[비휘발성 메모리] 비휘발성 메모리중 FRAM과 MRAM의 비교

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최초 등록일
2005.09.05
최종 저작일
2004.03
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목차

1. FRAM소자
(1) 기본원리
(2) 구조
(3) FRAM 소자의 장점과 단점

2. MRAM
(1) MRAM의 기본 원리
(2) 구조
(3) MRAM의 장점과 단점

본문내용

1. FRAM소자- FRAM(ferroelectric random access memory)은 차세대 기억소자 중 하나로서 DRAM과
달리 전원이 제거되어도 정보가 저장되는 반도체 소자

(1) 기본원리
- 분극반전이 가능한 강유전체의 특성을 이용하여, (+)분극과 (-)분극을 각각 0, 1로 인식하므로써 이진법을 이용한 신호처리가 가능
- FRAM에 이용되는 강유전체 박막이 가져야 하는 특성
: 큰 잔류 분극, 작은 누설전류, 구동전압을 낮추기 위한 낮은 항전계, 600℃ 이하의 공정온도 → 현재까지는 PZT 박막이 가장 적합함.
(2) 구조
- 기존의 1T-1C형 구조에서 유전체박막을 대체한 분극반전형 소자가 주류
- Capacitor에 (+), (-) 두 방향의 전계인가시 다르게 나타나는 잔류분극을 각각 1, 0으로 코드화하여 2진법의 컴퓨터 논리 회로에 사용
- 데이터를 읽는 과정에서 기존의 분극이 제거되므로 정보를 보존하기 위해서는 곧바로 전계를 인가하여 정보를 재기록하여야 하므로 구동가능회수를 줄어든다는 단점.

참고 자료

없음
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