"GaN LED"의 검색결과 입니다.

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"GaN LED" 검색결과 101-120 / 312건

한양대학교 신소재공학부 미래기술과신소재 기말과제 (취득점수 A+)

-Epitaxial growth of ZnO and GaN/InGaN crystals-SCA-LEDs & photodetectors에 대해서 다루었다. 수업 시간이 짧은 관계로 한정적인

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.04.29

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LED(결과)

1. 실험제목 : 발광 다이오드(LED) 실험2. 실험일자 : 2013년 5월 15일(수)3. 실험결과1) LED Threshold voltage 측정실험값 V [V]이론값 V ... [V]오차율 [%]W2.6133.525.3R1.5341.919.3G2.5113.221.5B2.5713.219.7각 LED의 불이 들어오기 시작한 순간의 전압값을 측정하였다. 측정 ... 이고 또한 LED의 불순물의 조성의 오차의 원인이 있다.이론값의 V는 문턱전압(Threshold voltage) 즉 빛이 갑자기 밝아지는 값인데 비해 실험값은 빛이 조금이라도들어오

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.05.18

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아주대 기계설계 분야별 실험3

는 것의 중요성을 실험원리를 통해 알아본다.2. 실험 원리◎LED 칩 제조 공정① LED란?-p-n접합 다이오드의 일종으로, 순방향으로 전압이 걸릴 때 단파장광(monochro ... 의 형태로 방출되며, 빛의 형태로 발산 되어 LED가 되는 원리이다.② LED의 제조 공정 및 단계별 기술- LED 제조공정은 크게 에피 웨이퍼 제조(Epi 웨이퍼 제조) ▶ 칩 생산 ... 증착법) 장비를 이용하여 화합물 반도체를 성장시켜 에피 웨이퍼를 제조 하는 단계 이다. 에피 웨이퍼 제조 공정을 청색 LED를 예를 들어 설명하면, 청색을 내는 반도체 재료

리포트 | 16페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.07.22

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LED 발전 과정, 최신 동향, 기초 이론, 제조 공정, 측정 분석

-doped GaN ) MQW (Multiple Quantum Well) P – GaN (Mg-doped GaN )Ⅳ LED 기초 이론 Wafer 공정 Epi 공정 FAB 공정 ... Module Pakaging GaN Structure - + P-type N-type MQW EBL - + -Ⅳ LED 기초 이론 Wafer 공정 Epi 공정 FAB 공정 Module ... L.E.D구성 및 목차 Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅴ Ⅳ 발표분담 LED 발전 과정 LED 최신 동향 LED 기초 이론 LED 제조 공정 Ⅵ LED 측정 분석Ⅱ Ⅲ Ⅴ Ⅳ LED 발전 과정

리포트 | 82페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.12.24

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반도체 LED 강의 1장 : 반도체 기술 소개

의 농도가 더 높다)n-형과 p-형 반도체를 이용하여 다이오드, 트랜지스터 등과 같은 전자 소자를 만들 수 있고 많은 전자 제품에 응용된다 발광 소자 --- GaN, 사파이어 ... , GaAs….디양한 재료 관련 산업 LED (발광다이오드, Light Emitting Diode), laser diode, OLED (유기 발광 다이오드) Display장치 태양 전지

리포트 | 24페이지 | 4,000원 | 등록일 2014.05.20 | 수정일 2017.01.20

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고효율, 저비용 청색 LED 제작설계

사용되며 미래시장의 수요는 폭발적으로 늘어날 전망이다. .LED시장에 최근 10여년 사이에 Ⅲ족 질화물 화합물 반도체가 전 세계적으로 주목을 받고 있다. 그 중 GaN은 상온 ... 을 더욱 개선시키고 더 좋은 발광 소자를 얻을 수 있게 해 주었다. 이와 같은 이유 때문에 LED 소자제작에 Epitaxy 방법을 이용한 GaN을 기판의 재료로 선정하게 되었다. 활성 ... 을 가졌기 때문에 고온 고출력 전자소자로도 각광을 받고 있다. 현재까지 GaN을 기초로 한 고휘도의 청,녹색 LED를 개발은 매우 활발하게 진행 되고 있다.에피탁시 성장은 HVPE

리포트 | 26페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.10.04

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LED 조명 효율 향상을 위한 방법

의 LED 칩을 직렬로 접속하여 패키지화 하였다. 패키지 시의 방열성을 높이기 위해 세라믹 기판을 사용하였다. OSRAM은 Thin GaN라고 불리는 칩 기술을 사용하여 백색 LED ... ? LED 조명의 효율LED 광원의 수명은 100,000시간 정도로 산출되어지며, 여기에 환경의 변화 및 물리적인 악조건을 감안하여도 통상 40,000~50,000 시간의 수명 ... 라 LED는 형광등이나 기타 조명이?가지고 있는 중금속이 없는 친환경 조명이다. 형광등과 같은 형태에서 벗어나 여러 모양의 조명기구로 활용가능하며 내구성이라든지 충격 또는 흔들림 등

