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"3D V-NAND" 검색결과 81-100 / 480건

  • 서강대학교 디지털논리회로실험_2 Digital logic gate
    (LED중 3개만을 사용한다면 나머지 입력은 어떻게 처리하는 것이 좋겠는가? 다른 예로, 74LS00의 경우 4개의 2-input NAND gate를 포함하고 있는데 이 중에서 두 개 ... (low)은 0-0.8V, 1(high)은 2-5.0V의 전압으로 표현된다. 디지털 논리회로에서 기본적인 함수는 AND, OR, NOT로 구성되며 이들을 이용해 임의의 조합형 디지털 ... 계열에서 2.7V이다.- VIHmin : 입력단자에서 High 상태로 인식되기 위한 최소입력 전압으로 모든 TTL계열에서 2.0V이다.- VILmax : 입력단자에서 Low 상태
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.08.12
  • (완전 세세한 정리, 끝판왕) 시립대 전전설2 5주차 Lab05 예비 레포트 Combinational Logic 2, 전자전기컴퓨터설계실험2,
    더의 진리표와 논리회로이다.4:2 Encoder의 Karnaugh Map을 이용한 최적화하면 다음과 같다.Y=D2+D3 X=D2+D3D1D301001110D1D301001110 ... 래치를 비교해서 주목할 점은 NAND래치의 입력은 NOR 래치에서 사용되는 입력 값들의 보수라는 점이다.3. 실험 장치Combo box, Xilinx program, laptop4 ... (3) 3x8 Decoder -if/ else if1) if/ else if문 사용if문을 사용한 decodertest benchsimulationpinView Technology
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.07.27 | 수정일 2020.09.24
  • 플립플롭 실험보고서
    예비보고3.1 NAND 게이트로 구성된 R-S 플립플롭을 설계하라.3.2 [그림 7-2]의 회로도에 Clear 및 Preset 기능을 추가하라.3.3 T 플립플롭에 대한 특성표 ... 의 [표 7-8]에 기록하라.5.3 [그림 7-4]의 D 플립플롭 회로를 결선하고 [표 7-5]와 같이 동작하는지 확인하고 그 측정값을 실험 결과 보고서의 [표 7-10]에 기록 ... 7-8]6.3 실험과정 5.3결과를 다음의 표에 작성하시오.Q _{i}DQ _{i+1} (V)그림011100[표 7-9]6.4 실험과정 5.4의 결과를 다음의 표에 작성하시오
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.04.26
  • 기초전자회로실험1 4주차 예비레포트 논리회로의 기초 및 응용
    B X 계산값 측정값 0V 0V 5V 0V 5V 0V 5V 0V 0V 5V 5V 0V NAND 게이트와 NOR 게이트 조합 A B C D X Y Z 계산값 측정값 계산값 측정값 ... 1 0 1 1 1 0 0 1 1 1 1 1 0 0 1NAND 게이트만 이용하여 OR 게이트 구성 IC 칩의 최대허용전압 - 입력값을 고정 (0 또는 5V) VCC 의 정상작동 ... 게이트와 OR 게이트 구성 NAND 게이트만 이용하여 AND 게이트 구성 A B X 계산값 측정값 0V 0V 0V 0V 5V 5V 5V 0V 5V 5V 5V 5V VCC 값 (0-10
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.10.07 | 수정일 2022.03.28
  • 논리회로실험 예비보고서7
    }} =1 rarrow0일 때 출력값 Q=0이 된다.3. 실험부품-5V 전압원-저항-발광다이오드-IC>74HC00 : 2 input NAND gate>74HC76 : Dual J-K ... Right Register를 직접 설계하여 정보의 이동을 확인해보는 실험이다. 보통 Shift Register는 D 플립플롭으로 구성하기 때문에 J-K 플림플롭의 입력 단자를 Nand ... Register① 74HC00(Nand gate)와 74HC76(Dual J-K Flip-Flop with preset and clear)를 이용하여 위와 같은 회로를 구성한다.② 클록
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.09.18
