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"cds박막" 검색결과 1-20 / 294건

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    CdS 박막의 제조와 band gap 계산
    의 band gap energy(Eg)를 UV – vis spectrum(전자 흡수 스펙트럼)로 측정하여 확인했다. 결론부터 말하자면 CdS 박막은 CBD 제조 방법에서 Cd와 S 원재료 ... 칼코겐화물(대부분 산화물, 황화물 및 셀렌화물)의 균일한 박막을 형성한다. CBD는 인프라가 거의 없는 간단한 공정을 사용하여 저온( Cd(NH3)4SO4 This compound ... give Cd(NH3)42+ and SO42- ion the solution. Beaker를 75°C로 유지된 water – bath에 담그고 깨끗한 glass slide를 용액
    리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.07.14
  • 판매자 표지 자료 표지
    CdS 박막의 제조와 band gap 에너지 계산 실험 레포트
    리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.03.20
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    신소재프로젝트3 광전자 A+ 예비레포트
    루 라이드 카드뮴 (CdTe), 구리 인듐 갈륨 디스 셀레 나이드 (CIGS) 및 비정질 박막 실리콘 (a-Si, TF-Si), 염료 감응형 태양 전지(DSSC: dye s ... ensitized solar cell)을 비롯한 여러 기술에서 상업적으로 사용됩니다.1세대의 태양 전지가 소재→잉곳→웨이퍼→셀→모듈의 순차적 공정으로 처리하는 것과 달리 TFT-LCD 박막 기술 ... 대신 CZT(S,Se)로 바뀌어 있다. CZT(S,Se) 박막 태양전지의 기본 구조는 p-n 접합 구조와 이의 양면에 각각 음극 전극으로 사용되는 금속전극과 양극 전극으로 사용
    리포트 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.10.07
  • 반도체 전공정 면접 대비 자료
    를 높여 ccp보다 저압에서도 플라즈마 형성해 식각 직진성 높일 수 있음 Sputtering: 박막 source에 AR+ 충돌시켜 분리된 원자 증착하는 방식 RF sputtering ... 상수: 진공 유전율 1로 봤을 때 상대적인 유전율 비(sio2 경우 3.9) -정의: 전기장 인가시 다른 극성 전하 생기는 물질 -활용: low k는 절연막, high k는 커패시터 ... -정의: M,O,S순서로 적층한 구조. -원리: gate에 전압 인가 -> 유전체 분극 -> 캐리어 이동 -상태: acc(VLDD -punch through: Drain에서 확장
    자기소개서 | 16페이지 | 3,500원 | 등록일 2024.10.01 | 수정일 2024.10.15
  • 판매자 표지 자료 표지
    신소재프로젝트3 광전자 A+ 결과레포트
    고자 한다.CdTe, Cu(In, Ga)(S, Se)(CIGS)를 기반으로 하는 박막형 태양전지는 우수한 광학적 특성과 광 에너지 변환효율로 인하여 주목받고 있으나 Cd의 독성과 함께 ... , 그리고 유기 및 나노 반도체 소재를 이용한 것을 3세대로 분류한다. 차세대 태양전지로 2세대의 CdTe와 CIGS 박막 태양전지가 물망에 오르고 있는데, Cd 독성으로 인한 ... 이 풍부한 Zn과 Sn으로 대체하기 위한 연구가 활발하게 진행 중이다. 본 논문에서는 범용 무독성 원소만을 광 흡수층에 포함하는 CZT(S,Se) 박막 태양전지 연구에 대하여 알아보
    리포트 | 16페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.10.07 | 수정일 2023.10.08
  • 실험 5. Preparation of Semiconducting Materials in the Laboratory
