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"sputtering 장.단점" 검색결과 141-160 / 183건

  • [전자공학] 박막형성법과 박막특성
    의 종류..PAGE:7Magnetron sputtering강한 자기장을 이용하여 플라즈마의 대부분을 target 표면 근처에 묶게 된다. - 방출된2차 전자의 궤도를 target 표면 ... 는다. 이러한 단점은 RF sputtering함으로써 해결될 수 있으며 특히 낮은 Ar 압력에서도 plasma가 유지될 수 있다. RF sputtering은 금속 이외에도 비금속, 절연체 ... , 이온 플레이팅법 등이 있다.화학적인 방법으로는 CVD법, 졸겔법, 액상 에피택시얼법, 용사법 등이 있다...PAGE:4물리적 방법중 스퍼터법스퍼터(sputter)법은 박막이 되
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    | 리포트 | 22페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.01.18
  • [골프] 골프레포트 완벽정리[골프경기방법, 골프채종류, 스윙단계, 그립종류, 점수계산법 등]
    지만 무겁다는 단점과 거리가 그래파이트보다 덜 나간다는 것이 있다. 그리고 반드시 알아두어야 할 점은 샤프트의 강도이다. 샤프트의 강도는 크게 나누어 regular, stiff(혹은 ... 우드 - 브러쉬(Brush)라 불림.3번 우드 - 스픈(spoon)이라 불림.4번 우드 - 버휘(Buffy)라 불림.5번 우드 - 크리크(Cleek)라 불림.7번 우드 - 헤븐 ... - 가장 높게 볼을 띄울 수 있는 클럽이며 용도는 샌드웨지와 같다.· 퍼터(Putter)란Putt(펏)이란 가벼운 타구, ‘가볍게 치다’의 뜻을 가지고 있다. 즉, 퍼터란 그린
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.01.22
  • PDP 발표 ppt
    음 ⇒ sputtering - 교류형 (AC) ㆍ대향형 : 전극이 유전체 층에 덮여 있어 방전 시 이온의 충격으로 보호하여 DC형에 비하여 수명이 길지만 이온이 형광체를 파괴 ... OLED등의 Display 산업은 우리나라의 성장 동력 ■ PDP 와 LCD는 서로 서로 비슷하며 각각의 장 / 단점을 지님 ⇒ 「선의의 경쟁자」 ● 가격의 경쟁 ● 기술의 개발 ... PDP의 분류반도체디스플레이회로공학■ PDP의 분류 ● 전극의 Plasma 노출에 따라서 구분 - 직류형 (DC) 전극이 방전 공간에 노출이 되어 있어서 수명이 짧은 단점이 있
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    | 리포트 | 18페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.08.24
  • [박막공학]여러가지 박막 제조 공정
    여러 가지 박막 제조공정수 업 목 표여러 가지 박막 증착 법의 종류를 안다. 여러 가지 박막 증착 과정을 이해한다. 각각의 증착법이 가진 장단점을 알고 그 차이를 이해한다.목 ... 은 중성 상태로 돌아가고 이온화 된 후 다시 충 돌 하는 과정을 반복함.DC sputtering DC sputter의 구조접지진공아르곤 주입구웨이퍼가열기전극 (양극)전극/타겟 (음극 ... 증착 가능분자선 에피탁시의 단점낮은 성장속도에 따른 저 생산성 박막을 만들기 위한 높은 진공도 필요 박막생산 과정에서의 여러 가지 측정이나 정보를 얻기 위한 장치들로 인하여 매우
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    | 리포트 | 30페이지 | 3,000원 | 등록일 2005.11.16
  • [전자공학] 박막형성법과 그성질
    는 10MHz이상 되어야 효과적으로 sputtering에 이용된다. 대체적으로 13.56㎒, 27㎒가 사용된다.④ 단점 - insulating target은 열전도성이 좋지 않 ... 으로 진공증착법으로는 붙이기 어려운 고융점재료의 박막 형성이 가능하다. 이방법에는 Diode sputtering, RF sputtering, Triode sputtering ... , Magnetron sputtering, Unbalanced magnetron sputtering 등이 있다.(1) Reactive vs non-reactive process① non
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    | 리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.01.18
