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white LED 광운대 보고서 lift off 공정 Contact Mask Fabrication 페로브스카이트 GaASMESFET latch up
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"Metal buffer layer" 검색결과 1-20 / 37건

  • 자료 표지
    실리콘 기판위에 금속 완충층을 이용한 GaN 성장과 특성분석 (Effect of metal buffer layers on the growth of GaN on Si substrates)
    한국결정성장학회 이준형, 유연수, 안형수, 유영문, 양민
    논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.10 | 수정일 2025.07.19
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  • 자료 표지
    RF-스퍼터링법을 이용하여 Ni-W 금속기판에 연속공정으로 증착된 Y2O3 완충층 특성 연구 (Reel-to-reel Deposition of Y2O3 Buffer Layer on Ni-W Metal Substrates by the RF-sputtering)
    한국초전도학회 정국채, 정태정, 최규채, 김영국, X.L.Wang, S.X.Dou
    논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.11 | 수정일 2025.07.19
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  • 자료 표지
    AZO 버퍼층을 이용한 ZnO/NiO 이종접합 금속 산화물 투명 광전소자 특성 향상 (Functional AZO Layer for Transparent ZnO/NiO Heterojunction Photoelectric Devices)
    대한전기학회 반동균, 김은정, 오정현, 김준동
    논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.11 | 수정일 2025.07.19
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  • 자료 표지
    FLASH MEMORY report
    material은 Block layer의 Conduction Band와 Potential Barrier Gap을 크게 하는 방식으로 N-type Poly → P-type Poly → Metal ... 를 빼냄으로써(Erase) 저장된다. FG가 oxide layer에 의해 절연되어 있기 때문에 그 곳에 위치한 전자는 갇히게 되어 전원이 공급되지 않더라도 저장된 정보가 사라지지 않 ... 보다 느리고, 데이터를 byte 수준에서 program하여 느리다고 할 수 있다. NAND flash는 page 단위로 program하며 page buffer를 사용해 write속도
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.02.21
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  • 자료 표지
    기판 건식, 습식 클리닝 공정 정리
    하시 쉽지 않고 HF 자체가 BOE(Buffered oxide etchant)보다 etch rate가 균일하지 않다. 또한 구리나 금과 같은 noble 금속을 제거하는 데에는 어려움 ... 로 혼합한 용액을 사용하므로 DHF(Dilute HF cleaning) 세정법이라고 불리고 있다. 또한 HF와 불화암모늄이 1:7의 혼합비율로 구성된 BHF(Buffered ... 은 noble metal은 제거하기 힘들다. 따라서, SC-2 용액을 세정공정에서 제거하기 위해 HF내 산화제인 과산화수소를 첨가한 세정 용액이 현재 많이 사용되고 있다. HF
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 9페이지 | 4,000원 | 등록일 2021.11.12
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  • 판매자 표지 자료 표지
    페로브스카이트 태양전지 제작
    에 대한 보고서이다. Perovskite solar cell은 TCE, HTL, perovskite layer, ETL, metal 층으로 크게 구분된다. 이 보고서에서는 이 ... -2-30으로 dynamic spin coating해준다. 100℃에서 10분간 annealing해준다.BCP(bathocuproine)는 buffer layer로 역구조의 p-i ... 해 건조시킨다. 기판 표면에 UV를 조사하여 친수성을 높여서 용액이 더 잘 퍼지게 한다.Hole Transfer Layer (HTL)HTL로 MeO-2PACz를 사용한다. MeO-2
    리포트 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.02.15
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  • 판매자 표지 자료 표지
    [섬유공학실험]유기 태양전지의 제작 및 측정
    buffer 층으로 양극인 ITO전극과 광활성층 사이에는 정공 이송층(hole transport layer)을, 음극과 광활성층 사이에는 전자 이송층(electron transport ... heterojunction, BHJ)와 2층(bi-layer)구조의 차이점을 이해한다.다. 유기 태양전지를 제작하고, 전류-전압 측정을 통하여 구동원리 및 특성을 이해한다.2 ... . 실험 이론 및 원리가. 유기태양전지의 구조유기 태양전지의 기본구조는 금속 / 유기반도체 (광활성층) / 금속(metal / semi-conductor or isulator
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 9페이지 | 3,200원 | 등록일 2020.09.13
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  • 자료 표지
    Design Project for LED fabrication process- 조명 White LED 제작 공정
