"OXIDATION 공정"의 검색결과 입니다.

기간
- 전체
- 3개월
- 6개월
- 1년
- 2년
- 3년
- 5년
직접입력

적용
연관순
- 연관순
- 최신순
영역
- 전체
- 제목
- 본문
- 태그
페이지 수
- 전체페이지
- 1 페이지 ~ 5 페이지
- 6 페이지 ~ 10 페이지
- 직접입력 페이지 ~ 페이지 적용
확장자
- 전체
- 한글
- PDF
- MS워드
- MS엑셀
- MS파워포인트
- 압축파일
- 기타
할인자료 보기

연관검색어

반도체 공정 산화 공정 반도체 8대공정 TCAD silvaco mos capacitor 제작 반도체공정실험 mos capacitor high k deal grove model

판매자 표지는 다운로드시 포함되지 않습니다.

"OXIDATION 공정" 검색결과 141-160 / 2,008건

순환형 UV-TiO2 광촉매 공정을 이용한 냄새 및 VOCs 제거장치의 성능 비교 평가 (Performance Test for Odor and VOCs Control Device by Circulation Type UV-TiO₂Photocatalytic Oxidation Process)

한국실내환경학회 최금찬, 김종범

논문 | 9페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.01 | 수정일 2023.04.05

다운로드 장바구니
분무열분해공정에 의한 인듐 산화물 나노 분말 제조에 미치는 반응인자들의 영향 (Effect of Reaction Factors on the Fabrication of Nano-Sized Indium Oxide Powder by Spray Pyrolysis Process)

한국분말야금학회 유재근

논문 | 10페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.01 | 수정일 2023.04.05

다운로드 장바구니
산화물 환원공정에 의해 제조된 Bi2Te2.7Se0.3 분말의 열전특성 (Thermoelectric Properties of Bi2Te2.7Se0.3 Powder Synthesized by an Oxide-Reduction Process)

한국분말야금학회 박배건, 이길근, 김우열, 하국현

논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.01 | 수정일 2023.04.05

다운로드 장바구니
플라즈마 전해산화공정을 이용한 Mg95Zn4.3Y0.7 합금분말 성형체의 표면특성제어 (Surface Treatment of Mg95Zn4.3Y0.7 Alloy Powder Consolidates using Plasma Electrolytic Oxidation)

한국분말야금학회 김재호, 최한신, 김도향, 황덕영, 김형섭, 김택수

논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.01 | 수정일 2023.04.05

다운로드 장바구니
고활성 ITO (Indium-Tin Oxide) 나노 분말을 침전법으로 합성시의 공정 변수 및 존재하는 이온의 영향 (Effect of Process Variables and exisisting Ions on Highly Active Nano-sized ITO Powders Prepared by Precipitation Method)

한국분말야금학회 이인규, 노봉현

논문 | 8페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.01 | 수정일 2023.04.05

다운로드 장바구니
[반도체공정] 산화막 공정( Oxidation Process )

산화막 공정( Oxidation Process )1. 실 험 목 적반도체 재료로서 실리콘의 장점의 하나는 산화 실리콘(SiO2)을 형성하기 쉽다는 점이다. 산화층은 반도체 소자 ... 제조에 있어서 표면보호, 확산 마스킹, 유전체의 역할 등 주요 기능을 한다. 본 실험에서는 열산화법중 습식산화법을 통하여 산화물 박막의 제작 공정의 진행순서 및 기본원리를 이해 ... 에 이러한 두께를 얻으려면 900℃에서 1200℃ 정도의 산화온도가 필요하다. 온도는 적당한 시간에 공정할만큼 높아야하며 결정 결함을 주지 않을 만큼 낮아야 한다. 상한선인 1200

리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.13

다운로드 장바구니
[반도체공정] 산화막 성장기구( Oxidation growth mechanism )

의 성질 ](3) 산화공정에 영향을 주는 인자들1) Temperature (온도)furnace 온도가 상승하면 확산계수의 증가로 인해 oxide 성장속도가 증가.2 ... ℃, 950℃ 그리고 1000℃에서 각각 30min, 60min, 90min, 120min 간 Dry oxidation 시켜주어 건식산화 공정에서 온도와 시간이 미치는 영향을 살펴 ... )의 산화막 성장률을 측정하여 첫 번째 실험인 습식산화(Wet Oxidation)의 산화막 성장률의 차이점을 알아 볼 것이다. 또한, 온도와 시간 이외에 산화 공정에 영향을 주는 압력

리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.13

다운로드 장바구니
Thermal Process, 열공정, 반도체 공정 정리 레포트

웨어 복잡성과 안전성 문제로 인해 고압 산화 공정은 고급 반도체 에서 그다지 인기가 없다.2-7 Oxide measurement산화 공정을 검사하는 것은 산화막 두께 및 균일도 ... < Thermal Process >① Thermal Process HardwareIntroduction열 공정은 확산 노 라는 고온의 노에서 일어난다. 노에는 두가지 종류가 있 ... 이 요구된다. 노는 제어 시스템, 공정 튜브, 가스 전달 시스템, 배기 시스템 및 적재 시스템의 5 가지 기본 구성 요소로 구성된다. 저압 CVD(LPCVD) 가공에 사용되는 노도

