"금속저항소자"의 검색결과 입니다.

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초전도체 alpha step 계측공학 열 센서 그래핀 반도체 공정 투광성 알루미나 mosfet 광운대 Reram 센서공학

"금속저항소자" 검색결과 1,201-1,220 / 2,797건

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전력전자공학에 대한 개론

전력전자공학전력전자 (Power Electronic)▲ 정의 : Thyristor등 전력용 반도체 소자를 이용하여 전력의 변환, 제어 및전력회로의 개폐 등을 행하는 기술과 그 ... ) 상용화ㅇ 연구분야- 전력용 반도체 소자 분야 :power MOS-FET, IGBT등 새로운 전력용 소자의 개발- Power Converter 분야AC - DC Converter ... 를 반도체 전력변환장치라 한다.전력용 소자의 종류1. Diode범용다이오드 : 3000V , 3500V고속회복다이오드 : 3000V, 1000A 역회복 시간 0.1 - 0.5μs2

리포트 | 126페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.11.30

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태양전지의 모듈

조건(STC : Standard Test Condition)① 소자 접합온도 25℃② 대기질량 지수 AM 1.5③ 조사강도 1000(W/㎡)태양전지 모듈의 출력은 일조강도에 비례 ... 다이오드를 설치하여 출력저하 및 발열을 억제하고 일반적으로 바이패스 다이오드는 태양전지 모듈의 후면 단자함에 설치된다. 태양전지 모듈의 셀에 음영(그늘)이 진 경우 셀의 저항이 높 ... 지지 방법나) 건축물의 지붕에 설치하는 방식에 따른 분류- 지붕 설치형 : 기와, 타일, 금속판 등 지붕재 위에 지붕의 경사각에 가대를 놓고 태양전지 모듈을 설치하는 방식- 평 지붕

리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2015.07.09

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온도센서(Thermistor)

~700 전류억재소자(Power Thermistor)는 주로 전자기기의 전원에 직접 삽입하여 콘덴서에 흐르는 충전전류를 제한하는 데 이용한다.구 분응 용 분 야적용제품 및 부품저항-온도 ... , Sb 등의 전자공여체(Donor)를 BaTiO3와 혼합하여 만든 고용체는 결정구조가 Curie온도 부근에서 변한다. 이 원리를 이용한 저항소자가 PTC Thermistor이 ... 화학량 등 외계의 정보를 검지하여 신호처리하기 쉬운 전기나 빛의 신호로 변환하는 기능을 지닌 소자, 또는 장치를 일컫는 말로 인간의 오감(시각, 청각, 미각, 촉각, 후각)기능

리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.04.28 | 수정일 2018.04.26

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LED 제조공정 및 개요

때 단파장광 ( monochro-matic light) 이 방출되는 현상인 전기발광효과 ( electroluminescence) 를 이용한 반도체소자이다 . 즉 순방향 전압 인가 ... 들의 모습2. 에피성장 / 에피웨이퍼 ( Epi Waper ) 기초 소재인 기판위에 MOCVD(Metal Organic Chemical VaporDeposition , 유기 금속 화학 ... 특성확보가 중요하다 . - 방열 특성향상을 위해 Heatsink 를 배치하고 , metal PCB 위에 실장 하여 열저항을 최소화하였다 . ● 최근에는 다수의 chip

리포트 | 24페이지 | 3,500원 | 등록일 2012.06.19 | 수정일 2015.12.14

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이슬점의 온도 측정(DEW POINT TEMPERATURE)

) 반도체의 양쪽에 금속접합을 한 형태를 하고 있는데, 이 저항성 반도체 면에 입사하는 빛이 흡수됨으로써 가전자대 전자가 들뜨게 되어 전도대 전자와 가전자대 정공이라는 반송자를 생성 ... 는 대기의 이슬점온도를 재는 측기로서 금속의 표면을 서서히 냉각시켜 이슬이나 서리가 생길 때의 온도를 측정할 수 있도록 한 온도계이다.? 이슬점을 활용한 예- 일반적으로 중방식 ... 의 낮은 겨울철에는 낮다.⑶ 광검출기- 광신호를 검출하여 전기적인 신호로 바꾸어 주는 역할을 하는 소자를 말하며, 광검출 소자나 검출하는 광신호의 종류에 따라 다이오드형 광검출소자