  • 논리회로 간소화 결과보고서 A+
    )(그림 5-5를 회로로 구성한 것)(그림 5-5의 변형된 형태(OR게이트를 3개의 NAND게이트로)를 구현한 회로.)3. 결과 분석이번 실험에서는 전위차를 이용하여 BCD의 부당 ... 하던 회로를 하나의 칩(7400 ic)으로 구현했다는 점에서 의의가 있다. 또한 하나의 게이트로 다른 게이트를 나타낼 수 있다는 점을 다시한번 깨닫게 되었다. 표 5-3은 NAND ... 을 실행하는 회로를 설계하고 실험한다.2. 자료 및 관찰표 5-2 그림 5-4맵으로부터 읽은 최소 SOP:X = DC + BD두 곱의 항을 D로 인수분해하면:X = D(C+B
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.03.05 | 수정일 2020.03.12
  • 논리회로실험 예비보고서9
    면 Q값은 0이다.3. 실험부품-5V 전압원-저항-발광다이오드-IC>74HC00 : 2 input NAND gate>74HC03 : Quad 2 input NAND gate>74HC ... 670 : 4x4 register file; 3-state4. 실험절차 및 예상결과-실험1) 2-bit RAM① 74HC00(2 input NAND gate)와 74HC03 ... 에 주로 사용된다. 소비전력이 적고 D램에 비해 정보처리속도가 6배나 빨라 주로 PC의 수치계산 용도로 이용된다. 교환기의 메모리로도 활용된다.-DRAM : D(Dynamic)램은 전원
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    | 리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.09.18
  • 반도체공정1 2차 레포트
    에보이자 이를 극복하기 위한 대안으로 3D V 낸드를 개발했다. 메모리 셀을 집에 비유하자면, 단위 면적 당 집이 몇 채 없을 때는 이웃 집과의 거리가 넓어 불편함이 없다. 하지 ... 는 힘이 더 강한 부도체를 사용하여 셀 간 간섭이 작기 때문에 미세화가 더 용이하다.(3) 3D CTF기존 단층 구조의 CTF를 3차원 원통형 구조인 GAA(Gate-All ... Flash Memory1. NAND-type & NOR-typeFlash Memory는 EEPROM의 변형으로, 전원공급 없이도 기록된 내용을 보존할 수 있는 ROM의 성격과 읽
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    | 리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.10.16
  • 디지털 논리 회로 실험 레포트 [AND OR 게이트의 이용]
    )'=X`'+Y`'이므로 Inver-OR gate는 NAND gate를 변환할 수 있다. 따라서 위 논리 회로를 다음과 같이 3개의 NAND gate로 표현할 수 있다.그림 12 2 ... NAND-NAND circuit다음으로C(AB+D)를 살펴보자. 이 논리식을 논리회로로 표현하면 다음과 같다.그림 13 AND-OR-AND circuit만약 이를 앞에서 사용 ... 에서 사용할 소자인 SN74LS10N은 데이터 시트(그림 9)를 보면 알 수 있듯이 3개의 3-Input NAND gate가 독립적으로 있는 구조이다. 따라서 NAND2에 C를 두
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    | 리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.01.03
  • 아주대학교 논리회로실험 실험4 예비보고서
    인가될 때, D3, D2, D1, D0에 각각 0V, 0V, 0V, 5V가 인가되는 경우 첫 번째 줄의 맨 위의 NAND gate에서 0이 출력되므로 최종 결과로는 1이 출력 ... 된다.2) E = 0V, S1 = 0V, S2 = 5V일 때, D3, D2, D1, D0에 각각 5V, 5V, 0V, 5V가 인가되는 경우 첫 번째 줄의 모든 NAND gate의 출력 ... 첫 번째 줄의 위에서 두번째의 NAND gate에서 0이 출력되므로 최종 결과로는 1이 출력된다.3) E = 0V, S1 = 5V, S2 = 0V일 때, D3, D2, D1, D0
