"Controlled nitriding"의 검색결과 입니다.

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Deposition 반도체 레포트 반도체 증착 flash memory mocvd Sputter 반도체 공정1 CNT CVD 반응기

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"Controlled nitriding" 검색결과 1-20 / 63건

질화포텐셜 제어 가스질화로 개발(II) : 제어시스템 및 하드웨어 (Development of Controlled Gas Nitriding Furnace(II) : Controlled Gas Nitriding System and its Hardware)

한국열처리공학회 이원범, 손석원, 문유진, 김봉수

논문 | 10페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.21 | 수정일 2025.05.13

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질화포텐셜 제어 가스질화로 개발(I) : 제어질화 및 국내 기술 현황 (Development of Controlled Gas Nitriding Furnace : Controlled Gas Nitriding Technology and Present Situation in Korea)

한국열처리공학회 이원범, 손석원

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.04 | 수정일 2025.07.10

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컨트롤 밸브용 이온질화처리된 SACM645 소재의 마모특성 (Wear Property of Nitrided SACM645 Material for Control Valve)

대한기계학회 허인강, 이정원, 김재훈, 한순형, 김형곤

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.04 | 수정일 2025.07.10

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질화포텐셜 제어 가스질화로 개발(III) : SCR420H 에널러스기어에 대한 제어질화 적용 및 내구성 평가 (Development of Controlled Gas Nitriding Furnace(III) : Application of Controlled Gas Nitriding Process and Evaluation of Durability for SCR420H Annulus gear)

한국열처리공학회 이원범, 정민재, 권민상, 김태환, 문철우

논문 | 13페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.27

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GC250D의 가스분위기 제어질화 공정에서 화합물층의 형성에 따른 표면조도의 변화 (Surface Roughness and Formation of Compound Layer in the Controlled Gaseous Nitriding Process on Cast Iron GC250D)

한국열처리공학회 정민재, 손석원, 위재용, 이영국, 이원범

논문 | 9페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.11 | 수정일 2025.07.19

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FLASH MEMORY report

게 된다. 전자가 FG에 있을 때, Control Gate(CG)에서 나오는 전기장에 영향을 주어 cell의 Threshold Voltage가 변경된다. CG에 특정 전압을 가하 ... 다. F.G Cell은 conductor인 doped Poly Silicon을 사용하지만, CTD Cell은 dielectric인 Nitride를 storage material로 사용 ... Cell은 Nitride의 Band Gap 내 trap site에 Trap electron 형태로 존재한다. Gate Coupling Ratio 확보를 위해 FG cell은 Poly

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| 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.02.21

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[반도체공정]Thermal Process 열공정 레포트 및 문제풀이

ontaminationSiC : quartz의 대체재로 열 안정성이 더 높고 mobile ion에 대한 barrier가 더 우수. But 무겁고 가격이 비쌈.2. Control system : 여러 ... 시퀀스를 제어하는 control interface board에 연결됨.3. Gas delivery system : 조절기, 밸브, MFC(mass flow controller ... tate charge를 줄이기 위해 사용한다. 질소 가스의 경우 nitric oxide를 사용하여 thermal nitridation를 할 때 사용되거나 plasma

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| 리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.09.25

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GaN FET 적용한 동기식 부스트 컨버터에 관한 연구 (A Study on the Synchronous Boost Converter Based on the GaN FET)

한국조명.전기설비학회 장요한, 안정호, 최중해, 윤재중

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.30 | 수정일 2025.06.05

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왕겨(벼의 껍질)를 이용한 질화규소(Si3N4) 분말 신제조법 연구(순도,사이즈,가격조건)(세라믹공정)

Nov. 24 Ceramic Process Silicon Nitride Powder Design Project 4thCONTENTS Part1. Introduction 구조 ... STEP6. T. Controller $25/EA x 6 / 10 = $15 6 STEP4 . Si3N4 Ball $50 x 15 = $750 4 STEP7. SiC Heat ... 장.co.kr/search?q=silicon+nitride biw=1280 bih=879 source=lnms tbm=isch sa=X ved=0ahUKEwishNa8u6

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| 리포트 | 39페이지 | 20,000원 | 등록일 2020.12.20 | 수정일 2021.07.24

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산질화된 GC250의 화합물층 형성 및 내식성에 미치는 산화 온도의 영향 (Effect of Oxidation Temperature on Compound Layer Formation and Corrosion Resistance of Oxy-nitrided GC250)

한국열처리공학회 정민재, 조균택, 이원범

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.11 | 수정일 2025.07.19

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전기 전자 통신 IT 영어 용어 단어장(통번역, 연구, 논문 작성용)

ENKO분야1-Axis1차원전기전자/통신3-Axes3차원전기전자/통신3-phase3상전기전자/통신ABC; Automatic Brightness Control자동 휘도 조절전기전자 ... /통신ABCC; Automatic Brightness and Contrast Control자동 휘도 콘트라스트 조절전기전자/통신absolute error절대오차전기전자/통신 ... Control Resistor임계 온도 저항기전기전자/통신CUbiS-E전기자동차용 IT 시스템전기차current전류전기전자/통신curie temperature퀴리온도전기전자/통신curl회전

