"Gas diffusion layer(가스 확산층)"의 검색결과 입니다.

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반도체 공정 cvd PEALD ALD 공정 연료전지 결과

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"Gas diffusion layer(가스 확산층)" 검색결과 101-120 / 122건

반도체 제조 공정

은 표면층에 형성된 마스크(Mask)층을 통해 이루어진다. 1. 열적확산 (Diffusion) 열적확산은 웨이퍼를 100℃ 가까이 가열하고 Dopant를 함유한 가스에 노출 ... 산화막 (SiO2)를 형성 시키게 된다.1. 산화막(Oxidized layer) 형성단계이 외에 질화물 등 다른 물질을 앉히기도 하는데 이 막은 종류에 따라서 절연체, 도체로 나눈다 ... 시키는 공정. (일반 사진현상과 동일)회로패턴과 연결된 부분에 불순물을 미세한 GAS입자 형태로 가속하여 웨이퍼의 내부에 침투시킴으로써 전자소자의 특성을 만들어주는 공정. 실리콘 웨이퍼내

리포트 | 63페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.12.27

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[공학기술]반도체증착기술

층 계면, 고체 내부 계면 등에서 발생한다.{3) zone1에서 가스의 주요 흐름은 코팅/기지 층간을 통과하여 흐르고 계면 층(boundary layer)은 유체 동력학적인 측면 ... 1. CVD란?(1) CVD(화학 기상 증착법)공정의 개요외부와 차단된 반응실 안에 Substate(기판)를 넣고 Gas를 공급하여 열, 플라즈마, 빛(UV or LASER ... ), 또는 임의의 에너지에 의하여 열분해를 일으켜(Si 기판과 공급된 O2와 반응하여 산화막을 형성 시키는 Diffusion 과는 달리) 기판의 성질을 변화 시키지 않고 solid

리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.07.19

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연료전지의 종류 및 특성, 원리

는 법: 직접 막 위 전극을 형성 시키는 것.라. 기체확산층 (Gas Diffusion Layer)전극 바로 다음에 위치하면서 전극에 연료 및 공기를 공급해주고 생성된 전기를 모집 ... 하는 역할을 수행하며 보통 100 ~ 300㎛ 정도의 두께를 가지는 다공성 카본 paper 나 cloth로 만든다. 가스 확산층은 촉매로의 가스의 이동을 원활하게 해주는 동시 ... 가 크고 수명이 짧았으며, 태양력을 이용한 발전은 비용이 많이 들어가는 단점이 있었기에 크기가 작고 효율도 높으며 배기가스가 적은 연료전지가 우주선의 동력원으로 사용되었던 것이

리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.11.21

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CMOS 기술

diffused resistorDisadvantageAdvantageLow temperature depen- dence Reasonable power speed ... Inverters (Linear resistive load)Silicide Block OptionNon-silicided layers have significantly larger ... 하면,En1050℃) and a long diffusion time (8 h) for the well depth of 2~3 μm. Retrograde well : formed at

리포트 | 66페이지 | 4,000원 | 등록일 2007.03.02

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ion plating (이온도금)

적 반응이 일어나기 때문에 사파이어 기판 위에 직접 양질의 박막을 성장시키기는 어렵다. 이러한 문제점은 CeO2 라는 완충층(buffer layer) 박막을 확산장벽 ... )내에 아르곤 등의 가스를 주입하여 약 10 torr의 고진공 상태에서 플라즈마를 일으켜, 증착물질과 가스를 이온화하여 증착될 물체에 높은 에너지를 가지고 증착하게 하는 일종 ... 부품 등에 폭넓게 사용되고 있다.(2) TiCNTiCN은 C2H2가스와 N2가스의 배합비로 호박색(Amber Color), 검붉은색, 검정색, 회백색 등의 다양한 색상을 낼 수 있

리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.06.09

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[화학실험]ALD공정의 기본원리를 이용한 박막제조 및 특성평가(final)

다.· 생산성이 떨어진다.· 속도가 너무 느리다.다)확산 방지막(diffusion barrier)의 특징· 확산 방지막을 통한 확산이 느려야 한다.· 화학적으로 안정해야 한다. 즉 물질 ... 1.실험목적원자층 단위 증착(Atomic Layer Deposition) 공정의 기본 원리를 이해하고 직접 실험을 통하여 박막을 만들어보고 그 특성을 분석하여 실제 연구에 응용 ... 할 수 있는 기본적인 능력을 배양하는 데에 본 실험의 목적이 있다.2.실험이론1)ALD(Atomic Layer Deposition) 공정가)특성ALD 기술은 CVD 기술과 달리 반응

