MOSFET Report

소개글

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목차

Ⅰ. MOS의 정의

Ⅱ. MOS의 구조
1. MOS 커패시터
2. MOSFET

Ⅲ. MOS의 동작원리
1.채널의 생성
2.MOSFET의 동작

본문내용

p채널 MOS는 엷게 도핑(doping)된 n형 실리콘(Si) 기판으로 만들어진다. 2개영역을 확산으로 p형 불순물을 짙게 도핑하여 소스(source)와 드레싱(drain)을 만든다. 2개의 p형 부분 사이의 영역이 채널(channel)로서 쓰인다. 게이트(gate)는 산화 실리콘의 절연된 유전체에 의하여 채널로부터 분리되어 있는 금속판이다. 게이트 단자에 음(-)전압(기판을 중심으로)을 걸면 채널에 유도된 전계가 발생하게 되어 기판으로부터 p형 캐리어를 끌어 모으게 된다. 게이트의 음전압의 크기가 점점 증가됨에 따라 게이트 밑의 영역에 더 많은 양(+)의 캐리어가 축적되어 전도도가 증가되고, 소스에서 드레인으로 이들 2개 단자 사이에 전압차가 유지된다면 전류가 흐리게 된다.
n채널 MOS에서 소스단자는 기판과 연결시키고 양(+)전압을 드레인 단자에 인가시킨다. 게이트전압이 문턱전압 VT(약2V)이하이면, 채널에는 전류가 흐르지 않는다. 게이트전압이 채널을 형성하도록 충분히 VT이상으로 양(+)이면, n형 캐리어가 소스에서 드레인으로 흐른다. n형 캐리어는 음이며, 양 전류가 드레인에서 소스로 흐르는 것에 상당한다. 문턱전압은 사용한 특정한 공정에 따라 1V에서 4V까지 다를 수 있다.

참고 자료

없음