리포트 | 7페이지 | 14,000원 | 등록일 2013.04.22 | 수정일 2025.02.10

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수지 나카무라에 대해서

를 위한 새로운 물질인 GaN 생산에 박차를 가하던 시기 Akasaki 교수에 의해 P-GaN 이 발견 이를 대량생산화 하면서 Nakamura 교수는 LED 시장에서 새로운 강자 ... 로 떠오르게 됨3 Nakamura 최고가 되다 . 1989 년 GaN 의 대량생산 시작 1992 년 열처리 방법을 도입한 P-GaN 의 대량생산 시작 1993 년 고휘도 Blue LED ... 개발 및 생산 1996 년 고휘도의 White 와 Green LED 개발 및 생산3 Nakamura 최고가 되다 . 1989 년 GaN 의 대량생산 시작 1992 년 열처리 방법

리포트 | 18페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.07.30

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LED 열화 메커니즘

과 GaN 결정과 격자 정수 차에 의한 결정 내의 결함에의해 국부적으로 내전압이 낮은 부분도 존재하게 됨④ ESD에 의해 파괴되는 청색 LED Chip은 외관으로 판별하기 어려움때문 ... LED 열화 메커니즘1. 열화의 종류1) LED용 형광체의 열화2) 수지 열화3) 정전기에 의한 파괴4) 온도에 의한 열화5) 전기적 요인에 의한 열화6) 기계적 요인에 의한 ... 열화7) 물성적 요인에 의한 열화8) 전원에 관한 요인2. 전원에 관한 요인1) 정전기 발생가) LED 조명은 일반 조명에 비해서 정전기에 취약함① 특히 조립단계에서의 LED

리포트 | 11페이지 | 2,500원 | 등록일 2014.07.02

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사파이어 웨이퍼

정도의 고농도 p-GaN 도핑이 가능하게 한다. 뒤에서도 설명되겠지만 p-GaN 도핑은 LED 기술의 중요한 한 이슈인데, 특히 자외선 LED는 AlInGaN p-형 도핑이 매우 ... 되고 있는 청색 LED는 사파이어 기판 위에 성장시키는 GaN의 성장면은 c-plane이라는 극성면을 이용한다. 즉 c-plane의 법선 방향(c축 방향)을 성장 축으로 하고 있 ... 되면서 20%의 가격하락과 함께 LED 적용 속도가 빨라질 전망이다.단결정 성장된 사파이어는 MOCVD에서 GaN를 증착하기에 적합한 크기와 모양으로 가공단계를 거친다. 사파이어 단결정

리포트 | 49페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.12

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태양전지, LED의 종류 및 원리, 이론 설명

기 때문에 안전사고에 있어서도 문제가 된다.- Culture LED처음 만들어진 기본 LED구조이다. Flip-chip, Vertical type과 비교하면 n-GaN과 p-GaN ... -chip LED이다. 칩을 뒤집어서 사파이어를 통해 빛이 방출되게 설계된 칩이다. 사파이어 쪽으로 빛을 나오게 하여 전극패드에서 손실을 없앨 수 있고, p-GaN 층에 반사막 ... 함으로써 수평형 LED 칩에 비해 휘도를 더욱 향상시킬 수 있다. 그리고 GaN 층과 사파이어 기판을 떼어 낼 때, Lift-off 라는 기술을 쓰는데 지금까지는 통상 화학적 Lift

리포트 | 7페이지 | 7,000원 | 등록일 2013.04.22 | 수정일 2022.11.21

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VLSI공정 5장 문제정리

의 응용분야고 집적화 및 고품질이 요구되는 반도체 공정고출력 LED칩 소자 개발에 필수적인 증착 기술특히 GaN를 기반으로 하는 청색 발광 소자 개발에 주로 사용MOCVD의 장점?1

리포트 | 10페이지 | 4,000원 | 등록일 2018.06.05 | 수정일 2020.05.03

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White LED의 기술개발동향과 전망

개월마다 2배씩 증가되어 마침내 반도체 조명으로 거듭나고 있다. 특히, 1993년 말 가시광선 LED 중 가장 구현하기 힘든 고휘도 청색 GaN LED가 일본 Nichia 사의 ... 도 한다.(2) InA1GaN 4성분계 에피층의 성장조명용 백색 LED 펌핑광원으로 최근 UV LED에 RGB 형광체를 조합한 광원이 유망한 것으로 평가되고 있는데 UV 영역 ... 을 의미하며 양질의 InN 성장이 가능할 경우 질화물 반도체만으로 모든 파장에서 발광하는 LED 제작이 가능하다는 것을 뜻한다. 그러나 GaN에서 In 의 인입이 많아질수록 또는 InN

