"금속저항소자"의 검색결과 입니다.

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초전도체 alpha step 계측공학 열 센서 그래핀 반도체 공정 투광성 알루미나 mosfet 광운대 Reram 센서공학

"금속저항소자" 검색결과 1,121-1,140 / 2,797건

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물리저항

사용된다.2)금속 피막 저항 : 세라믹, 유리 몸체에 금속 또는 금속 합금을 나사선 모양으로 붙인 것으로 정밀도가 뛰어나고 잡음, 내구성 등의 물리적 특성이 좋다. 금속 피막 저항 ... 은 아날로그의 잡음이 걱정 되는 회로 등에 주로 사용한다. 그리고 온도에 대한 특성이 좋다.3)산화 금속 피막 저항 : 사기 또는 유리 몸체에 금속류를 산화시킨 산화금속을 입힌 것 ... 1.저항1-1.저항의 정의일반적으로 저항이란 전기의 흐름을 방해하는 것, 전기가 잘 흐르지 못하게 하는 것을 말한다.간단한 예로 우리가 뛸 때는 공기의 저항을 받는다. 또한 물

리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.10.04

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[공업화학] 공업화학 필수이론 및 기출이론 정리

할 수도 있고 톨루엔의 액상 공기산화에 의한 방법으로도 제조할 수 있다.11. 황산제조에 사용되는 원료 : 황화철광, 자류철광, 황동광, 금속제련 폐가스12. 황산암모늄- 속효성 비료 ... 원소를 첨가함에 따라 저항이 감소한다.2) 상온에서 부도체인 고유 반도체를 비고유 반도체로 만들면 전기전도도를 가지게 할 수 있다.18. 납축전지- 방전시 : 양극과 음극 ... 로 만든 것38. 인산의 용도1) 금속표면처리제2) 공업용 세척제3) 부식억제제39. 전지1) 전해질내에서는 이온에 의한 전하의 이동이 존재2) 방전시 전지의 (+)극에서는 환원반응

리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.07.13

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중3기술_전기회로와 조명_전기의 발생_학습지도안(과정안)

하는가, 여기에서는 전기회로에서 회로시험기를 가지고 전압, 전류, 저항을 측정하는 방법을 배우고, 1-4 전기배선과 조명에는 어떤 것이 있는가에서는 전기 배선기구와 조명의 종류에 대해 ... 며)“자 이게 뭔가요?”- "그렇죠. 금속탐지기에요. 금속탐지기가 전자유도 현상을 이용한 것인데, 금속탐지기 안에는 코일이 들어있어서 금속탐지기 주변에 금속이 있으면, 이 금속 ... 이 코일 주변의 자기장을 변화시켜서 금속탐지기에 흐르는 전류를 변화시켜서 금속을 탐지하는 것이에요.”- (위 슬라이드를 보며)“다음은 화학 작용에 의해 전기가 발생하는 경우에요. 이것

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.07.04

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Hall effect measurement 예비보고서

에 의해서 결정되는 값이다. 여기서 좀 더 세부적으로 들어가면 홀소자의 전압강하를 생각할 수 있는데 이를 측정하면 비저항를 계산할 수 있다. 식으로 표현하면(8)이고 이것의 역수 ... 힘을 받고 가장자리로 쏠려서 흐르게 되어 실제로 전류가 흐르는 단면적이 줄어드는 효과가 생기고 그 결과로 저항이 증가할 것이라고 예상하였다. 그러나 실제 실험에서 저항의 증가 ... 를 관찰할 수 없었고 대신에 전류가 흐르는 직각방향으로 전위차가 생기는 것을 알아내었다. 이로부터 금속내부에 움직일 수 있는 전하는 바로 전자(자유전자)이고 그 자유전자의 밀도를 계산

리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.07.10

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플렉서블 투명전극소재

의 전도가 어려워 낮은 전자 이동도를 나타내게 된다. 또한 비정질 산화물 박막은 금속 재료나 고분자 재료와 달리 세라믹 재료이기 때문에 기판의 굽힘이나 휨에 대한 저항이 낮아 쉽 ... 의 상판 화소전극은 전면이 투명전극으로 코팅되어 있는 공통전극이며, 하판은 패터닝된 화소 전극과 이를 구동하는 박막트랜지스터로 이루어져 있다. 투명 전극은 비저항이 1*10-3 Ωc ... m 이하, 면저항이 103 Ω/□이하로 전기전도성이 우수하고 380에서 780 nm의 가시광선 영역에서의 투과율이 80% 이상이라는 두 가지 성질을 만족시키는 박막을 의미