리포트 | 21페이지 | 30,000원 | 등록일 2023.01.21

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반도체공정1 2차 레포트

도) 힘들어진다.(2) Charge trap flash memory (=CTF)NAND에서는 부도체인 SiN (Silicon Nitride)로 이루어진 CTF (Charge-Trap ... 하다. 이 셀을 SLC로 쓰면 120GB밖에 못 쓰기 때문이지요. 게다가 컨트롤러는 2비트를 모아서 기록해야 하기 때문에 SLC에 비해 속도가 느립니다. 셀 안에 있는 2비트 데이터 중 ... 에서된다. TLC 역시 컨트롤러로 문제를 해결할 수 있을 것이라고 보고 있다.하지만 아직까지 시장은 TLC 메모리에 대해 반신반의하고 있다. SLC에서 MLC로 넘어가는 것만큼 특성

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| 리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.10.16

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반도체 발광 소자의 변형 제어를 위한 연구 (Research for Deformation Control of Semiconductor Light Emitting Device)

사단법인 한국융합기술연구학회 이재철

논문 | 10페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.06 | 수정일 2025.05.17

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반도체 공정 관련 내용 정리 리포트

)Loading effect : 1)pattern density 차이 2)pattern pitch 차이Dielectric 차이 : 1) SiO2(oxide) 2) Si3N4(Nitride ... Film 성질에 따라 분류 : Oxide CVD(SiO2, SION) Nitride CVD(SiN) Metal CVD(W, Ti, TiN, Cu)Wafer 열에 의한 damage ... controlled vs Hg < Ks : mass transfer controlledHg : gas flux function Ks : surface reaction rateHigh

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| 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.03.12

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CVD method 예비

2개와 MFC(mass flow controller) 4개로 구성되어 있다. 각각의 source 는 아르곤가스(99.999%)로 bubbling 되며 이때의 유량은 각각 별도 ... , 운일어나며 지배적인 전체 반응 속도는 diffusion control part인 ②와 ⑦사이의 과정이 지배적이다. 즉, 물질 전달 제어 과정인 ①과 ⑧보다는 표면 화학반응 제어 ... 의 제거g)+3H_2 O(g) &->&Al_2 O_3 (s) +6HCl(g)4)Carbides 와 Nitrides를 형성하기 위한 반응Carbides의 증착은 일반적으로 메탄과 같

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| 리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.06.17

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태양전지 반사방지막의 역할 및 특성 분석 결과 [A+ 레포트]

된다. 왜냐하면 어떤 물질을 사용할 때 물질 내부의 구조가 손상되지 않고 structure나 composition의 control을 통해 원하는 색의 빛을 만들어낼 수도 있기 때문이 ... 다. 또한 가시광선 영역의 reflection이 적으므로 투명전극으로는 더할 나위 없이 사용하기 좋기 때문이다.위의 그림들을 보면 Silicon Nitride의 두께에 따라 바뀌는 빛

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| 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.06.01

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NBTI_presentation

H away from Si/SiO 2 interface → Control NBTI-specific interface trap generation ; H diffusion ... process technology Boron penetration at high thermal budget Nitridation N-well Nitridation of SiO 2 ... Thermal Nitridation Chemical Physical Nitridation N 2 O NO NH 3 Plasma Nitridation N Implantation 1

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| 리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.08.18

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MOCVD법 PPT 자료

MOCVD 시스템은 가스 처리 시스템 , 반응용기 , 가열시스템 , 진공 및 배기 시스템으로 구성 .8 MOCVD 시스템 MFC (Mass Flow Controller) : 운송 ... 에서 oxide/nitride(ON) 계열의 막을 주로 사용 했으나 터널링에 의한 높은 누설 전류 로 등의 물리적 한계로 인해 (a) 와 같이 복잡한 구조를 이용해 커패시터의 면적 ... 는소스 물질의 증기를 운반하기 위한 운송가스와 산화물 형성을 위한 산화성 가스를 MFC(Mass Flow Controller) 로 제어 원료 기화부에서는 전구체의 온도를 공정

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| 리포트 | 23페이지 | 2,000원 | 등록일 2018.06.05

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[전공면접] 삼성전자 하이닉스 취업, PT면접대비 반도체 정리 자료

에 전자를 저장 Nitride는 구멍이 있어 전자가 저장됨Floating gate에서의 cross talk 현상을 해결해줌- 3D Vertical Nand : 원통형으로 쌓아올리 ... - Flash memory + Controller- Controller를 통해 분산 데이터 저장이 가능해져 수명이 늘어나고 속도가 빨라짐.※ Nand Flash vs Nor ... . SOI, Bulk의 구조가 있다. Bulk가 열 방출이 좋고 DIBL도 높다.Gate가 control하는 영역을 상승시켜 누설 전류를 차단한다.10. 기타 질문- Low K는 왜

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| 자기소개서 | 8페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.05.19 | 수정일 2017.10.10

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반도체 공정_CVD (메카니즘, 종류, System, Future)

. PECVD D. HDPCVD Thermal CVD Plasma CVD F. Growth control of CVD A. Application CVD? B. The future of ... . Introduction D. Features of CVD Low temp. process Control of thickness Selection of reaction gas ... Deposition on the insulator Mass production Control of stoichimetric composition Control of

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| 리포트 | 21페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.12.01

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