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"이온 플레이팅" 검색결과 101-115 / 115건

  • [재료특성] mems 재료특성
    PVD법의 sputtering, arc 이온 플레이팅(AIP) 등에서는 고체의 카본원 으로 물리적으로 증발시켜 막을 형성하기 때문에 수소 함유량이 적은 DLC막이 얻어진다. AIP ... (kJmol)824.0원자결합반지름(pm)202몰융해열(kJmol)35.40이온결합반지름(pm)68(+4)65(+6)녹는점(℃)3422원자부피(cmmol)9.53끓는점(℃)5555일차 ... 이온화에너지(kJ/mol)798■ 몰리브덴주기율표 제6족에 속하는 크롬족 원소. 이름은 원광석인 몰리브데나이트(molybdenite:輝水鉛石) MoS2에 연유한다. 옛 그리스어
    리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.02
  • 플라즈마
    적으로는 도체 소자의 제조시 접점에서 확산장벽으로 이용되는 TiN은 Ti의 반응성 이온 플레이팅이나 스퍼터링, PECVD 방법등을 통해 건식법으로 만들 수 있다.{2. 고분자의 표면처또한 고 ... 방전일 경우에 방전 상태의 기체에 대하여 조사하여 보면, 전극으로부터 조금 떨어진 "양광주"라고 부르는 부분에서는 전자와 이온이 거의 같은 밀도로 분포되어 있고, 모든 곳에서 전기 ... 입니다. 원자나 분자에서 전자가 분리되어 전자와 양이온(전자를 잃어버린 원자, 분자)으로 나뉘는 경우는 일상 생활에서도 흔하게 있으나 이 상태는 상당히 불안한 상태이어서 바로 다시
    리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.09
  • 재료공학이란 무엇인가
    을 다.-의장성 스테인레스 강엔봇 가공, 다르 가공, 에칭 가공, 이온 플레이팅, 드라이 코팅 등으로 표면에 마무리를 하 여 의장성을 부가한 것들로 주방, 욕조, 건재, 등에 이용
    리포트 | 31페이지 | 2,500원 | 등록일 2006.11.01
  • [반도체]진공증착
    (Evaporation)2)스퍼터링 (Sputtering)3)이온플레이팅 (Ion Plating)이 3가지로 나뉜다고 할 수 있습니다.진공증착법은 1857년에 Faraday가 처음
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.26
  • [전자전기정보공학] 플라즈마
    코팅, 장식용 코팅, 반도체 소자의 제조시 접점에서 확산장벽으로 이용되는 TiN은 Ti의 반응성 이온 플레이팅이나 스퍼터링, PECVD 방법 등을 통해 건식법으로 만들 수 있 ... -wave에 의해서도 가능하다.) 최외각 전자가 궤도를 이탈함으로써 자유전자가 되어 양전하를 띄게 되며 분자 혹은 원자와 음전하를 갖는 전자가 생성된다. 이러한 양전하의 이온과 전자 ... 한 상태를 흔히 이온화한 기체 또는 플라즈마라고 부른다. 전자를 어떻게 가속시키느냐, 또는 플라즈마가 형성되는 상황의 전자밀도나 그 때의 온도에 의해서 다양한 플라즈마가 형성된다.고체
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.06.10
  • [기계공학 금속공학] 도금(표면처리)에 관하여
    과 산화물, 등을 가스화 혹은 이온화해 물건 표면에 증착 시키는 것으로. 진공 증착과 스팩터링, ion 플레이팅, ion질화, ion 주입등 으러가지 방법이있고 장식, 기능의 분야 ... 금속 뿐만 아니라 합금도 가능하다. 도금하고자 하는 금속을 음극으로 하고 전착(電着)시키고자 하는 금속을 양극으로 하여, 전착 시키고자 하는 금속의 이온을 함유한 전해액 속에 넣 ... 고, 통전(通電)하여 전해함으로써 바라는 금속이온이 물건의 표면에 전해석출하는 것을 이용한 것이다. 따라서 도금하고자 하는 물건은 전도성(電導性)이 양호해야 하므로 금속제품에 대해서
    리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.08
  • 광택 니켈도금 실험보고서
    에 따라 복잡한 사전처리가 필요하며. 폐수 처리가 어렵다.진공 도금용기 내를 진공으로 하여, 금속과 산화물, 등을 가스화 혹은 이온화해 물건 표면에 증착 시키는 것으로. 진공 증착 ... 과 스팩터링, ion 플레이팅, ion질화, ion 주입등 으러가지 방법이있고 장식, 기능의 분야에서 활용되고 있다. 특히 반도체 제조에 불가결의 기술이다.(장점) 대부분의 금속 소재 ... 시키는 것으로. 전자를 양이온 전착도장, 후자를 음이온 전착도장이라고 말한다. 방녹 목적으로는 흑색이 많이 이용되고 있다...(장점) 피처리물의 형상에 좌우되지 않고 균일한 도장을 할
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.06.14
  • 박막화기술
    plating이온플레이팅은 진공증착막의 기판에 부착강도를 높일 목적으로 증발입자를 이온화하고 전계로서 가속화하면서 기판에 부착시키는 방법으로 1973년 Matto 가 제안한 것이다.이 경우 ... 초전도재료의 박막화일반적으로 박막화기술은 (1) 물질을 고온으로 가열하는 방법 (2) 이온공학기술을 이용하는 방법 (3) 화학반응을 이용하는 3가지 방법으로 대별할 수 있다.(1 ... )의 방법은 가열하는 방법에 따라서 저항가열법, EB법, 레이저법 등으로 나눈다.(2)의 방법은 sputter법이나 cluster 이온빔법 등 물리적인 에너지를 이용해서 박막
