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"Reset current(지우기 전류)" 검색결과 1-4 / 4건

  • 반도체공정 Report-1
    에서 pinch off에 의해 channel이 사라져 source에서 나온 전자가 바로 depletion region의 전기장에 의해 전류가 흐르게 되는데 이러한 현상들에 의해 ... leakage current를 억제하기 위해서는 매우 큰 gate 전압이 필요하다. 그 결과, gate insulator를 통과하는 높은 전기장으로 인해 신뢰성에 대한 우려가 생긴다 ... 의 손실을 피하기 위해 충분히 두꺼워야 한다. 전류의 주입 방법, 지우고 프로그래밍 되는 동안의 전압 레벨과 파형, dielectric 재료, cell의 기하학적 구조의 선택은 이
    리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.04.11
  • 상변화 박막의 두께에 따른 상변화 메모리의 전류 및 열 특성 (Electrical and thermal characteristics of PRAM with thickness of phase changethin film)
    한국마린엔지니어링학회 최홍규, 장낙원, 김홍승, 이성환
    논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.20 | 수정일 2025.05.23
  • Hole 구조 상변화 메모리의 전기 및 열 특성 (Electro-Thermal Characteristics of Hole-type Phase Change Memory)
    한국마린엔지니어링학회 최홍규, 김홍승, 이성환, 이동영, 장낙원
    논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.21 | 수정일 2025.05.23
  • 메모리의 개념 과 종류 및 특징
    에 비해 데이터 Read 속도가 느리지만, 메모리의 블럭이 여러 페이지로 나누어져 있기 때문에 쓰기/지우기 속도가 더 빠릅니다. Read 속도가 느리다는 단점 때문에 컴퓨터 메모리 ... 메모리는 구조적으로 셀들이 일정 단위 직렬로 연결되어 있고, 주소 라인이 없는 특성으로 라인에 맞춰 읽기 및 쓰기, 지우기 작업을 진행하게 됩니다. 결론적으로 낸드 플래시 메모리 ... 는 [읽기 - 페이지 단위], [쓰기 - 페이지 단위], [지우기 - 블록 단위]로만 작업을 할 수 있습니다.이렇게 낸드 플래시 메모리는 페이지 단위로 읽기 작업을 진행하기 때문
    리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.08.20
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2025년 10월 12일 일요일
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