Ideal 반도체 설계

*동*
최초 등록일
2011.12.03
최종 저작일
2011.06
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소개글

반도체공학 관련 보고서입니다.
반도체의 제작과정 및 Ideal 반도체의 조건을 나타냈으며,
계산을 통한 Idael 반도체를 설계하는 방법이 나와있습니다.

목차

1. 서 론
1. 설계 과제
2. Ideal MOS diode의 조건 및 Energy band diagram
3. 일반적인 MOS diode 의 제작 공정

2. 본 론
1. Metal 종류의 선택과 선택 이유
2. Doping 농도의 계산 과정 (Dopant 는 상온에서 completely ionize된다고 가정)

3. 결 론

본문내용

Ideal MOS Diode 설계

1. 서 론
1. 설계 과제
MOS diode 의 특성을 이해하고, ideal MOS 구조를 설계하는데 필요한 Si 의 도핑농도와 metal electrode 를 설계한다.
- Metal-SiO2-Si 을 이용하여 Ideal MOS diode 를 제작하고자 할 때, n-Si 과
p-Si 각각의 기판에 대하여 metal 의 종류를 선택하고, ideal MOS diode 의
조건을 만족하기 위한 n-Si 과 p-Si 의 도핑농도를 설계하시오.

2. Ideal MOS diode의 조건 및 Energy band diagram
- Zero bias에서 금속과 반도체의 work function은 같다. ()
- Bias가 인가됐을 때, 반도체와 금속 표면에 존재하는 전하량은 서로 같다.
- Oxide를 통한 케리어의 이동은 없으며, Oxide의 저항은 무한대이다.
(Si 의 Electron affinity , 이다.)

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