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.02

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[기초전자전기] PLC제어

[PLC언어의 종류에 대해 조사하시오.]◆PLC란?종래에 사용하던 제어반 내의 릴레이 타이머, 카운터 등의 릴레이제어반 기능을 LSI, 트랜스터 등의 반도체 소자로 대체 ... 은 제어 장치이다.쉽게 말하면, 반도체 소자를 이용하여 Digital화 시킨 제어장치라고 생각하자. 사전에 나와 있는 말을 인용하면, “디지털 또는 아날로그 입출력 모듈을 통하여 로직 ... 는다-유도형, 정전 용량형과 함께 센서 상호의 영향이 있다. 그러므로 센서의 설치에 대해서는 상호 간섭에 대해서 고려할 필요가 있다. 또한 유도형에서는 주위 금속의 영향을, 정전

리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.06

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응용 실험(adaptor제작) 예비/결과 레포트

효과들을 이용한 소자이다. 크라이오서는 p형과 n형의 불순물을 대체적으로 같은 양 첨가한 반도체를 4.2°K로 냉각하면 음성저항이 생기는 현상을 이용한 초전도전자소자이다. 이것 ... (또는 방전관) 다이오드와 반도체 다이오드가 있으며, 진공관의 경우는 2극관 또는 2극진공관이라고도 한다. 셀렌 정류기와 같은 전자현상을 이용한 이른바 금속정류기 등도 다이오드 ... 의 일종이지만, 보통 정류기라고 한다.반도체 다이오드는 게르마늄이나 실리콘[비소]과 같은 반도체 결정표면에 텅스텐 또는 백금합금과 같은 금속제 침(針)의 첨단을 접촉시킨 구조로 되

리포트 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2008.12.19 | 수정일 2015.06.12

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재료의 관점에서 본 electro conductivity, resistance, resistivity, conductivity, LCR meter

로는 금속이 있다. 이유는 페르미 에너지 보다 높은 빈 에너지 준위로 많은 자유전자가 여기 되기 때문이다. 금속의 전도는 대개 비저항으로 표현한다. 비저항을 감소시키거나 증가시키는 요인 ... 관계는 금속의 전도율에 관한 실험결과와 잘 일치하지만, 저온(→0)에서는 성립하지 않는다. 전도율을 저항으로 바꿔 그래프를 그려보면 온도가 낮아질 때 저항 값이 점점 줄어들 때 ... MeterLCR Meter는 전기전자부품을 개발하거나 생산하는 산업체에서 개별소자에 나타나는 특성값을 측정하는 장비이다. 특성값은 R(저항), L(인덕턴스), C(캐패시턴스), Z(한다..

리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.07.05

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LDV, Gap sensor 를 이용한 변위 측정 결과 보고서

을 발산하는 반도체소자로, m 반도체의 p-n 접합구조를 이용하여 소수캐리어(전자 또는 정공)를 주입하고 이들의 재결합에 의하여 발광시킨다. LED는 컴퓨터 본체에서 하드디스크 ... 함에 따라 고신뢰성 및 방열 특성확보가 중요하다.- 방열 특성향상을 위해 Heatsink를 배치하고, metal PCB 위에 실장하여 열저항을 최소화하였다.* 최근에는 다수의 c ... 상체가 금속성일 때 사용하며, Sensitivity와 측정범위는 대상체의 재질과 크기에 의해 결정된다. 그러므로 대상체를 선정할 때에는 다음과 같은 유의사항이 있다.(1)치수대상체

리포트 | 27페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.06.30

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MOSFET Report

. 게이트 재료Ⅴ. 기타 MOS의 응용Ⅵ. 용어 정리Ⅰ. MOS의 정의Metal-Oxide-Semiconductor라는 의미 그대로 금속과 반도체 사이에 산화층을 넣은 것을 말 ... 한다. 이러한 MOS구조를 사용한 대표적인 소자로는 MOS커패시터와 MOSFET이 있으며, 공정특성상 크기를 작게 만들 수 있어서 TTL소자 등 여러 소자의 제작에 사용된다.Ⅱ ... 에 인가되었을 때 양의 전하가 위의 금속판에 존재하고 유도된 전계는 반대 반향으로 나타난다. 이 경우에, 만약 전계가 반도체에 인가되면, p-의 물질의 정공은 산화막-반도체