리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.09.07

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희토류 금속을 이용한 폐열의 전력전환

5. 결 론 -2-1. 개 요 ( 폐 열로부터 전기 생성 ) 목적 : 무해한 원소로 이루어진 산화물 세라믹을 이용한 열전변환 소자 개발 원리 : 금속의 양단에 온도 차를 주면 V ... =S △ T 발생 ( 제베크 효과 ) 열 기전력 = 전지의 기전력 저 항 률 = 전지내부 저항 -3-제베크 효과와 펠티에 효과 제베크 효과란 ? 금속이나 반도체의 양단에 온도 차 ... 의 물리 4-2 층상 코발트 산화물의 이방적 열전 매개변수의 완전 결정 4-3 새로운 N 형 산화물의 발견 4-4 주사형 [ZTmeter] 의 개발 4-5 산화물 발전 소자의 개발

리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.11.12

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NTC서미스터

)는 대부분 사용온도가 300℃ 미만으로 Co, Mn, Ni, Cu, Fe 등의 금속산화물을 2종류 또는 그 이상 혼합하고 소결성 향상을 위해 CuO, 저항 값 감소를 위해 F2O ... ℃, 저항 값 및 B정수 값은 ±5%에서 ±1%로 정밀한 것을 요구하고 있고, 응답성도 chip형의 경우 1~3sec,로 점차 빨라지고 있다. 또한 최근 에는 많은 연구자들에 의해 소자 ... 서미스터는 옆의 그림과과 같이 온도가 상승하면 저항이 변화하는 센서를 서미스터라 하는데, (-) 온도계수를 갖는 NTC 서미스터, (+) 온도계수를 갖는 PTC 서미스터 및 어떤

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.29

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전기변색 예비 보고서

1. 실험 제목전기변색소자(electrochromic) 물질 합성 및 색 변화 관찰2. 실험 목적전기증착법(electrodeposition)을 통하여 기판(ITO glass) 위 ... 에 산화바나듐(V2O5) 박막을 합성하고, 순환전압전류법(Cyclic Voltammetry)을 통하여 합성된 박막의 전기적 특성을 파악하여 전기변색소자 장치 ... (전기도금)수용액 중에 이온 형태로 존재하는 목적금속을 전기에너지를 이용하여 물품표면에 환원·석출(析出)시켜 피복층을 얻는 방법, 즉 전착을 응용하여 금속 표면에 얇은 층을 입히

리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.12.20

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CNT(나노기술의 중심)

.4 응용 - 전자소자② 반도체 탄소나노튜브 트랜지스터나 메모리 소자에 응용 금속성 탄소 나노튜브를 반도체 탄소나노튜브로 바꾸는 기술 문제점 - 반도체 탄소 나노튜브만 성장하기 ... ) 에너지 저장 3) 전자방출 소자 4) 전자소자 5) 주사 탐침 현미경 6) 초미세 나노 저울 7) 나노 핀셋 8) 나노 화학센서 9) 선형베어링과 스프링 7. 기술개발 현황 8 ... sheets rolled-up to CNT.4. 생성 과정5. 탄소나노튜브의 특징① 전기적 특성 단일벽 탄소나노튜브 의 저항 = 10Ω•cm 말려있는 각도(Chiral angle

리포트 | 23페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.10.09

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DSSC최종 설계 보고서

수 있는데 이 저항성분에 의한 감소에는 금속전극 방향으로 흐르는 carrier에 인한 저항과 기판과 금속전극 및 접촉저항에 관련된 series 저항이 포함된다. 따라서 효율적인 ... 다.3. 대면적화DSSC의 실용화를 위해서는 꼭 이루어져야 하는 것이 대면적화 이다. 하지만 DSSC에서 소자를 대면적화하면 투명 도전성 화합물(TCO)의 저항이 커진다. 즉 I-R ... 트랩에 의해 출력이 저하하기 때문에 발생 전류량을 적게 억제하는 모듈구조를 적용해야 한다. 역으로 TCO 저항을 증대시키지 않으면 소형 셀의 변환효율을 저하하지 않고 대 면적 소자