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.02.02

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[단위 공정]에 대하여

주입 공정 - Ion implantation불순물 확산 공정 - Diffusion화학증착 공정 - Chemical vapor deposition금속층 형성 공정 ... (diffusion) 과 이온주입 (ion implantation) 이 있다.확산(diffusion)은 불순물이 온도를 올려주면 농도가 높은 지역에서 농도가 낮은 지역으로 이동하는 현상을 말 ... 를 만드는 모습이 들어 있습니다.wafer 공장에서는 이 염화규소 가루를 crucible 이라는 고온 용기에 넣고 녹입니다. 이때 사용하는 가열 장치는 연기나 불순물 gas가 나오지 않

리포트 | 25페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.25

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수정 및 태아발달

확산b. 영양공급과 저장 : 당, 단백, 지방, 물, 비타민과 광물질, 전해질- 확산(diffusion), 삼투압(osmotic pressure), 능동수송(active ... 을 위한 영양공급, 당의 이동용이, 유방발달포도당 신생과 당질대사 억제, insulin 파괴작용 - 모체 고혈당㉥ 운반작용a) 확산 : 산소, 이산화탄소, 마취가스, 물, 전해질 ... 적 시기-fetus : 9주부터 말기까지*중추신경계의 기형을 제외하고는 다른 기형을 초래하지는 않는다.1) 초기배엽(Primary germ layers)?3배엽 : 외배엽, 중배엽, 내

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.10

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[실험자료]원자층 단위 증착(ALD) 공정의 기본 원리

위에 가지런히 증착되고, 나머지 불필요한 화학 반응 생성물은 Gas 상태로 만들어져 배기관을 타고 배출되는 구조를 나타낸다.▲ 원자층 증착장치(ALD: Atomic Layer ... 성을 확보한 극박막의 고유전막 (high-k material), 확산방지막 (diffusion barrier), 게이트 절연막 (gate dielectrics) 등을 들 수 있 ... 하는 데에 본 실험의 목적이있다.2. 이 론▲ 화학기상증착(CVD:Chemical Vapor Deposition)공정1) 개 요반응가스간의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼표면

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.07

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[반도체공정] 산화막 성장기구( Oxidation growth mechanism )

≫ ks (gas는 충분히 공급된다.)∴ Ci = C* / [ 1 + (ksXo/D) ]∴ C0 ≒ C*diffusion controlled⇒ Step 3가 roate-limiting ... 이전 실험의 건식 산화법과도 비교해 본다.2. 이 론 적 배 경(1) Dry Oxidation (건식 산화) : Si (solid) + O2 (gas) → SiO2 (solid)물 ... (field Oxide, Inter-Metallic Dielectrics, 층간 절연층)② diffusion Mask (Ion Implant or Diffusion)③ Surface

리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.13

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[반도체공학]박막증착

(patterning)습식식각건식식각-플라즈마식각스퍼터 식각반응성 이온 식각(RIE)박막처리(pre/post processing)이온주입(ion implantation)]확산(diffusion ... 품질의 마이크로센서의 제작에 사용ㆍ비결정의 substrate 위에 화학적으로 성장시킬 수 없다.ㆍ그림 2=> 한 substrate 위에 실리콘을 확산시키고, 패턴닝한 다음 다른 ... 과 epitaxial growth사용. 이온 을 웨이퍼위에 주입후 절연체로 코팅된 웨이퍼와 본딩후 back etching. 두께는 1μm정도{그림 Thin layers of single

리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.12.23 | 수정일 2025.01.21

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[에너지] 연료전지

)5. 전극 (Electrode)6. 막전극접합체 (Membrane and Electrode Assembly)7. 기체확산층 (Gas Diffusion Layer)8. 분리판 ... 한 전류를 가스확산층을 통해 전류를 집전하는 역할도 수행한다. MEA에 분리판이 더해지면 단위전지 및 스택이 이루어진다.9. PEM Fuel Cells Stack고분자 전해질막, 촉매 ... 의 혼합물을 촉매 화학 반 응을 통하여 수소풍부가스로 전환시켜주는 장치임. Reforming반응에 필요한 열 은 반응기 내부에 설치된 LNG Gas Burner로부터 공급받음.2

리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.02.14

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CVD

이 main gas flow region으로 확산8 증착 구역 밖으로 부산물의 이동아래 그림에서 이러한 반응 과정은 연속적으로 일어나며 지배적인 전체 반응 속도는 diffusion ... 느린 반응 단계에 의해서 증착율은 지배된다.1 Substrate 근처로 반응 기체의 이동2 Main gas flow region으로부터 기판 표면으로의 반응기체 확산3 반응기체 ... 는 반응실로 유입하여 화학적 반응에 의해 기판 표면 위에서 박막이나 에피층을 형성하는 것이다. 반응온도는 100 ~ 1200℃ 범위로 광범위하게 사용되고 유입된 반응가스를 분해시키는데