    - 550℃ 25nm GaN buffer 1000 - 1020℃ 2000nm GaN:Si layer TMG : 40 μ mol/min SiH 4 : 10ppm in H 2 0.5 ... MOCVD Process MOCVD : Metal Organic Chemical Deposition MO source : 금속 유기 화합물 이용 가열된 기판 표면 + 금속 유기 ... 화합물 증기 ⇒ 원하는 박막 성장EPI 성장기술 TF-MOCVD Equipment N 2 : 10 L/min H 2 : 10 L/minEPI 성장기술 LAYER Main flow
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 39페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.03.26
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  • 자료 표지
    반도체 제조 공정 (P-N Junction) 반도체 공학
    etching)- PR 제거 및 Oxide Layer 제거 1 3-1 선택적 식각 (Selective etching)- PR 제거 및 Oxide Layer 제거 2 3-1 선택적 식각 ... (Selective etching)- PR 제거 및 Oxide Layer 제거 3 3-2 선택적 식각 (Selective etching) - polymer( 노광 된 PR Layer ... Layer 와 화학작용으로 Polymer 되어 굳는다 . ※ Polymer 는 부식제에 제거되지않는다 . UV반도체 제작 공정 3-1 선택적 식각 (Selective etching)
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 15페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.11.18 | 수정일 2013.11.21
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  • 자료 표지
    Sodium ion battery, 소듐 이온 배터리, 나트륨 이온 배터리의 현 주소, 2014 논문 정리
    - Longer bond between alkali metal-Oxide - Stronger repulsion of oxygen in NaO 6 layer = Fast diffusion ... : Partially reversible No new phase : Effectively buffer volumetric change during sodiation / desodiation
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.12.11
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  • 자료 표지
    태양전지 과제
    면 hetero-junction stress가 상승하게 되므로 이들 사이사이에 Buffer layer을 삽입하여 둘 사이의 격차 차이를 완화 시켜주어 만드는 것 입니다.* DSSC (Dye ... 하다.또한, palted metal부분은 전극이 함몰되어 있는 것이므로, 금속의 접촉면을 늘리는 효과가 생긴다.3. IBC (Integrated Backsie Contact Cell
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 8페이지 | 2,500원 | 등록일 2015.12.03
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  • 자료 표지
    Design project for LED fabrication process-조명 white LED 제작 공정
    ), Atomic Layer Deposition(ALD), Evaporaion, Sputtering 등이 있으나, 우리는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor ... 다. 이 층은 25nm GaN nucleation layer, 2000nm undoped GaN buffer, 1500nm thick GaN:Si n-contact layer, 2nm ... InxGa1?xN SQW layer, a 60nm Al0.1Ga0.9N: Mg electron barrier, 200nm GaN:Mg p-contact layer로 구성되어 있
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    | 리포트 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.03.26
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  • 자료 표지
    습식식각공정
    용 LAYER로 사용하고 있으며, 실제 공정에서 알루미늄을 식각하는 공정은 DUMMY WAFER를 재생하는 경우를 제외하고 없습니다. 다만, METAL FUSE를 사용 ... 식각 공정의 정의사진공정에서 감광액(Photo Resist)을 이용하여 형성된 MASK 지역 이외의 드러난 막질(POLY,OXIDE,METAL)을 식각 물질(GAS ... 거나, OXIDE에 대한 ETCH RATE이 떨어집니다. 따라서 ETCH CHARACTERISTIC을 안정적으로 유지하기 위해서 BUFFER 용으로 NH4F를 첨가 하는데, 이럴 경우 NH4
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.05.21
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  • 자료 표지
    PKG-구조
    performanace)BGA35 ~ 45mmBODY SIZE(mm)1.0/1.27mmBall pitch8 ~ 10以上Metal Layer1. DimensionBiased ... . PerformanaceOmega CSP(Hyundai)⊙ Buffer, Runner, Solder mask ⊙ Package thickness : 1.0mmⅣ. CSP 1. Wafer ... )ChipSolder ballbumpEncapsulantCompliant LayerFlexible copper link⊙ Redistribution Layer, Wire link