    메커니즘에 의하여 박막의 증착이 진행된다고 알려져 있다. 이온형성에 의한 메카니즘은 용액내의 Cd2+ 이온들이 기판위에서 핵을 형성하고 S2- 이온을 흡수하여 CdS complex ... - →CH2N2+ H20+ HS-*HS- +OH- →S²¯+ H2O자) 노란색의 박막이 덮여있는 glass slide를 꺼내고 증류수로 씻은 후 공기 중에서 건조한다.* CdSO4 ... + 4(NH3)→ Cd(NH3)4SO4This compound give Cd(NH3)42+and SO4 2- ion the soution.* (NH2)2CS+ OH- →CH2N2+ H
    리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.11.15
  • 판매자 표지 자료 표지
    부산대학교 일반대학원 인지메카트로닉스공학과 연구계획서
    도트(Tb-CD) 연구, 자발적인 골분화를 위해 MXene을 포함하는 인간 중간엽 줄기세포가 포함된 하이드로겔의 3D 바이오프린팅 연구, 근적외선 형광 영상 시스템용 다채널 영상 ... 을 하고 싶습니다.저는 또한 셀레늄 나노와이어의 박막 어레이로부터의 광학적 2차 고조파 생성을 기반으로 한 풀 컬러 레이저 디스플레이 연구, 열처리와 복합구조화를 통한 디스플레이 ... 용 기능성 고분자 필름의 내구성 향상 연구, 패턴화된 방법으로 페로브스카이트 나노시트의 강화를 얻습니다. 도파관: 이득 포화의 여기 및 온도 의존성 연구, Polyization-s
    자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2024.05.14
  • 박막태양전지
    CIGS 태양전지 1 박막 태양전지란 ? 실리콘 웨이퍼 대신 값싼 유리나 금속기판 위에 반도체 박막을 증착하여 셀과 모듈을 일관 공정으로 제조하는 2 세대 태양 전지 기술 왼쪽 ... 부분은 주로 Al2O3 가 수 % 함유된 ZnO 박막이 가장 많이 활용 기판은 주로 소다라임 유리기판 사용 ( 소다라임 기판이 함유하고 있는 소듐 성분은 CIGS 층의 결정 성장 ... 을 도와주기도 하며 전지의 효율을 높이는데 긍정적으로 작용 )Copyrightⓒ. Saebyeol Yu. All Rights Reserved. 2 박막태양전지의 원리 및 특성 직접천이
    리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.12.22 | 수정일 2023.05.30
  • 반도체공정 레포트 - ITRS FEP
    - 개요전공정(Front End Process)에 대한 지침서는 Scaled된 MOSFETs, DRAM storage Capacitor, 이에 더하여 Flash memory ... Silicidation 기술을 통한 확장을 포함한다.특히나, 기판 재료, 표면 준비, 열적/박막, 도핑 그리고 MOSFET을 위한 플라즈마 etching, 이에 더하여 DRAM ... 어 주요한 수단이 된다. 이러한 이익은 전통적으로 새로운 lithography 장비, Mask, Photo-resist 재료 그리고 CD etching 공정 개발을 바탕으로 움직였다
    리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.07.11 | 수정일 2024.06.19
  • 반도체 공정 레포트 - front end process(학점 A 레포트)
    웨이퍼 기판의 단위 및 집정공정 그리고 접촉 silicidation 공정 을 통한 확장을 포함한다. 특히 초기재료, 표면 준비, 열/박막, 도핑 및 FEP 플라즈마 식각, 스택 및 ... FRONT END PROCESSESSCOPEFEP 로드맵은 MOSFET, DRAM storage capacitor, FeRAM 과 같은 소자와 관련된 미래의 공정 요구사항과 잠재 ... 트렌치 DRAM 커패시터, Flash memory의 gate 구조, 상변화 메모리, FeRAM 등을 다룬다.DIFFICULT CHALLENGESMOSFET scaling
    리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.12.29 | 수정일 2023.01.03
  • 미디어교육 - 소셜미디어를 활용한 미디어교육 프로그램 사례조사 및 분석
    라 생각된다. 4. 출처 및 참고 문헌 1) https://index.go.kr/potal/stts/idxMain/selectPoSttsIdxMainPrint.do?idx_cd=1367 ... ) 공개교육장 탐방 1) https://index.go.kr/potal/stts/idxMain/selectPoSttsIdxMainPrint.do?idx_cd=1367&board_cd ... 및 채널 운영에 필요한 강의 및 "독거노총각", "박막례"등 유명 유튜버 등 사례 연구 및 일대일 멘토링을 통한 채널 운영 노하우 전수등을 제공하며 총상금 700만원 규모를 지급
