[A+][예비보고서] 중앙대 전자회로설계실습 4. MOSFET 소자 특성 측정

소개글

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목차

1. MOSFET의 특성 parameter 계산
2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 (OrCAD PSPICE)

본문내용

3.1 MOSFET의 특성 parameter 계산 (A) Data Sheet를 이용하여 VT, kn을 구하여라. (사용한 data sheet 정보를 캡쳐하여 그림으로 포함) kn을 구할 때, 필요한 수식 및 수치를 자세히 서술 하라. 또한, Data Sheet에서 구한 kn을 이용하여 VOV=0.6V인 경우, gm의 값을 구하여라.

Vgs = 4.5V, Id =75mA일 때 Vds(on) = 0.14V (Typical value)를 선택하고 Vt=Vgs(th) = 2.1V (Typical value)와 Triode 영역의 Id 구하는 식을 이용한다.
Id ≅ kn(vGS-Vt))vDS
Kn = Id / (vGS-Vt))vDS = 75/(4.5-2.1)*0.14 = 223
Vt = 2.1 V,
kn = 223 mA/V2
Gm = kn(Vgs - Vt) = knVOV = 223 * 0.6 = 134mA/V

참고 자료

없음