리포트 | 18페이지 | 4,000원 | 등록일 2011.11.21

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LED 제조공정 및 개요

1.LED 제조 공정 LED 제작 공정과 제조업체시작 -LED 란 ? LED(Light-Emitting Diode) 는 p-n 접합 다이오드의 일종으로 , 순방향으로 전압이 걸릴 ... ) 에 해당하는 만큼의 에너지를 발산 하는데 , 이 에너지는 주로 열이나 빛의 형태로 방출되며 , 빛의 형태로 발산 되면 LED 가 되는 것이다 .제조공정 간략도1. 기판 제작 ( 사파 ... 이어 잉곳 ) ○ LED 기판을 제작하기 위해서는 고품질 사파이어 웨이퍼가 필요하며 , 이를 생산하기 위해서는 대구경 사파이어 단결정 소재 잉곳 성장시스템의 핵심 요소개발과 원재료

리포트 | 24페이지 | 3,500원 | 등록일 2012.06.19 | 수정일 2015.12.14

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LED 원리와 개발 방향

캘리포니아대학 산타바바라교의 교수로 있는 나카무라 슈지 교수가 고휘도의 GaN청색 LED를 개발하면서 LED는 총 천연색의 경지에 오르게 되었다. 이후 LED는 교통신호, 전광판, 유도등 ... 았다. 이 후 나카무라 슈지 교수가 GaN계 화합물로 청색 LED를 만들어내며 10% 이상의 효율을 가지는 비교적 고휘도의 청색 LED가 탄생되었다. 그러나 Ga의 가격이 비싸 ... 기 때문에 GaN계 화합물로 만든 청색 LED의 가격도 자연히 높아질 수 밖에 없다. 이후의 연구는 고휘도를 가지면서도 GaN보다 싼, EL 효과를 낼 수 있는 반도체 물질을 찾는 방향

리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.10.12

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LED 조명

가 간 LED -. 차세대 GaN LED시장 선도~1998' 1999' 2000' 2001' 2002' 2003' 2004' 2009'~GaN LED Technical road ... MapLaser Lift-off Vertical GaN LED수직 구조 GaN LED의 장점항 목종래의 기술수직 구조 GaN LED개략도Wire bonding 수2-wire ... LED Lighting2012. 3Contents- 조명의 이해 - LED 산업 - LED 조명 - LED 기술 개발(수직형 Chip 중심으로)조명의 역할 변천맹수로부터의 보호

리포트 | 50페이지 | 6,000원 | 등록일 2012.03.27

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LED(Light emitting diode)의 구조와 작동원리, 발광원리에 관한 보고서

차이에 해당하는 좁은 파장 영역의 빛만 나온다.Ex) GaN LED의 구조우리가 분석하고 하는 LED는 GaN계 청색 LED이다. 이 LED 역시 빛을 나오게 하는 원리는 위 ... Ⅰ. 서론LED의 개념과 구조 및 작동원리는 이해할 수 있다.LED(Light emitting diode)란 반도체로 된 다이오드의 일종으로 양전극 단자에 전압을 걸면 한 방향 ... 으로만 전류가 주입되고 전자와 정공이 재결합해서 그 일부의 에너지를 빛으로 변환되는 다이오드(Dioed)이다. LED는 조명기술에서 최후 수단의 광원으로 발전했으며 기존의 빛을 만들

리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.08.11

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CVD method 예비

의 나노와이어를 포함해서 일컬으며, 길이 방향으로는 특별히 크기의 제한이 없다. (양자와이어)? 금속성(Ni, Pt, Au등)과 반도체(Si, InP, GaN, ZnO등), 절연성 ... , 발광반도체인 갈륨질화물 등이다.-ZnO NWs의 성질? Wide-band gap semiconductor? blue/UV LED and LD.? High exciton

리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.06.17

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LED란 무엇인가

..PAGE:1LED란 무엇인가?..PAGE:2목차LED의 정의와 역사기본원리와 특징현재 이용분야시장 동향과 전망..PAGE:3▶ LED란?-> Light Emitting ... Diode말 그대로 빛을 발하는 다이오드: 순방향 전압을 가했을 때 발광하는 반도체 소자의 총칭!!LED의 정의..PAGE:4▶ 이미 우리 생활은 LED가 지배하고 있다!생활농업산업의료 ... ..PAGE:5..PAGE:6동영상 첨부 자리..PAGE:71960년대 이미 가시광선(Visible ray) 영역의 LED 개발1980년대 적색의 LED가 가장 먼저 상용화초기

리포트 | 55페이지 | 5,000원 | 등록일 2013.07.23

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[실험레포트] 온도변화에 따르 저항 변화 측정

을 생각하면 쉽게 이해가 된다.) 이 원료물질들이 기판의 표면에서 화학반응을 일으킨다.대표적인 CVD 증착물질인 GaN의 경우에는 MOCVD 법을 이용할 때 TMGa라는 Ga ... 에 methyl기를 붙인 물질을 수송기체에 실어보내고 한 쪽에서는 암모니아 (NH3)를 불어넣어서 기판의 표면에서 TMGa의 Ga과 NH3의 N이 반응하여 GaN을 만들어내게 된다. 그리고 ... 않은 품질을 구현할 때도 있지만 일반적으로 PVD가 장비만 완성되면 고품질의 증착면을 얻을 수 있다.현재 대표적으로 각 증착법이 이용되는 분야를 언급하면, CVD는 LED 제조

리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2015.12.05

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