리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.12.09

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White LED의 기술개발동향과 전망

에 나카무라 박사에 의해 시도된 고온 열처리 방법으로도 큰 효과를 보게 된다. 그러나 이마저도 p저항을 낮추기 위해서는 충분치 않아 보통 10nm 미만의 얇은 금속 박막을 올리 ... (Lighting Emitting Diode)는 반도체 p-n 접합소자로 전기 에너지를 빛 에너지로 바꾸어 주는 발광 반도체이다. 실리콘 반도체와 달리 빛을 낼 수 있는 화합물 반도체 ... 거나 300nm 내외의 비금속 산화물을 증착하여 전류 확산을 원활하게 위한 투명전극을 활용한다, A1GaN 계열의 재료는 기판과의 큰 격자부정합도 이외에 열팽창계수의 상이함으로 인해 높

리포트 | 18페이지 | 4,000원 | 등록일 2011.11.21

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센서 기술 및 응용

화학량 등 외계의 정보를 검지하여 신호처리하기 쉬운 전기나 빛의 신호로 변환하는 기능을 지닌 소자, 또는 장치를 일컫는 말로 인간의 오감(시각, 청각, 미각, 촉각, 후각)기능 및 ... 상태를 표현하는 라틴어 aens(-us)에서 유래된 공학 용어이다.센서란 측정 대상물로부터 정보를 검지하여 측정량을 전기적인 신호로 변환해주는 소자, 혹은 더 구체적으로 표현 ... 으나 대략 "온도, 광, 압력, 습도 등의 물리량이나 화학량을 감지하여 처리하기 쉬운 신호(주로 전기신호)로 바꾸어 주는 소자 또는 장치"로 정의할 수 있다. 즉 외부 자극(s

리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.04.27 | 수정일 2018.04.26

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판매자 표지

[분석화학실험]산화․환원적정법을 이용한 탄산칼슘(CaCO3)의 정량

으므로 거름속도는 느리지만 미립자의 침전이 새어 나가지 않고 산이나 알칼리에 대한 저항력도 비교적 강한 것이 장점이다. 거름종이로 침전을 걸러내는 방법을 그림에 간추려 표시 ... 는 진동소자를 사용하여 성분을 화학적이 아닌 물리적인 힘을 작용한다.초음파 추출기나. 실험 시약1) HCl,(NH _{4} ) _{2} C _{2} O _{4}, 0.1N-KMnO ... 에 사용되며, 고무에도 보강제로서 배합된다.4) 칼슘 (calcium)주기율표 2족에 속하는 알칼리토금속 원소인데, 반응성이 커 자연계에 순수하게 존재하지 않고 탄산염 등의 화합물

리포트 | 10페이지 | 4,000원 | 등록일 2015.07.01 | 수정일 2020.07.29

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R, L 및 C의 전류 및 전압 특성 RC 및 RL 직렬회로

, 전계는 소멸된다. 전계에 저장되었던 에너지는 회로로 되돌아가 전선저항 때문에 I2R의 전력소모에 의하여 발생하는 열의 형태로 변환된다.이와 같이 두 장의 금속극판으로 구성되어 있 ... 1.TitleR, L 및 C의 전류 및 전압 특성 RC 및 RL 직렬회로2.Name3.AbstractR, L 및 C 등 전자 회로를 구성하는 기본 소자에 가각에 대한 전압과 전류 ... 사이의 기본적인 위상 개념을 파악하며 각 소자의 전기적 특성을 이해한다. RC 및 RL 직렬회로를 이용한 임피던스의 특성을 파악한다.4.Background1) 커패시턴스

리포트 | 25페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.06.04

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ITO Pattering 공정 예비보고서

혹은 고분자물질을 적용한 모든 유기발광 다이오드(OLED, PLED), 유기태양전지(OPV), 유기 박막트랜지스터(OTFT)소자들은 상업적으로 용이하게 구할 수 있는 ITO ... 가 Coating된 유리기판을 사용하고 있다. 유기EL 소자 내에서의 전체적인 발광영역은 대략 100 nm 정도 두께의 유기물 층에 한정되는데 이러한 박막구조 상에서는 ITO ... 의 Coating이 표면 균일도나 유기층과의 접촉특성이 소자의 발광 특성에 커다란 영향을 미치게 된다. 따라서 ITO pattering전 전처리 공정을 통하여 표면을 개질시켜 주어야 한다.이