리포트 | 25페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.02.09

다운로드 장바구니
Plasma induced damage

Plasma induced damage1. Introduction반도체 공정에서 집적도의 향상으로 인해 미세 패턴의 중요성이 크게 증가되었다. 이를 위해서 새로운 공정이 도입 ... 되었는데 특히 Plasma를 이용한 공정이 등장함에 따라 scaling down 법칙이 충족되고 있다. ULSI뿐만 아니라 MEMS도 많은 plasma process를 거쳐 제작 ... 의 전기적 특성, 성능 저하 및 신뢰성 하락을 일으키게 된다. 미세공정이 발전될 수록 plasma density는 높아지고 이는 더 큰 손상을 입힌다. 이러한 문제의 메커니즘

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.09.11

다운로드 장바구니
반도체 기본 공정

고, 이온주입 공정에서 확산을 막고, 식각공정에서 잘못 식각되는 것을 방지하는 역할을 한다.습식산화(Wet Oxidation)건식산화(Dry Oxidation)Si(s) + 2H ... 웨이퍼반도체의 회로기판을 구성하는 판은 실리콘(Si)을 단결정기둥(ingot)으로 성장시켜 절단 후 연마하여 만들어지며 명칭은 웨이퍼(wafer)라 부른다.산화(Oxidation ... )산화공정이란 실리콘(Si)웨이퍼 위에 산화제(물(H2O), 산소(O2))와 열을 가하여 이산화규소(SiO2)막을 형성하는 공정이다.이때 생성되는 산화막은 회로 간 누설전류를 막

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.12.06 | 수정일 2021.06.25

다운로드 장바구니
LG디스플레이 공정 엔지니어 최종합격자 면접준비 자료, 면접 질문 [2021 상반기]

-Si, LTPS, Oxide TFT로 나뉘게 됩니다.TFT 공정에 대해 말씀해보세요.네, 우선 유리 기판이나 플라스틱 기판 위에서 공정이 진행됩니다. 이 기판 위에서 Gate ... Energy가 ITO를 통해 외부로 빛의 형태로 방출된다.1-3. OLED 제조 공정1-3-1. 기판(Substrate) 제조- 전자기기의 용도에 따라 기판이 나뉘게 됨- 제조 ... 마다 전원을 On-Off하고, 전류를 공급 및 조절하여 ‘밝기’를 제어하는 소자- 특히 활성층(반도체막)의 물질에 따라 TFT 특성을 결정하므로 공정할 때, 가장 중요한 요소- 대표적인

자기소개서 | 13페이지 | 10,000원 | 등록일 2021.08.03

다운로드 장바구니
반도체 공정 레포트 - high-k(학점 A 레포트)

High-k dielectrics목차High-k dielectrics 이란Dram capacitorMOSFET gate oxide주의점 및 요구조건High-k ... oxide 2개로 볼 수 있다.Dram capacitorDram의 구조는 다음과 같이 하나의 트랜지스터와 하나의 capacitor로 구성 되어있다.[사진5] Dram 구조여기 ... 을 형성하게 하고 절연막을 두께를 늘리기 위해서 high-k 물질을 사용하였다. high-k 물질을 사용하면 oxide층의 capacitance값은 유지하면서 두께를 늘려 누설전류

리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.12.29

다운로드 장바구니
[서울시립대 반도체소자] 6단원 노트정리 - MOSFET

6. MOSFET6-1. introstructureSTI[Shallow Trench Isolation]: oxide dielectric separating each ... save powerex.) CMOS invertermanufacturing process사진 공정: 만들려는 패턴과 동일한 PR을 남김photo lithographysoft ... Mechanical Planarization]n well 형성, 도핑 (implies PR)oxide & poly Si & PRCVD & etching without PR → sidewall

리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.12.31 | 수정일 2022.01.24

다운로드 장바구니
판매자 표지

히타치하이테크코리아 반도체직 합격자소서

곳에 녹아들어 있으며 나노미터 세계의 반도체 PPAC를 개선할수록 기술이 비약적인 발전을 이룩하는 역사를 보았고 이에 매력을 느껴 반도체로 진로를 정하게 되었습니다.반도체 공정 ... 은 미세화 및 3D 적층 구조 공정이 증가함에 따라 Etching의 중요성은 커질 것이며 이 공정의 강한 기술력을 보유한 히타치는 더욱 성장할 것입니다. 히타치의 '기술 제품 개발 ... 로 응대하였고 능력을 인정받아 차장님으로부터 저만의 응대 방식을 메뉴얼화하여 다른 동료들에게도 공유하게 하였습니다.[강점 2: 반도체 및 공정 지식]반도체 공학, 집적회로 공정을 수강

자기소개서 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.02.13

다운로드 장바구니
판매자 표지

삼성전자 파운드리 공정설계 직무 최종합_면접 공부 자료(반도체 면접 공부 자료)

