중앙대 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서(실험4)

주냥
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최초 등록일
2021.08.18
최종 저작일
2021.05
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"중앙대 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서(실험4)"에 대한 내용입니다.

목차

1. 실험 목적

2. 실습준비물

3. 설계실습 계획서
1) MOSFET의 특성 parameter 계산
2) MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 (OrCAD PSPICE)

4. 실험 절차
1) MOSFET 회로의 제작 및 측정
2) VG 가변에 따른 특성 곡선 측정

5. 결론

본문내용

1. 실험 목적
MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이 용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용 하여 소자의 특성을 구한다.

2. 실습준비물
DC Power Supply(2channel) : 1대
DMM : 1대
40cm 잭-집게 연결선 (빨강) : 4개
40cm 잭-집게 연결선 (검정) : 4개
Resistor 1 kΩ, 1/2 W(점퍼선 대체 가능) : 1개
점퍼 와이어 키트 : 1개
Bread Board : 1개
MOSFET 2N7000 : 1개

3. 설계실습 계획서

3.1 MOSFET의 특성 parameter 계산
(A) Data Sheet를 이용하여 VT, kn을 구하여라. (사용한 data sheet 정보를 캡쳐하여 그림으로 포함) kn을 구할 때, 필요한 수식 및 수치를 자세히 서술하라. 또한, Data Sheet에서 구한 kn을 이용하여 VOV=0.6V인 경우, gm의 값을 구하여라.

참고 자료

없음
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