 있다..ⅱ) 소결 분위기 사용 목적외부 공기 유입 방지, 예열부에서 발생되는 윤활제 분해생성물을 제거, 성형체와 주위 환경과의화학반응 조절, 소결체 산화방지, 필요시 침탄 및 탈탄 등 탄소농도 조절이 목적이다.? 수소가스 : 환원성 가스로 입수하기 쉽기 때문에 널리 이용되고 있다. 로내에 도입하기 전에적당한 촉매를 이용하여 탈산, 탈수처리 한다. 탈수는 소결시의 산화 혹은 탈탄 등을 일어나지

공학/기술| 2022.09.08| 3페이지| 1,000원| 조회(181)

세라믹, 소결, 재료공학실험

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재료공학실험2(세라믹) 실험노트5

1. 장치 설명Figure 1. LCR meter(left), High resistance meter(right)(1) LCR meter : L(Inductance), C(Capacitance), R(Resistance)를 측정하는 장치이다. AC 전압을 측정 대상에 인가하고 이 때 흐르는 전류를 감지하여 LCR 값을 측정한다.-C _{p}의 의미 : 가까이 있는 두 도체가 부호가 서로 반대이고 크기가 같은 전하로 대전되어 있을 때, 대전된 전하량을 두 도체의 전위차로 나눈 값이다. 이와 같은 장치를 축전기라 하며 축전기가 전하를 저장할 수 있는 능력을 나타내는 물리량이며, 단위 전압에서 축전기가 저장하는 전하이다. 단위는F(패럿)이다.-D의 의미 : 에너지가 전기 진동하는 동안 손실되는 속도, 손실계수를 의미한다. 지정된 주파수에서 절연 재료 저항과 용량 리액턴스의 비율로 정의된다. 재료의 비효율 또는 손실을 측정하며 항상 0 보다 크지만 일반적으로 유전 상수보다 훨씬 작다. 교류 회로에서의 위상, 콘덴서 재료인 유전체의 종류에 따라 D값이 달라진다. 결과적으로 D값이 0에 가까울수록 좋은 콘덴서이다.(2) High resistance meter : 절연체에 설정한 고전압을 인가하여 작은 전류 값을 얻어내고 높은 직류의 test 전압을 절연체 물질에 인가하여 Ohm’s law를 통해 체적, 표면 저항 값을 측정하는 장치이다.2. 실험 과정(1) Sample 전처리- SiO2 doped BaTiO3 disk에 표면 전도도를 인위적으로 인가하기 위하여 Ag Paste를 이용하여 코팅하고 지그(Jig)를 사용하여 sample holding 해준다.Figure 2. Ag paste on SiO2 doped BaTiO3 disk(left)(2) Disk의 두께와 직경 측정- 버니어 캘리퍼를 이용해 sample의 두께와 직경을 측정했다.(3) 유전 특성 평가- LCR meter를 사용하여 SiO2 doped BaTiO3의 총 3번의C _{p}값을 안정화 된 후에 각각 측정한다.(4) 절연 특성 평가- High resistance meter를 사용하여 SiO2 doped BaTiO3의 총 3번의R값을 안정화 된 후에 각각 측정한다.(5) 측정한C _{p}값과R값의 평균을 계산하고 유전특성과 절연특성을 분석한다.(6) 각 평균값과 Pure BaTiO3의C _{p}값과R값을 비교한다.3. 실험 결과(1) SiO2 doped BaTiO3의 직경, 두께 : 17.38mm / 1.73mm(2) 유전 특성 평가 결과결과 값 : 2.738516nF / 2.737655nF / 2.737613nF평균 값 : 2.737928nF ( 유전율 :{2.737928 TIMES 1.73 TIMES 10 ^{-3}} over {{pi } over {4} LEFT ( 17.38 TIMES 10 ^{-3} RIGHT ) ^{2}} `=`19.97`nF/m )(3) 절연 특성 평가결과 값 :6.1397 TIMES 10 ^{9} ohm `/`6.8786 TIMES 10 ^{9} ohm `/`6.8486 TIMES 10 ^{9} ohm 평균 값 :6.6223 TIMES 10 ^{9`} ohm ( 비저항 :6.6223 TIMES 10 ^{9} TIMES {{pi } over {4} (17.38 TIMES 10 ^{-3} ) ^{2}} over {1.73 TIMES 10 ^{-3}} `=0.9M` ohm BULLET m` )4. 고찰- 계산과정Pure BaTiO3의 유전율 :{2.144 TIMES 1.77 TIMES 10 ^{-3}} over {{pi } over {4} LEFT ( 17.43 TIMES 10 ^{-3} RIGHT ) ^{2}} `=`15.9`nF/m비저항 :1.464 TIMES 10 ^{11} TIMES {{pi } over {4} LEFT ( 17.43 TIMES 10 ^{-3} RIGHT ) ^{2}} over {1.77 TIMES 10 ^{-3}} `=`19.7`M` ohm BULLET m- 결론위의 계산 과정을 통해 pure BaTiO3에 0.4 mol%의 SiO2를 도핑하면 비저항이 낮아지고 유전율은 향상된다는 결론을 얻을 수 있다.- 오차 원인1. LCR meter 측정 시 Cp 값이 시간에 따라 안정화되지 않고 바뀐다.2. Ion sputter를 통해 Au를 sample 표면에 균일하게 코팅하지 않고 Ag paste를 사용하여 불균일하게 코팅되었을 수 있다.