[ 직무 ]MOSCAP(Metal Oxide Semiconduct Capacitor)1) MOSCAP 설명MOS구조는 MOSFET에서 수직 방향 전계, Channel을 형성 ... (반전) 3가지 상태를 가집니다. NMOS를 기준으로 Gate에 음의 전압을 인가하면 p type 기판의 다수 캐리어인 hole이 oxide와 기판의 계면에 축적 ... 가 Depletion Capacitance(기생 Capacitance)를 줄이고 Oxide Capacitance를 증가시켜야 하기 때문에, Gate Oxide 두께를 줄여 Cox

자기소개서 | 11페이지 | 5,000원 | 등록일 2024.03.28

다운로드 장바구니
하이닉스 양기면접 질문리스트

-oxidation공정에서 cl을 사용하는 이유C&C-CMP공정 이란?Mean Free Path 가 클수록 박막증착이 잘 되는 것인가요?저는 너무 커도 안되고 작아도 안된다고 알고있 ... hannel effect-D램, 낸드 차이점-CTF 기술이란?-PUC 기술이란?-Fin-FET, GAA공정 관련 질문포토-포토 공정이란?-Spin coating, exposure ... , develop-포토 공정에서의 inline-Overlay-PSM-OPC-Mask defect-resolution을 줄일 수 있는 방법-Standing wave에치-플라즈마 생성 원리-s

자기소개서 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.09.21

다운로드 장바구니
[보건환경학과] 2023년 2학기 환경미생물학 중간시험과제물 공통(살수여상 공정, 산화지 공정)

, 슬러지(sludge)의 처리, 고농도의 유기물 함유 공장폐수 등의 처리를 위해 많이 채택한다.산화지(oxidation ponds)는 안정화지(stabilization ponds ... (lagoon) 또는 산화지(oxidation pond)라고도 불리며, 비용이 적게 들고 특별한 기술이 필요치 않는 매우 효율적인 폐수처리방법이다. 이것은 폐수가 계속적으로 유입되고 처리수 ... 레포트는 ‘살수여상 공정’과 ‘산화지 공정’을 환경미생물의 관점에서 서로 비교하여 서론, 본론 및 결론으로 논하였다.II. 본 론1. 살수여상 공정살수여상법(trickling

방송통신대 | 9페이지 | 18,000원 | 등록일 2023.09.22

다운로드 장바구니
판매자 표지

DB 하이텍 양산개발 직무 22년 하반기 면접 공부 자료(반도체 면접 자료)

[ 직무 ]1. 패터닝 공정이란 무엇인가패터닝 공정은 크게 증착(deposition)과 노광(lithography), 식각(etching)으로 구성된다. 각각 원하는 소재를 박막 ... 형태로 깔고, 노광으로 패턴을 인쇄한 후 필요하지 않은 부분을 제거하는 과정이다. 즉, 원하는 반도체 회로의 패턴을 만드는 중요한 공정이다.노광, 증착 공정도 중요하지만 그중 ... 식각 공정이 가장 중요하다고 생각한다. 왜냐하면 Under Etch와 같이 잘못 식각될 경우, 후속 공정에 큰 문제를 야기할 수 있으며, 해당 Wafer 자체를 사용하지 못할 수 있

자기소개서 | 12페이지 | 5,000원 | 등록일 2024.03.28

다운로드 장바구니
판매자 표지

광운대학교 반도체 공정1 조()()교수님 레포트과제

반도체 공정 report 1ITRS FEP 2005전자재료공학과202000000000제출일: 2022.10.09ScopeFront end process 로드맵은 트랜지스터 ... , mask, PR물질, 식각 기술 등의 공정기술의 발전 덕이었다. 하지만 이러한 발전으로 더 작은 크기의 소자를 생성할 수 있었음에도 전공정기술이 소자의 발전을 따라가지 못하고 있 ... )gate work function을 유용하게 사용할 것이다.소자 scaling의 또 다른 어려운 과제는 channel mobility향상으로 전공정 및 공정 선택에서 기계적 s

리포트 | 63페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.12.21

다운로드 장바구니
판매자 표지

PDMS를 이용한 Micro pyramid 제작

Micro pyramid를 제작하고 빛의 변화를 관찰한다.2. 이론적 배경1)마스크로 포토 공정포토 공정은 PR이 도포된 웨이퍼 위에 포토마스크를 통과한 광원을 쬐어줌으로써 원 ... 부분을 제거한다. 또한 빛을 받았을 때 용해도가 내려가고 경화된다.)2) #4 식각 공정에 대한 설명•Wet etching: etchant를 이용해 식각하며 화학적 반응을 이용한다. ... 한다.④Developer 용액에 1분 20초간 담가 develop한다.⑤Hot plate를 125℃로 맞추고, 1분 30초간 hard bake를 진행한다.2)oxide

리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.08.03 | 수정일 2023.11.08

다운로드 장바구니

이전10개 3 4 5 6 789 10 11 12 다음10개

파워링크

신청하기