    방송통신대 | 4페이지 | 3,900원 | 등록일 2022.03.25
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    [전자재료 리포트]Flexible OLED에 적용된 반도체 기술
    판을 타고 들어가 액정과 컬러필터를 통해 다시 편광판으로 들어가 우리 눈에 들어오는 방식이다. 진공과 공기 중의, 그리고 각 substrate의 굴절비가 다르고, 여러 층을 지나 ... (AMOLED) 소자 구조OLED 소자는 개발 초기에는 패시브 매트릭스(PM) 구동 방식의 OLED가 개발되었으며, 이후 박막 트랜지스터(thin film transistor)를 이용 ... 하여 구동하는 액티브 매트릭스(AM) 구동 방식의 OLED가 개발되어 최근에는 주로 AM 방식의 OLED를 중심으로 개발이 이루어지고 있다. AMOLED는 박막 트랜지스터를 사용하여 높
    리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.04.24
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    삼성전자 공정기술 23하반기 합격 자기소개서 (최종합격)
    프로젝트 중 전극 용액 레시피를 13번 개선하여 기판과의 Adhesion 개선, 저항을 49% 감소시킨 경험이 있습니다. 25ohm/sq 이하의 면저항을 갖는 전극과 1000cd/m ... 개를 추가 제작했고, 그 결과 2겹 전극이 가로로 60% 늘려도 24ohm/sq 면저항을 유지하는 우수성을 확인했습니다. 최종적으로 위 전극을 활용해 1230cd/m2의 휘도 ... 공정에서 발생하는 Issue를 추적하고 개선하는 역량을 기르기 위해 포항공과대학교 ㅁㅁㅁ 연구실 인턴으로 참여했습니다. 15번의 MOCVD 실험을 통해, 1.0sccm의 산소량을 감소시킴으로써 15㎛의 균일한 ReS2 박막을 성공적으로 증착한 경험이 있습니다.
    자기소개서 | 9페이지 | 6,000원 | 등록일 2024.06.08 | 수정일 2024.06.10
  • PLED소자제작 A+ 레포트 건국대학교 고분자재료과학
    에서 수백 개가 서로 연결되어 있기 때문에 단분자에 비해서 박막 형성이 용이하며 내충격성이 큰 장점이 있기 때문에 유기전기 발광 소자와 같이 초박막을 이용하는 전자 및 광학 소자 ... 단점을 가지고 있다. 고분자는 스핀코팅에 의한 습식 박막 증착을 하기 때문에 1차 박막 증착 후 2차 박막을 코팅할 때 떨어뜨리는 용액에 의해 1차 박막이 손상을 입는 경우가 많 ... 원자 사이에 sp2 혼성궤도를 형성하여 σ-결합으로 이루어진 삼각형 평면을 이루고, 나머지 한 개의 전자가 그 평면에 수직한 Pz 궤도에 퍼져있어 π-전자라고 한다. 이와 같이
    리포트 | 28페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.06.03
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    반도체 공정관련 면접질문 대비 및 이론 공부
    가 1s-2s-2p-3s-3p(2)로 에너지 준위를 채우고 있음실리콘이 결정구조를 이루면 sp3 혼성결합(hybrid bonding)을 하게되어 3s(1)-3p(3)로 전자가 채워진 ... 가전자대를 구성하고, 3s(1)-3p(3)에 각각 1개씩 총 4개의 전자가 더 들어갈 수 있는 빈자리가 있는데 이것이 전도대가 됨실리콘의 경우 가전자대와 전도대 사이에 전자가 허용 ... 는 주로 CF기체의 반응으로 생성되는 고분자 물질이며, 그 외에도 산화막 및 비휘발성의 염화화합물이 있음식각후 박막 증착시 박막의 Step coverage의 개선을 위해 식각 측벽
    자기소개서 | 33페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.01.28
  • 6주차 Measurement for UV-vis, PL and Hall effect(정보디스플레이학과 AMD실험 보고서)
