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dna 전기영동 항공기 전자계기 mosfet 전자회로설계실습 DNA ligation DNA agarose 전기영동 단위조작실험 PCR mosfet pspice 특성
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"iD marker" 검색결과 1-20 / 106건

  • 자료 표지
    A+ 전자회로설계실습_MOSFET 소자 특성 측정
    점퍼 와이어 대신 1KΩ 이하 저항 사용 가능)위에서 제시한 Data Sheet에서 가 1.8Ω임을 확인할 수 있다.PSPICE를 이용하여 iD-vGS특성곡선을 시뮬레이션 하 ... 여라. (VDS=5V를 이용하여 측정) 참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→ DC Sweep, Sweep ... 므로, 이다.따라서 이다.3.1의 (A)의 값인 223mA/V^2와 gm값인 133.8mA/V보다 약간 큰 값을 가짐을 확인할 수 있었다.PSPICE를 이용하여 iD-vDS 특성곡선
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.08.21
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  • 판매자 표지 자료 표지
    전자회로설계실습 4번 예비보고서
    다. 3.1의 결과와 비교하면, 28.2%의 오차가 있다.(E) PSPICE를 이용하여 iD-vDS 특성곡선을 제출하여라.참고: [Current Marker: Drain단 위치 ... 를 설계하여라. (2N/7000FAI 이용, Vg와 MOSFET 게이트 연결 시 점퍼 와이어 대신 1kΩ 이하 저항 사용 가능)(B) PSPICE를 이용하여 iD-vGS특성곡선 ... 을 시뮬레이션 하여라. (VDS=5V를 이용하여 측정)참고: [Current Marker: Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→DC Sweep, Sweep
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.08.16
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  • 자료 표지
    [A+][예비보고서] 중앙대 전자회로설계실습 4. MOSFET 소자 특성 측정
    .6V인 경우, gm의 값을 구하여라.Vgs = 4.5V, Id =75mA일 때 Vds(on) = 0.14V (Typical value)를 선택하고 Vt=Vgs(th) = 2.1V ... (Typical value)와 Triode 영역의 d 구하는 식을 이용한다.Id kn(vGS-Vt))vDSKn = Id / (vGS-Vt))vDS = 75/(4.5-2.1)*0 ... 시뮬레이션 (OrCAD PSPICE)(A) OrCAD를 이용하여 그림 1의 회로도를 설계하여라. (2N7000/FAI 이용)(B) PSPICE를 이용하여 iD-vGS특성곡선
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.04.08
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  • 판매자 표지 자료 표지
    [화학생물학실험 예비레포트 및 결과레포트] 형질전환 (Transformation)
    표지자 (Selective Marker)④ 프로모터 서열, 리보솜 결합부 등5. Selection Marker: Competent cell의 낮은 효율(0.01 %)에도 불구 ... 을 생성하게 된다. 이 selection marker를 통해 형질전환이 제대로 이뤄졌다면, ampicililin이 포함된 배지에서도 박테리아의 cloning이 가능하고 이를 c ... olony를 톻해 확인할 수 있다.주의사항:실험복과 보안경, 장갑을 반드시 착용한다.시약은 반드시 환기 상태에서 사용하고 사용 후 반드시 뚜껑을 닫는다.Selection marker
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.06.09
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  • 판매자 표지 자료 표지
    [A+] 전자회로설계실습 4차 예비보고서
    를 이용하여 iD-vGS특성곡선을 시뮬레이션 하여라.(VDS=5V를 이용하여 측정)참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis ... 에서 확인한 Typical value와 거의 비슷하고 min.과 max. 사이 범위에 존재한다.(D) PSPICE를 이용하여 iD-vDS 특성곡선을 제출하여라.참고: [Current ... Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: ① Analysis type→DC Sweep, Sweep variable→Voltage source→VDC 이름 적기(Drain
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.06.21 | 수정일 2023.06.23
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  • 자료 표지
    [A+]중앙대 전자회로설계실습 예비보고서 설계실습4. MOSFET 소자 특성 측정
    )(B) PSPICE를 이용하여 iD-vGS특성곡선을 시뮬레이션 하여라.(VDS=5V를 이용하여 측정)참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅 ... value->5V, Increment->0.1V](iD-vGS특성곡선)(C) 위의 결과를 이용하여 VT를 구하고 Data Sheet값과 비교하여라.iD-vGS특성곡선을 통해 도출해 낸 ... VT값(iD가 0보다 커지는 시점, 즉 MOSFET이 동작하는 시점)은 약 2.1[V]였으며 Data Sheet값인 2.1V와 동일하거나 약간의 오차가 있음을 알 수 있었다.(D
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.12.24 | 수정일 2022.01.10
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  • 자료 표지
