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"저항메모리" 검색결과 121-140 / 1,402건

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    (인서울 중하위권) DB하이텍 소자개발 학사 합격자소서
    carrier effect 등 다양한 이론을 체화하였고, CV 특성, IV 특성, Vt의 변화, 기생 Cap 등에 실험값에 대한 이론적 탐구를 진행하였습니다.또한 차세대 메모리 ... , V/2와 같은 Read Scheme 등을 학습하였으며, 측정 장비를 이용하여 저항값을 측정하여 학습한 이론을 확인하였습니다.우리 회사에 지원하게 된 동기는 무엇이며, 입사 후
    자기소개서 | 2페이지 | 6,000원 | 등록일 2022.12.26
  • 십자인대 재건술 후 가장 효과적인 재활운동은 무엇일까
    다. 운동을 하지 않던 사람이 운동을 하거나, 이전까지 어느정도의 근비대를 이뤘던 사람이 휴지기를 가진 후에 다시 저항성 운동을 하였을 때 근육의 성장이 크기 때문이다. 이 실험 ... 에서는 엘리트 운동을 하던 학생들이 십자인대 재건술을 받고 난 후에 재활 운동을 하였을 때의 대퇴둘레를 재활 치료 효과의 기준으로 삼고 있다.이러한 경우 “머슬 메모리”를 간과한 부분이 ... 를 기억하듯 운동을 오래 쉬어도 꾸준한 훈련으로 만들어진 과거의 상태로 근육이 금새 돌아가는 것을 머슬 메모리라고 부른다. Pubmed에 등재된 논문에 따르면, 머슬 메모리
    리포트 | 3페이지 | 5,000원 | 등록일 2021.12.03
  • 인적자원관리 측면의 SK하이닉스 기업 조사
    했다. 그래서 SK 하이닉스를 기업조사를 하게 됐다.2. 기업 소개SK 하이닉스는 대한민국의 메모리 반도체 제조사로 SK그룹의 계열사다. 본사는 경기도 이천시 부발읍 아미리에 있 ... 으며, 주요 제품은 디램, 플래시 메모리 칩이다. 미국, 영국, 독일, 일본, 타이완, 중국, 싱가포르, 인도, 베트남 등에서 판매망을 운영한다. 제조 설비는 대한민국, 중국에 있 ... 다.SK하이닉스의 주식은 한국증권거래소에 상장되어 있으며, 동 상장주식을 원주로 하는 DR은 룩셈부르크 증권거래소에도 상장되어 있다. 2015년 매출 규모 기준으로 세계 메모리 기업 중
    리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.08.12
  • (A+/이론/예상결과/고찰) 아주대 논리회로실험 예비보고서7
    메모리로 여러 개의 R-S F/F을 사용하여 구성한다. RAM은 전원이 꺼지면 기억된 내용은 지워지므로 휘발성 메모리(Volatile Memory)라고 부르기도 한다. 따라서 ... 는 데이터가 memory에 기록되고 negative logic일 때는 밖으로 읽혀진다. RAM은 크게 두 가지 메모리로 구분이 되는데, SRAM과 DRAM이 있다.F/F을 이용 ... 로 된 수천 개의 워드 용량을 가지고 있는데 여기에 있는 메모리 장치의 모형을 확장시키면 용량이 큰 메모리 장치의 설계도를 만들 수 있다.1. STATIC RAMSRAM이란 RAM
    리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.10.24
  • 10주차-실험21 예비 - 메모리 회로
    2015년도 제2학기기초회로실험Ⅱ기초회로실험Ⅱ실험21. 메모리 회로담당교수 : 교수님학 부 : 전자공학부학 번 :이 름 :실 험 조 :제 출 일 : 2015. 11. 11실험제목 ... : 메모리 회로실험목적 : (1) ROM에 필요한 데이터를 반영구적으로 기억시키는 장치인 ROM Writer를 구성하여보고,실험을 통해 원리를 이해한다.(2) 메모리 어드레스 ... kOMEGA , 1kOMEGA array 저항 560OMEGA , 5.6kOMEGA , 1.8kOMEGA , 390kOMEGA (10) Power supply
