"고온플라즈마"의 검색결과 입니다.

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cvd 플라즈마 원리 원자 흡수 분광계 안과 수술 icp-oes ICP 레포트 진공증착 탄소나노튜브 토카막

"고온플라즈마" 검색결과 901-920 / 1,372건

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반도체공정 (Etching & Doping)

FabricationReport(11월)박 형 석< Plasma etching >1. Plasma의 정의- 전하 및 중성 입자로 구성되고 집단적 행동을 하는 quasi ... . 기본적인 plasma 변수① Debye length② Plasma frequencyωpe =③Plasma parameterND = ne3. Plasma의 분류Figure 3.1 ... Plasma의 분류4. 저온 plasma ( Glow discharge 에 의한 Cold Plasma )- 저온 plasma의 발생 방법① DC discharge가장 기본적인

리포트 | 29페이지 | 4,500원 | 등록일 2007.01.27

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태양전지의 종류와 원리

계가 있다. 이 중 결정계는 고순도로 정제된 실리콘을 1500℃ 정도의 고온으로 가열하여 최종적으로 대형의 결정을 만든다. 결정은 원자가 규칙적으로 배열된 물질로, 태양전지의 성능 ... 있는 기술 개발이 필요 하다. 최근 (주)포톤반도체에너지에서 저가형인 스크린 인쇄기술을 활용하고 고효율을 달성하였다. 플라즈마 질화막을 이용한 표면처리를 활용하여 삼성 SDI

리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.03

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[기계공학]특수용접법

으로 절단이나 용접에 이용된다. gas는 수천도 고온으로 가열하면 전리해서 ion과 전자의 혼합 상태가 되지만, 이와 같이 기체가 전리된 상태를 plasma라 한다. 그림 13과 같이 ... 고속의 plasma jet를 용접에 이용한 것이다. 특징은 안정된 고온을 장기간 용이하게 얻을 수 있고. plasam 화염의 형사 온도, 속도의 조절이 용이하고, 열효율이 높 ... 에 O2를 가한 gas분위기는 고온에서 산화성이므로 용착금속은 산화이지만 적극 wire 중에 포함된 Mn이나 Si에 의해 탈산 환원되고 용착 금속에는 수소 함유량이 대단히 적게 되

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.11.07

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[공학]박막공정에대해

기체 화합물의 상호작용에 의해 기판의 표면에 박막을 형성하는 증착법 현재는 공업적으로 확산되어 여러 박막제작에 이용된다 고온이 필요하기 때문에 확산,열응력 문제로 인해 플라즈마 ... 원자력 등 응용범위가 넓다CVD 과정저압 화학 기상 증착 (Low Pressure CVD) 플라즈마 화학 기상 증착 (plasma Enhanced CVD) 대기압 화학 기상 증착 ... (atmospheric Pressure CVD)CVD 분류플라즈마 CVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition전자와 이온으로 분리되어 높

리포트 | 27페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.06.16

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AMOLED의 발광재료와 형성방법

가 가능) 격벽을 형성한 후 정공 주입장벽을 낮추고 기판 준비 과정에서 생긴 오염 물질을 제거하기 위해 플라즈마나 UV를 이용하여 ITO의 표면 처리를 하고 정공주입층을 비롯한 유기물 ... 물질과 불순물의 석출 온도 차이를 이용하여 불순물을 분리하는 방법. 분자량이 큰 분자는 고온 측으로, 작은 분자는 저온 측으로 분리III. 형성방법1. 제조공정 2. 패턴형성

리포트 | 56페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.05.21

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Thermal evaporation system

즉 Evaporation이라고 하는 저항가열식 증착방법과2) 플라즈마를 사용하는 PAPVD(Plasma assited PVD)로 나뉜다.PAPVD는 다시 Target(증착재료 ... , 증발과 승화작용, 안정된 플라즈마를 유지, 생화학 반응 억제, 우주환경 제공 등의 특성이 있다.진공의 응용분야진공기술의 응용범위는 전 산업에 걸쳐 있으며 반도체의 집적도가 높아 지 ... 증착과2) Chemical Vapor Deposition(CVD)라고 부르는 화학증착 두 가지가 있다.물리증착은 크게 두가지로 나뉘는데1) 플라즈마를 사용하지않는 일반적인 PVD

리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.05.16

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열특성

의 간단한 이론 조사구분전도(conduction)대류(convection)복사(radiation)정의물질의 이동이 없이 온도가 다른 일정한 물체사이에서 고온의 분자로부터 저온의 분자 ... 발광시켜 컬러 화상을 재현한다. 패널 화면상에 화상을 재현하는 원리를 보면, 브라운관의 경우 왼쪽에서 오른쪽으로 또한 위에서 아래로 전자빔을 주사하여 화상을 그려내지만, 플라즈마 ... 플라즈마의 구동 및 유지전압을 낮춰주는 역할을 하며, PDP의 상판과 하판 사이는 주로 사용되는 페닝(Penning)혼합 기체가 방전 기체로서 300∼400 Torr 정도

