소개글
자세하게 작성함
이걸 토대로 가감없이 기말 발표 준비에 이용하였음.
목차
1. 서 론
2. 실험 방법
3. 실험결과 및 고찰
4. 결 론
본문내용
1. 서 론
최근들어 정보화 시대의 발전과 함께 투명전극, TCO에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. TCO는 디스플레이와 태양전지의 전극에 이용되고 그 수요가 급증하고 있는 추세이다. TCO는 비금속 절연체의 특징인 가시광선 대역에서의 높은 투과율과 금속 도체의 특징인 낮은 전기저항을 가지는 금속산화물로써, 빛 중에서 380nm ~ 780nm의 파장을 가지는 가시광선 영역을 투과시키므로 사람이 볼 때에 투명한 모습을 보인다. 이러한 산화물들은 화학양론조성에서 가시광선의 에너지보다 큰 3.0eV 이상의 wide band gap E를 가지고 있으며, 적당한 조건하에서 전자 축퇴를 형성하여 투명한 전도막이 된다. 일반적으로 투명 전극은 가시광 영역에서 80% 이상의 높은 광투과율과 10-3Ω㎝ 이하의 낮은 비저항, 103Ω/sq 이하의 면저항의 우수한 전기전도성 및 식각이 용이한 특성을 가져야 한다.
<중 략>
2. 실험 방법
유리 기판에 ITO를 타깃으로 두고 RF스퍼터링을 이용하여 ITO를 기판위에 증착시켰다. 아르곤 가스 50sccm, 증착 온도 250℃, 증착시간 90분의 조건 하에서 산소의 유입량을 0sccm, 0.3sccm, 0.5sccm으로 다르게 두고 스퍼터링을 시행하였다. 기판에 증착된 ITO를 SEM을 이용하여 박막의 두께와 미세구조를 관찰하였고, 광학적 특성 평가를 위하여 UV-visible spectrometer 장비를 이용하여 300-1100nm 영역의 파장에 따른 투과도를 측정하였다. 그리고 전기적 특성 평가를 위하여 4-point probe 장비로 저항값을 샘플마다 3회 측정하여 비저항을 구한 후, SEM의 두께 결과로 나누어 면저항을 구하였다. 또한 페로브스카이트의 효율을 고찰하기 위하여 ITO기판을 페로브스카이트에 부착후, solar cell 시뮬레이터를 이용하여 전류밀도 Curve를 얻었다.
3. 실험결과 및 고찰
기판온도 자체는 증착 속도에 영향을 주지 않는다. 다만 기판 온도는 입자의 이동도와 큰 연관이 있으므로 형성된 결정의 형태에 큰 영향을 준다.
참고 자료
[네이버 지식백과]
페로브스카이트 [perovskite] (과학용어사전, 2010. 4. 14., 뉴턴코리아)
한국과학기술정보연구원 전문연구위원 변선호 : 급속히 발전하는 페로브스카이트계 태양전지
Hyosung Choi, Cheng-Kang Mai, Hak-Beom, Kim,Jaeki Jeong, Seyeong Song, Guillermo C. Bazan, Jin Young Kim & Alan J. Heeger : Conjugated polyelectrolyte hole transport layer for inverted-type perovskite solar cells
이진우 : 펄스 마그네트론 스퍼터링을 이용한 ITO 박막증착에 대한 연구.
T. S. Kim, ∗ C. H. Choi, T. S. Jeong and K. H. Shim :
Influence of Substrate Temperature and O2 Flow on the Properties of
RF-Magnetron-Sputtered Indium-Tin-Oxide Thin Films
Aqing Chen a, b , Kaigui Zhu a, ∗, Huicai Zhong c Qingyi Shao c, Guanglu Ged :
A new investigation of oxygen flow influence on ITO thin ilms by magnetron sputtering
안민형ㆍ조의식ㆍ권상직* : 인라인 스퍼터링에 의한 저항막 방식 터치패널용 ITO 기판 제조공정 최적화 기술
李旺宇 : RF Magnetron Sputtering을 이용한 투명전극용 AZO막 제작과 특성 조사
미립자 방식의 염료감응 태양전지용 차단층 및 이의 제조방법
Chang Eun Kim a, Pyung Moon a, Sungyeon Kim b, Jae-Min Myoung b, Hyeon Woo Jang c,Jungsik Bang c, Ilgu Yun a, : Effect of carrier concentration on optical bandgap shift in ZnO:Ga thin films
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