    리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.10.02
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    2024 1학기 미래정보기술의 이해 기말 족보
    1. 승용 자동차 배터리 전압은 DC 12V 이다. 배터리 전압이 정상 전압의 10% 이하 일 때 배터리를 교환하려고 한다. 전압측정 기기가 없어서 100옴의 저항값을 갖는 전구 ... 를 전달하는 통로이다③ 중앙처리장치와 메인 메모리 등 다양한 데이터 자료을 연결해 주는 경로이다④ 중앙처리장치와 장치 내부의 모듈 간 데이터가 이동하는 경로이다답: ④4. 멀티미디어
    시험자료 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.06.11
  • 반도체 공정 레포트 - front end process(학점 A 레포트)
    트렌치 DRAM 커패시터, Flash memory의 gate 구조, 상변화 메모리, FeRAM 등을 다룬다.DIFFICULT CHALLENGESMOSFET scaling ... taR 구조를 가지는데 트랜지스터와 데이터 저장의 유형은 응용 분야 및 공정 기술 계획에 따라 다르다. 고밀도 메모리 의 경우 PNP bipolar 트랜지스터의 수직 통합을 이용 ... 하여 보다 소형의 cell 배치가 달성되는 반면에 내장 메모리의 경우 트랜지스터는 N-channel MOS이며 이때 더 큰 cell은 기준이 되는 CMOS에 대한 최소 공정 간접 비용
    리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.12.29 | 수정일 2023.01.03
  • 반도체 시장분석 보고서, 리포트
    의 시장지배력10. 국제협약11. 주요기업1. 기원, 분류, 발전개념- 상온에서 전기를 잘 통하는 금속과 잘 통하지 않는 절연체와의 중간 정도의 전기저항을 가지는 물질.기원- 지금 ... 패러데이의 황화은의 저항률에 대한 발견부터 광기전력효과, 광전도효과, 정류작용까지 반도체 현상에 관한 많은 원리가 발견되었다. 그리고 이러한 원리들을 바탕으로 정류기가 제작 ... 된다. 데이터를 연산, 제어, 처리하는 시스템 반도체와 데이터를 저장하는 메모리 반도체로 나뉜다. 우리나라의 주요기업들은 시스템반도체보다는 메모리반도체에 대부분 투자하고 있다.시스템
    리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.12.01 | 수정일 2021.04.30
  • 직류 전원 장치 및 멀티미터 사용법
    1. 실험목적전기·전자회로 실험의 가장 기본적인 기기인 전원 장치와 멀티미터에 대해 설명한 후, 멀티미터를 사용한 전압, 전류, 저항 측정법에 대하여 실험한다.2. 실험이론1 ... ) 직류전원정치주기적으로 양과 음 두 가지 방향으로 변화하는 교류전류를 한 가지 방향만 갖는 직류전류로 변환시키는 장치이다. 정류기는 순방향 저항은 작고 역방향 저항은 충분히 커서 한 ... 이 연결되면(순방향) 전위장벽이 낮아져 전류가 잘 흐르게 된다. 반대로 연결될 경우는 전위장벽이 높아져 저항이 무한대로 커지게 되어(역방향) 전류가 흐르지 못하게 된다. 이런 과정
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.17
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    [수업자료][반도체][반도체사전] 반도체 용어 영어 번역본입니다. 국내에서 하나밖에 없는 자료입니다.