리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.02.23

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탄소나노튜브(CNT) 연료전지기술

을 잘 발산시켜 안정된 데다 강도와 탄성이 뛰어남.?저항 없이 전기를 흐르게 하는 초전도현상을 보이거나 반도체 성질을 가지는 등 다양한 기능을 지녀 전자소자, 정밀기계, 광소자 등 ... Growth) : 기판을 사용하지 않고 반응로 내부로 촉매금속 소스와 탄화가스를 동시에 공급하여 반응로 내벽과 내부 공간에서 기상반응으로 CNT합성. 대량합성에 유리한 장점을 가짐 ... 를 다루기가 어려움예) 삼성의 나노튜브 paste를 이용한 전계 방출 소자 제작 공정의 복잡성(따라서, Substrate를 이용한 CVD 방식이 장점을 가질 수도 있음)-합성(s

리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.04.06 | 수정일 2021.04.01

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Common Source Amplfier 설계 예비보고서

로 금속을 이용하였기 때문이나, 현재는 폴리실리콘 게이트를 사용하여 금속이란 이름은 그저 관습적인 표현이 되었다. 저항층 게이트 전계효과 트랜지스터 ( insulated-gate ... 는 소자를 가르킬때 "IGFET"의 사용을 선호하지만, 아직도 대부분은 Mosfet이라고 부른다.□ Mosfet 구조? 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 (MOSFET)는 모스 ... .제약조건 :전원전압 (Max.) 30V저항소자소자값커패시터 소자소자값10㏀1㎌,500㏀1㎌,500㏀10㎌10㏀10㏀10㏀□ Data sheet 첨부3.1.2(a) 위의 증폭기

리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.03.18

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[일반물리학실험] RLC임피던스

.5㎃단위로 증가시키면서 각각의 회로에 대해 실험하였다. 우선 함수 발생기로 정현파, 주파수는 1㎑로 맞추고 전류를 흘린 후 각 소자(저항, 인덕터, 커패시터)에 걸리는 전압 ... RLC 임피던스전공학번조이름1. 실험목적- 저항(resistor), 인덕터(inductor) 및 축전기(capacitor)로 구성된 교류회로에서 주파수에 따라 변화하는를 각각 ... 에는 역수끼리의 합의 역수를 취한 꼴, 즉 1/LT=1/L1+1/L2+1/L3가 된다. 이처럼 인덕터는 여러개의 저항의 합성 저항을 구하는 것과 같다.2) 커패시턴스(c

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.09.04

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압력용기 실험

train gage가 개발, 상용화 되어있지만 가장 일반적인 형태의 strain gage는 3~6㎛ 두께의 격자무늬 금속 저항성 포일 감지부가 두께 15~16㎛ 얇은 플라스틱 필름위 ... 음을 알 수 있다.(2) 오차의 원인- 오차의 원인이 가장 크게 발생할 수 있는 Strain gage 부분이다- Strain gage는 3~6㎛ 두께의 격자무늬 금속 저항성 포일 ... 인해 금속의 온도 변화에 따른 변형률의 차이를 가져올 수 있으며 이에 따라 strain gage의 grid 변화로 저항 변화가 나타날 수도 있다. 이 저항변화로 인해 실험 s

리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.11.16

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박막 재료의 표면 처리 및 PR 제거 (반도체 식각)

는 메모리 소자의 원리와 구조① Phase Change RAM(PRAM)(그림12) PRAM 소자에서 상변환이 일어나는부분의 단면구조.ⅰ)PRAM이란?물질의 상변화에 따른 저항의 차이를 이다. ... (Lithography)는 원래 석판화를 의미하는 프랑스어에서 온 말이다. 반도체에서는 그 소자형성에 마이크론()단위의 가공정도가 필요하게 되므로 사진기술로 원판을 만들고 이를 마스크 ... 하으로 사용되는데 GaAs, InSb, Gap, CdS, PbSnTe 등이 있다. 현대 소자에서는 Si, Ge, GaAs, InP등이 주류를 이룬다.반도체 소자는 반도체의 전기

리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.10.13

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