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    | 리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.05.18
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  • 자료 표지
    [OLED 디스플레이공학] AMOLED의 제조와 전기적특성 및 광학적 특성 평가
    order4. Metal3. ETL2. EML1. HTLEvaporate respectively partitions to stack organic layers.8> Next ... the high vacuum. Therefore buffer chamber require to chang from low vacuum to high vacuum.5> vacuum
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    | 리포트 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.12.01
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  • 자료 표지
    Nanowire 기술동향 및 AlN nanowire by HVPE
    buffer layer 등 벌크나 박막에 대한 연구에 매우 편중되어 있다. 이에 대한 기존 문제점은 다음과 같다.- 고순도 AlN 합성 및 성장에 있어서 고온(1700℃ 이상 ... 팁 끝에 액적이 없는 것과 buffer layer의 생성을 확인할 수 있었다. 뿐만 아니라 나노구조체의 형상은 AlN의 기본구조인 wurtzite 구조를 가짐에 따라 육각기둥 모양 ... u 인해 완벽한 해결책으로 볼 수 없다. 또한 optoelectronic, spintronics 등과 같은 분야에 적용되기 위해서는 Mn, Cr 등의 transition metal
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.05.01
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  • 자료 표지
    Semiconductor Manufacturing Process
    thick because PR is a fluid. Sometimes barrier layer (SiO2, Si3N4, metal) is produced before coating PR ... using vacuum or wax connection and is buffered by mixture such as SiO2, RO/DI solution, caustic soda and ... metallic impurity and natural oxide by hydrofluoric acid. Finally, eliminate new natural oxide
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    | 리포트 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.06.05
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  • 자료 표지
    신규시장 REPORT OLED산업
    Structure4~5 organic layer2~3 organic layerDevice LifetimeLong ( 50,000hrs)Short ( 20,000hrs ... Sheet Film으로 Organic layer 와 Cover Glass를 압착 Film형 Getter 추가:수명 향상박막 Coating으로 외부 차단 -SiOx/ SiNx ... : PECVD 장비 -AlOx/ Monomer : Sputter EvapoPassi. Layer 형성후 접착성 고분자 물질 Coating or 합착장점구조 강도 우수Flexible 가능
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    | 리포트 | 31페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.07.12
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  • 자료 표지
    MESFET의 특징
    형 GaAs의 얇은 층을 에피택셜 방식으로 성장시켜 FET의 채널영역을 형성한다. 많은 경우 고저항의 GaAs 에피택셜층(버퍼층(buffer layer))은 그림에 나타낸 두 개의 층 ... for Metal Epitaxial Semiconductor Field Effect Transistor. It is quite similar to a JFET in c ... Schottky (metal-semiconductor) junction is used. MESFETs are usually constructed in compound s
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.26
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  • 판매자 표지 자료 표지
    반도체 공정의 이해
    소자를 주로 이용하여 반도체 제품을 만듬* MOS (Metal Oxide Semiconductor) : GATE전극(Metal)에 전압을 가해 반도체(Semiconductor ... (1Layer)을 20~30回를 반복 하여 제품이 완성됨재작업可재작업可성막ETCH세정16MC59504764MLX725255256MLD79PHOTO2324305161TOTAL ... -Si도체HLDTEOSO2열 에너지SiO2절연막,이온주입 BUFFER* H2O 공급 방법 O2 + 2H2 → 2H2O (Heat)7. 공정개요 : DIFFUSION이온주입
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 27페이지 | 3,500원 | 등록일 2010.02.25
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2026년 02월 03일 화요일
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