TFT-LCD 공정 실험 REPORT1. 실험 목적Inverted Staggered 구조인 I-type TFT소자를 만들어 본다. 이때 Gate Insulator인 SiNx ... effect mobility ,: The gate insulator capacitance per unit area,: The TFT channel length ,: The TFT c ... 가모빌리티(2) 특성변화 N-Rich 소자모빌리티4. 실험 결론TFT 레퍼런스 소자와 특성변화 소자 특성 측정을 통해-mobility,-Sub-threshold slope, on
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