    equivalent to one billionth of a meter.낸드 플래시 메모리 [NAND Flash Memory]반도체의 셀이 직렬로 배열되어 있는 플래시 메모리의 한 ... mask.노어 플래시 메모리 [NOR Flash Memory]반도체의 셀이 병렬로 배열되어 있는 플래시 메모리의 한 종류.A type of flash memory in which ... performance by itself by collecting, analyzing and learning empirical data on its own.메모리 반도체 [Memory
    리포트 | 9페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.08.05
  • 회로를 구성하는 소자 중 수동소자(저항, 인덕터, 커패시터)들의 개념과 기능 및 용도들을 설명(전기전자공학개론)
    [리포트]전기전자공학개론회로를 구성하는 소자 중 수동소자(저항, 인덕터, 커패시터)들의 개념과 기능 및 용도들을 설명해보자.Ⅰ. 서론Ⅱ. 본론1. 수동소자와 능동소자2. 수동소자 ... 들의 개념과 기능 및 용도1) 저항2) 인덕터3) 커패시터3. 배운 점 및 실생활에서의 수동소자의 사례와 나의 생각Ⅲ. 결론Ⅳ. 참고문헌1Ⅰ. 서론전기전자공학은 현대 사회에서 더 ... 소자 중에서도 수동소자에 주목하여, 저항, 인덕터, 그리고 커패시터에 대해 자세히 알아보고자 한다. 이러한 소자들은 전자 회로에서 특정한 역할을 수행하며, 전자공학의 다양한 응용
    리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.12.02
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    대기업 자소서 예시 모음 (포스코, 삼성전자, 현대자동차)
    하여 금속입니다. 결국 미세화가 거듭날 반도체 산업에서, 합리적인 가격에 EM 현상과 저항 측면 최고 효율을 내는 금속의 개발이 필수적입니다. 삼성전자 메모리 사업부의 Metal ... 과목인 ‘신소재 프로젝트’ 중 CZT기판 위에 SSe를 증착해 전지를 만들고, 효율을 관찰해보았습니다. 이때, S와 Se의 합성 비율에 따라 전압, 전류, 저항 등 다양한 실험값 ... 배운 시리즈 저항의 측면에서 접근했습니다. 효율과 반대로 일정하게 감소하던 모습을 보인 시리즈 저항이 효율과 연관되어 있다고 생각했습니다.궁금증 해소를 위해 CZTSSe 전지
    자기소개서 | 13페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.07.10 | 수정일 2023.07.12
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    서울대학교 일반대학원 재료공학부 연구계획서
    Perovskite의 임계값 및 저항성 스위치 기능 제어 연구 등을 하고 싶습니다.저는 또한 니트로아렌의 수소화를 위한 실리카 나노로드 어레이에 대한 다중 나노촉매의 층별 장식을 통한 ... 메모리 연산 저주파 잡음 분광법 연구, 초고장력강의 전류 유도 석출 경화 연구 등을 하고 싶습니다.2. 학부, 대학원 이수 전공 과목 중 관심과목저는 신소재공학부 학부에서 물리금속1
    자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.05.28
  • 테라헤르츠파 발생을 통한 반강자성체 내 초고속 스핀 전류 검출 (Ultrafast Spin Currents in Antiferromagnets Probed by THz Emission)
    한국자기학회 이규섭, 김영훈, 이인서
    논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.07 | 수정일 2025.05.17
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    삼성전자 공정설계 합격 자기소개서 (2)
    합니다. 이를 실현시켜주는 기술이 AI입니다. AI의 핵심은 막대한 데이터를 바탕으로 스스로 학습하는 머신러닝인데, 여기에서 메모리 반도체는 핵심 하드웨어가 될 것입니다. 그렇기 때문 ... 에 메모리 반도체의 용량과 성능이 향상되어야 하고 시스템 반도체 또한 진화의 진화를 거듭해야 합니다.현재 삼성전자는 완제품과 부품 사업을 함께하면서 혁신적인 완제품으로 대세를 만들 ... 을 펼칠 것으로 보입니다. 삼성 AI 포럼과 AI 연구소를 시작으로 AI 연구에 박차를 가하고 있는 삼성이 시스템 반도체 분야에서도 두각을 보인다면 AI, 메모리 반도체, 시스템 반도체
