도 상관이 없다.⑥ Gate Insulator와 Active layer 증착- CVD로 SiNx(Gate Insulator)를 300℃에서,,의 gas를 주입하여 4000Å을 10분 ... 와 ②캐리어가 쌓이는 gate insulator, active layer사이의 interface 두 가지 인데 우리는 gate insulator즉의 특성을의 유량을 높여 박막에서 질소 ... TFT-LCD 공정 실험 REPORT1. 실험 목적Inverted Staggered 구조인 I-type TFT소자를 만들어 본다. 이때 Gate Insulator인 SiNx