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.02.20
  • 기초전자회로실험1 4주차 결과레포트 논리회로의 기초 및 응용
    1. 논리회로의 기초 및 응용 실험 목표 - AND, OR, NOT, NAND 및 NOR 논리게이트 동작을 이해할 수 있다 . - 범용 게이트를 이용하여 기본 논리게이트를 구성 ... 의 논리연산을 수행하는 디지털 소자 - 일반적으로 하나 이상의 입력 단자와 하나의 출력 단자로 구성되며 기본 게이트로 AND, OR, NOT, NAND ,NOR, XNOR 게이트 등 ... 이 있다 . Q = A ∙ B Q = A + B Q = A’ 2. 범용게이트 (Universal Gates) : NAND 게이트 , NOR 게이트 - NAND 게이트 또는 NOR
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.10.07 | 수정일 2022.03.28
  • 서강대학교 디지털논리회로실험 - 실험 2. Digital Logic Gates 예비 보고서
    는다. 이를 잡음 여유(noise margin)라 한다. 2-2)에서 알 수 있듯 LOW 상태에서의 noise margin은 0.3V, HIGH 상태에서의 noise margin은 0 ... 가 OFF일 경우 Output이 HIGH가 되도록 한다.3. 실험에 사용될 부품에 대한 설명 및 사용법1) 74LS002-Input NAND Gate의 기능을 하는 소자이 ... 상태의 출력 전압 범위 : 2.7V ~ 5V3) TTL의 noise margin출력이 입력으로 들어갈 때 중간 과정에서 어느정도 잡음이 발생하여도 논리값에 변 화가 일어나지 않
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.04.20 | 수정일 2020.04.24
  • 서강대학교 디지털논리회로실험 - 실험 2. Digital Logic Gates 결과 보고서
    )5.01V33.03mV실험 1-D의 결과는 우리가 예상했던 결과대로 나왔다. NOT 게이트, 즉 Inverter를 만든 회로로 출력은 입력의 반대 논리값이 나왔다.?실험 1 ... 결과?실험 1-A위 그림과 같이 PSW0와 PSW1을 입력으로 하고 2-input NAND 게이트(74LS00)을 사용해서 출력을 얻어 결과를 알아보는 실험이다. PSW의 입력 전압 ... V110?실험 1-B바이어스가 제대로 되지 않은 상태에서는 출력값에 오류가 생길 것으로 예상된다.?실험 1-C실험에서 사용한 TTL소자의 경우 입력이 없으면 HIGH로 작동
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.04.20 | 수정일 2020.04.24
  • 디지털회로실험 예비보고서1
    -5V, 게이트 입출력전압은 GND의 전압을 기준으로 함)정리ex)SN74LS00N - Texas instrument에서 제조한(SN) 상용 TTL(74) 4개의 2-입력NAND ... XXYYZZ형태를 예로 들어보겠다.1. AAA-제조회사를 나타낸다.(ex.SN- Texas instrument 제조)2. 74-상용 및 산업용 TTL소자3. xxx- TTL ... )ALSAdvanced Low-power Schottky TTL없음standard TTL4. YY-소자의 기능(ex.00 NAND 게이트 04 NOT 게이트)5. ZZ 패키지
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.09.25
  • [결과레포트] Chapter 5. 논리 게이트-2
    .4934V1014.5454V1114.9286VXOR 게이트입력출력출력 전압 측정치ABX0001.31mV0114.69mV1014.44984V1100.01mV입력출력D3D2D1D0Q3Q2Q ... 의 입력 A, B와 이들의 보수 A(바), B(바)를 입력으로 사용할 수 있다고 가정하라. 2-입력 NAND 게이트들을 사용하여 XOR 기능을 구현하는 방법에 대해 설명하라.해당 회로 ... 의 경우 2-입력 NAND 게이트만 사용했지만 XOR 기능을 한다.2-입력 OR 게이트들로 4-입력 OR 기능을 구현하기 위한 게이트들의 연결 방법에 대해 설명하라.해당 회로의 경우
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.04.09
  • [반도체공정] 3차 레포트 - Future Memory Technologies
