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sputtering 알파 스텝 진공증착 스퍼터링 신소재 실험 photolithography xps NMR assign 하기 RF-magnetron sputter
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"sputtering 장.단점" 검색결과 61-80 / 183건

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    박막증착 개론
    에서 박의 큰 단점 중 하나는 증착속도가 느려서 생산성이 떨어진다는 것이다. sputtering 공정에서의 증착속도는 타겟의 sputtering 속도와 직결되며 이는 플라즈마의 밀도 ... cathode magnetron sputtering(HCM)HCM은 magnetron sputtering의 종류중의 하나다. magnetron sputtering은 강한 자기장 ... 다.이고, 단점으로는 기기구입과 작동시 비용이 많이 든다는 점이다.■ 참고자료psel.snu.ac.kr/psel/files/lecture/sputter.hwphttp://asic
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    | 리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.11.26
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    금속 박막증착
    성장속도가 크다.② RF 스퍼터: DC sputtering에서는 target이 산화물이나 절연체일 경우 sputtering되지 않는다.이러한 단점을 해결해주고 전반적으로 DC ... 스퍼터: 직류전원을 이용한 sputtering방법이며 구조가 간단하며, 가장 표준적인 장치이다.성장속도가 여러 종류의 금속에 대해 거의 일정하며, RF sputtering에 비해 ... 의 단점을 보완해 준다.그리고 일반적으로 사용되는 고주파의 주파수는 13.56MHz이다.장 점단 점ㆍ비금속, 합금, 산화물, 질화물, 탄화물 등거의 모든 물질 박막증착 가능ㆍ낮은 Ar
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    | 리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.08.24 | 수정일 2015.02.12
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    E-Beam Sputtering
    Sputtering☞장 점- 구조가 간단하며, 가장 표준적인 sputter 장치이다.- 성막속도가 여러 종류의 금속에 대해 거의 일정하다.- 전류량과 박막두께가 거의 정비례하므로 조절이 쉽다. ... 은 Ar 압력이 필요하다.- 기판이 과열되기 쉽다.? Magnetron Sputtering☞장 점- sputtering 효율이 증가- 전자의 와류운동으로 전자의 기판 및 박막에의 충돌 ... - 주어진 input power에서 성막속도가 일정☞단 점- 자기장이 target 표면에 수직으로 들어오고 나가도록 해야함- 자기장 근처에서의 선택적인 sputter로 target
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.12
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    [발광디스플레이 실험] CNT 성장을 위한 기본 기판 만들기
    하여 target원자들이 방출되는 현상이다. 만일 충돌하는 입자들이 양이온이라면 cathodic sputtering이라고 부른다. 대부분의 스퍼터링은 cathodic s ... puttering이다. 보통의 스퍼터링에는 양이온이 많이 사용되는데, 이유는 양이온은 전기장을 인가해 줌으로써 가속하기가 쉽고 또한 target에 충돌하기 직전 target에서 방출 ... 으로 인한 박막의 순도가 떨어진다는 단점이 있다. Target은 주로 고체이나 특별한 경우 분말이나 액체를 사용하기도 한다. 일원 또는 다원계의 target을 사용할 수 있
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    | 리포트 | 9페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.01.01
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    정전분무증착, SOFC증착
    다.2. SOFC, 고체산화물 연료전지에 사용되는 다른 증착방법과 간단히 장단점 정도 비교SOFC는 다른 연료 전지에 비하여 상대적으로 효율이 높고 공해가 적으며 최근들어 박막 증착 ... 방법이 있다. 이런 증착방법을 하나하나씩 간단하게 알아보고자 한다.1. 스퍼터링법 (sputtering Method)이 방법은 고에너지를 가진 입자를 고체의 표면에 충돌시킨 다음 ... 에 따라 치밀한 조직을 갖는 박막을 형성하게 된다.스퍼트링의 종류에는 직류 스퍼트링(Direct current sputtering)과 라디오파 스퍼트링 (Radio Frequency
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    | 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.10.01
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    발광 박막의 제조2
    등의 reactive sputter로 산화물, 질화물 박막의 형성이 가능이론.(진공 증착법)단점.성막속도가 낮다.High energy deposition 이므로 박막의 불균일 ... 의 reactive sputter로 산화물, 질화물 박막의 형성이 가능실험 방법.기판세정 boat에 담기 (cm2)glassAcetone, Methanol, D1 water (10분정도 ... 목적.발광 특성이 있는 물질을 사용한 간단한 발광 박막의 제조를 통하여 박막 재료제조 공정의 이해를 돕는다.이론.발광박막제조IR- spectroscopy형광 광도계UV-Vis s
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    | 리포트 | 46페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.05.30
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    스퍼터링(sputtering deposition)의 이론 및 원리
    가 큼 - 산업적 규모의 공정으로 변환이 용이 • 단점 - 자기장 근처에서의 target 소모가 큼 - 자성재료의 sputtering시 얇은 target을 사용해야함Sputtering (Bias sputtering){nameOfApplication=Show} ... - 규모를 크게 하기 어렵다.Sputtering (Magnetron sputtering)• 원리 - 강한 자기장을 이용하여 target 표면근처에 플라즈마를 모으게 된다 ... Contents1. Plasma 2. Basic aspects of sputtering 3. Sputtering techniques1. PlasmaPlasma (정의)What
