메모리의 개념 과 종류 및 특징

목차

1. 메모리란?
2. 비 휘발성 메모리 (Non-Volatile Memory)
3. FLASH Memory
4. NAND Flash Memory
5. ReRAM (Resistance Random Access Memory)
6. 개발동향
7. 응용분야

Reference

본문내용

메모리란?
일반적으로 디지털 회로를 사용한 기억 unit을 가르키는 말입니다. 메모리에 기억시키는 것을 쓰기(write), 메모리에서 데이터를 꺼내 오는 것을 읽기(read)라고 합니다. 메모리제품은 크게 두 종류로 나뉘어 집니다. 기억된 정보를 읽어내기도 하고 다른 정보를 기억시킬 수 있는 메모리인 RAM(Random Access Memory)과 읽는 것은 가능하지만 다시 기록할 수 없는 ROM(Read Only Memory)가 있습니다.
이런 큰 틀에서 파생된 많은 메모리들이 있습니다. 여기서도 메모리가 휘발성(Volatile)인지 비휘발성(Non-Volatile)인지로 구분할 수 있습니다. 휘발성이란 전원이 꺼지면 기억된 내용이 지워지는 것이고 반대로 비휘발성이란 전원이 꺼져도 기억된 정보를 보관 하고 있는 것입니다.

비 휘발성 메모리 (Non-Volatile Memory)
비 휘발성 메모리의 특징은 앞 내용과 같이 전원이 공급되지 않아도(꺼져도) 입력된 정보가 지워지지 않는 메모리를 뜻합니다. 따라서 휴대폰 PDA 등의 제품에 필수적으로 탑재되고 있습니다. 이런 비 휘발성 메모리에는 MOSFET구조에서 Floating Gate(FG)를 추가해 FG에 케리어를 저장함으로써 ‘0’과 ‘1’을 구분하는 Flash memory(NANA-type, NOR-type), 전압인가에 따라 ‘상’이 변하는 성질을 활용한 PRAM(Phase Change RAM), 전기적 신호를 가하면 저항이 크고 작은 상태로 변하는 ReRAM(Resistance RAM) 그리고 자기적 성질을 활용한 MRAM(Magnetic RAM) 등이 있습니다.

FLASH Memory
플래시 메모리(Flash memory)는 지속적으로 전원을 공급받는 비활성 메모리로서 블록이라고 불리는 메모리 단위로 지울 수 도 있고 프로그램 할 수도 있습니다. 이러한 이름을 갖게 된 것은 마이크로칩이 메모리 셀의 한 영역이 단일 실행, 즉 ‘플래시’로 쉽게 지울 수 있도록 구성되었기 때문입니다.

참고 자료

네이버 사전
차세대 비휘발성 메모리최근 연구 동향 - 2004.7.물리학과 첨단기술. 김용태 김성일 김영환
NAND Flash Memory 기반 저장장치 기술 동향 - 2010.3. 연세대학교. 방관후 박상훈 정의영
차세대 비휘발성 Oxide 저항 변화 메모리(ReRAM). 물리학과 첨단기술. 2005.9. 이동수, 심현준, 최두호, 황현상
SSD의 이해 낸드 플래시 메모리의 구조와 SLC, MLC, TLC방식의 차이-캐플의 꿈꾸는 블로그