리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.08.14

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조회분 정량

의 고온처리에 사용되는 내열성 용기. 화학실험용으로는 보통 용량이 10~100mℓ인 뚜껑이 붙은 둥근형 또는 밑바닥이 평평한 것이 사용된다.③ Desiccator : 건조기, 제습기 ... 3)2를 가하여 재를 염기성으로 한 다음 재빨리 회화시킨다.(3) Low-temperature plasma ashing직접 회화법의 특별한 타입으로서 전자기장 ... 하기는 하지만 시간이 너무 오래 걸린다.- 회화 직후 갑자기 문을 열면 밖의 산소가 고온인 내부로 갑자기 들어가 폭발할 위험이 있다. 지하실같이 밀폐된 곳에 불이 나면 함부로 문

리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.11

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[생물학]세균의 분류 및 분류조건, 분류법

. Tenericutes미아코플라즈마라 부르는 세포벽이 없는 원핵생물이다.4) Division Ⅳ. Mendosicutes대부분이 어떤 형의 세포벽을 가지고 있지만, muramic ... (psychrophiles), 중온성 세균 (mesophiles) 및 고온성 세균(thermophiles)으로 구분할 수 있다.현재 검정 및 활용되고 있는 많은 세균이 중온성 세균이지만, 퇴비부숙 ... 과정과 같이 온도가 60℃이상 오르는 곳에서는 고온성 세균이 중점적으로 증식하게 된다.구분 (온도 ℃)최 소적 정최 대저온성 세균

리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.06.16

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[플라즈마] 플라즈마 기초

할 수 있다.반도체 공정 : 플라즈마 식각(plasma etch) 및 증착(PECVD),공정의 미세화, 저온화가 필요한 공정에 사용신소재 합성 : 종래의 초고압, 고온에서 얻어지 ... 만도 정도의 온도와 109 ~1010 /㎠ 의 밀도를 갖는 저온글로우 방전 플라즈마와 수천만도 이상의 온도와 1013 ~ 1014 /㎠ 의밀도를 갖는 초고온 핵융합 플라즈마로 크게 구별 ... 텔레비전에서 요구되는 대화면(50인치)평판 표시장치의 하나인 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel, PDP)와 에너지, 신재료, 반도체 소자, 환경분야 등

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.06.24

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광통신공학 설계 발표수업 자료 - LED 광방출 효율 향상 방안

LED 생산에 사용함 Ga, In, Sn, Bi 등의 용융점이 낮은 금속을 용매로, 이것에 석출물질(GaAs, GaP)을 녹인 후 온도 차를 준 용매의 고온 측에 원료결정을 놓고 저온 ... 으로써, 자외선부터 가시광선, 적외선까지의 발광 다이오드 램프의 양산이 시작되었다. 한편 단면 보호 층에 알루미나, 질화 규소 및 석영 등을 성장하기 위한 플라즈마 화학 기상 증착 ... 법(PECVD ; Plasma Enhanced CVD) 등이 이용되고, 경면처리 등을 위하여 스퍼터링법 및 전자빔 증착법이 사용된다.epitaxy*본론 - B. 결정 성장

리포트 | 21페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.03.25

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용접공학 중간레포트 자료

.8.PLASMA 용접에서 간접아크식과 직접아크식에 대하여 구조를 통하여 설명하시오.기체를 고온으로 가열하면 기체원자는 격심한 운동을 하며, 마침내는 전자와 ion으로 분리 ... 된다. 이 때 기체는 도전성(導電性)을 띠며, 이와 같이 전자와 ion이 혼합되어 도전성을 띤 gas체를 plasma라 한다. plasma 용접에는그림(a)와 같이 tungsten 전극 ... 과 모재 사이에 arc를 발생시키면서 plasma용 gas를 공급하는 plasma arc 용접(移行形 arc 용접), 그림(b)와 같이 tungsten 전극과 nozzle 사이

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.22

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산업위생관리기사-2과목 작업위생측정 및 평가

한 용매로 탈착가능단점 : 친수성이기 때문에 물분자와 결합한다.-다공성 중합체장점 : 고온에서 안정, 열탈착가능종류 : Tenax관(VOC 측정시 사용), XAD관▶흡수제(흡수액)-유량 ... 원리 : 중성원자는 복사에너지 중 일부를 흡수하여 들뜬 상태의 원자가 되는데 이때 흡수된 복사 에너지를 측정하여 정량분석을 하게 된다.장치구성 : 광원부 -> 시료원자화부 -> 단색화부 -> 측광부▶유도결합플라즈마 분광광도계 (ICP)

시험자료 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.02.15

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반도체 입문교제(Metal)

Deposition) : 물리적 기상 도포, 플라즈마를 이용하거나 금속 재료를 가열하여 금속 막을 웨이퍼에 deposition하는 방식. 2. CVD(Chemical Vapor ... Deposition) : 화학적 기상 도포, 가스의 화학 반응을 이용 3. Evaporation : 금속을 고온으로 가열하여 기체 상태로 증발시켜서 금속막을 입히는 구식 방법, 4