    리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2000.09.23
  • 초전도재료의 박막화
    하는 방법이다.Ion plating이온플레이팅은 진공증착막의 기판에 부착강도를 높일 목적으로 증발입자를 이온화하고 전계 로서 가속화하면서 기판에 부착시키는 방법으로 1973년 ... [ 참고 2] 초전도재료의 박막화일반적으로 박막화기술은 (1) 물질을 고온으로 가열하는 방법 (2) 이온공학기술을 이용하는 방법 (3) 화학반응을 이용하는 3가지 방법으로 대별 ... 할 수 있다.(1)의 방법은 가열하는 방법에 따라서 저항가열법, EB법, 레이저법 등으로 나눈다.(2)의 방법은 sputter법이나 cluster 이온빔법 등 물리적인 에너지를 이용
    리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2000.10.08
  • 표면처리 종류
    시켜 박막을 형성시키는 방법이다. 이는target 원자의 방출과 그 원자의substrate에의 부착이라는 2가지 과정을 포함하는 개념으로 볼 수 있다.O:이온 플레이팅(Ion ... A:이온 주입 ( Ion Implantation )이온주입은 선택된 원소를 고진공 중에서 가스 또는 고체상태로부터 이온화시키고, 이를 가속시켜 재료의 표면에 투사시켜 강제로 피 ... 연막 등을형성한다. 1∼100Pa 정도의 압력에서 글로우방전에 의해 아르곤 가스 등을 이온화시켜 타겟트(Target)에 충돌시킴으로서 원자(입자)를 튀어나게 하고 기판상에 흡착
    리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.09.20
  • [반도체재료] 박막증착
    deposition)으로 대별된다. 또한, PVD법은 진공 증착법과 스퍼터법, 이온플레이팅법으로 나눌 수 있다. 그 중 진공 증착법은 진공(10-4Torr) 중에서 고체 또는 액체를 가열 ... 다.■ 이온 스퍼터링이온 스퍼터링은 에너지를 가진 입자에 의해 표면을 bombardment하여 이때의 운동량 교환으로 고체표면으로부터 재료가 이탈, 방출되게 하는 과정이 ... 다. 그러므로 피처리물과 마주보는 표적재료 표면(다이오드 상태)에서 무거운 불활성 가스인 아르곤 가스가 글로우 방전에 의해 플라즈마를 형성하고 음극인 표적재료 표면에 아르곤 이온이 충돌
    리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.05.10
  • [금속] 금속 열처리
    상에 금속막을 형성하는 코팅법· 렌즈의 반사방지막, 광자기 디스크등의 광학 박막형성· 플라스틱 기판의 금속코팅3 이온 플레이팅ㄱ 원리· 불활성 기체 분위기에서 기판에 부의 고전압 ... 코팅의 밀착 강도가 화학증착법이나 이온 프레이팅보다 상대적으로 취약b 막에 Sputter가스가 포함됨c 고전압이 요구되며 장치에 제한이 있음ㄷ 응용· 진공증착을 대체하여 IC회로 ... 을 걸어 이상방전을 일으키면 서 동시에 증발물질을 증발시키거나 가스를 사용하지 않고 보조장치를 이 용하여 증발 물질을 이온화 또는 여기시킴으로써 이온화된 원자 또는 분 자가 부의 전압
    리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.05.06
  • [재료공학] [재료공학]전자재료실험
    CVD법(photo CVD) 개발단계종류:스파터법: Al, Al합금, 실리사이드, 고융점 금속등진공증착법: Al, Al합금이온 플레이팅법적용:에피택시얼 성장, 백실·매립 산화막
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.05.23
  • hall_patch_관련_자료2
    에 의한 나노코팅학습하기 2. 나노코팅기술하이브리드 공정 (아크방전법 + 스퍼터링법)아크이온 플레이팅 기술과 마그네트론 스퍼터링법의 복합을 통한 4원계 나노코팅을 실시할 수 있 ... 를 선택하시오. 하이브리드 공정은 높은이온화율, 우수한 밀착력, 균일성, 높은 증착속도, 낮은 공정온도 특성을 갖는 아크이온 플레이팅 기술과 성분의 함량제어, 비전도 타겟의 스퍼터링 ... 은 증착속도, 낮은 공정온도 특성을 갖는 아크이온 플레이팅 기술과 성분의 함량제어, 비전도 타겟의 스퍼터링이 가능한 마그네트론 스퍼터링법의 복합을 통한 4원계 나노코팅을 실시할 수
    논문 | 26페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.05.16
  • 교내 과학 논문대회 최우수상 입상작 (아세트산나트륨의 곰팡이 억제 능력 및 실용화 가능성 탐구)
    8. 플레이팅한 식빵 17그림 9. 설탕물 만드는 과정 18그림 10. 식빵에 설탕물 투여 18그림 11. 1-(나)실험과정_ 부분 투여 19그림 12. 1-(다)실험_ 식빵 19 ... , 습도, 노출시간, 영양분의 4가지 조건이 갖추어져야 한다. 이외에 빛, 기류, 산소, 수소이온농도(pH) 등도 곰팡이의 성장에 영향을 주는 것으로 보고되고 있다.[그림 5
    논문 | 30페이지 | 25,000원 | 등록일 2018.11.12
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2025년 10월 07일 화요일
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