공학/기술| 2022.09.08| 2페이지| 1,000원| 조회(162)

세라믹, 재료공학실험, 실험 과정

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재료공학실험2(세라믹) 최종보고서

1. 실험 목적0BaTiO _{3}는 MLCC에 사용되는 대표적인 유전체 세라믹이다. Perovskite 구조는 큰 유전율을 갖고 있어 많은 에너지를 저장할 수 있으나 퀴리 온도보다 증가하면 tetragonal system이 cubic system으로 바뀌면서 분극을 일으키지 못하므로 온도 안전성을 높이기 위해 첨가제를 사용한다.따라서 MLCC용 유전체로 사용되는BaTiO _{3}의 온도 안정성과 유전율을 향상시키기 위한 희토류 대체 첨가제인SiO _{2}의 조성과 공정(소결 조건)을 설계하고 유전, 절연 특성 평가 및 XRD, SEM 분석을 통해 소결 조건과 조성에 의한 효과 및 변화에 대한 원인에 대해 이해한다.2. 이론적 배경(1) 첨가제SiO _{2}의 몰 수에 따른 특성 변화① Grain size 및 기공율 변화(소결성 개선)BaTiO _{3}-xSiO _{2}의 형태일 때 첨가량에 따라 입자 크기가 더 커지고 균일해지며, 이는SiO _{2} 첨가로BaTiO _{3}의 소결성을 개선한 것으로 볼 수 있다. 기공이 확산되고 결정립계에서 제거되어 밀도가 개선된 조밀한 결정립구조를 생성함으로써 치밀화가 향상되는 것으로 보인다. 그러나 x = 0.6mol%부터는 더 많은SiO _{2} 첨가제가 일부 입자만큼 큰 크기로 기공 유착을 유발한다. 이러한 큰 기공은 입자의 조밀화를 억제하고BaTiO _{3}의 밀도를 낮춘다. 이때, 입자 변화에 따라 입자크기가 증가하면 유전율이 증가하고 온도 의존성 또한 증가한다.SiO _{2}가 소량 첨가되었을 때에는 첨가된SiO _{2}가 분말 성형체 내부에 매우 불균일하게 분포하고 있으며, 따라서 소결 초기에 부분적 액상 형성으로 인한 치밀화와 함께 비정상 입자 성장을 유발하여 높은 밀도를 가지지 못한다. 그러나 첨가량이 증가함에 따라 시편 내부에 생성되는 액상의 양이 증가되고 충분한 양의 액상 성분을 첨가함으로써 모든 입계가 액상으로 채워진 경우 치밀화가 주로 기여하게 되어 비교적 균일하게 액상이 형성되고 정상 입자 성장이 ubic-to-tetragonal transformation 성질을 나타낸다. 이때 정방정계로 변형된 Perovskite 구조에서 Ti, O 이온의 이동으로 인하여 기울임의 현상으로 결정 중에 음이온의 중심과 양이온의 중심이 일치하지 않게 되어 영구 쌍극자가 생김으로 인해 자발적으로 분극이 발생하고, 분극의 크기는 온도가 변함에 따라 함께 변화한다.BaTiO _{3}에서의 O의 위치는 강한 전기장을 인가하면 반전하고 역의 전기장을 인가하면 역으로 반전시키는 것이 가능하여 강유전성을 갖는다.Curie 온도(약 125℃) 이하에서 tetragonal로 상전이가 발생하고, Ti 4가 양이온이 들어갈 Octahedral site의 크기가 이온보다 크게 돼서 이온이 위, 아래로 이동이 가능한 상태가 된다. 이렇게 흔들리는 Ti 이온은 체심 위치에서 쉽게 벗어나 결정 대칭의 변화를 일으킬 수 있다.외부에서 전기장이 가해지면 Ti 4가 양이온에 의해 분극이 발생하며 강유전성을 띠고, 전기장 제거 후에도 분극을 유지한다. 순수한BaTiO _{3}의 유전율은 Curie 온도인 125℃ 부근에서 최댓값을 보인다. Curie 온도를 지나면 Ti 4가 양이온이 격자진동에 의해 체심으로 이동하면서, 결정구조의 비대칭성이 줄어들기 때문에 tetragonal 구조에서 cubic 구조로 상전이가 일어난다.3. 