리포트 | 30페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.11.08 | 수정일 2016.05.08

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한양대학교 항공우주공학 탐구과제 연습문제 제2장

으로 가열하여 고온의 가스로 전환시킨후 노즐을 통해서 분사하여 추력을 얻는다. 추진제를 가열하는데는방전에 의한 방전제트(Arc jet)와 전기코일등의 가열표면으로 가열하는 저항제트 ... (Resist jet)가 있다.② 전자기 추력기: 추진제 가스가 이온화되어 플라즈마가 형성된다. 이 플라즈마를 전기장이나 자기장에 보내 가속을 시킨 후 분사하여 추력을 얻는다. 그래서 ... , 플라즈마엔진이라고도 한다.*** 추력기(Thruster):로켓 엔진으로 주추진목적이 아닌 부수적 용도에 사용되는 작은 추력의 로켓을 말하며 인공위성의 자세제어, 궤도수정등에 사용

리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.12.17

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반도체, 진공펌프, TFT

더 있으니, '제 4의 물질상태'라 일컬어지는 플라즈마(Plasma)이다.플라즈마는 기체의 특별한 상태로 볼 수도 있으므로 네 가지의 물질 상태 중에서 가장 적을 것이라고 생각 ... 고 .신소재 합성 - 종래의 초고압, 고온에서 얻어지던 인조 다이아몬드가 플라즈마를 이용한 기상 증착법에 의해, 특히 박막 형태로 얻어지고 있으며, 이종 기판상 단결정 다이아몬드 성 ... 기판의 고온 가열이 필요하여 이에 수반되는 모재의 변형, 변성을 줄일 수 있는 등의 장점이 있기 때문에 플라즈마를 이용한 초경피막 기술 등이 산업체에서 쓰여지기 시작하고 있다.환경

리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.04.01

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진공(vacuum) 진공펌프(vacuum pump) 진공게이지(vacuum gauge) 조사

를 가져왔다.또 진공 상태의 물질은 가열하지 않아도 잘 건조되므로, 혈액 보존을 비롯하여 페니실린 등 고온으로 가열하면 효력을 잃어버리는 약품 농축 등에도 진공기술을 응용하고 있 ... 하고, 진공상태에서 저항열이나전자beam, laser beam 또는 plasma를 이용하여 고체상태의 물질을 기체상태로 만들어 기판에 직접 증착시키는 박막제조 방식이다.PVD 방식

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.03.26

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방사성 금속 폐기물의 용융처리 기술 및 방사성 핵종의 분배 특성

분진의 발생이 매우 적다.2. 금속 용융기술의 종류 2.2. 플라즈마 용융법 (Plasma torch melting) - 최근에 많이 연구되는 방법으로, 일반적으로 비이송형과 이송 ... - 이송형이 비이송형보다 수명이 10배 정도 길고 , 열전달율도 더 좋다.Ⅱ. 방사성 금속 폐기물의 용융처리기술비이송형 플라즈마 용융법2. 금속 용융기술의 종류 2.3. 직접 전기 ... - ESR 공정과 마찬가지로 1차 용융로에서 생산된 주괴를 아크 발생의 전극으로 사용 하여 고온의 아크를 발생시키면서 불순물은 산화시켜 제거하고 순수하게 용해된 금속 만이 용융로 하부

리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.09

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소결방법의 장단점

분말을 이용한 성형법(소결방법)1. HP2. HIP3. CIP4. Microwave5. SHS6. SPSHP (Hot Press)보통 1500℃ 이상의 고온에서 10ton ... 와의 밀착성이 요구되는 경우에 이용된다.HIP(열간등압성형, Hot Isostatic Press)2000℃ 이상의 초고온에 2000bar 이상의 가스 압을 등방압으로 가해 제품 ... 을 소결열간등압성형 기술은 금속 및 세라믹을 포함하는 여러 재료의 연구와 발전에 있어서 중요한 역할을 하고 있다. HIP 기술은 고온 및 고가스 압을 동시에 이용하여 공작물에 완전

리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.09.07

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[전자재료, 반도체, 반도체공정]pvd와 cvd의 조사

저온을 필요로 하는 경우에는 사용할 수 없다.2>플라즈마 CVD : 원료가스플라즈마 속에서 생성된 활성입자가 기판표면에서의 화학반응을 촉진하여 박막을 형성하는 기술이다. 고온 ... 하고 분해 생성물이나 화학반응에의해서 박막을 형성하는 것을 열 CVD기술이라고 한다. 열 CVD 기술의 특징은 다음과 같다.① 고온에서 막생성은 치밀하고 순도가 높고 극히 양질 ... 을 제작할 수 있다.④ 고전압이나 초고온을 요하지 않는다.⑤ 고진공을 필요로 하지 않기 때문에 장치가 간단하고, 양산성이 뛰어나다.⑥ 플라스틱 기재상에 박막을 형성하는 경우와 같이

리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.01.08

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