"고온플라즈마"의 검색결과 입니다.

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cvd 플라즈마 원리 원자 흡수 분광계 안과 수술 icp-oes ICP 레포트 진공증착 탄소나노튜브 토카막

"고온플라즈마" 검색결과 921-940 / 1,372건

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[아크] 낮은 유동아크에서의 입자분출에 의한 전극부식

. 아크 열플라즈마 제트의 난류현상{.열플라스마 공정기술. 플라스마 용사(Plasma Spraying)플라스마 용사에 의한 코팅 기술은 열플라스마 제트 속에 10∼100 ?m 크기 ... 은 전극을 사용해서 금 속의 발광분석을 하고, 고온을 이용한 아크가열은 금속을 용접하거나, 전기 로 ·아크로 등을 만드는 등 용도가 넓다.{▲ 아크이용의 배경. 아크용접{{용접법 ... )구역, 음극전압 강하(cathode voltage drop)구역 및 플라즈마 혹은 아크기둥의 3구역으로 구분된다.양극과 음극 전압강하 구역은 아크 기둥에 비하여 작기 때문에 전압기울

리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.05.29

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MEMS 사례발표(DLP)

의 mask에 SiO2를 플라즈마로 증착하는 plasma-etched를 이용하여 가공된다. 이후의 포장공정에서, 희생된 layer는 plasma-ashed 로 air gap을 형성 ... (Plasma Display Panel), FED(Field Emission Display), 유기 EL(Organic Electro Luminescent Display), VFD ... , TV,캠코더 뷰파인더 등고온 다결정 실리콘(HTPS) TFT-LCD저온 다결정 실리콘(LTPS) TFT-LCD다결정 실리콘(x-Si)MIM(Metal-Insulator

리포트 | 26페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.07.06

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DPF란?

하여 반대방향으로 불어 털어내는 방법, 플라즈마방식, 필터에의 촉매 분무방식등이 있다.1) MLF 필터(Multi Layered Filter)①고속 및 고온배기 유동에서도 고효율 포집 ... 이 사용된다. 또한 플라즈마장치를 이용하는 PM 및 NOx 동시저감장치 개발연구도 매우 활발하여 GM의 부품회사인 델파이, 영국의 AEA에서 소형자동차용으로, 그리고 EEC ... ? 고온 고속 배기 유동(~100 m/s) 상황에서도 Nano 입자 유동 해석 설계에 따른 10 ~ 10,000 nm 크기의 초 미세입자 포집용 필터? CATech 만의 유일

리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.04.27

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[공학]박막재료의 표면 처리 및 PR제거

를 선택하여 식각 실험을 진행한다.(4) 식각된 산화막의 표면, 표면 색깔과 패턴 관찰 - 광학현미경 관찰(5) 마스크 패턴의 제거(O2 plasma aching) - 플라즈마 애 ... (Plasma)5.1.1 플라즈마의 정의플라즈마라는 말을 물리학 용어로 처음 사용한 사람은 미국의 물리학자 'Langmuir'(랭뮈어)로서, 전기적인 방전으로 인해 생기는 전하를 띤 ... 나 준명 텔레비젼에서 요구되는 대화면(50인치) 평판 표시장치의 하나인 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel)에 대한 연구가 수행되고 있고, 장기적으로는 21세기

리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.09.06

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[철강][금속][금속 부식][도금][도금 원리][도금 종류][도금 과정][전기도금][화학도금][건식도금]철강의 활용과 금속의 부식, 도금의 원리, 도금의 종류, 도금의 과정, 전기도금, 화학도금, 건식도금 분석

) CVD의 원리CVD 법은 저온에서 기화한 휘발성의 금속염(氣相, vapour)와 고온에 가열된 물체(도금 할 고체의 물체)와의 접촉으로 고온분해, 고온반응에 의해, 글로방전분해 ... (plasma, 이온과 전자가 공존하여 전체적으로 중성을 유지하고 있는 상태)에는 항상 나타나기 마련이다. 음극스피터링은 이 플라스마 속의 이온(Ar+ 같은)을 음극의 음전기의 힘

리포트 | 11페이지 | 5,000원 | 등록일 2009.07.15

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레이저란

-삼중수소 핵융합 반응그림 13 에너지 자원과 핵융합* 레이저 핵융합의 원리직경 수 mm의 아주 작은 연료구를 레이저광으로 조사하면, 그 표면이 플라즈마화해서 분출된 다. 이 분출 ... 에 대한 반작용으로 연료구 껍질은 안쪽으로 가속된다. 이것에 의해 중심부가 압축되 어 고밀도(고체의 약 1000배) 고온(약 5천만도~1억도)의 상태가 실현된다. 이렇게 해서 핵융합