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    | 리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.24
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    Sputtering 방법을 통해 증착한 Cu-Ti 박막의 후 열처리 온도에 따른 Cu-Silicide 형성과 비저항의 미치는 영향과 특성 평가 실험
    재료를 sputtering 가능- 낮은 working pressure? 단점- 절연체 target은 열전도성이 좋지 않아 열충격에 약하다.- 제한된 증착 속도로 증착⇒ 금속 ... 형성 기구 이해(kinetic, themodynamic)- 제조 방법(sputtering)의 이해- 응용 내용 이해( 반도체 metallization)2. 이론적 배경◎ s ... putter의 원리① Sputtering의 원리sputtering은 진공도가 일정수준에 이르면 진공 chamber내로 불활성기체(Ar)을 주입하고 전장을 인가하면 Glow
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    | 리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.25
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    실내재료응용유리조사 로이복층유리
    process) 에 의한 하드 로이 (hard low-E) 스퍼터링 공법 (sputtering process) 에 의한 소프트 로이 (soft low-E) 로 구분한다 . 1) 하드로이 ... 다 . 장점 - 열적 코팅으로 코팅 경도 및 내구성이 강하여 강화 가공 등의 열처리가 가능하다 . 단점 - 여러 금속 사용이 제한되어 색상 이 단순 하고 , 코팅 막이 탁하다 . 2 ... ) 소프트로이 (soft low-E) 생산되어 있는 판유리를 별도의 진공챔버에 넣고 은 (Ag), 티타늄 (Ti), 스테인리스강 (Stainless Steel) 등의 금속을 다층 박막
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    | 리포트 | 15페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.11.29 | 수정일 2016.10.12
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    액정, 컬리필터, 모듈공정
    -ArITO를 CF 기판 전면에 sputtering 방법으로 증착한다. TFT-LCD의 경우 CF 기판의 ITO는 STN-LCD와 달리 별도의 pattern 형성을 하지 않지만 LCD ... 은 이러한 문제점은 없으나 생산성이 상대적으로 낮은 단점이 있다.그림 11.9 Dispenser 방식에 의한 seal printing 방식Seal pattern은 LCD 패널의 가장 ... 제11장 Color Filter, 액정, Module 공정11.1Color filter 제조 기술TFT-LCD의 color 화면은 백색광인 backlight가 액정 cell
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    | 리포트 | 18페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.05.28
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  • 판매자 표지 자료 표지
    SPUTTER
    sputtering 강한 자기장을 이용하여 target 근처 plasma 밀도를 높임으로 이온화 률이 증가DC SputteringDC Sputtering = 직류 전원을 이용 ... 에너지로 충돌할 경우 입자 충격에 의해 물질의 격자 간 원자가 다른 위치로 밀리게 되는데 이때 원자의 표면 탈출이 발생하게 되는 현상 - 스퍼터링(sputtering) 현상 ... 적으로 sputter yield는 이온의 에너지와 질량이 증가하면 증가한다. 그러나, 이온의 에너지가 너무 크면 이온 주입이 일어나 오히려 sputter yield는 감소한다.자료
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    | 리포트 | 27페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.07
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    연소 화학 기상 증착법(Combustion Chemical Vapor Deposition)
    2 등의 reactive sputtering 으로 산화물 또는 질화물 박막의 형성이 가능하다. 단점 1)성막속도가 낮다( 10Å/sec ) -magnetron sputtering ... step coverage단점Bad step coverageHigh impurity Using toxic gas Hardware complexity적용공정Ti, TiN, Al ... , Co, W, ……WSix, W, TiN, Ti, Al, …… SiO2, Si3N4, SiON, BPSG, PSGPVDPVD는 thermal evaporation, sputtering
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    | 리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.17
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    드라이에칭
    를 이용하거나 , 이온주입이나 sputtering 등과 같이 이온 이나 전자 를 이용한 식각 . 1. 물리적 방법 - Sputter Etching 2. 화학적 방법 – Plasma ... 가공 가능 - 주로 건식 에칭에 사용ICP- RIE 를 이용한 식각공정 1. 스퍼터 식각 (sputter etching) 2. 화학적 식각 (chemical etching) 3 ... 을 식각해 내는 방법 . 단점 : 미세 가공이 어려움 식각의 불균일성 감광막의 lift-off under cut 등등Dry etching 이란 ? 일반적으로 플라즈마와 같이 gas
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    | 리포트 | 25페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.06.02
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    건식식각