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.25

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반도체공정 ppt

적인 SBC 공정은 양극성 트랜지스터의 한계를 비롯한 양극석 IC 공정으로 제조된 여러 소자를 다루며 그림 10.1(a) 의 기본적인 접합 분리 양극 공정은 수십년 동안 IC 산업 ... Semiconductor 의 약어로 그 구조가 금속 , 실리콘 산화막 , 반도체의 순으로 되어 있어서 MOS 라 불리고 MOS 에는 P 형과 N 형 , C 형이 있으며 소비 전류를 작게 할 수 있 ... 기 때문에 마이크로컴퓨터 등 집적도가 높은 IC 에 사용된다 .10.1 접합 - 분리 구조 5 그림에는 소자 중앙 단면에서의 SBC 불순물 분포를 나타내고 있으며 그림자 영역은 에미터

리포트 | 34페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.06.12 | 수정일 2014.05.02

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자기버블소자

자기버블소자목차1. 자기버블소자란?2. 자기버블소자의 원리3. 자기버블소자의 재료4. 자기버블소자의 효능5. 자기버블소자의 전망6. Reference1. 자기버블소자란?포자구소자 ... 소자가 자기버블소자이다. 1967년 A.H.보벡이 벨(Bell)연구소에서 발표한 것으로, 논리기능(論理機能)을 가진 대용량의 기억소자로서 주목을 받았다. 화학식 RFeO3 에서 R ... 가 있는데, 기억밀도가 매우 높아서 1 cm2 당 1,000만 개의기억소자를 채울 수가 있다. 자구는 상호간섭하는 특성이 있으므로 논리기능을 가지도록 할 수 있다.2. 자기버블소자

리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.10.30

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태양광 발전의 개요 및 전기적 특성

cell)- 태양에너지를 전기에너지로 변환할 목적으로 제작된 광전지로서 금속과반도체의 접촉면 또는 반도체의 pn접합에 빛을 조사하면 광전효과에 의해광기전력이 일어나는 것을 이용한 것 ... - 금속과 반도체의 접촉을 이용한 것으로는 셀렌광전지, 아황산구리 광전지가 있고, 반도체 pn접합을 사용한 것으로는 태양전지로 이용되고 있는실리콘 광전지가 있음* 광전지(photo ... emiconductor) : 전기전도가 전자와 정공에 의해 이루어지는 물질로서 그의 전기저항률 즉 비저항이 도체와 절연체 비저항값의 중간값을취하는 것. 반도체의 재료로서는 실리콘, 갈륨비소

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.06

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superconductivity

가장 중요한 기술 중 하나이다. 초전도체는 기존의 금속이나 반도체가 지니지 못하는 특수한 전자기적 특성을 지니고 있어, 기존의 소자로는 구현할 수 없는 수준의 기술 등을 제공 ... 의 전기적 성질을 연구하기 시작했다. 당시에는 금속의 온도가 낮아질수록 금속의 전기저항이 감소한다는 것은 이미 잘 알려진 사실이었으나, 온도가 절대영도에 접근할수록 저항의 극한값 ... 에 약 4K에서 저항이 급속하게 떨어지고 그 이하의 온도에서는 수은의 저항이 사라져 버렸다. 더구나 이 갑작스런 전이는 순수금속에만 한정된 것이 아니라 불순물을 많이 함유한 수은

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.06.28

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Ideal 반도체 설계

diagram- Zero bias에서 금속과 반도체의 work function은 같다. ()- Bias가 인가됐을 때, 반도체와 금속 표면에 존재하는 전하량은 서로 같다.- Oxide ... 를 통한 케리어의 이동은 없으며, Oxide의 저항은 무한대이다.(Si 의 Electron affinity,이다.)◀Ideal MOS diode의Energy band diagram ... 로 가속하여 웨이퍼의 내부에 침투시킴으로써 전자 소자의 특성을 만들어줌. 이러한 불순물 주입은 고온의 전기로 속에서 불순물 입자를 웨이퍼내부로 확산시켜 주 입하는 DIFFUSION

