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Cr ITO 증착 plasma etching RF-magnetron sputtering 스퍼터링원리 ion plating 스퍼터링 전기화학 제조기술면접 레포트
EasyAI “R.F스퍼터링” 관련 자료
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"R.F스퍼터링" 검색결과 1-20 / 57건

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    R.F. 스퍼터링법에 의한 상변화형 광디스크의 (ZnS)1-x-(SiO2)x 보호막 제조시 기판 바이어스전압의 영향
    한국재료학회 이태윤, 김도훈
    논문 | 8페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05
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    ITO 기판에 제작된 PLZT 박막의 후열처리 온도에 따른 전기적 특성평가 (The electrical properties of PLZT thin films on ITO coated glass with various post-annealing temperature)
    R.F 마그네트론 스퍼터링 방법을 이용하여 Indium tin oxide(ITO)가 증착된 유리기판 위에 PLZT (Pb1.1La0.08Zr0.65Ti0.35O3)박막을 제작 ... 0.65Ti0.35O3) thin films were fabricated on indium doped tin oxide (ITO)-coated glass substrate by R ... .F magnetron sputtering method. The thin films were deposited at 500℃ and post-annealed with various
    논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.11 | 수정일 2025.06.16
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  • 판매자 표지 자료 표지
    재료공학실험(세라믹) 최종 보고서
    `R _{a}) 을 구할 수 있다.여기에서,K _{a} `=`F(D``/`S)` TIMES `F(t``/`S) 이다.※F(D``/`S) : 핀 간격에 대한 시료 크기 보정인자F ... } over {W} `=`R _{s} {L} over {W}) 과 같이 변환 할 수 있다. 따라서rho `=`R _{s} `t 로 표현 가능하다.3. 실험장비3.1 스퍼터링-시편: SiO ... 1. 실험 목적Magnetron 스퍼터링을 이용하여 각각의 웨이퍼에 재료를 증착시킨 후 박막 형성 결과에 대한 다양한 특성 평가를 진행한다.2. 실험 원리2.1 DC
    리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.09.08
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    저온 스퍼터링법으로 증착된 ITO박막의 온도 변화에 따른 구조, 표면 및 전기적 특성 (The Electrical, Optical and Structural Characteristics of ITO Films Formed by RF Reactive Magnetron Sputtering)
    한국진공학회 이석열, 최재하, 김지수, 정재학, 이임수, 김재열
    논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.05 | 수정일 2025.03.06
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    CMOS 제조 공정 실험 레포트(예비,결과)
    이 NMOS를 나타낸다. 그림의 R4의 저항에 1kΩ 대신 4.7kΩ의 저항을 사용하였으며 VDD인 V5에 0.5V의 전압을 고정적으로 인가하였다. 회로를 구성한 후, Vin ... 는 공정을 해야하는데, 이러한 공정을 금속화(Metalization)이라고 한다. 금속화의 방법에도 필라멘트 증착, 전자빔(e-beam), 스퍼터링 증착이 있다. 필라멘트 증착 ... 의 경우 알루미늄을 증착할 때 오염도가 높아지기 때문에 사용하지 않고, 전자빔 증착은 낮은 오염도를 갖으나 결정이 손상되어 어닐링 과정을 거쳐야 한다. 스퍼터링 증착은 증착 속도는 낮
    리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.11.08
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    [계측공학 및 실습]Thermistor를 이용한 온도측정_예비보고서