    4. MOSFET 소자 특성 측정 예비보고서 - [전자회로설계실습 A+ 인증]
    이용)(B) PSPICE를 이용하여 iD-vGS특성곡선을 시뮬레이션 하여라.(VDD=5V를 이용하여 측정)참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 ... Sheet에서 확인한 값과 동일하다.(D) PSPICE를 이용하여 iD-vDS 특성곡선을 제출하여라.참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.16 | 수정일 2023.01.03
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  • 자료 표지
    중앙대 전자회로설계실습 (예비) 4. MOSFET 소자 특성 측정 A+
    %, 31%의 차이를 가지며 값이 더 크다.(E) PSPICE를 이용하여 iD-vDS 특성곡선을 제출하여라.참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅 ... 1의 회로도를 설계하여라.(2N7000/FAI 이용, VG와 MOSFET 게이트 연결 시 점퍼 와이어 대신 1KΩ 이하 저항 사용 가능)(B) PSPICE를 이용하여 iD-vGS ... 특성곡선을 시뮬레이션 하여라. (VDS=5V를 이용하여 측정)참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→DC Sweep
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 4페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.04.09
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  • 자료 표지
    [중앙대 전자회로설계실습 4 예비보고서] MOSFET 소자 특성 측정
    KΩ 이하 저항 사용 가능)(B) PSPICE를 이용하여 iD-vGS특성곡선을 시뮬레이션 하여라. (VDS=5V를 이용하여 측정) 참고: [Current Marker : Drain ... =113.388[mA/V] 이다.3.1의 값과 비교하면 오차율은 15.33% 이다.(E) PSPICE를 이용하여 iD-vDS 특성곡선을 제출하여라. 참고: [Current Marker
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.08.09
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  • 자료 표지
    [A+]중앙대학교 전자회로설계실습 MOSFET 소자 특성 측정 예비보고서
    (E) PSPICE를 이용하여iD-VDS 특성곡선을 제출하여라. 참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: ① Analysis type →DC
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.03.09
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  • 판매자 표지 자료 표지
    A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 4 MOSFET 소자 특성 측정
    /FAI 이용, VG와 MOSFET 게이트 연결 시 점퍼 와이어 대신 1KΩ 이하 저항 사용 가능)(B) PSPICE를 이용하여 iD-vGS특성곡선을 시뮬레이션 하여라. (VDS=5 ... V를 이용하여 측정) 참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→DC Sweep, Sweep variable ... 143.360`[rmmA/V] 이다.3.1의 결과와 차이가 있지만 비슷한 값을 보이는 것을 확인할 수 있다.(E) PSPICE를 이용하여 iD-vDS 특성곡선을 제출하여라. 참
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.02.25
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  • 자료 표지
    MOSFET 소자 특성 측정 예비보고서
    ) PSPICE를 이용하여 iD-vDS 특성곡선을 제출하여라.참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: ① Analysis type →DC Sweep ... 와 MOSFET 게이트 연결 시 점퍼 와이어 대신 1KΩ 이하 저항 사용 가능)(B) PSPICE를 이용하여 iD-vGS특성곡선을 시뮬레이션 하여라.(VDS=5V를 이용하여 측정 ... ) 참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→DC Sweep, Sweep variable→Voltage source→VDC
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.06.18
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  • 자료 표지
    [A+][중앙대학교 전자회로설계실습] 실습4 MOSTFET 소자 특성 측정 예비보고서
    과 같다.(D) PSPICE를 이용하여 iD-vDS특성곡선을 제출하여라. 참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: ① Analysis type ... 7000/FAI 이용 및 RD는 Short시켜 시뮬레이션 진행 이용)(B) PSPICE를 이용하여 iD-vGS특성곡선을 시뮬레이션 하여라.(VDD=5V를 이용하여 측정)참고 ... : [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→DC Sweep, Sweep variable→Voltage source→VDC 이름 적기
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.30 | 수정일 2022.04.20
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  • 판매자 표지 자료 표지
    [화학생물학실험 예비레포트 및 결과레포트] PCR을 통한 유전자 증폭 및 전기영동 & DNA Gel Extraction