리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.07.07

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[북한경제] 세계속의 한국과 북한경제

다. 플라즈마란 고온에서 음전하를 가진 전자와 양전하를 가진 이온으로 분리된 기계 상태로서 전하분리도가 상당히 높으면서도 전체적으로 음과 양의 전하수가 같아서 중성을 띠는 기체를 말 ... . 휴대폰 보급수마. 선박건조바. 전자제품 생산량사. 인터넷 이용률아. 자동차 생산Ⅲ. 우리나라 기술수준 8가. 섬유소재나. 플라즈마다. 정밀기기라. 반도체마. 항공기 부품바. 자동 ... , 플라즈마, 정밀기기, 반도체, 항공기 부품, 자동차 부품등이 세계 기술에 어느정도 수준에 있는지 알아보고자 한다.그 밖에도 전세계 대학중 우리나라 대학의 순위와 위치를 알아보

리포트 | 26페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.03.21

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플라즈마

에서는 혈장이나 림프액을 Plasma라고 지칭하였다.물리학에서 플라즈마가 처음 사용된 것은 1928년 랭뮤어(Langmuir)가 사용한 말이었다.네온등의 빛을 내는 부분과 같은 진공 ... 적으로 중성이 되어 있어서 균질성이 아주 잘 유지되어 있다. 이 특이한 기체에 대해 랭뮤어는 "Plasma" 라고 이름을 붙였다.플라즈마 정의플라즈마란 전기를 띤 입자와 음전기를 띤 ... 속에서 플라즈마의 역할을 창출한다.4. 플라즈마의 성질{플라즈마는 열적으로 매우 고온의 성질을 갖으며, 따라서 전자, 이온, 여기된 원자 및 분자, 화학적으로 매우 활성이 강한

리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.09

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양돈학 돼지의 번식

시점때 정지상태가 된다.? 둔성 발정의 원인: 운동부족, 과비, 왜소, 하계(고온)? 발정 시간: 평균 주기 21일, 지속시간 72시간(3일)? 발정 재귀: 이유 후 4~7일 내 ... 시켜 정액 사정유도. 음지에서 채취하고 먼지가 나지 않는 곳에서 채취.※ 정액 = 정자(sperm) + 정장(plasma)(2) 정액의 성상과 보존? 돼지의 정액의 특징① 당(糖

리포트 | 13페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.09.13

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[정밀화학]저온 플라즈마 처리를 이용한 나노 은이온 코팅

는 부써 표면의 내마모, 내부식 성질을 개선할 수 있다. 플라즈마를 이용한 증착법을 쓸 경우 부착력이 좋고, 증착 온도가 낮아질 수 있어서, 종래의 방법에서와 같이 증착시 기판의 고온 ... 고선명 텔레비전에서 요구되는 대화면(50인치) 평판 표시장치의 하나인 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel)에 대한 연구가 수해오디고 있고, 장기적으로는 21 ... 기 때문에 양의 전위를 갖게 된다. 이때 도체 주위에 전압강하가 주로 생기는 영역을 sheath 라하고, 도체 면 멀리서 플라즈마 이온에 의해서 형성된 전위를 plasma

리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.04.25 | 수정일 2021.03.24

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Layer by layer-polyaniline(LbL) 을 이용한 HCN가스 검출 기체 센서의 개발

는 상압 의 환경에서도 충분히 가능 하지만 PVD보다 일반적으로 훨씬 고온의 환경을 요구.논문선정논문 소개1.Preparation of substrates : quartz s ... 감응 물질을 중심으로 -전자부품연구원 ,주 병 권, KIST - 디스플레이 및 나노 소자 연구실 New sensitive layer based on pulsed plasma

리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.04.04

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ITO 박막의 제조에 따른 공정Factor 영향 분석

는 조건에 따라서 광특성 또한 틀려진다. 여기서는 우리라인의 고온 Sputtering 코팅에서 만들어 지는 ITO막 위주로 설명한다. 2. Glass 위에 ITO 박막이 형성될 경우 ... 이 강한 힘을 가지게 되고 이것이 기판에 충돌하게 된다. Sputter법으로 ITO를 형성할 경우 Plasma내에 있는 負 ion이 Sputter 전압 (Target 전위)으로 생긴

리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.09.09

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포토리소그라피(Photolithography)

) 고온건조(Hard Bake) 부식(Etching) 레지스트 제거(Remove Photoresist)개요Photolithography Photolithography의 공정 ... 적으로 결합이 약해져 있는 부분의 PR용제를 사용하여 녹여내는 과정 이 과정을 통해 형성된 PR의 형상을 PR pattern 이라 함6. 고온건조(Hard Bake)현상된 웨이퍼의 ㅣ ... 고 접착력을 약화 건식 과정은 산소 플라즈마 시스템 안에서 감광제를 산화시켜(태워서) 제거{nameOfApplication=Show}

리포트 | 16페이지 | 2,500원 | 등록일 2006.11.09

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전기화학 발표

과 마이너스 전하밀도가 동등한 전기적인 중성의 기체상태를 말한다.① 고온 플라즈마-> 플라즈마 용접, 절단 : Plasma의 고온을 이용한 재료의 가공.-> Plasma 용사 : 고 ... 융점 분말을 Plasma로 녹여 고체 표면위에 coating시켜 내열, 내식, 내마모성등을 높임.-> 초미립자 제조 : 열플라즈마의 고온,고활성을 이용하여 기상반응으로 합성된 입자 ... 를 급냉시켜 초미립자로 합성-> 플라즈마 화학 또는 물리 증착 : 플라즈마를 이용한 기능성 막을 생성-> 열플라즈마 환경기술 : 열플라즈마의 고온, 고활성을 이용하여 폐기물을 분해

