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"IrO2-RuO2." 검색결과 1-10 / 10건

  • Sol-gel 법을 이용한 이성분 금속산화물 (IrO2-RuO2) pH 센서
    한국유화학회 이정란, 오세림, 한원식, 홍태기
    Non-Ai HUMAN
    | 논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05
  • 슈퍼캐패시터의 기술동향 및 문제점 개선에 관한 보고서
    이 슈퍼캐패시터의 에너지와 출력을 좌우하는 원천 핵심기술이며, 원가비중 또한 가장 높다. 이러한 소재로는RuO _{2} 및IrO _{2} 같은 전이금속 산화물 등이 있으며, 특히RuO ... _{2}는 현재까지 슈퍼캐패시터용 전극으로 가장 우수한 특성을 나타내는 것으로 보고되고 있다. 그러나RuO _{2}는 고가의 소재이고, 산화물 전극 제조 공정의 어렵다는 이유 ... , 대형제품 개발, 전극 소재 전량 수입LS전선 - 초기 개발 단계, 저극 소재 전량 수입현대자동차 - HEV/FECV 개발 연구, 초고용량 캐패시터 사용(2) 국외 기술개발 현황
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.04.05
  • 차세대 메모리
    dopants such as La, Nb, etc.. 2. Metal oxide electrode (Oxide electrode: IrO2, RuO2, LSCO…) 3. Epitaxial ... /BLWLPLmemory element1T/1CCell ConfigurationRead-out2T/2C1T/1C1TRDRONDRODROFerroelectric capacitor ... (Ferroelectric RAM, 강유전체) MRAM (Magbetuc RAM, 강자성체) PRAM (Phase-change RAM, 상변화) Nano-tube RAM
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 25페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.10.27
  • FeRAM의 원리 및 특징
    . 하지만, 이는 RuO2, IrO2등의 산화물전극을 적용함으로써 극복할 수 있는 것으로 알려져 있다.2. FeRAM의 종류FRAM은 그 동작원리에 따라 크게 반전분극 전류 ... 40~70 nm40 ~ 70 nmWRITE TIME~ nm~ nm~ nm1~10 ms~1 msWRITE VOLTAGE0.8~5V0.8~5V2.5~5V12~18V10~18VWRITE ... ENERGY1pJ--1pJ10~200pJREAD CYCLES~>>>>WRID CYCLES~>>~~DATA RETENSION> 10 yearsnonenone> 10 years
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.08.17
  • 수동소자집적화및 기술동향
    며, 둘째, 회로 소자의 공진주파수가 온도에 안정되기 위하여 공진 주파수의 온도계수가 작아야 하고, 셋째, 주파수 특성이 안정되고 높은 Q-factor를 가져야 한다.1-2.커패시터 ... 로 작용하고 있다.스크린 인쇄방법은 LTCC와 HTCC로 대별되는 세라믹 제조 공정과 연계한 대표적인 후막 저항, 커패시터 그리고 인덕터를 제조하는 방법으로 알려져 있다. RuO2 ... 나 IrO2와 같은 여러종류의 글라스 세라믹 페이스트를 소자로 만들때 유용한 방법으로 열처리 온도가 600~1200도의 고온이 요구된다. 후막공정으로 제조된 유전체의 경우 박막유전
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2007.10.09 | 수정일 2018.11.24
  • [공학]강유전체와 fram
    . 하지만, 이는 RuO2, IrO2등의 산화물전극을 적용함으로써 극복할 수 있는 것으로 알려져 있다.□ FeRam의 종류FRAM은 그 동작원리에 따라 크게 반전분극 전류형과 FET ... - -강유전체와 FRAMR E P O R T강 유 전 체□ 정 의강유전체란자연상태에서 전기편극을 가지고 있는 물질이다. 자발분극을 가지고 있으며, 외부 전계에 의하여 분극반전 ... 가 사라지지 않는 메모리소자가 있으며 이를 비휘발성 메모리라고 부른다.□ 원리와 재료FeRAM에 쓰이는 강유전재료로는 layered perovskite 혹은 Pb-based
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.11.11
  • [비휘발성 메모리] 비휘발성 메모리중 FRAM과 MRAM의 비교
    할 수 있는 산화물로 대체 ex) (La,Sr)CoO3 RuO2, IrO2ⅲ) PZT외의 신조성개발 : 산소 공공의 농도가 적은 새로운 강유전체 물질을 개발ex) SrBi2Ta2O ... 유전체 박막이 가져야 하는 특성: 큰 잔류 분극, 작은 누설전류, 구동전압을 낮추기 위한 낮은 항전계, 600 이하의 공정온도 현재까지는 PZT 박막이 가장 적합함.(2) 구조 ... 화하여 2진법의 컴퓨터 논리 회로에 사용- 데이터를 읽는 과정에서 기존의 분극이 제거되므로 정보를 보존하기 위해서는 곧바로 전계를 인가하여 정보를 재기록하여야 하므로 구동가능회수
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.09.05
  • [FeRAM]FeRAM
    , IrO2등의 산화물전극을 적용함으로써 극복할 수 있는 것으로 알려져 있다.◆ FeRAM의 종류- FRAM은 그 동작원리에 따라 크게 반전분극 전류형과 FET(Field Effect ... 적회로공정에 적용하기에는 너무 높은 단점이 있다. 후자는 높은 공정온도를 요하지않는 장점이 있으나, Pt 전극에 집적하였을 경우 피로문제가 발생하게 된다. 하지만,이는 RuO2 ... ) 3-5V의 저전압에서 동작한다.2) 빠른 저장속도(=100nsec)3) 직접적인 겹쳐쓰기가 가능하다는 것이다.◆ FeRAM의 전망- 메모리 소자에는 electrically
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.06.22
  • 강유전체 원리와 응용
    방법으로 대응할 수 있겠지만 미세가공에 적합한 새로운 전극재료 또는 새로운 가공기술 등에 의한 조속한 해결이 필요하다. 이의 개선을 위해서 RuO2, IrO2, SrVO3등 전도성 ... 화시키고, 잔류분극 값 (2Pr~16-20 μC/cm2)을 크게 한다. 따라서 La 이 치환된 BTO 박막(BLT)은 좋은 피로특성과 큰 잔류분극 값을 가지게 된다. 또한 BLT 박막 ... 강유전체는 1921년에 처음으로 로셀염이 갖는 강유전성, 즉 “전기장에 의하여 분극을 일으키고 전계를 제거한 후에도 그 분극상태를 유지하는” 성질이 발견되었다. 1920-1950
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2005.03.02
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2026년 03월 23일 월요일
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