    써져 있는 곳이 박막 쪽이 아닌 유리 쪽이므로, 특히 PL 실험에서의 박막의 방향에 유의한다.1. PDY(A~C 샘플: 500rpm, 1500rpm, 2000rpm)PDY는 OLED ... 물질처럼 분자가 섞여 있는 것이 아니고, 나노 입자들이 분포하는 방식으로 존재하기 때문에, Spin coating의 RPM 수를 조절하는 것과 관계 없이 박막의 두께가 일정하기 ... 때문에 RPM Variation을 주지 않은 채로 하나의 샘플만 가지고 실험을 진행하였다. 또한 Cd계열의 유해한 중금속 물질을 사용하므로 손에 닿지 않게 반드시 Poly glove
    리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.02.19 | 수정일 2021.03.20
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    [물리학실험]Hall Effect (홀 효과)
    Effect힘을 받은 전하는 힘의 방향으로 움직이나 박막, 도선 등 제한된 크기의 물체내에 있는 전하의 경우에는 물체의 바깥으로 쉽게 나갈 수가 없으므로, 이등전하는 물체의 양벽 ... } `=` {dV} over {IB} `=` {q} over {Nq}8) 홀 계수R _{H}에 의해 샘플의 type이 결정된다.-이면 n-type semiconductors, +이 ... 면 p-type semiconductors9) Hall voltageV _{H}를 측정하면 비저항 ρ을 구할 수 있다.rho `=` {Vdw} over {Il}10) 전하 운반자
    리포트 | 8페이지 | 3,200원 | 등록일 2022.09.28
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    [고분자공학실험]박막 태양전지
    박막 태양전지1. 실험 목적가. CZTSSe 흡수층 구조를 통해서 박막 태양 전지를 이해하고 특성을 평가한다.나. 실험 1 : S/Se 파우더 비율을 조절하여 흡수층의 band ... 효율이 13% 정도로 CIGS에 비교하면 매우 낮다. CZT는 Cu, Zn, Sn으로 metal sputter(DC)를 이용해 올린다.전면전극(Al)투명전극(TCO)버퍼층(CdS ... )광흡수층(CZTSSe)Mo 기판(후면전극)그 후, 열처리 과정에서 S와 Se 파우더를 넣어주는데 이 비율에 따라 특성이 달라진다. S를 넣지 않고 Se만 넣으면 conduction
    리포트 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.05.21
  • 반도체 공학 과제 (반도체 기본 공정 기술)
    와_{s} 순수한 산소와 반응 시켜 산화 막을 형성하는 방법으로 산화 막 성장속도가 느려 주로 얇은 막을 형성할 때 사용하며 전기적 특성이 좋은 산화 막을 만들 수 있다. 따라서 ... 산화 막 질이 좋으면서 얇게 만들 수 있지만 시간이 오래 걸린다는 단점도 가지고 있다.2) 습식산화Si+H _{2} O`=SiO _{s} +2H _{2}산소(O₂)와 함께 용해도 ... 화 시키고 정재파를 줄이기 위함입니다. 정재파란 노광 시 빛의 간섭에 의해 감광계면에 결이 발생한 것을 의미하는데 그렇게 되면 박막이나 산화막을 식각 할 때 정확한 위치에서 이루어지지 않
    리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.07.02
  • 판매자 표지 자료 표지
    [기술경영] 관심분야의 기술을 선정(이차전지)하여 기술관련 현황을 분석하고, 향후 5년 기간의 기술로드맵을 작성하시오.
    식(Rechargeable) 전지를 말한다. 이차전지는 차량 기초 전원 등에 사용되는 납축전지를 제외하고는 1960년대 양산 기술이 확립된 니켈-카드뮴(Ni-Cd) 전지에서 보편화되기 시작했다. 최근 ... 에도 전극 활물질 층의 두께를 증가시킨 후막 전극을 이용한 고용량 기술이 큰 주목을 받고 있다. 후막 전극은 다수의 박막 전극을 대체할 수 있어 이차 전지의 부피를 감소시킬 수 있 ... 고, 고밀도의 집전체 및 비교적 고비용인 분리막의 사용량을 감소시킬 수 있어 무게 및 가격 측면에서 유망한 기술이다. 그러나 기존의 박막 전극에 비해 성능 및 제조 공정성이 충분히
    리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.09.16
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- 작별인사 독후감