[중앙대 전자회로설계실습 4 예비보고서] MOSFET 소자 특성 측정

목차

1. 목적

2. 준비물 및 유의사항

3.1 MOSFET의 특성 parameter 계산
3.2 MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 (OrCAD PSPICE)

본문내용

1. 목적
MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구한다.

2. 준비물 및 유의사항
DC Power Supply(2channel) : 1대
Digital Multimeter (이하 DMM) : 1대
40cm 잭-집게 연결선 (빨강) : 4개
40cm 잭-집게 연결선 (검정) : 4개
Breadboard (빵판) : 1개
점퍼 와이어 키트 : 1개
MOSFET : 2N7000 : 1개
저항 1 KΩ 1/2W (점퍼선 대채 가능) : 1개

3.1 MOSFET의 특성 parameter 계산

(A) Data Sheet를 이용하여 VT, kn을 구하여라. (사용한 data sheet 정보를 캡쳐하여 그림으로 포함) kn을 구할 때, 필요한 수식 및 수치를 자세히 서술하라. 또한, Data Sheet에서 구한 kn을 이용하여 VOV=0.6V인 경우, gm의 값을 구하여라.

아래의 Data sheet 를 보면 Threshold voltage V_T=2.1V 임을 알 수 있고, V_GS=4.5V, I_D=75mA 일 때 V_DS=0.14V 임을 알 수 있다. V_DS 가 1V 보다 작으므로 Triode 영역의 근사식을 이용하면 k_n=I_D/((V_GS-V_T )⋅V_DS )=75mA/((4.5V-2.1V)×0.14V)=223.21 [mA∕V^2 ] 이다.

참고 자료

없음