  • [박막공학]박막공정
    의 냉각기 기판(cooler substrate) 위에 증발 또는 sputtering을 사용하여 발생시킨 증기를 축적하여 필름을 성장 시키는 방법. 특성 증착 속도는 표면의 증발 흐름 ... 하여 아르곤의 양이온으로 웨이퍼의 Sputtering 및 cleaning을 할 수 있다. Sputtering 증착법은 sputter를 선택할 수 있고, 이온은 더 높은 방향 ... 만 가능한 반면 sputtering 증착법은 어떤 물질이나 가능함. Sputtering 증착법 은 증발 증착법에 비해 다음의 장점을 가짐. 더 좋은 step coverage. 방사성
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    | 리포트 | 43페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.12.29
  • [재료 금속 박막 증착] PVD CVD(박막)
    plasma sputtering, magnetron sputtering등이 있다.그러나 sputtering은 장비가 비싸다는 단점이 있다.◎Sputtering ... 에서Cyclotron Resonance)을 이용한 sputter로부터 해결이 가능하다. 이러한 sputter증착은 진공 chamber 중에서 이루어진다. chamber 내의 진공도 ... target 의 전압은 -0.5∼-5 kV정도 걸어 주고, substrate 는 접지 시키거나 약간의 (-)전압을 걸어준다. sputter deposition 은 전자산업에서 유용
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    | 리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.09.12
  • ESCA(XPS)원리와 특징
    에 비해 경미하고, 화학상태분석, (반)정량 분석이 용이 Ion sputtering, 각도분해법으로 비파괴 깊이방향 분석 가능ESCA(XPS)의 장점 및 단점(2)단 점 분석속도가 비} ... 고분자 복합재료 연구ESCA(XPS)의 장점 및 단점(1)장 점 Charge up의 영향이 AES보다 적으므로 절연체 시료 분석이 용이 X선 조사에 의한 시료 손상은 전자선 조사 ... 목 차ESCA(XPS)의 역사 ESCA(XPS)의 이론 및 원리 ESCA(XPS)의 장비 구성 및 역할 ESCA(XPS)의 분석 및 응용 ESCA(XPS)의 장점 및 단점ESCA
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    | 리포트 | 34페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.06.11
  • 반도체 제조 공정
    되며, 이에는 진공 증착(vacuum evaporation)법과 스퍼터링(sputtering)법 등이 있다. 반면 CVD법은 화학 반응을 수반하는 증착기술로서 부도체, 반도체, 그리고 ... IC칩이 완성되는 것이다.본 장에서는 이러한 여러 가지 반도체 공정 중 특히 반응공학을 기초로 한 반도체 공정에 대해 살펴보기로 한다. 초기 트랜지스터(transistor ... ) 반도체이다. 따라서 본 장에서는 주로 실리콘이 대상이 되는 반도체 공정을 다룰 것이고 갈륨비소관련 공정에 대해서는 필요한 경우 일부 취급할 것이다.반도체 집적회로의 제조에 있어 대
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    | 리포트 | 15페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.05.01
  • [공학기술]Thermal Evaporation법을 사용하여 발광박막의 제조
    은 경우(Nb, Si)에 주로 사용된다.Electron Beam source 인 hot filament 에 전류를 공급하여 나오는 전자 beam 을 전자석에 의한 자기장으로 유도 ... 을 보면장점은, 증착속도가 빠르고, 고융점 재료의 증착이 가능하다. 그리고 Multiple deposition 이 가능하다.단점은, X-ray 발생하고 e-beam source 위 ... ) 두께로 특정 기판 상에 올리는 일련의 과정을 지칭하며 이러한 방법으로는 thermal evaporation(열증착), e-beam evaporation(e-beam 증착), s
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    | 리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.06.02
  • 박막증착