    RAM (RAM)과 같은 새로운 비휘발성 메모리(NVM) 기술은 오늘날의 SRAM/DRAM 메모리 기술을 대체할 수 있는 큰 잠재력을 보여주었다.② 3D 통합 기술은 훨씬 더 짧 ... 가능한 방법이다.③ Leveraging NVM to improve NAND-Flash SSD낸드플래시 메모리는 노트북과 휴대전화 등 다양한 어플리케이션에서 폭넓게 채택됐다. 또한 ... 지우기 작업을 수행해야 한다. NAND 플래시 메모리에 비해, 새로 출시된 NVM은 랜덤 액세스와 direct in-place updating의 장점을 가지고 있다. 결과적으로, 한
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    | 리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.11.22
  • 판매자 표지 자료 표지
    제10장 래치와 플립플롭 결과보고서
    하라.2) 의 타이밍도를 확인한다.- 실험결과를 왼쪽의 표에 기입하라.3) 의 NAND게이트로 구성된 게이트형 D래치의 회로를 구성하라.- 회로구성의 요령과 실험방법은 실험 1 ... 에서 회로를 구성한다.- 악어클립을 빵판에 연결한다.- 빨간색 롱런과 파란색 롱런에 각각 +5V와 GND를 연결한다.3) 소자에 전원을 공급하라.- 74LS00소자를 빵판에 구성 ... 스케일 계수값을 1V/div로 설정한다.- ‘Position단자’를 이용하여 ‘0V 기준점’을 아래로 3칸 내린다.- 예상되는 바운싱시간을 고려하여 수평스케일 계수값을 4ms
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.02.10
  • 5장 논리게이트
    + 실험 사진1) 표 5-2입력출력출력전압측정치 [V]ABX0000.0010114.961014.801114.97*실험사진ABABABAB000110112) 표 5-3입력출력출력전압측정 ... CLOSED STATE4) 표 5-4입 력출 력보수실험 사진D3 D2 D1 D0Q3 Q2 Q1 Q0Q3‘ Q2’ Q1‘ Q0’0 0 0 00 0 0 00 0 0 00 0 0 11 1 ... 치 [V]ABX0000.0010114.921014.991100.00*실험사진ABABABAB000110113) 실험과정 3번에 따른 입력 및 출력 파형S1 OPEN STATES1
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.05.19 | 수정일 2022.08.03
  • 플립플롭 예비
    1. 실험 제목 : D 래치 및 D 플립플롭 / J-K 플립플롭2. 실험 목적:① 래치로 SPDT 스위치의 되튐에 의한 영향을 제거하는 방법에 대해 입증하고 NAND 게이트 ... 있다.< JK 플립플롭>5. 실험 방법1) D 플립플롭(1) 실험회로를 구성한다.(2) CLK에 주파수 = 1Hz, 5Vpp, offset = 0V 인가한다..(3) Vdc = 5 ... = 0V 인가한다...(3) Vdc = 5V, Current Limit =100mA로 설정한다(4) 결과를 확인한다.6. 피스파이스1) D 플립 플롭2) JK 플립 플롭7. 참고
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.03.26
  • 인코더와 디코더 실험 레포트
    가 8가지인 경우이면2 ^{n}GEQ 8로 n=3비트의 2진수로 변환된다.-디코더① 인코더의 역동작이다.② n비트 입력부호를2 ^{n}개의 상태 수 중 하나로 출력하는 변환회로이다. ... -2비트의 입력을2 ^{2}=4개의 상태 수 중 하나로 출력하는 변환회로(2X4) 디코더이다.-3비트의 입력을2 ^{3}=8개의 상태 수 중 하나로 출력하는 변환회로(3X8) 디코더 ... 이다.-BCD-7세그먼트 디코더 (0에서 9까지의 10진 디지트를 표시할 수 있도록 한 표시장치.)3. 실험(1)4 TIMES 2 인코더를 설계하고 실험 후 그 결과를 확인하시오
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.05.01
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2025년 12월 04일 목요일
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