리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.06.10

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인하대 기계공학종합설계 논문

etchingvapor plasma나 활성화된 기체에 의한 반응을 이용한 etching process을 의미한다. 종류로는 sputtering을 이용한 Sputter etching ... 감소기계 연마시에 연마면은 고온이 되어 열변형이 일어나거나 큰 잔류응력을 가지게 된다. 하지만 전해 연마시에는 전해액 중에서 연마가 이루어지므로 잔류응력이 거의 없다.⑥ 다중

논문 | 46페이지 | 5,000원 | 등록일 2021.06.13

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용어설명및이론(전기전도도,자화력,압축시험,picnomete,X-ray diffraction ,I.C.P(플라즈마를 이용),chemical analysis (titration),X-ray flourescence (XRF),A.A(atomic absorption spectrophotometer) - ppm

에 대하여 측정하고 농도대 흡광도의 그래프 즉, 검량선을 작성하여 놓는다. 다음에 미지 농도의 시료에 대하여 흡광도를 측정하고 검량선과 비교하여 농도를 구한다.(4) I.C.P(플라즈마 ... 를 이용)Inductively Coupled Plasma (ICP) - 중성원자에 열에너지를 가해 최외각 전자를 들뜨게 하고, 이로부터 방출되는 복사선을 분광시켜 화학분석에 이용 ... 로 데이터 처리하여 무기원소(72종)를 빠른 시간 내에 정확히 분석하는 기기이다. 물질에 약 10,000‘C의 고온을 가하면 각 원자가 가지고 있는 저자들이 높은 에너지 준위로 여기되

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.08

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흡착실험결과

AdsorptionResult◎ 결과1) 유도 결합 플라즈마 (ICP : Inductively Coupled Plasma)① 개 요ICP는 아르곤가스를 플라스마 가스로 사용 ... 시료는 6,000～8,000。K의 고온에 도입되므로 거의 완전한 원자화가 일어나 분 석에 장애가 되는 많은 간섭을 배제하면서 고감도의 측정이 가능하게 된다. 또한 플 라스마는 그 ... 성이 보고된 이AdsorptionResult래 이 분야는 원자 분석에서 가장 중요한 자리를 차지하게 되었다.ICP(Inductively Coupled Plasma)란 고주파 유도

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.08

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No.61 탄소강의 열처리에 따른 미세조직변화와 강도 변화

), 염욕침탄(Salt Bath Carburizing), 가스침탄(GasCarburizing), 플라즈마침탄(Plasma Carburizing), 진공침탄(VaccumCarbur ... 하고는 유냉이 원칙이다. 따라서 충분히 교반할 필요가 있고, 수온도60∼80℃ 정도로 유지하는 것이 좋다.기계구조용 합금강의 템퍼링은 원칙적으로 550∼650℃의 고온템퍼링, 즉 조질 ... 템퍼링과 고온템퍼링의 중간온도에서는 템퍼링취성이 나타나서 충격인성이 현저하게 떨어지므로 이 온도범위에서의 템퍼링은 피하는것이 좋다. 또고온템퍼링후 서냉할 때에도 템퍼링취성이 나타나

리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.12.24

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[용접]용접공학

9 용접 관련 공정개요n산소 절단n아크와 플라즈마 절단n워터제트 절단n자동 형상 절단n용사n접착n플라스틱 접합n복합재료와 세라믹 접합n예열 및 후열 처리n기계적 응력 제거산소 ... 절단산소 절단은 고온에서 산소와 모재가 화학반응하여 금속을 절단하는 열절단법의 한 종류이다.다섯 가지 기본 절단법은1. 산소연료 가스 절단2. 금속분말 절단3. 화학적 플럭스 절단4 ... 로 절단한다.아크와 플라즈마 절단아크와 플라즈마 절단공정들은 전극과 가공물 사이에 아크열로 금속을 용융하여 절단 또는 제거하는 일종의 열절단법이다.기본절단법으로1. 산소 아크 절단

리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.04.16

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[반도체학]반도체 공정기술

의 모양을 그림 5.2.1에 나타내었다. 성장공정은 실리콘의 녹는점인 1412℃의 고온에서 이루어진다. 용융상으로부터 결정 성장을 방해할 수 있는 SiO2나 Si3N4의 생성을 막 ... 는화합물실리콘의 무게(%)상대 식각율열산화막471.0실리콘 질화막604.0다결정 실리콘1008.0～10.0플라즈마를 발생하는데 사용되는 RF 전력은 기판의 온도와 식각율에 영향 ... 에 반응력이 강한 중성 물질이 존재하게 하여 식각이 더 일정하게 일어나도록 한다. 플라즈마는 80년대 초까지는 실리콘 질화막을 식각하는 데 많이 상용되는데, 이것은 식각이 완전히 되

리포트 | 41페이지 | 3,000원 | 등록일 2006.05.19

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