    원자들이 튀어나와 기판에 박막을 형성한다.Sputter deposition의 장단점을 보면(장점)-. 여러 가지 다른재료에서도 성막속도가 안정되고비슷하다.-. 균일한성막이가능, s ... 이 가능, 큰 target 사용가능하다.-. 기판의 sputter etching으로 pre-cleaning이가능하다.-. O2, N2등의 reactive sputter로 산화물, 질화물 박막의 형성이 가능하다.(단점)-. 성막속도가 낮다.( ... 는 기술. 주로 금속 film 증착에 사용한다.장점- 평탄화 정도가 좋다- 기계적인 강도가 좋다단점- 막 형성 속도가 느리다.- damage가 심각하다.spining회전도포
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    | 리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.10.24 | 수정일 2017.07.17
  • 박막의 표면처리 및 식각 실험 예비보고사
    미세 패턴 구현에 있어서 어려운 단점이있다. 이러한 습식 식각과 비교하여 건식 식각은 플라즈마 내에 존재하는 양이온의 물리적인 sputtering 효과와 반응성 식각 가스의 라디칼 ... 에 맞는 금속(Al 등)이나 유전체(SiO2 등) 등의 박막을 형성한다.회전 도포기(spin coater)에 놓고 회전하고 있는 기판 위에 감광재(Photoresist:PR ... 되는 소켓있다.장비KOH wet station?웨이퍼크기 : 2\", 4\", 6\"?사용 chemical : KOH, IPA?온도 조건 : 상온~120oC, 균일도 ± 0.5oC?시스템
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    | 리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.04
  • 강유전체 원리와 응용
    SrBi2Ta2O9 (SBT) 계열의 재료이다. 이 두 가지 재료는 각각 장단점을 가지고 있다. 먼저 PZT의 경우 공정온도가 약 650℃ 로 상대적으로 낮고, 잔류분극이 큰 반면 ... 는 실제로 bulk 상태가 아닌 강유전체 박막이 필요하다. 강유전체 박막의 제조 방법으로는 sputtering 법, laser ablation, MOCVD, Wet Process (sol ... 에 Noboru 가 RF sputtering 이용하여 만든 BLT 박막이 좋은 피로특성을 가진다는 결과를 보고하였고[4], 1999 년에 Noh and coworkers 에 의해 laser
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    | 리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2005.03.02
  • 졸겔법
    한 입자로 된 다결정 세라믹스의 합성이 가능하다.5) 스퍼터링(sputtering)이나 화학기상증착법(chemical vapor deposition)에 비해 생 산효율이 높다.7 ... 하는데 상온 또는 저온에서 원하는 물성을 가지는 세라믹스를 제조할 수 있는 새로운 재료공정으로서 Sol-Gel법(sol-gel process)이 활발히 연구되고 있다. 이는 재료 ... -gel법이란 "Sol-Gel 세라믹스(sol-gel derived ceramics)"를 제조하는 방법을 말한다. 다시 말하면 "Sol→Gel→세라믹스"의 과정을 거치는 공정을 말
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    | 리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.05.06
  • 건식도금(pvd, cvd)
    에의 흡착,응집 process이다. 증발 수단으로는 boat 가열증발, 전자 beam gun 증발, sputtering, 냉음극 arc 방전 등이 이용되고 있다. 기판 표면으로 수송 수단 ... 스퍼터링의 장ㆍ단점장점단점a. 넓은 면적의 target을 사용할 경우 wafer 전 면적에 걸친 고른 박막의 증착이 가능.b. 박막의 두께 조절이 용이.c. 합금 물질의 조성 ... 으 열적 source재료로는 W(텅스텐), Mo(몰리브덴), Ta(탄탈) 등으로, 이 금속들의 박 또는 선을 적당한 형상으로 만들어 증발원으로 한 것으로, 증착재료를놓고 증발원
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    | 리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.10.17
  • [공학]고분자 OLED 재료의 기술현황과 연구방향