    측정 시에는 PT100 측온저항체와 같이 또 다른 종류의 온도 센서들이 사용된다.그림1. Thermistor 종류그림2. 저항-온도 그래프2. RC 필터저항 R과 커패시터 C ... Frequency, fc )]통과시킨 주파수 영역의 경계가 되는 주파수를 차단 주파수.? 수동 필터의 차단 주파수LPF`의`차단`주파수````:````f`=` {1} over {2 pi RC ... }##HPF`의`차단`주파수````:````f`=` {1} over {2 pi RC} `3. 다이오드전류를 한 방향으로만 흐르게 하고, 그 역방향으로 흐르지 못하게 하는 성질
    리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.02.11
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  • 자료 표지
    전기화학증착 레포트
    =분자당 전하 수 F=패러데이 상수)WA : mass (g), I : Currnet (A), t : Time (Sec)MA : molar mass (g/mol), F ... efficiencyStoney formula approximationStoney의 분자 박막에서 생성된 표면 응력을 정량화하는데 사용된다.R :곡률반경 E 는 탄성계수 , t 는 캔틸레버의 두께, σ ... , 스퍼터링된 원자들이 위치하는 자리가 정확하지 못하고 어긋남에 따라 생기는 격자불일치나 전위, 박막이 성장하는 동안에 생기는 상변화, 결정립 성장에 의한 팽창이나 수축 등이 있
    리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.12.23
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  • 자료 표지
    반도체 공정 중 식각 및 증착에 이용되는 플라즈마의 원리 및 발생방법 정리
    을 깨고 자유 라디칼(홀전자를 가진 원자 혹은 분자) 발생.예를 들어 SiF4+e -> SiF3+F+e 이들이 화학반응을 활성화 시킴.Dissociation : SiF4+e ... -> SiF3+F+eIonization : Ar+e->Ar+ + 2eDissociation과 Ionization은 한번의 충돌로 발생할 수도 있다.즉 플라즈마 속에서 이온화 뿐만이 아니 ... )는 에칭과 스퍼터링에서 중요한 역할을 한다.2) 개수측면에서 라디칼>>이온 임. 즉 개수가 많은 만큼 라디칼을 많이 사용하지만, 라디칼은 보통 중성이라 우리가 컨트롤이 어렵고, 이온
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.06.20 | 수정일 2021.07.06
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  • 자료 표지
    Patterning and treatment of SiO2 thin films 결과보고서 인하대학교 A+
    하고 시료를 챔버에 넣기전에 블로워로 먼지를 제거해줍니다.챔버에 넣고 RV버튼을 눌러 Rotary pump와 챔버를 연결해줍니다.R.V에 불이 들어오면 각각의 유량에 맞게 해당하는 값 ... 를 찾아주고, 두께를 측정하기 시작합니다기울어진 결과값을 수평으로 맞춰주고 L과 R을 옮기면서 height를 측정해줍니다. 정확한 값을 위하여 3번 측정 후 평균값을 이용합니다.평균값 ... 2F6유량(sccm)공정압력Standard(150W)2050100.2torr->0.3torr(ashing)250W2050100.2torr->0.3torr(ashing)각각의 과정
    리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.01.02
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  • 자료 표지
    반도체 8대 공정 기술, 제조원료 및 제조기술(삼성 면접 자료)
    = D D = hG(CG-CS) F2 = KsCs 조건 : F1=F2=F 박막 성장 속도 r=F/NA Arrhenius 식dydc~=δCG - CSCS =(hG+kS)hGCGhG ... 2 + H2OSiO2 + 4HF → SiF4 + 2H5O at HF : NH4F = 6 : 1 (7 : 1), 22 ~ 30℃H3PO4 ↔ H+ + H2PO4-, K1 = 7.5 ... 적 작용에 의한 스퍼터링외부에서 주어진 전계로 인해 가속된 높은 에너지의 이온이 기판을 때려 물리적으로 원자를 탈착시킴비등방성 식각을 할 수 있으나, 선택성이 결여되어 있다.화학
    리포트 | 22페이지 | 3,500원 | 등록일 2018.05.16
