실험 고찰<실습1> 실습 1은 주어진 회로를 구성하고, 다이오드를 통해서 10mA, 50mA의 전류가 흐르도록 각각 전압을 조정하여 다이오드 양단 전압을 측정하였다. 또한 실험 결과로부터 문턱 전압과 벌크 저항을 구해보았다.다이오드에 10mA를 흐르도록 전압을 조정하였을 때 실험값은 0.747,17[V]가 나왔으며 다이오드에 50mA를 흐르도록 전압을 조정하였을 때 실험값은 0.858,53[V]가 측정되었다. 다이오드를 DMM 다이오드 모드로 측정하였더니 0.749,8[V]가 측정되었다. 이는 0.749,8[V]이상의 전압이 들어가면 그때부터 전류가 흐른다는 사실을 실험 결과를 통해 알 수 있었다.<실습2> 실습 2는 두 가지 방법으로 전류를 측정하였는데 먼저 전류계를 사용했을 때의 실험값은 25.911[mA]가 나왔고, 220옴 저항의 양단 전압을 측정하여 전류를 계산했을 때는 25.506[mA]가 나왔다. 제 1근사해석은 제2,제3근사해석과는 달리 문턱전압을 고려하지 않기 때문에 값이 제 2,제 3 근사해석보다 값의 차이가 크고, 제 2근사해석은 다이오드의 저항을 고려하지 않고, 제 3근사해석은 앞의 제 1, 제2 근사해석과는 달리 문턱전압과 다이오드 내부저항까지 모두 다 고려하기 때문에 제 1근사해석과 제 2근사해석보다는 시뮬레이션값과비슷하다고 볼 수 있다.
2. 분석 (실험 결과의 증명)모든 측정된 결과의 정확성을 이론 및 시뮬레이션을 통해 증명하시오.실습1, 실습2는 반파 정류, 전파 정류로 출력 파형을 알아보는 실습이었다. 먼저, 반파 정류 실험에서 VPP 값은 7.60[V], DC값은 2.35[V], 반파 형태로 출력되었다. DMM으로 DC를 측정하였을 때는 2.895[V]가 나왔다.시뮬레이션으로 VPP를 측정하였을 땐 7.65[V]가 출력된 것을 알 수 있다. 전파 정류 실험에서 VPP는 7.5[V], DC 값은 4.94[V], + 전파형태를 띄었다. 시뮬레이션으로 VPP를 측정하였을 땐 7.50[V]가 측정되었다. VA =12V, VB=6V, VC= 0V를 인가하였으므로 VA와 VB의 전압차는 6V, VB와 VC의 전압차도 6V이기 때문에 피크는 같은 값이 나오며 위상차는 서로 90도가 차이난다.실습 3, 실습 4에서 블리더 저항만 있을 때 오실로스코프로 측정했을 때의 값은 Vpp는 7.3[V], VDC는 7.13[V] 시뮬레이션 값은 6.5[V]이다. 240옴으로 병렬로 연결한 뒤 오실로스코프로 측정했을 때의 값은 Vpp는 7.080[V], VDC는 5.45[V] 시뮬레이션 값은 7.70[V]가 나왔다.실습5, 실습 6은 캐패시터 유무에 따른 리플 전압을 측정하는 실험이었다. 실습 6에서 부하가 작을 때의 리플 전압보다 부하가 클 때의 리플 전압이 더 크다는 것을 알 수 있었다.
고찰-실험 1 리미터 회로 실험은 그림에서 제시한 리미터 회로를 구성하여 부하저항 양단에 걸리는 파형을 관찰하고 입력파형에 맞추어 출력파형을 알아보는 실험이었다. 실험 1 에선 신호의 양의 부분을 제거하는 양의 리미터와 음의 부분을 제거하는 음의 리미터가 나타났다. 양의 리미터는 실험사진에서 보다시피 모든 양의 반주기가 잘려져나갔고 음의 리미터는 모든 음의 반주기가 잘려져나갔다. 이 실험에서는 18[VP-P]로 설정하라고 지시했지만 조작 실수로 인해 10[VP-P]로 설정하고 실험을 진행하였다. 그래서 파형의 형태는 서로 같지만 VP-P 값이 각각 (10.6V-18.75V), (10.2V-18.75V), (13.6V-21.50V), (1.56V-7.60V)로 값의 차이가 상당히 크게 나는 것을 볼 수 있다.실험 2 클램퍼 회로 실험은 주어진 클램퍼 회로를 구성하여 출력파형을 관찰하고 입력신호의 주파수를 1[kHz]에서 100[kHz]로 변화시켜 출력파형을 관찰하는 실험이었다. 주파수 1[kHz]에서 100[kHz]로 늘렸더니 파형의 형태는 그대로였지만 파장이 짧아진 것을 볼 수 있었다. 또한, 다이오드의 방향을 반대로 설정하고 주파수를 늘렸더니 아까 실험과 마찬가지로 파장이 짧아진 것을 보아 주파수를 늘리면 파장이 짧아진다는 사실을 알 수 있었다.