    및 전자 주입층 유기 저분자 재료--------------------------------------72.2 고분자 재료의 기술 현황과 장단점-------------------- ... 도 한다. 기판 위의 양전극은 진공 증착이나 sputtering에 의해 형성된 ITO(indium-tin-oxide)를 사용하고 유기층은 저분자 화합물의 경우는 진공 증착, 고분자 ... 화면의 구현이 어렵고 생산성이 낮다는 단점을 지니고 있다.2.2 고분자 재료의 기술 현황과 장단점1989년에 PPV 박막을 사용한 고분자 OLED가 처음 나타났으며 현재까지 공역
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    | 리포트 | 16페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.02.05
  • [공학]박막특성 측정방법 예비보고서
    (의 연속적으로된 연속 spectrum과 원소에 따라 고유의 파장을 가지는 특성 spectrum으로 되어있다.[장점과 단점]장 점단 점초점심도가 높다.사용배율의 범위가 넓다.기기 ... )를annel)와 개수(yield)로 이루어진 spectrum을 분석함으로써 표면의 여러 가지 성질을 규명할 수 있다.(1)장점-이온sputtering에 의한 원소층의 파괴가 수반 ... 이 가능하다.-타 분석장치처럼 초고진공을 요구하지 않기 때문에 시료의 교체 및 조작이 간편.(2)단점-다중원소로 이루어진 시료의 경우 peak의 중첩으로 인해서 simulation
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    | 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.11.19
  • 플라즈마
    . DC Plasma와 RF Plasma1) Glow dischargeDC glow discharge sputtering은 타켓이 캐소드 전극이 되고 기판은 주로 접지되어 애노드 전극( ... 적 특성(1) 도전성플라즈마는 원자나 분자에 속박되지 않은 전자를 많이 갖고 있기 때문에 외부에서 전기장을 가해주면 전류를 흘릴 수 있는 특성을 갖고 있습니다. 전기전도도는 고체 ... 입니다. 이와 더불어 전자기장을 가할 때 전류를 흘릴 수 있는 성질, 힘을 발생시킬 수 있는 성질 등을 이용하면 온도로서는 보통 화염의 20만 배의 고온, 밀도로서는 압축 플라즈마
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    | 리포트 | 23페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.01.07
  • ITO glass cutting, glass 세정 및 건조공정
    며 Coating시 저항이 낮다.2)ITO glassITO Glass는 투명 기판(Glass) 위에 ITO 박막을 sputtering 방법으로 코팅한 유리를 말함. 투명 ... 도 현상액처럼 실온에서 사용 가능하고, 쓰기에 편하고 안전하기 때문에 음성보다 유리하다. 표2에 음성 및 양성 PR의 장단점을 나타내었다.PR의 보관과 취급1) 빛빛이나 열의 형태 ... 을 연구한 프랑스학자 Poisseulle의 이름을 따서, 점도의 단위는 Poise가 된다. 1 Poise는 1 Dyne·sec/cm가 된다. PR의 점도는 보통 센티포이즈(1/100
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    | 리포트 | 15페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.11.01
  • [박막공학] Sputtering
    은 PVD(Physical Vapor Deposition)으로써, evaporation, sputtering 과 같은 물리적인 힘(증발, 승화, 이온충돌 등)을 이용하여 시편에 증착 ... .필요하며, 전압과 전류와의 관계는 기체의 압력이 결정한다. 스퍼터되는 속도는 target에 충돌하는 이온(중성 원자)의 개수 및 에너지와 sputter yield에 의하여 결정 ... 때문에 sputter yield가 떨어지게 된다. Sputter yield의 기체 압력에 대한 의존성을 Fig. 8에 나타내었다.Fig 8. Effect of the gas
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    | 리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.12.22
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