    식각의 불균일성 감광막의 lift-off under cut 등등Dry etching 이란 ? 일반적으로 플라즈마와 같이 gas 를 이용하거나 , 이온주입이나 sputtering ... - RIE 를 이용한 식각공정 1. 스퍼터 식각 (sputter etching) 2. 화학적 식각 (chemical etching) 3. 이온보조식각 (ion enhanced ... 메커니즘Wet etching? 액상의 식각 용액 ( 보통 HF solution) 에 웨이퍼를 넣어 , 화학적 반응에 의해 표면을 식각해 내는 방법 . 단점 : 미세 가공이 어려움
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    | 리포트 | 25페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.06.13
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    sputtering
    어야 효과적으로 sputtering에 이용된다. 대체적으로 13.56㎒, 27㎒가 사용된다.(4) 단점 - insulating target은 열전도성이 좋지 않아 부도체의 증착속도가 제한 ... -beam) 또는 RF (Radio-Frequency) 스퍼터링(sputtering) 등을 이용해 왔으나 최근에는 엑시머 레이저를 이용하는 방법의 개발이 이루어져 있다. 엑시머 ... 이 형성되지 않는다.○ Reactive vs non-reactive process① non-reactive process?불활성 gas plasma를 이용하여 sputtering
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    | 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.03.24
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    ITO
    -ITO는 In2O3의 결정구조에서 In 자리에 Sn이 치환고용된 형태◆ ITO GlassITO Glass는 투명 기판(Glass) 위에 ITO 박막을 sputtering 방법으로 코팅 ... 다.2) RF sputteringDC Sputtering에서는 Target이 산화물이나 절연체일 경우 Sputtering되지 않는다. 이러한 단점은 RF Sputtering ... 함)성막속도가 낮음(PAr에 민감함)Shield 크기작음(성막면적이 큼)큼(성막면적이 작음)Reactive sputteringRF보다 불리함Reactive sputtering
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    | 리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.11.05
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    Sputtering
    putter 가능 Triode sputtering 금속 필라멘트를 가열시켜 열전자를 방출하여 이온화률 높여 낮은 압력과 전압에서 증착가능 Magnetron sputtering 강한 자기장 ... ProcessSputtering 종류DC sputtering - 직류 전원을 사용하여 전도체를 sputter RF sputtering - 고주파 전원을 사용하여 금속 뿐만 아니라 부도체 s ... 조절이 쉬우며, 연속 조업이 가능 단점 증착속도가 매우 느림 증착 조건이 민감하고 서로 영향을 끼침 고전압을 사용하므로 작업상 주의 요망Micromachining
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    | 리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.05.03
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    Sputter Deposition
    puttering(1) sputtering plasma 발생 oscillating power source를 사용하므로 DC방법보다 많은 장 점이 있다.- 부도체재료를 sputter 할 수 ... Sputter Deposition1. Basic aspects of sputtering1.1. Sputtering 현상Glow discharge를 이용하여 ion을 형성하고 이 ... pu분의 화합물 target은 sputtering yield가 작고 이차 전자의 방출량이 많다.)?sputtering 기술, 물질, 증착조건에 의존하므로 target물질에 따라 막
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    | 리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.02
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    완전 이해 잘되는 [분광학적 분석 방법] 레포트
    을 위한 ion sputtering 기능이 있고pass energy를 5~200eV까지 조절할 수 있다.② 용도 및 성능: 금속,촉매,섬유,ceramic,반도체 등 거의 모든 분야 ... 하고, 분말의 경우 가능한 미세하게갈아서 0.1 ~ 0.2g정도 준비한다.ⓕ FT-NMR ( 핵자기공명 분광기 )① 원 리 : 회전하는 핵은 외부에서 가해진 강한 자기장에 놓이게 되면s ... 를 측정함으로서 시료표면의 정성 및 상대적정량분석을 하는 표면 분석기기이다. X-ray source로는 Mg Ka(1253.6eV),Al Ka(1486.5eV)를 사용하고 double
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    | 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.03.26
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    반도체 입문교제(Metal)
    motion)을 하게 된다. 전자가 target 부근에서만 운동하므로, 실제로 sputtering이 일어나는 target 표면 근처에서 Ar을 집중적으로 이온화시킬수 있다. 또한 ... Sidewall spacer를 형 성 시킨다. 다음 sputter 방식으로 Ti이나 Co를 증착한후, RTP(Rapid Thermal Process) 열처리를 실시하면 Ti이나 Co ... 는 target면에 수직한 방향으로 전기장을 형성시킨다. 이 때 target 면에 수평한 방향으로 자기장을 걸어주면, 전자는 target 표면 근처에서 나 선 운동(Spiral
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    | 리포트 | 30페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.11.08 | 수정일 2016.05.08
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