    에서 nd이다. 같은 종에 해당하는 쥐의 꼬리를 DNA sample로 사용했으므로 DNA marker를 제외한 8개 well의 DNA band가 비슷한 위치에서 나타났다. DNA ... marker에 대한 자세한 수치적 지표가 존재하지 않으므로 그림 1의 색소가 나타난 위치와 그림 4를 토대로 그림 2에 나타난 DNA band의 mass를 추측해보았다. 그림 2 우측 ... 의 파란 선은 xylene cyanol FF가, 노란 선은 orange G가 나타난 범위이다. DNA marker에서 band는 일반적으로 DNA mass가 0에 가까워질수록
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 12페이지 | 4,000원 | 등록일 2022.06.09
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  • 판매자 표지 자료 표지
    [결과] 그람 염색
    ). HYPERLINK "https://terms.naver.com/entry.naver?docId=5680257&cid=61232&categoryId=61232" https://terms ... .naver.com/entry.naver?docId=5680257&cid=61232&categoryId=612322. 두산백과. (연도 미상). HYPERLINK "https ... ://terms.naver.com/entry.naver?docId=1151210&cid=40942&categoryId=32403" https://terms.naver.com/entry
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.09.20
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  • 자료 표지
    GPS와 증강현실을 이용한 제수변 관리시스템 구현 (Implementation of Sluice Valve management systems using GPS and AR)
    한국정보통신학회 김화선, 김창영, 이임건
    논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.28 | 수정일 2025.07.04
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  • 자료 표지
    중앙대 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서(실험4)
    은 typ 값이기 때문에 부정확할 수도 있다.(E) PSPICE를 이용하여 iD-vDS 특성곡선을 제출하여라.참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅 ... 보다 훨씬 낮은 경우, 즉 Drain과 Source가 거의 short된 경우에는 iD-vDS특성이 거의 직선이 되며 다음 식으로 근사할 수 있다.3.2 MOSFET 회로도 구성 및 ... Ω 이하 저항 사용 가능)그림 1. MOSFET 소자 측정 회로(B) PSPICE를 이용하여 iD-vGS특성곡선을 시뮬레이션 하여라. (VDS=5V를 이용하여 측정)참고
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.08.18
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  • 판매자 표지 자료 표지
    [화학생물학실험 예비레포트 및 결과레포트] DNA Digestion 및 Ligation, 제한효소 cloning
    of 다수의 제한효소 절단 염기서열 포함.③ 선택표지자 (Selective Marker)④ 프로모터 서열, 리보솜 결합부 등종류: 사용 목적에 따라 선택① 플라스미드 (Plasmid ... marker를 통해 표시된 붉은 선 내부의 band가 약 750 bp라는 것을 알아냈다. 우리가 사용한 DNA의 크기는 약 12.000 bp 정도로 제한효소를 이용해 절단하려 한 ... .naver.com/entry.naver?docId=1260728&cid=40942&categoryId=32326" https://terms.naver.com/entry.naver
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.06.09
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  • 자료 표지
    서울시립대 전자전기컴퓨터설계실험3 예비레포트 2주차
    은 VSIN으로 설정하여 입력해주었다.Figure 8.Simulation model of RLC circuit출력파형 : Marker를 dB Magnitude of Voltage ... 하여 시뮬레이션 하기로 정하였다. 전압원은 VSIN으로 설정하여 입력해주었다.Figure 10.Simulation model of RLC circuit출력파형 : Marker ... .com/entry.naver?docId=758190&cid=42341&categoryId=42341공진 주파수 : HYPERLINK "https://terms.naver.com
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.03.10
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  • 판매자 표지 자료 표지
    [예비] 그람 염색
    .naver?docId=5680257&cid=61232&categoryId=61232" https://terms.naver.com/entry.naver?docId=5680257&cid ... =1151210&cid=40942&categoryId=32403" https://terms.naver.com/entry.naver?docId=1151210&cid=40942&c ... ategoryId=324033. 화학용어사전 (사프라닌), HYPERLINK "https://terms.naver.com/entry.naver?docId=606292&cid=50314&c
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.09.20
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2025년 12월 03일 수요일
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