    자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.02.06
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    대구경북과학기술원(DGIST) 대학원 전기전자컴퓨터공학과 자기소개서 및 연구계획서
    을 사용한 초박형 금 미세전극 어레이 개발 연구, Sol-Gel-Processed Amorphous-Phase ZrO2 기반 저항성 랜덤 액세스 메모리 연구, 수정된 플라즈마 보조
    자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.03.02
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    인천대 정보통신학부 편입 면접 대비 정리본
    에 가해진 전원전압과 소비되는 전압강하의 합이 같다는 것전압강하 : 전류가 전선을 타고 이동할 떄 저항을 만나 전압의 크기가 낮아지는 현상퓨리에 변환을 하는 이유 ***음성신호의 주파 ... 에서의 객체는 클래스에 정의된 내용대로 메모리에 생성된 것을 뜻한다.오버로딩, 오버라이딩오버로딩 : 같은 이름의 메소드를 여러 개 가지면서 매개변수의 유형과 개수가 다르도록 하는 기술오버 ... 의 주소를 저장하는 것이다.사용이유 : 포인터를 사용함으로 써 복사본을 만들지 않고 주소만 알려줌으써 용량 및 처리시간에 이득을 볼 수 있다. 메모리가 한정적이거나 처리시간이 중요
    자기소개서 | 8페이지 | 5,000원 | 등록일 2022.07.22
  • SK하이닉스 면접기출 5개년+꿀팁[최종합격!]
    하나? 19 현행 환경법규에 대한 본인 의견을 말해주세요. 20 하이닉스가 앞으로 대응해야할 주요 법안은 무엇인가요? 21 반도체란 무엇인가? 22 저항을 줄이기위해 어떤 것을 해야 ... 하는지? 40 마진과 여러 메모리 특성을 주고 이때의 cross-point bit 수를 계산 할 수 있겠는가? 41 우리 회사가 현재 차세대 메모리 개발로써 가고 있는 방향을 알
    자기소개서 | 5페이지 | 19,900원 | 등록일 2021.10.29 | 수정일 2021.11.23
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    [A+]리튬이온 이차전지 제작 예비레포트
    메모리 효과가 없어서 완충/완방이 불필요하다는 것이다. 만약 리튬 이온 이차전지에 메모리 효과가 있었다면 전지를 완전히 방전시키지 않은 상태에서 충전을 하게 되면 전지의 충전 가능 ... 용량이 줄어드는 단점이 있었겠지만, 리튬 이온 이차전지는 이러한 메모리 효과가 없기 때문에 오랫동안 그리고 안정적으로 쓸 수 있다는 특징을 가지고 있다. 마지막 특징으로는 전해액 ... Voltage의 약자로 전류의 흐름이 없는 즉, 아무런 저항요소가 없을 때 우리가 사용할 수 있는 이론상의 최고치의 전압이 바로 OCV가 된다. 하지만 OCV가 실제 우리가 전지를 통해 사용
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.03.16
  • 아주대학교 논리회로실험 / 9번 실험 RAM 결과보고서
    한다. (순서는 상관 x)6. 3Y와 4Y에 저항과 다이오드를 연결해서 결과를 확인한다.ReadWriteABOE0OE1IN0IN1WR0WR1OUT0OUT11010100의미 X1010011 ... 한다. RAM은 메모리 소자로 데이터를 저장하는 기능이 있음을 본 실험을 진행하면서 확인했다. 즉, 전원이 들어와 있는 상태에서 동시에 쓰기를 진행하는 경우 A와 B bit에 모두 해당 ... 한 구동을 확인할 수 있었음에 만족한다.다시 본론으로 돌아와서, 현재 (1,1) 주소에는 (0,1,1,0)이 저장되어 있다. 하지만 RAM 회로는 휘발성 메모리 소자이기에 전원이 사
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.07.20
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2025년 05월 29일 목요일
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