실험 원리(1) Ball millingFigure 4. Ball millingBall milling의 원리는 플라스틱 재질의 실린더형 용기에 단단하고 내마모성이 우수한 Zirconia나 Alumina를 넣어 회전시킴으로써 텀블링에 의한 충격이나 전단력, 마찰력 등을 이용하여 원료를 분쇄하는 것이다. 일반적으로 입도는 ball의 크기, 경도, 강도, 무게, 양 등에 크게 의존하며 회전속도, 밀링시간, 적재량 등 밀링조건에도 많은 영향을 받는다.(2) PressingFigure 5. 일축 가압 press 장비단단한 금형에 분말 및 과립상 재료를 넣고 압축하여 성형하는 제조 공정이며 분말 분석의 경우 방출하는 전자를 관측하는 실험기구로 절연체로 실험을 진행했을 때 전자 빔을 쏘았을 때 전자가 외부로 방출되지 못하고 표면에 trap되는 Charging Effect 등의 문제가 발생할 수 있다. 따라서 SEM 표면분석을 진행하기 전에 전도도를 표면에 인위적으로 부여하기 위해서 표면 한쪽면에 Au 코팅을 하여 전류가 통하도록 한다.4. 실험 방법(1) 첨가제(SiO _{2}) 조성 설계논문에 근거하여BaTiO _{3}에SiO _{2} 첨가제를 사용하게 되면BaTiO _{3}-xSiO _{2}의 형태일 때, XRD pattern 분석 결과SiO _{2} 함량이 증가함에 따라 시료의 정방성(tetragonality, c/a)이 증가하였다. 또한, x≤0.4에서 시료의 밀도와 입자크기의 증가가 보인다. 이러한 양의SiO _{2}를 함유한BaTiO _{3}는 샘플의 고밀도 및 균일한 미세구조로 향상되어 유전율이 최대값에 도달하고 유전 손실이 최소값을 나타냈다. 그리고 xGEQ 1부터는 이차상이 존재하여 특성에 나쁜 영향을 끼칠 것으로 예상된다.결론적으로SiO _{2}의 몰분율이 0.4mol%일 때까지 소결성이 좋아 입자 크기가 커졌고 0.4mol%의 첨가제 함량에서 우수한 밀도를 가지고 유전 상수 값이 최대이므로 본 실험에서는BaTiO _{3} 20g에 따른 0.4mol%SiO _{2}(0.021g)를 최적의 조성으로 결정했다.(2) Weighing & Ball milling① 저울 위에 weighing paper를 올리고 안정화될 때까지 기다린다. (이 과정은 weighing 전 매번 진행된다.)② BaTiO3를 20g 담기 위해 10g씩 두 번에 걸쳐 나눠 weighing을 진행한 후, 빈 통에 담는다.③ 사전에 최적 비율이라고 설계한SiO _{2} powder(최적 비율 : 0.021g)를 weighing 한 후,BaTiO _{3} 20g이 들어있는 통에 담는다.④ 파우더, 알루미나 볼, 에탄올을 1:1:2 비율로 혼합한다. 이때 알루미나 볼은 크기선택하고, Stage의 높이, 위치, 각도를 조절하여 sampling한 시료를 넣는다.④ XRD 측정 조건을 설정한다. 본 실험에서는 2θ의 범위를 5~90°로 설정하고, 대략 0.01~0.02° 간격으로 회절강도를 측정하였다. 분석에 사용된 X-선 파장은 CuKα (λ=1.5406Å)이며 사용된 전류는 40mA, 전압은 40kV이다.⑤ 측정이 완료된 후 2θ에 대한 회절강도 그래프를 얻고, pureBaTiO _{3} XRD pattern과 비교한다.(5) 유전, 절연 특성 분석① Sample 전처리-SiO _{2} dopedBaTiO _{3} disk에 표면 전도도를 인위적으로 인가하기 위하여 Ag Paste를 이용하여 코팅하고 지그(Jig)를 사용하여 sample holding 해준다.② Disk의 두께와 직경 측정- 버니어 캘리퍼를 이용해 sample의 두께와 직경을 측정했다.