리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.12.03

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실험(3) 예비 3-18,35 ,공통 게이트 증폭기, 트랜지스터 스위치

은 드레인 단자에서 얻는다.1.직류해석2.교류해석아래의 왼쪽그림은 2전원 게이트 JFET의 증폭기 회로이며 오른쪽 그림은 교류 등가회로이다.(1) 최대 게이트 전압- 금속산화물의 얇 ... 이상이면 금속산화물층은 파손된다. 특히 취급상 주의해야 할 점은 전원이 공급되고 있는 상태에서 삽입과 제거이고, 손에 의한 정전기 이다.(2) 트랜지스터의 증폭특성트랜지스터 증폭기 ... 이 어떤 반응을 확보 하여 완료 바이어스 상태를 명령합니다. 게이트 바이어스 제어 장치의 발명 구성 단위의 스위칭 제어 회로에 연결은 소스 - 드레인 전압의 저항을 병렬 회로 부분

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.10.23

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유기전자학(Organic Electronics)이란 무엇인가

된다. 유기 트랜지스터의 드래인(drain) 전극에 폴리풀루오렌(polyfluorene) 계열의 유기 물질을 스핀 코팅하여 저항 변화 메모리 소자를 제작한 후, 유기 메모리 소자의 저항 ... 계 전체에서 절연체로 반도체 칩 회로집적(on-chip)에서 전형적으로 사용되는 실리콘 이산화물 유전체 절연체를 대체한다. IBM은 저저항성 금속으로 구리를 사용해서 알루미늄 배선 ... , 메모리 등이며, OTFT와 OLED는 이미 상용화 단계이다. 유기전자학의 의의는 기존의 금속전자학이 플래스틱전자학으로 전환됨을 뜻한다. 플래스틱과 함께 폴리머와 미분자도 함께 응용

리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.12.11

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OTFT 기술 및 동향

하는 금속-유기박막 계면 에너지 장벽을 최소화하는 것이 중요펜타센 박막(5.1eV)의 전극으로 Au(5.3eV) 사용(낮은 에너지장벽, 쉬운정공주입)문제점실제 소자 제작시 접촉저항이 수 ... 고유전율, 저 누설전류, 패터닝이 가능한 유전체 소재 높은 전도도를 띄는 유기 전도성 재료 개발 소자측면 유기박막의 성막 조건 저 누설전류 및 고이동도 소자구조 접촉 저항의 감소 ... MΩ으로 큰 에너지 장벽 생김Au-펜타센의 경우 공기노출 후 증착이 진공상태 증착보다 접촉저항이 커짐원인 : 베개효과(pillow effect)로 예상해결방안금속과 유기박막 사이

리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.11.30

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기계공학실험 굽힘시험 결과레포트

Strain gage의 구조는 'Base'라고 불리는 얇은 플라스틱 필름(15-16μm) 위에 얇은 금속저항박(3-6 μm) 으로 '격자상의 수감소자'를 만들고, 그 위에 얇은 필름 ... 으로 라미네이트 가공을 한 구조로 되어있다.Strain Gage 의 원리피측정물이 받는 Strain과 동일하게 늘어나거나 또는 수축되도록 접착해, 수감소자(금속저항박)가 Strain ... 에 따라 신축한다. 많은 금속은 기계적인 인장과 압축을 주면 그 전기저항은 변화한다. Strain gage는 이 원리를 응용해 저항변화에서 Strain을 측정하는것이다.일반적인

리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.11.24

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결정 성장 기술

(chemical vapor) 또는 반도체 재료를 함유하는 기체 혼합물로부터도 기판 위에 성장시킬 수 있는데 이러한 기술을 기상 에피택시라 한다. VPE법은 전자 소자나 광전자 소자의 제조 ... 하게 성장시킬 수 있다. VPE법은 또한 실제 소자의 제작에 있어 그 유용성이 매우 큰데, 예를 들어 VPE법은 원하는 불순물(dopant)농도를 갖는 에피층을 연속적으로 여러 층 ... 들을 자체보다 낮은 온도에서 녹기도 하기 때문에, 이러한 혼합물 용액으로부터 결정을 성장시키는 것이 유리한 경우가 종종 있다. 예를 들어 GaAs의 용융점은 1238 oC이나 금속

리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.10.06

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