리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.06.15

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[재료공학실험] 박막증착실험(진공, pvd, cvd)

+(cryo trap, baffle)+확산펌프(diffusion pump)- 저진공펌프(mechanical pump)+(micromaze trap)+터보분자펌프 ... 며, 조성의 변화가 생기기 때문에 열, 운동량, 화학조성의 boundary layer가 형성된다. 도입기체 또는 반응 중간체는 증착표면에서 heterogeneous한 반응을 일으키 ... , laser-induced CVD, electron-beam assisted CVD로 분류될 수 있다.2.2 ALCVD(Atomic Layer Chemical Vapor

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.15

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[기기분석] HPLC/Ion Chromatograph System

olumn 넓어진다.B : 세로확산(Longitudinal Diffusion) ; 시료성분들이 분리관을 통과하는 동안 시료성분이 있는 부분은 농도가 진하고 칼럼축 방향으로 양쪽은 농도 ... definition).{크로마토그래피의 분류이동상의 종류에 따른 분류- 기체 크로마토그래피 ： GC(gas chromatography)- 액체 크로마토그래피 ： LC(liquid c ... 그래피(planar chromatography) ：TLC(thin layer chromatography), PC(paper chromatography)－ 관 크로마토그래피(c

리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.10.20

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[재료 금속 박막 증착] PVD CVD(박막)

-Piezoelectric driversMagnetic-Memory discsChemical-Barriers to diffusion or alloying-Protection ... against oxidation or corrosion-Gas/liquid sensorsMechanical-Tribological(wear-resistant) coatings ... -Hardness-Adhesion-MicromechanicsThermal-Barrier layers-Heat sinks위에서 알 수 있는 바와 같이 박막의 응용범위는 상당히 넓으며, 많은 경우

리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.09.12

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[공업화학실험] 박막재료의 표면 처리 및 식각 공정

되게 한다.{-Ion Implantation and Diffusion-Dopant 원자는 wafer 표면에 축적되고, 높은 온도에서 확산된다. 표면에서 dopant 농도의 조절 ... 식각장치 사용하여 적절한 식각가스와 식각가스를 선택하여 식각 실험을 진행한다.(4) 식각된 산화막의 표면, 표면 색깔과 패턴 관찰 ---광학현미경 관찰(5) 마스크 패턴의 제거(O2 ... 하는 과정.◎반도체 공정 종류{-Oxidation-Silicon dioxide layer의 형성은 집적 회로 제조에 있어서 가장 빈번하게 사용되는 과정중의 하나이다. Silicon

리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.01.20

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구성방정식

M2/M1M2 j1,i (diffusion thermo)압력 확산의 식은 와류 흐름에서 중요하다. 흐름의 법선방향에서 압력이 다양하기 때문에 수직에서의 boundary-layer ... laws 의해 기술되어진 영향의 크기보다 작다. 열과 질량 전환과정은 종종 음으로 나타내어 진다. 예를 들어 열의 확산 영향은 동위체의 분리, 아주 가벼운 분자 무게 가스 사이 ... 에서의 혼합으로 이용되어 진다. 확산 열의 영향은 최근에 그러한 무시될 수 없는 크기로써 발견되어졌다. 일반적으로 이러한 영향 둘다 무시할수 없다.Isothermal Diffusion

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.10.30

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[전파,전자] GaAs를 이용한 반도체 소자

은 GaAs층 사이에 생기는 2-DEG(Dimension Electron Gas) layer층에서 전자들이 source에서 drain으로 흘려 전류를 발생시킴높은 전자이동도를 가짐Sheet ... 고 있으나전자는 수평적으로 이동한다.2.전자 이동에 의해 전류가 발생(확산이 일어나지 않음)물리적 특성으로 인해 게이트 길이를 짧게 만드는 것이가능하여 높은 주파수에서 유리하게 동작 ... Transistor)Cross Section of GaAs HBTElectron Diffusion CurrentElectron ChargeElectron Diffusion

리포트 | 24페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.04.25

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[재료공학] Ag(Mg)/Si 의 증착 및 열처리

, Precipitate 형성, 박막 내부에서의 Alloy element 의 확산거동을 확인하려는 실험2. 이론Thin Film기계가공으로는 실현 불가능한 두께 μm 이하의 엷은 막 ... E-6 ~ 10E-10 torr까지 진공으로 만든 후 chamber에Ar 같은 inert gas를 1~100mTorr의 압력으로 continuous하게 흘려준다.이러한 상태 ... 에 넣는 일도 있고, 찬 공기나 그 밖의 가스를 뿜는 경우도 있다.Specific Resistance균일한 단면적 S, 길이가 l인 도체의 전기저항은 도선에 길이에 비례하고단면적

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.11.13

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