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    인하대학교 전자공학과 기초실험1 예비보고서 RLC회로
    기초실험1 예비보고서학과학년학번조성명전자공학과2학년121312823조김영호실험 제목RLC 회로?실험 목적전자 회로는 기본적으로 저항(R)과 인덕터(L), 캐패시터(축전기,C ... )로 구성되어 있다. 이번 실험을 통해 위 소자의 특성에 대해 알아보고 이를 이용하여 회로를 구성해 본다.?기본 이론1.저항(Resistance, R)1) 저항이란?저항(전기 저항 ... )은 전류의 흐름을 방해하는 정도를 나타내는 물리량이며, 국제단위계는 옴(ohm, Ω)이다. 어떤 도선에서 전기 저항R은 도선을 전위차가 일정한 전원에 연결하였을 때 전원의 전위차 V
    리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.10.15
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    디스플레이 재료실험 기말레포트
    ℃,=1,``CF _{2} (두께)=1##THEREFORE C.F=CF _{3} =4.3228978##R _{s} ( OMEGA /sq)=R TIMES C.F=R TIMES 4 ... RF스퍼터링으로 증착한 ITO 박막의 산소분압에 따른 특성 및 페로브스카이트 태양전지의 효율과 목 : 디스플레이재료실험과 제 명 : 기말레포트학 과 : 신소재공학부학 년 : 4 ... 학년학 번 :이 름 :RF스퍼터링으로 증착한 ITO 박막의 산소분압에 따른 특성 및 페로브스카이트 태양전지의 효율박 11성균관대학교 신소재공학부Properties of
    리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2016.03.03 | 수정일 2017.05.09
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  • 자료 표지
    실리콘 웨이퍼 표준 세정, Cr 증착, photolithography, Cr 식각 실험
    경우 기판에 전자가 스퍼터링되어 들어가면 이것이 결함으로 작용할 수도 있는 문제가 있다. 이러한 문제들을 해결하기 위하여 직류전원(D.C) 대신에 고주파(R.F)를 사용한 R.F ... ) 되는데, 플라즈마의 밀도가 증가하면 이에 따라 이온화 확률도 증가하여 타겟을 때리게 되는 이온의 수가 증가하므로 증착속도를 높일 수 가 있다. D.C 스퍼터링법의 장점 ... 다. 단점으로는 증착 막의 생성속도가 작고, 타겟은 판상형의 금속이어야 하며, 기판이 가열되기 쉽다는 것 등이 있다.그림6. 직류 3극 스퍼터링 장치의 개략도DC Sputtering
    리포트 | 31페이지 | 2,000원 | 등록일 2016.04.26
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  • 자료 표지
    PVD의 종류와 특성, 응용분야
    에을 발생시키는 방법에 따라 D.C, R.F(Radio Frequency), microwave, ion beam 등이 있다. 가장 간단한 기술은 직류 2극 스퍼터링이며, 일반 ... 의 종류와 특성종 류진공증착이온 플레이팅스퍼터링입자생성기구열에너지열에너지운동량 전이막 생성속도높음(〈75μm/min)높음(〈25μm/min)순금속 외 낮음(Cu: 1μm/min)입자원자 ... 기판 ＞ 870~900K성장속도 2 ~ 3Å/s아래 그림은 GaAsxP1-x를 만들 경우의 분자선 에피택시 장치의 예이다.Ⅱ. 스퍼터링(sputtering)이란?스퍼터링이란
    리포트 | 21페이지 | 2,500원 | 등록일 2015.01.08 | 수정일 2023.04.29
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  • 자료 표지
    반도체공정실험 예비보고서(Metal deposition)
    }} ``[Ω])과 비저항(rho `=`R _{S} TIMES t`[Ω·cm])을 구하는 방법이다. (k _{a} =`F(d) TIMES F(t/s) TIMES F _{sp} TIMES ... 의 박막이나 나노 구조를 만들 때 쓰인다. PVD에 해당하는 증착법에는 스퍼터링(Sputtering), 전자빔 증착법(E-beam evaporation), 열증착법(Thermal ... 하고, pin B, C에서 전압을 측정하여 면저항(R _{S} =k _{a} TIMES R _{a`} `[Ω/sq.] / R _{a} = {V _{BC}} over {I _{AD
    리포트 | 3페이지 | 5,000원 | 등록일 2014.09.23 | 수정일 2021.04.11
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  • 자료 표지