③ 유전 특성 평가- LCR meter를 사용하여SiO _{2} dopedBaTiO _{3}의 총 3번의 값을 안정화 된 후에 각각 측정한다.④ 절연 특성 평가- High resistance meter를 사용하여SiO _{2} dopedBaTiO _{3}의 총 3번의 값을 안정화 된 후에 각각 측정한다.⑤ 측정한 값과 값의 평균을 계산하고 유전특성과 절연특성을 분석한다.⑥ 각 평균값과 pureBaTiO _{3}의 값과 값을 비교한다.(6) SEM 표면 분석① SEM 분석에 앞서 시편 표면을 Ion spin coater를 이용해 금으로 코팅한다.② 지그(jig) stage에 시편을 결합한 뒤 진공상태에 있는 SEM 장비를 사용하기 전에 진공을 한 번 제거한 후 다시 pumping 해서 진공을 만들고 유지한다.③ 도금처리 된 시편을 SEM chamber에 넣고 10kV의 가속 전압으로 분석을 실시한다.5. 결과 및 분석(1) XRD 구조 분석Figure 9. XRD pattern of pure (left), doped (right)실험 전, pureBaTiO _{3}와SiO _{2} ddopedBaTiO _{3}19.970.9PureBaTiO _{3}15.919.7Table 2. Permittivity and resistivity ofSiO _{2} dopedBaTiO _{3}, pureBaTiO _{3} 위의 계산 과정을 통해 pureBaTiO _{3}에 0.4 mol%의SiO _{2}를 도핑하면 비저항이 낮아지고 유전율은 향상되어 더 우수한 성능의 강유전체를 얻을 수 있었다. LCR meter와 High resistance meter 모두 Cp와 R값이 시간에 따라 안정화되지 않고 바뀌었고 이는 Ion sputter를 통해 Au를 sample 표면에 균일하게 코팅하지 않고 Ag paste를 사용하여 불균일하게 코팅되었을 수 있는 가능성과SiO _{2} dopedBaTiO _{3} powder sample을 ball milling하는 과정 중 주어진 recipe에서 이상적인 구형의 입자 형태로 만들지 못했을 가능성이 있다. 또한 성형 과정에는 일축 가압 성형을 사용했기 때문에 표면 밀도구배의 차이가 생겨 sample 내부의 defect나 표면에 crack이 생겨서 저항 측정이 부정확할 수 있다. 또한 pressing 후 sample의 열처리 과정에서 더 소결성을 개선시킬 수 있는 적합한 조건이 존재할 수 있다.LCR meter로도R값을 측정할 수 있는데 High resistance meter를 사용한 것이 의문점이 들었고 이는 LCR meter를 통한R값 측정은 안정화가 어렵고 그래프로 plot해서 구해야 정확하기 때문일 것 같다.(3) SEM 표면 분석Figure 10. SEM image of 0.4mol%SiO _{2} dopedBaTiO _{3} (5kx, 10kx, 20kx, 30kx)Figure 11. SEM image of PureBaTiO _{3}(5kx, 10kx), 0.4mol%SiO _{2} dopedBaTiO _{3}(5kx, 10kx)SEM 이미지를 통해 완성된 시편에서의 결정립 형태와 크기, 기공의 크기 및 분포를 다.

공학/기술| 2022.09.08| 9페이지| 2,000원| 조회(390)

세라믹, 첨가제, 재료공학실험

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자연과학| 2022.09.08| 3페이지| 1,000원| 조회(308)

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