    재공실 실험2 예보 - RF-Magnetron Sputter를 이용한 박막 증착 원리 이해
    으므로 시스템적으로 noise filter나 절연체에 의한 차폐와 접지가 중요하다.그림 3 R.F. Sputtering System▶Bias SputteringBias s ... 하고 다충막(多層膜) 형성도 용이하다는 것등을 들 수 있다.▶Sputtering그림 1 Sputtering 기술의 모식도 스퍼터링(sputtering)법은 스퍼터링 가스를 진공분위기 ... , DC)일 경우를 직류스퍼터링법(DC sputtering)라 하며 일반적으로 전도체의 스퍼터링에 사용된다. 이 공법은 가장 표준적인 스퍼터링 장치로서 구조가 간단하고 두게 조절
    리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.10.29
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    Thermal Evaporation법을 이용한 박막의 제조 결과
    를 위해 증착장치의 배기능력은 증발분자의 분압이 잔류가스의 분압에 비해 충분히 높게 하지 않으면 안된다.⑵ 스퍼터링진공용기 속에서 Ar 등의 가스를 감압해서 방전을 일으키고 그 속 ... 에 원하는 기판을 설피하고 그 표면에 타게트로부터 튀어나오는 재료를 퇴적하게 하면 된다. 이 방법을 스퍼터링이라고 한다. 직류 2극 방전형의 장치에서는와 같은 절연물을 스퍼터할 수 ... 없다. 정전극의 이온이 절연물의 표면에 축적해서 이온의 충격을 저지하기 때문이다. 스퍼터링은 타게트에 직류전압대신에 고주파전압을 가하고 타게트 재료표면의 고주파의 반사이클 사이
    리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.03.08 | 수정일 2015.06.29
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  • 자료 표지
    Cu film의 전기적 특성 분석 실험
    은 working pressure ⇒ 박막의 순도 ↓③ sputter의 종류D.C sputter R.F sputterⅠ) DC sputtering직류전원을 이용한 sputtering ... delay로 인한 신호지연의 문제, cross talk noise문제 등이 그것이다. 이러한 RC delay에 의한 신호지연 및 cross talk 문제의 해결 방법으로는 R의 개선 ... 과 C의 개선이 진행되고있다. R의 개선은 Cu 배선의 도입이 주종을 이루고 있고 이는 현재 Al 배선에서의 저항을 약 37% 정도 개선 가능하다. C의 개선은 k 값이 작은 물질
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.04.03
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    DRY ETCHING
    를 필요로 함 고주파 전력 장치 (R.F Generator) : Plasma 를 발생시키기 위한 전력 공급원으로 고주파수의 교류 전력이 쓰인다 . R.F 란 Radio ... 로 전달되게 하기 위해 R.F Generator 와 Chamber 사이에 정합기 (R.F Matching System) 이 달림DRY ETCH 장비 종류 Electrode : R.F ... . 05.21 R E P O R T목 차 Dry Etch 란 ? 플라즈마 ETCH 의 반응 원리 건식 식각의 분류 PLASMA 의 이해 건식 식각의 활용 방법 PLASMA 를 이용
    리포트 | 26페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.05.21
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    반도체 CMP공정 교육자료
    제거 : SOI wafer의 실리콘 단결정층 제거 3) 요철 표면의 돌출부를 선택적으로 제거하는 것 : 디바이스화 공정 중(절연막 공정후, 층간 배선 스퍼터링 공정 후 등)에 발생 ... ) r와 cell corner간 두께 편차 - Dishing : 패턴 사이 또는 콘택 플러그 분리 공정에서 연마 후 패인 현상 - Erosion : 콘택 또는 배선 금속막 분리 공정 ... In-line Metrology Mesa Cleaner2) Ebara F*REX 300S CMP system구성 : 4 Head/4 Platen 2 Robot 2 wafer
    리포트 | 42페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.10.20
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